JP2013140392A - 偏光回転器及びその製造方法 - Google Patents
偏光回転器及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013140392A JP2013140392A JP2013060441A JP2013060441A JP2013140392A JP 2013140392 A JP2013140392 A JP 2013140392A JP 2013060441 A JP2013060441 A JP 2013060441A JP 2013060441 A JP2013060441 A JP 2013060441A JP 2013140392 A JP2013140392 A JP 2013140392A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- core
- optical circuit
- circuit according
- mode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000010287 polarization Effects 0.000 title claims abstract description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 110
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000011162 core material Substances 0.000 claims description 258
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 15
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 235000010599 Verbascum thapsus Nutrition 0.000 description 4
- 244000178289 Verbascum thapsus Species 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/1228—Tapered waveguides, e.g. integrated spot-size transformers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/126—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind using polarisation effects
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/14—Mode converters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【課題】光回路の低損失化と高集積化を同時に実現するために必要な要素光素子を提供する。
【解決手段】コアの高さ及び幅が異なる2つの導波路のコア1、2を滑らかに結合する、高さ及び幅が変化する第3の導波路のコア3であって、導波モードの偏光をTEモードとTMモードの間で相互に回転する偏光回転器を挿入する。これにより、単一SOI基板上の光回路内に、コアの高さと偏光を好適化した要素光素子を混合して配置する。
【選択図】図1
【解決手段】コアの高さ及び幅が異なる2つの導波路のコア1、2を滑らかに結合する、高さ及び幅が変化する第3の導波路のコア3であって、導波モードの偏光をTEモードとTMモードの間で相互に回転する偏光回転器を挿入する。これにより、単一SOI基板上の光回路内に、コアの高さと偏光を好適化した要素光素子を混合して配置する。
【選択図】図1
Description
(関連出願)本願は、先の日本特許出願2006−325730号(2006年12月1日出願)の優先権を主張するものであり、前記先の出願の全記載内容は、本書に引用をもって繰込み記載されているものとみなされる。
本発明は、偏光回転器及びその製造方法に関し、特に光回路用の偏光回転器及びその製造方法に関する。また、本発明は、偏光回転器を含むTE−TMモード変換器、光回路及びこれらの製造方法に関する。
本発明は、偏光回転器及びその製造方法に関し、特に光回路用の偏光回転器及びその製造方法に関する。また、本発明は、偏光回転器を含むTE−TMモード変換器、光回路及びこれらの製造方法に関する。
シリコン・オン・インシュレータ(Silicon on Insulator、SOI)基板とは、シリコン基板の上に埋め込み酸化膜と呼ばれる二酸化シリコンの薄膜を形成し、更にその上にシリコン活性層と呼ばれるシリコンの薄膜を形成したものである。SOIは光回路の基板として利用することができる。最上層のシリコン活性層を加工して細線状にすることによって、細線状のシリコンをコアとし、そのコアを取り巻く下層の埋め込み酸化膜と上部の空気をクラッディング(クラッド)とする細線導波路を形成することができる。シリコンのコアの上部は、更に二酸化シリコンによって埋め込まれることもある。(導波路の導波光の電磁界は、コアを中心としてクラッディングにしみ出すように分布しながら導波される。したがって、「導波路」とは、コアのみならずクラッド部分を含むものとし、「細線」とは、導波路のコアのみを指すものとする。また、「コアの幅」とは、導波方向に垂直な断面におけるコアの側面間の間隔をいい、「コアの高さ」とは、導波方向に垂直な断面におけるコアの上面と底面との間隔をいう。以下の説明においても同様である。)
SOI基板上において、様々な基本的な機能を有する微小な要素光素子を組み合わせて1つの基板上に集積化することによって、光回路を実現することができる。光回路用の要素光素子のほとんどは小型化が比較的容易な導波路型である。基本的な要素光素子は、直線導波路、曲がり導波路、分岐導波路などの光導波路である。これらの導波路部品を複数組み合わせることによって、方向性結合器や干渉計などの光素子を構成することができ、更に、これらに波長フィルタを組み合わせることによって、波長合分波器や光スイッチなどの光素子を構成することができる。
光回路の主要な構成要素は光導波路であるが、個々の光素子に好適な導波路のコアの断面形状は、必ずしも同じではない。光配線として用いられる場合には、光導波路の特性として導波損失が小さいことが要求される。シリコンのコアは、細線状に加工される際に側壁に荒れが生じ、その荒れが光の散乱損失を生じさせる。したがって、直線導波路においては、側壁の面積が小さくなるように、コアの高さは低いことが望ましい。
しかし、コアの厚みが薄すぎる(高さが低すぎる)場合には、モード・フィールドが広がるため、曲がり導波路においてはかえって導波損失が増える。方向性結合器などの光素子は曲がり導波路を多く含むため、高集積が求められる光回路の場合、コアは厚めの方がよいことになる。SOI基板におけるシリコン活性層は厚みが均一である。したがって、従来技術では、光回路全体の光損失低減と集積度向上のトレード・オフを考慮して、光回路全体の導波路のコアの高さを選ばざるを得ない。なお、コアの幅は、光導波路がシングル・モードとなるように選ばれる。
要素光素子の動作特性は偏光方向にも依存する。基板上に形成される光導波路は、通常、厚み方向と幅方向に関する光学的な対称性に起因して、基板に平行な方向の電界を多く含むTEモードと、基板に垂直な方向の電界を多く含むTMモードとを導波モードとして有する。伝搬方向に垂直な断面における導波光の電磁界の分布、すなわち、モード・フィールドは、一般に、TEモードとTMモードとの間で大きさや形状が異なる。その結果、個々の要素光素子の動作特性は、TEモードとTMモードとでは異なり、TEモードで高性能であるものと、TMモードで高性能であるものとがある。しかし、従来技術においては、偏光方向を自在に回転することは困難であるため、光回路内の特定の要素光素子において、性能の劣化(例えば、光損失)を招くという問題があった。
なお、特許文献1において、連続的に偏光方向を回転するとともに、コアの高さ及び幅を変化させる変換器が開示されている。しかし、ここで開示されている変換器は、直方体やくさび型の形状のコア材料を積み重ねたものであるため、層状の基板上に形成したり、導波路の断面形状を連続的に変化させることは困難であるという問題がある。
以上の特許文献1の開示事項は、本書に引用をもって繰り込み記載されているものとする。以下に本発明による関連技術の分析を与える。従来技術においては、導波路のコアの断面形状を設計する際に光回路の損失低減と集積度向上とがトレード・オフの関係にあるため、両者を同時に好適化するようにコアの断面形状を設計することが困難であるという問題がある。
また、従来技術では、光回路を動作させる偏光方向をTEモードかTMモードのいずれかに限定しなければならない。しかし、要素光素子によって高性能化や高集積化に適した偏光方向が異なるため、性能の劣化(例えば、光損失)を招くという問題がある。
さらに、従来技術では、損失低減と集積度向上のトレード・オフによって決まる導波路コアの高さが光回路によって異なるため、光回路毎に異なったシリコン活性層厚を有するSOI基板を用いなければならない。したがって、光回路の製造プロセスが煩雑となり、製造コストが高くなるという問題もある。
本発明の第1の視点に係る光回路は、第1の導波路と、第2の導波路と、第1の導波路の光の偏光方向及びモード・フィールドを同時に変換して第2の導波路へ導波する第3の導波路と、を備えた光回路であって、前記第1の導波路のコアと前記第2の導波路のコアの対応する端部のアスペクト比の大きい方向は互いに異なることを特徴とする。
本発明の第2の視点に係る光回路は、第1ないし第3の導波路を備えた光回路であって、前記第1の導波路は、導波軸(すなわち、導波方向)に垂直な断面におけるコアの形状が横長であり、前記第2の導波路は、導波軸に垂直な断面におけるコアの形状が前記第1の導波路のコアとの位置関係において縦長であり、前記第3の導波路のコアの両端は、それぞれ前記第1の導波路のコアと前記第2の導波路のコアとに接続されており、前記第1の導波路のコアと前記第3の導波路のコアとの接続部、及び、前記第2の導波路のコアと前記第3の導波路のコアとの接続部において、接続される2つの導波路のコアの断面形状及び屈折率が連続的に又は段階的に変化しており、前記第3の導波路のコアの断面形状及び屈折率が、導波方向の両端の間で導波方向について連続的に又は段階的に変化している。
第1の展開形態の光回路は、前記第3の導波路のコアの断面形状が導波方向に連続的に又は段階的に変化している。
第2の展開形態の光回路は、前記第3の導波路のコアの屈折率が導波方向に連続的に又は段階的に変化している。
第3の展開形態の光回路は、前記第1の導波路の導波方向と前記第2の導波路の導波方向とが同一である。
第4の展開形態の光回路は、前記第1の導波路のコアと前記第2の導波路のコアとの間で対応する端部のアスペクト比の大きい方向が互いに直交する。
第5の展開形態の光回路は、前記第3の導波路のコアの幅が、前記第1の導波路のコアとの接続端から前記第2の導波路のコアとの接続端に至る過程において、単調に減少するか又は単調に減少する部分と一定の部分との組み合わせである。
第6の展開形態の光回路は、前記第3の導波路のコアの高さが、前記第1の導波路のコアとの接続端から前記第2の導波路のコアとの接続端に至る過程において、単調に増加するか又は単調に増加する部分と一定の部分との組み合わせである。
第7の展開形態の光回路は、前記第1の導波路のコア及び前記第2の導波路のコアの断面形状がいずれも長方形である。
第8の展開形態の光回路は、前記第1の導波路のコア及び前記第2の導波路のコアの断面形状のアスペクト比がいずれも1.2以上である。
第9の展開形態の光回路は、前記第1の導波路のコア、前記第2の導波路のコア及び前記第3の導波路のコアが同一平面上に形成される。
第10の展開形態の光回路は、前記第3の導波路のコアの導波方向の長さが、前記第1の導波路のコアと前記第2の導波路のコアの幅との差、又は、前記第1の導波路のコアの高さと前記第2の導波路のコアの高さとの差のいずれか大きい方の10倍以上である。
第11の展開形態の光回路は、前記第3の導波路のコアの上面が、前記第3の導波路のコアの底面と0°より大きく90°より小さい角度をなす傾斜平面を含み、傾斜平面の法線を底面上に射影した方向が、前記第1の導波路及び前記第2の導波路の導波方向のそれぞれに対して、0°より大きく90°より小さい角度をなす。
第12の展開形態の光回路は、前記第3の導波路のコアに含まれる傾斜平面と前記第3の導波路のコアの底面とがなす角が、30°以上90°未満である。
第13の展開形態の光回路は、前記第3の導波路のコアの上面が凹面を含み、前記凹面の任意の位置における接平面が前記第3の導波路のコアの底面と0°より大きく90°より小さい角度を成し、接平面の法線を底面上に射影した方向が前記第1の導波路及び前記第2の導波路の導波方向のそれぞれに対して、0°より大きく90°より小さい角度をなす。
第14の展開形態の光回路は、前記第1の導波路、前記第2の導波路及び前記第3の導波路のコアの屈折率が3以上であり、クラッディングの屈折率が2以下である。
第15の展開形態の光回路は、前記第1の導波路、前記第2の導波路及び前記第3の導波路が単一のSOI(Silicon on Insulator)基板に形成される。
本発明の第3の視点に係る光回路は、第1の導波路と第2の導波路とを備え、前記第1の導波路と前記第2の導波路との間に、偏光回転及びモード・フィールド変換を同時に行う第3の導波路と、モード・フィールド変換のみを行う第4の導波路とを直列に備え、TEモードとTMモードを相互に変換する。
第16の展開形態の光回路は、前記第4の導波路が、アスペクト比が1の導波路とアスペクト比が1でない導波路とを接続し、又は、アスペクト比の大きい方向が互いに異なる導波路同士を接続する。
第17の展開形態の光回路は、前記第3の導波路及び前記第4の導波路を直列に備える。
本発明の第4の視点に係る光回路は、第1の導波路と第2の導波路との間に設けられ、第1の導波路の光の偏光方向及びモード・フィールドを同時に変換して第2の導波路へ導波する第3の導波路を備えた光回路であって、前記第3の導波路のコアの断面形状は、導波方向に連続的に又は段階的に変化し、前記第1の導波路のコアと前記第2の導波路のコアの対応する端部のアスペクト比の大きい方向は互いに異なることを特徴とする。
第18の展開形態の光回路は、前記第1の導波路のコアと前記第3の導波路のコアとの接続部、及び、前記第2の導波路のコアと前記第3の導波路のコアとの接続部において、接続される2つの導波路のコアの断面形状及び屈折率は連続的に又は段階的に変化していることが好ましい。
本発明の第5の視点に係る光回路の製造方法は、一定の膜厚の第1の膜と、第1の膜よりも薄い一定の膜厚の第2の膜と、両膜のそれぞれに対して等しい厚みで接するとともに膜厚が一方向に単調に変化する第3の膜とを備えるコア材料に対して、コアの長手方向が第3の膜の膜厚が変化する方向と斜めに交差する方向となるように加工することによって導波路を形成する工程を含む。
第19の展開形態の光回路の製造方法は、前記第3の膜を細線状に加工する形成工程において、第3の膜を厚さが小さい方から大きい方に向かってコアの幅が単調に減少するように加工するか、又は、単調に減少する部分と一定の部分との組み合わせとなるように加工する工程を含む。
第20の展開形態の光回路の製造方法は、単一のSOI基板に対して導波路を形成する。
本発明の偏光回転器によって、導波路のコアの高さを自在に変化させることが可能となる。したがって、光回路内にコアの高さが異なる要素光素子を混在させることが可能となる。その結果、導波路コアの高さに関する、損失低減と集積度向上の間のトレード・オフ関係を解消し、光回路における損失低減と集積度向上を同時に実現することができる。
また、本発明の偏光回転器によって、偏光の向きも自在に変化させることが可能となる。したがって、光回路内に偏光方向により性能が異なる要素光素子を混在させることも可能となる。
また、本発明の偏光回転器もしくはこれを含む光回路の製造方法は、単一のSOI基板上において実施することが可能であるため、光回路の製造プロセスを簡易化するとともに低コスト化する。
本発明の実施形態に係る光回路は、第1ないし第3の導波路を備えた光回路であって、第1の導波路は、導波方向に垂直な断面におけるコアの形状が横長であり、第2の導波路は、導波方向に垂直な断面におけるコアの形状が第1の導波路のコアとの位置関係において縦長であり、前記第3の導波路のコアの両端は、それぞれ第1の導波路のコアと第2の導波路のコアとに接続されており、第1の導波路のコアと第3の導波路のコアとの接続部、及び、第2の導波路のコアと第3の導波路のコアとの接続部において、それぞれ接続される2つの導波路のコアの断面形状及び屈折率が、連続的に又は段階的に変化しており、第3の導波路のコアの断面形状及び屈折率が、導波方向の両端の間で導波方向について連続的に又は段階的に変化している。
また、第1の導波路のコアの導波方向と第2の導波路のコアの導波方向とが平行であってもよい。
さらに、第3の導波路のコアの導波方向に垂直な断面におけるコアの横幅は、第1の導波路のコアとの接続端から第2の導波路のコアとの接続端に至る過程において、単調に減少するか、又は、単調に減少する部分と一定の部分との組み合わせであってもよい。
また、第3の導波路のコアの導波方向に垂直な断面におけるコアの高さは、第1の導波路のコアとの接続端から第2の導波路のコアとの接続端に至る過程において、単調に増加するか、又は、単調に増加する部分と一定の部分との組み合わせであってもよい。
さらに、第1の導波路のコア及び第2の導波路のコアの断面形状はいずれも長方形であってもよい。
なお、第1の導波路のコア及び第2の導波路のコアの断面形状の縦横比はいずれも長い方が短い方の1.2倍以上であることが好ましい。
また、第1の導波路のコア、第2の導波路のコア及び第3の導波路のコアの底面は、全て同一平面上にあることが好ましい。
さらに、第3の導波路のコアの長さは、第1の導波路のコアの横幅と第2の導波路のコアの横幅との差、又は、第1の導波路のコアの高さと第2の導波路のコアの高さとの差の大きい方の10倍以上であることが好ましい。
なお、第3の導波路のコアの上面は、第3の導波路のコアの底面と0°と90°の間の角度をなす傾斜平面を含み、傾斜平面の法線を前記底面上に射影した方向は、第1の導波路のコアの導波方向と第2の導波路のコアの導波方向の両方に対して、0°と90°の間の角度をなしてもよい。
また、傾斜平面が第3の導波路のコアの底面に対してなす角は30°以上90°未満であってもよい。
また、第3の導波路のコアの上面は凹面を含み、凹面の任意の位置における接平面が第3の導波路のコアの底面と0°と90°の間の角度を成し、接平面の法線を底面上に射影した方向は、第1の導波路のコアの導波方向及び第2の導波路のコアの導波方向の両方に対して、0°と90°の間の角度をなしてもよい。
さらに、第1の導波路のコアの導波方向と第2の導波路のコアの導波方向とは平行でなくてもよい。
なお、コアの屈折率は3以上であり、クラッディングの屈折率は2以下であることが好ましい。
さらに、TE−TMモード変換器は、導波路の偏光モードを、TEモードとTMモードとの間で相互に変換する機能を有し、モード・フィールド変換器と上述の偏光回転器とを備えたものであってもよい。
また、TE−TMモード変換器において、モード・フィールド変換器は、縦横比が等しいか又は横長のコアを有する扁平導波路のTEモード及びTMモードを、それぞれ縦長のコアを有する扁平導波路のTEモード及びTMモードに変換するか、又は、これと逆の変換を行うものであってもよい。
さらに、TE−TMモード変換器において、モード・フィールド変換器は、横長のコアを有する扁平導波路のTEモード及びTMモードを、それぞれ縦横比が等しいか又は縦長のコアを有する扁平導波路のTEモード及びTMモードに変換するか、又は、これと逆の変換を行うものであってもよい。
なお、TE−TMモード変換器は、モード・フィールド変換器と偏光回転器とを直列に接続して構成されることが好ましい。
本発明の他の実施形態に係る偏光回転器の製造方法では、厚み方向のテーパの段差を介して厚膜部分と薄膜部分が隣接する構造を有するコア材料を、テーパの段差を斜めに横切る方向に伸びた細線状に加工する工程を含む。
また、テーパの段差を横切る範囲において、段差の低い方から高い方に向かって細線の幅が単調に減少するように加工するか、又は、単調に減少する部分と一定の部分との組み合わせとなるように加工してもよい。
次に、本発明の第1の実施例について図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の第1の実施例の光回路を説明するための斜視図である。また、図2は、本発明の第1の実施例の光回路の製造方法を説明するための基板の斜視図である
コアの高さ及び偏光方向が互いに異なる導波路を備えた光回路は、図1に示すようなコア形状を有する偏光回転器を用いることによって、単一のSOI基板上において実現することができる。
偏光回転器は、第1の導波路、第2の導波路及び第3の導波路を備え、第1の導波路のコア1の形状は横長であり、第2の導波路のコア2の形状は縦長であり、第3の導波路のコア3の両端はそれぞれ第1の導波路のコア1及び第2の導波路のコア2とに接続されており、第1の導波路のコア1と第3の導波路のコア3との接続部及び第2の導波路のコア2と第3の導波路のコア3との接続部において、接続される2つの導波路のコアの断面形状及び屈折率は連続的又は段階的に変化しており、第3の導波路のコアの断面形状及び屈折率は両端の間で連続的又は段階的に変化していることを特徴とする。
第3の導波路は、導波路の幅と高さが徐々に変化する導波路であり、偏光を回転し、コアの高さの異なる導波路を接続するための要素光素子(すなわち、偏光回転器)である。コアの高さを徐々に(連続的に又は段階的に)変化させることによって、異なるコアの高さを有する導波路同士を低い損失で結合することができる。また、コアの幅も非対称に徐々に変化させることにより、偏光回転器の両側にある、偏光方向の異なるシングル・モード導波路を無損失で結合することができる。
なお、第1の導波路と第2の導波路の導波方向は同一であってもよい。
第3の導波路のコア3の上面は、図2に示すコア材料5のテーパ段差の低い部分の上面3a、テーパ段差の斜面3b、及び、テーパ段差の高い部分の上面3cから成る。第3の導波路のコア3の両側面3dは、コア3の底面及び上面の一部3a及び3cに直交する面として定義される。
第3の導波路のコア3の両側面3d間の幅は、第1の導波路のコア1との接続端から第2の導波路のコア2との接続端に至る過程において、単調に減少するか、又は、単調に減少する部分と一定の部分との組み合わせであってもよい。
さらに、第3の導波路のコアの高さは、第1の導波路のコア1との接続端から第2の導波路のコア2との接続端に至る過程において、単調に増加するか、又は、単調に増加する部分と一定の部分との組み合わせであってもよい。
第1の導波路のコア1と第2の導波路のコア2の断面形状は、いずれも長方形であることが好ましい。
第1の導波路のコア1と第2の導波路のコア2の断面形状の縦横比は、いずれも長い方が短い方の1.2倍以上であってもよい。
第1の導波路のコア1、第2の導波路のコア2及び第3の導波路のコア3の底面は、全て同一平面上にあってもよい。
第3の導波路の導波方向の長さは、第1の導波路のコア1の幅と第2の導波路のコア2の幅との差、又は、第1の導波路のコア1の高さと第2の導波路のコア2の高さとの差の大きい方の10倍以上であることが好ましい。
第3の導波路のコア3の上面は、第3の導波路のコア3の底面と0°と90°の間の角度をなす傾斜平面3bを含み、傾斜平面3bの法線を底面上に射影した方向は第1の導波路のコア1の導波方向と第2の導波路のコア2の導波方向の両方に対して0°より大きく90°より小さい角度を成してもよい。
傾斜平面3bと第3の導波路のコア3の底面とがなす角は、30°以上90°未満であることが好ましい。
また、コアの屈折率は3以上であり、クラッディングの屈折率は2以下であることが好ましい。
第1の実施例の製造方法を、図面を参照して説明する。
厚膜と薄膜とが厚み方向のテーパを介して接続された段差構造を備えるコア材料(シリコン活性層)5において、段差方向を斜めに横切る方向に細線状の導波路のコアを形成することによって、偏光回転器を作成することができる。ここで、「段差方向」とは、段差の上面の法線を底面に射影した方向をいう。また、「段差方向を斜めに横切る方向」とは、SOI膜に平行な平面内において、段差方向に対して平行又は垂直のいずれでもない方向(すなわち、SOI膜に平行な平面内において、段差方向に対して0°及び90°以外の角度で交わる方向)をいう。したがって、「段差方向を斜めに横切る方向に細線状の導波路のコアを形成する」とは、コアの長手方向(通常は、導波方向と一致する。)が、そのような斜め方向となるようにコアを形成することをいう。
また、幅方向のテーパを形成するために、段差を横切る範囲において、段差の低い方から高い方に向かって第3の導波路のコアの両側面(図1の3b)間の幅が単調に減少するか、又は、単調に減少する部分と一定の部分との組み合わせとなるように加工することによって、偏光回転器を形成してもよい。
本発明の第2の実施例について、図面を参照して説明する。
図3は、本発明の第2の実施例の光回路を説明するための斜視図である。
第1の実施例では、図1に示したように、第1の導波路の導波方向と第2の導波路の導波方向とは互いに平行であったが、図3に示すように、それらは互いに平行でなくてもよい。つまり、第1の導波路の導波方向と第2の導波路の導波方向は、第3の導波路のコア7を通過する光の導波方向に一致するように決めてもよい。従って、図3に示すように、第1の導波路のコア1の導波方向と第2の導波路のコア2の導波方向は平行でなくてもよい。
本発明の第3の実施例について、図面を参照して説明する。
図4は、本発明の第3の実施例の光回路を説明するための斜視図である。一方、図5は、本発明の第3の実施例の光回路の製造方法を説明するためのSOI基板の斜視図である。
実施例1及び2の説明において、図1及び図3の第3の導波路のコア3及び7の上面3aないし3c、7aないし7cは全て平面として説明した。しかし、偏光を回転させる効率をより向上させるためには、偏光回転器は図4に示すように曲面を含むことが好ましい。すなわち、第3の導波路のコア8の上面は凹面8aを含み、凹面8aの任意の位置における接平面は第3の導波路のコア8の底面と0°より大きく90°より小さい角度を成し、接平面の法線方向を底面上に射影した方向は、第1の導波路のコア1の導波方向と第2の導波路のコア2の導波方向の両方に対して、0°より大きく90°より小さい角度を成してもよい。
偏光回転器と偏光を回転しないモード・フィールド変換器を組み合わせることによって、TE−TMモード変換器を構成することもできる。すなわち、モード・フィールド変換器と偏光回転器とを備え、TEモードとTMモードの偏光モードを有する導波路の偏光モードをTEモードとTMモードの間で相互に変換する機能を有するTE−TMモード変換器が提供される。
モード・フィールド変換器は、縦横比が等しいか若しくは横長のコアを有する扁平導波路のTEモード及びTMモードを、それぞれ縦長のコアを有する扁平導波路のTEモード及びTMモードに変換するか、又はこれとは逆に変換するものであってもよい。
また、モード・フィールド変換器は、横長のコアを有する扁平導波路のTEモード及びTMモードを、それぞれ縦横比が等しいか若しくは縦長のコアを有する扁平導波路のTEモード及びTMモードに変換するか、又はこれとは逆に変換するものであってもよい。
最も単純なTE−TMモード変換器は、モード・フィールド変換器と偏光回転器を直列に接続した構成を備える。
本発明に係る製造方法を実施する場合には、一例として、SOI基板を用い、そのシリコン活性層を導波路のコアとして利用することが考えられる。SOI基板のシリコン活性層上に、フォトレジストでパターニングし、水酸化カリウム溶液を用いたエッチングによって、図2に示すように45°のテーパの段差4を形成する。フォトレジストの剥離後、新たに段差4を斜めに横切るような方向に導波路用の細線パターンを形成し、異方性ドライ・エッチングによって細線状に加工することで、図2に波線で示した導波路のコア1ないし3を備えた偏光回転器を形成することができる。
また、シリコン活性層に段差を形成するための溶液として硝酸と過酸化水素水の混合液を用いる場合には、当方性のエッチングが起きるため、図5に示すような凹面状の斜面を有するテーパ段差9を形成することができる。導波路用の細線パターンを、テーパ段差9を斜めに横切るような方向に対して形成し、異方性ドライ・エッチングによって細線状に加工することで、図5に波線で示した、導波路のコア1、2及び8を備えた偏光回転器を形成することができる。
本発明の光回路によって、高さもしくは偏光方向の異なる要素光素子が集積化された高性能光回路を実現することができる。
本発明の全開示(請求の範囲を含む)の枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施形態ないし実施例の変更・調整が可能である。また、本発明の請求の範囲の枠内において種々の開示要素の多様な組み合わせないし選択が可能である。
本発明の全開示(請求の範囲を含む)の枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施形態ないし実施例の変更・調整が可能である。また、本発明の請求の範囲の枠内において種々の開示要素の多様な組み合わせないし選択が可能である。
1 第1の導波路のコア
2 第2の導波路のコア
3 第3の導波路のコア
3a テーパ段差の低い部分から成る、第3の導波路のコアの上面
3b テーパ段差の斜面から成る、第3の導波路のコアの上面
3c テーパ段差の高い部分から成る、第3の導波路のコアの上面
3d 第3の導波路のコアの側面
4 平面状の斜面を有するテーパ段差
5 コア材料(シリコン活性層)
6 クラッディング材料(二酸化シリコン薄膜)
7 第3の導波路のコア
7a テーパ段差の低い部分から成る、第3の導波路のコアの上面
7b テーパ段差の斜面から成る、第3の導波路のコアの上面
7c テーパ段差の高い部分から成る、第3の導波路のコアの上面
7d 第3の導波路のコアの側面
8 第3の導波路のコア
8a テーパ段差の凹面状の斜面から成る、第3の導波路のコアの上面
8b テーパ段差の高い部分から成る、第3の導波路のコアの上面
8c 第3の導波路のコアの側面
9 凹面状の斜面を有するテーパ段差
2 第2の導波路のコア
3 第3の導波路のコア
3a テーパ段差の低い部分から成る、第3の導波路のコアの上面
3b テーパ段差の斜面から成る、第3の導波路のコアの上面
3c テーパ段差の高い部分から成る、第3の導波路のコアの上面
3d 第3の導波路のコアの側面
4 平面状の斜面を有するテーパ段差
5 コア材料(シリコン活性層)
6 クラッディング材料(二酸化シリコン薄膜)
7 第3の導波路のコア
7a テーパ段差の低い部分から成る、第3の導波路のコアの上面
7b テーパ段差の斜面から成る、第3の導波路のコアの上面
7c テーパ段差の高い部分から成る、第3の導波路のコアの上面
7d 第3の導波路のコアの側面
8 第3の導波路のコア
8a テーパ段差の凹面状の斜面から成る、第3の導波路のコアの上面
8b テーパ段差の高い部分から成る、第3の導波路のコアの上面
8c 第3の導波路のコアの側面
9 凹面状の斜面を有するテーパ段差
Claims (18)
- 第1の導波路と、
第2の導波路と、
第1の導波路の光の偏光方向及びモード・フィールドを同時に変換して第2の導波路へ導波する第3の導波路と、を備えた光回路であって、
前記第1の導波路のコアと前記第2の導波路のコアの対応する端部のアスペクト比の大きい方向は互いに異なり、
前記第3の導波路のコアの上面は、前記第3の導波路のコアの底面と0°より大きく90°より小さい角度をなす傾斜平面を含み、
傾斜平面の法線を底面上に射影した方向は前記第1の導波路及び前記第2の導波路の導波方向のそれぞれに対して、0°より大きく90°より小さい角度をなす、光回路。 - 第1ないし第3の導波路を備えた光回路であって、
前記第1の導波路は、導波方向に垂直な断面におけるコアの形状が横長であり、
前記第2の導波路は、導波方向に垂直な断面におけるコアの形状が前記第1の導波路のコアとの位置関係において縦長であり、
前記第3の導波路のコアの両端は、それぞれ前記第1の導波路のコアと前記第2の導波路のコアとに接続されており、
前記第1の導波路のコアと前記第3の導波路のコアとの接続部、及び、前記第2の導波路のコアと前記第3の導波路のコアとの接続部において、接続される2つの導波路のコアの断面形状及び屈折率は連続的に又は段階的に変化しており、
前記第3の導波路のコアの断面形状は、導波方向の両端の間で導波方向について連続的に又は段階的に変化し、
前記第3の導波路のコアの上面は、前記第3の導波路のコアの底面と0°より大きく90°より小さい角度をなす傾斜平面を含み、
傾斜平面の法線を底面上に射影した方向は前記第1の導波路及び前記第2の導波路の導波方向のそれぞれに対して、0°より大きく90°より小さい角度をなす、光回路。 - 前記第3の導波路のコアの断面形状は、導波方向に連続的に又は段階的に変化している、請求項1又は2に記載の光回路。
- 前記第1の導波路の導波方向と前記第2の導波路の導波方向とは同一である、請求項1ないし3のいずれか一に記載の光回路。
- 前記第1の導波路のコアと前記第2の導波路のコアとの間で対応する端部のアスペクト比の大きい方向は互いに直交する、請求項1ないし4のいずれか一に記載の光回路。
- 前記第3の導波路のコアの幅は、前記第1の導波路のコアとの接続端から前記第2の導波路のコアとの接続端に至る過程において、単調に減少するか、又は、単調に減少する部分と一定の部分との組み合わせである、請求項1ないし5のいずれか一に記載の光回路。
- 前記第3の導波路のコアの高さは、前記第1の導波路のコアとの接続端から前記第2の導波路のコアとの接続端に至る過程において、単調に増加するか、又は、単調に増加する部分と一定の部分との組み合わせである、請求項1ないし6のいずれか一に記載の光回路。
- 前記第1の導波路のコア及び前記第2の導波路のコアの断面形状は、いずれも長方形である、請求項1ないし7のいずれか一に記載の光回路。
- 前記第1の導波路のコア及び前記第2の導波路のコアの断面形状のアスペクト比は、いずれも1.2以上である、請求項1ないし8のいずれか一に記載の光回路。
- 前記第1の導波路のコア、前記第2の導波路のコア及び前記第3の導波路のコアは同一平面上に形成される、請求項1ないし9のいずれか一に記載の光回路。
- 前記第3の導波路のコアの導波方向の長さは、前記第1の導波路のコアと前記第2の導波路のコアの幅との差、又は、前記第1の導波路のコアの高さと前記第2の導波路のコアの高さとの差のいずれか大きい方の10倍以上である、請求項1ないし10のいずれか一に記載の光回路。
- 前記第3の導波路のコアに含まれる傾斜平面と前記第3の導波路のコアの底面とがなす角は、30°以上90°未満である、請求項1ないし11のいずれか一に記載の光回路。
- 前記第3の導波路のコアの上面は凹面を含み、
前記凹面の任意の位置における接平面が前記第3の導波路のコアの底面と0°より大きく90°より小さい角度を成し、
接平面の法線を底面上に射影した方向は前記第1の導波路及び前記第2の導波路の導波方向のそれぞれに対して0°より大きく90°より小さい角度をなす、請求項1ないし11のいずれか一に記載の光回路。 - 前記第1の導波路、前記第2の導波路及び前記第3の導波路のコアの屈折率は3以上であり、
クラッディングの屈折率は2以下である、請求項1ないし13のいずれか一に記載の光回路。 - 前記第1の導波路、前記第2の導波路及び前記第3の導波路を単一のSOI(Silicon on Insulator)基板に形成する、請求項1ないし14のいずれか一に記載の光回路。
- 一定の膜厚の第1の膜と、第1の膜よりも薄い一定の膜厚の第2の膜と、両膜のそれぞれに対して等しい厚みで接するとともに膜厚が一方向に単調に変化する第3の膜とを備えるコア材料に対して、コアの長手方向が第3の膜の膜厚が変化する方向と斜めに交差する方向となるように加工することによって導波路を形成する工程を含む、光回路の製造方法。
- 前記第3の膜を細線状に加工する形成工程において、厚さが小さい方から大きい方に向かってコアの幅が単調に減少するように加工するか、又は、単調に減少する部分と一定の部分との組み合わせとなるように加工する工程を含む、請求項16に記載の光回路の製造方法。
- 単一のSOI基板に対して前記導波路を形成する、請求項16又は17に記載の光回路の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013060441A JP5445703B2 (ja) | 2006-12-01 | 2013-03-22 | 偏光回転器及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006325730 | 2006-12-01 | ||
JP2006325730 | 2006-12-01 | ||
JP2013060441A JP5445703B2 (ja) | 2006-12-01 | 2013-03-22 | 偏光回転器及びその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008547056A Division JPWO2008066159A1 (ja) | 2006-12-01 | 2007-11-30 | 偏光回転器及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013140392A true JP2013140392A (ja) | 2013-07-18 |
JP5445703B2 JP5445703B2 (ja) | 2014-03-19 |
Family
ID=39467945
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008547056A Pending JPWO2008066159A1 (ja) | 2006-12-01 | 2007-11-30 | 偏光回転器及びその製造方法 |
JP2013060441A Expired - Fee Related JP5445703B2 (ja) | 2006-12-01 | 2013-03-22 | 偏光回転器及びその製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008547056A Pending JPWO2008066159A1 (ja) | 2006-12-01 | 2007-11-30 | 偏光回転器及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8094978B2 (ja) |
JP (2) | JPWO2008066159A1 (ja) |
WO (1) | WO2008066159A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016200676A (ja) * | 2015-04-08 | 2016-12-01 | 日本電信電話株式会社 | 光導波路の作製方法 |
Families Citing this family (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008066159A1 (en) * | 2006-12-01 | 2008-06-05 | Nec Corporation | Polarization rotator and method for manufacturing the same |
US8160405B2 (en) * | 2009-12-23 | 2012-04-17 | Infinera Corporation | Optical integrated circuit |
US12007605B2 (en) | 2011-06-08 | 2024-06-11 | Skorpios Technologies, Inc. | Monolithically-integrated, polarization-independent circulator |
US9453965B2 (en) * | 2011-06-08 | 2016-09-27 | Skorpios Technologies, Inc. | Systems and methods for photonic polarization rotators |
US8548287B2 (en) * | 2011-11-10 | 2013-10-01 | Oracle International Corporation | Direct interlayer optical coupler |
US9128242B2 (en) * | 2011-12-15 | 2015-09-08 | Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. | Mode-evolution compound converter |
US9223138B2 (en) | 2011-12-23 | 2015-12-29 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Pixel opacity for augmented reality |
US20130188382A1 (en) * | 2012-01-20 | 2013-07-25 | Christie Digital Systems Usa, Inc. | Asymmetrically tapered integrator rod |
US9606586B2 (en) | 2012-01-23 | 2017-03-28 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Heat transfer device |
US9779643B2 (en) | 2012-02-15 | 2017-10-03 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Imaging structure emitter configurations |
US9368546B2 (en) | 2012-02-15 | 2016-06-14 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Imaging structure with embedded light sources |
US9726887B2 (en) | 2012-02-15 | 2017-08-08 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Imaging structure color conversion |
US9297996B2 (en) | 2012-02-15 | 2016-03-29 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Laser illumination scanning |
US9578318B2 (en) | 2012-03-14 | 2017-02-21 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Imaging structure emitter calibration |
US11068049B2 (en) | 2012-03-23 | 2021-07-20 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Light guide display and field of view |
US9558590B2 (en) | 2012-03-28 | 2017-01-31 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Augmented reality light guide display |
US10191515B2 (en) | 2012-03-28 | 2019-01-29 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Mobile device light guide display |
US9717981B2 (en) | 2012-04-05 | 2017-08-01 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Augmented reality and physical games |
US10502876B2 (en) | 2012-05-22 | 2019-12-10 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Waveguide optics focus elements |
US8989535B2 (en) | 2012-06-04 | 2015-03-24 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Multiple waveguide imaging structure |
US9337933B2 (en) | 2012-10-19 | 2016-05-10 | Skorpios Technologies, Inc. | Integrated optical network unit |
WO2014025683A2 (en) | 2012-08-06 | 2014-02-13 | Skorpios Technologies, Inc. | Method and system for the monolithic integration of circuits for monitoring and control of rf signals |
US10192358B2 (en) | 2012-12-20 | 2019-01-29 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Auto-stereoscopic augmented reality display |
US9214711B2 (en) * | 2013-03-11 | 2015-12-15 | Commscope Technologies Llc | Twist septum polarization rotator |
WO2015050602A1 (en) | 2013-06-25 | 2015-04-09 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Integrated photonic devices based on waveguides patterned with optical antenna arrays |
JP5966021B2 (ja) * | 2013-06-27 | 2016-08-10 | 株式会社フジクラ | 偏波変換素子 |
KR20150081808A (ko) | 2014-01-07 | 2015-07-15 | 삼성전자주식회사 | 편광제어 광 채널 및 이를 포함하는 메모리 시스템 |
CN106461870B (zh) * | 2014-05-08 | 2019-08-20 | 华为技术有限公司 | 一种偏振旋转器 |
US9664853B2 (en) * | 2014-07-11 | 2017-05-30 | Acacia Communications, Inc. | Low-loss waveguide transition |
US9304235B2 (en) | 2014-07-30 | 2016-04-05 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Microfabrication |
US10678412B2 (en) | 2014-07-31 | 2020-06-09 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Dynamic joint dividers for application windows |
US10592080B2 (en) | 2014-07-31 | 2020-03-17 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Assisted presentation of application windows |
US10254942B2 (en) | 2014-07-31 | 2019-04-09 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Adaptive sizing and positioning of application windows |
US10018844B2 (en) | 2015-02-09 | 2018-07-10 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Wearable image display system |
US9827209B2 (en) | 2015-02-09 | 2017-11-28 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Display system |
US9535253B2 (en) | 2015-02-09 | 2017-01-03 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Display system |
US9429692B1 (en) | 2015-02-09 | 2016-08-30 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Optical components |
US9423360B1 (en) | 2015-02-09 | 2016-08-23 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Optical components |
US9513480B2 (en) | 2015-02-09 | 2016-12-06 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Waveguide |
US11086216B2 (en) | 2015-02-09 | 2021-08-10 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Generating electronic components |
US10317677B2 (en) | 2015-02-09 | 2019-06-11 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Display system |
US9372347B1 (en) | 2015-02-09 | 2016-06-21 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Display system |
US9646639B2 (en) | 2015-06-26 | 2017-05-09 | Western Digital (Fremont), Llc | Heat assisted magnetic recording writer having integrated polarization rotation waveguides |
WO2017135436A1 (ja) * | 2016-02-04 | 2017-08-10 | 古河電気工業株式会社 | 光素子及びその製造方法、並びに光変調器 |
DE102016202634A1 (de) * | 2016-02-19 | 2017-08-24 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Herstellen eines Polarisationskonverters, Polarisationskonverter und Polarisationskonverterelement |
WO2018017958A2 (en) | 2016-07-22 | 2018-01-25 | Skorpios Technologies, Inc. | Monolithically-integrated, polarization-independent circulator |
US10488590B2 (en) * | 2016-11-29 | 2019-11-26 | Finisar Corporation | Adiabatic polarization rotator-splitter |
GB2572455B (en) * | 2018-03-28 | 2020-07-01 | Rockley Photonics Ltd | Polarization rotator |
GB2578583B (en) | 2018-10-30 | 2020-11-18 | Rockley Photonics Ltd | Optoelectronic modulator, photonic integrated circuit, and method |
WO2021149044A1 (en) * | 2020-01-20 | 2021-07-29 | B.G. Negev Technologies And Applications Ltd., At Ben-Gurion University | On-chip broadband beam polarization rotator |
WO2022038590A1 (en) * | 2020-08-16 | 2022-02-24 | B.G. Negev Technologies And Applications Ltd., At Ben-Gurion University | On-chip entangled photon pair source |
EP4083670A1 (en) * | 2021-04-30 | 2022-11-02 | Nokia Solutions and Networks Oy | Optical waveguide circuits having laterally tilted waveguide cores |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61190307A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 結合光導波路 |
WO2004042458A1 (en) * | 2002-10-30 | 2004-05-21 | Massachusetts Institute Of Technogoly | An integrated optic polarization converter based on structural chirality |
JP2005062444A (ja) * | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Sony Corp | 光導波路及び光情報処理装置 |
JP2005326876A (ja) * | 2005-07-04 | 2005-11-24 | Nec Corp | 光導波路 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6364018A (ja) | 1986-09-05 | 1988-03-22 | Iwatsu Electric Co Ltd | 光アイソレ−タ |
GB9027657D0 (en) * | 1990-12-20 | 1991-02-13 | Secr Defence | Optical device |
KR100333900B1 (ko) * | 1999-01-21 | 2002-04-24 | 윤종용 | 모드모양 변환기, 그 제작 방법 및 이를 구비한 집적광학 소자 |
JP4025538B2 (ja) | 2001-11-30 | 2007-12-19 | 日本電気株式会社 | 光導波路基板 |
AU2003299318A1 (en) * | 2003-12-29 | 2005-07-21 | Pirelli And C. S.P.A. | Optical coupling device |
WO2008066159A1 (en) * | 2006-12-01 | 2008-06-05 | Nec Corporation | Polarization rotator and method for manufacturing the same |
-
2007
- 2007-11-30 WO PCT/JP2007/073194 patent/WO2008066159A1/ja active Application Filing
- 2007-11-30 US US12/517,099 patent/US8094978B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-11-30 JP JP2008547056A patent/JPWO2008066159A1/ja active Pending
-
2013
- 2013-03-22 JP JP2013060441A patent/JP5445703B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61190307A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 結合光導波路 |
WO2004042458A1 (en) * | 2002-10-30 | 2004-05-21 | Massachusetts Institute Of Technogoly | An integrated optic polarization converter based on structural chirality |
JP2006509264A (ja) * | 2002-10-30 | 2006-03-16 | マサチューセッツ・インスティチュート・オブ・テクノロジー | 外形カイラリティーに基づく集積光偏光変換器 |
JP2005062444A (ja) * | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Sony Corp | 光導波路及び光情報処理装置 |
JP2005326876A (ja) * | 2005-07-04 | 2005-11-24 | Nec Corp | 光導波路 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016200676A (ja) * | 2015-04-08 | 2016-12-01 | 日本電信電話株式会社 | 光導波路の作製方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2008066159A1 (ja) | 2010-03-11 |
US20100002989A1 (en) | 2010-01-07 |
JP5445703B2 (ja) | 2014-03-19 |
US8094978B2 (en) | 2012-01-10 |
WO2008066159A1 (en) | 2008-06-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5445703B2 (ja) | 偏光回転器及びその製造方法 | |
JP5772927B2 (ja) | 光変換器およびその製造方法 | |
JP5764776B2 (ja) | 光学変換素子 | |
JP5439093B2 (ja) | 誘電体導波路を用いた偏波変換器及び偏波分離・変換器 | |
JP2005208638A (ja) | 低損失のシリコン導波路及びその製造方法 | |
CN113093333B (zh) | 模斑转换器和光子器件 | |
WO2011078789A1 (en) | Optical converter and method of manufacturing the same | |
JP2010088110A5 (ja) | ||
JP4377195B2 (ja) | 光モジュールの製造方法 | |
JP6270936B1 (ja) | 光導波路素子 | |
JP2010054929A (ja) | 光結合デバイス | |
JP4991596B2 (ja) | 光導波回路及びそれを用いたマルチコア中央処理装置 | |
JP5504476B2 (ja) | 光導波路交差構造 | |
JP2010008838A (ja) | 光共振器及びレーザ光源 | |
WO2016179869A1 (zh) | 一种锥形波导及硅基芯片 | |
JP2008070511A (ja) | アレイ導波路回折格子型光合分波回路の光チップ、導波路基板及びアレイ導波路回折格子型光合分波回路の光チップの製造方法 | |
CN105824075A (zh) | 一种微环反射光波导辅助的折叠反射式阵列波导光栅波分复用器 | |
JP2010085564A (ja) | 光導波路回路及び光回路装置 | |
JP4415038B2 (ja) | 偏波回転素子 | |
JP2013238708A (ja) | スポットサイズ変換器およびその製造方法 | |
US7352934B2 (en) | Three dimensional high index optical waveguides bends and splitters | |
JP2015219295A (ja) | 偏波回転素子 | |
WO2023171581A1 (ja) | 光導波路及び光導波路の製造方法 | |
CN114910996B (zh) | 端面耦合器 | |
JP2015055725A (ja) | 光導波路素子及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131122 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131126 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131209 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |