JP2013140330A - マイクロレンズ構造およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 マイクロレンズ構造およびマイクロレンズ構造の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１屈折率を有するマイクロレンズ素子、前記マイクロレンズ素子上に配置され、前記第１屈折率より小さい第２屈折率を有する第１薄膜、および前記第１薄膜上に配置され、前記第２屈折率より小さく、且つ空気の屈折率より大きい第３屈折率を有する第２薄膜を含むマイクロレンズ構造。
【選択図】 図３
Description
本発明は、マイクロレンズ構造に関するものであり、特に、マイクロレンズ素子上に多層屈折膜（multi-layered refraction film）を有するマイクロレンズ構造および多層屈折膜を形成する方法に関するものである。
イメージセンサデバイスにおいて、マイクロレンズ構造は、通常、イメージセンサチップに配置される。従来のマイクロレンズ構造は、マイクロレンズ素子を有し、１つの屈折率を有する１つの酸化ケイ素膜だけがマイクロレンズ素子上に形成される。
従来の方法では、酸化ケイ素膜は、液体酸化物をマイクロレンズ素子にコーティングし、次いでハードベーキングプロセスを液体酸化物材料に実行して酸化ケイ素膜をマイクロレンズ素子に形成することによって形成する。しかしながら、この従来の方法によって形成された酸化ケイ素膜は、段差被覆率が６０％より小さいため、この酸化ケイ素膜は、マイクロレンズ素子から容易に剥離する。
他の従来の方法では、酸化ケイ素膜は、２００℃以上のプロセス温度で、３００ワットより高い高周波（ＲＦ）電力をかけ、且つ酸素（Ｏ２）の流量が２０００立方センチメートル毎分（standard cubic centimeter per minute；ＳＣＣＭ）の富酸素環境下で、ガス源としてのシラン（ＳｉＨ４）およびＮ２Ｏまたはオルトけい酸テトラエチル（Tetraethyl Orthosilicate； ＴＥＯＳ）およびＯ２を用いる、プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）プロセスにより形成される。しかしながら、従来のＰＥＣＶＤプロセスに用いられる高いプロセス温度、高い高周波（ＲＦ）電力、および富酸素環境は、マイクロレンズ素子の下方の有機材料層に損傷を与える。また、ＳｉＨ４およびＮ２Ｏのガス源を用いたＰＥＣＶＤプロセスによって形成された酸化ケイ素膜は、段差被覆率が十分でなく、７０％より小さい。ＴＥＯＳおよびＯ２のガス源を用いたＰＥＣＶＤによって形成した酸化ケイ素膜の段差被覆率は８０％より小さく不十分である。よって、このような酸化ケイ素膜もマイクロレンズ素子から容易に剥離する。
また、イメージセンサデバイスの感度は、ただ１つの屈折率を有する酸化ケイ素膜で大きく改善することはできない。単層構造の酸化ケイ素膜の応力は、マイクロレンズ構造の大きなプロセスウィンドウに最適な応力性能を得るように調整することができない。
よって、上述の問題を克服するマイクロレンズ構造およびマイクロレンズ構造の製造方法が必要となる。
代表的な実施形態では、マイクロレンズ構造が提供される。マイクロレンズ構造は、第１屈折率を有するマイクロレンズ素子を含む。第１薄膜は、マイクロレンズ素子上に配置され、第１薄膜は第１屈折率より小さい第２屈折率を有する。また、第２薄膜は、第１薄膜上に配置され、第２屈折率より小さく、且つ空気の屈折率より大きい第３屈折率を有する。
代表的な実施形態では、マイクロレンズ構造を製造する方法が提供される。前記方法は、第１屈折率を有するマイクロレンズ素子を形成するステップ、マイクロレンズ素子上に、第１屈折率より小さい第２屈折率を有する第１薄膜を蒸着するステップ、および第１薄膜上に、第２屈折率より小さく、空気の屈折率より大きい第３屈折率を有する第２薄膜を蒸着するステップを含む。
詳細な説明と添付の図面により、以下の実施形態を説明する。
本発明は、添付の図面と併せて後に続く詳細な説明と実施例を参酌することによって、より完全に理解されることができる。
本発明の実施形態に基づく、イメージセンサに配置されたマイクロレンズ構造の概略的な部分断面図を表している。
本発明の実施形態に基づく、図１のマイクロレンズ構造の一部Ｍの概略的な拡大断面図を表している。
本発明の実施形態に基づく、マイクロレンズ構造の一部の概略的な拡大断面図を表している。
以下の説明は、本発明を実施するベストモードが開示している。この説明は、本発明の一般原理を例示する目的のためのもので本発明を限定するものではない。本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲を参考にして決定される。
本発明の代表的な実施形態は、イメージセンサ上に配置されて、イメージセンサの光束を増加させ、イメージセンサの感度、即ち信号雑音比が少なくとも３〜６％改善され得るマイクロレンズ構造を提供する。図１を参照すると、本発明の実施形態に基づく、イメージセンサ１０上に配置されたマイクロレンズ構造１８の部分断面図を表している。マイクロレンズ構造１８の部分断面が表されている。また、カラーフィルタ１４およびスペーサ１６は、イメージセンサ１０とマイクロレンズ構造１８との間に配置され、マイクロレンズ構造１８は、スペーサ１６上に配置される。イメージセンサ１０は、露出しているボンドパッド１２を介して外部回路（図示されていない）と電気的に接続されている。
図２を参照すると、本発明の実施形態に基づく、図１のマイクロレンズ構造１８の一部Ｍの拡大断面図が表されている。マイクロレンズ構造１８は、第１屈折率Ｎ１を有するマイクロレンズ素子２０を含む。一つの実施形態では、第１屈折率Ｎ１は、約１.５５である。マイクロレンズ素子２０は、アレイ状に配置された複数のマイクロレンズユニットから成る。実施形態では、マイクロレンズ素子２０の厚さｔ１は、約０.３５μｍ〜約１.０μｍである。
マイクロレンズ構造１８は、マイクロレンズ素子２０に配置された第１薄膜２２および第１薄膜２２上に配置された第２薄膜２４を更に含む。第１薄膜２２は、第１屈折率Ｎ１より小さい第２屈折率Ｎ２を有し、第２薄膜２４は、第２屈折率Ｎ２より小さく、且つ空気の屈折率Ｎ＊より大きい第３屈折率Ｎ３を有し、Ｎ１（約１.５５）＞Ｎ２＞Ｎ３＞Ｎ＊（＝１.０）となる。この実施形態では、マイクロレンズ素子２０の第１屈折率Ｎ１は、約１.５５であり、第１薄膜２２の第２屈折率Ｎ２は、約１.４５であり、第２薄膜２４の第３屈折率Ｎ３は、約１.４０であり、空気の屈折率は、約１.０である。第１薄膜２２は、Ｓｉ０２膜とすることができる。第２薄膜２４は、多孔性ダイヤモンド膜、無機膜、またはＮ２と第２薄膜２４と隣接する薄膜の屈折率との間の屈折率を有する他の材料からなる薄膜とすることができる。実施形態では、第１薄膜２２は、少なくとも５００Åの厚さｔ２を有し、第２薄膜２４は、少なくとも５００Åの厚さｔ３を有する。第１薄膜２２および第２薄膜２４の全厚さは、約０.１μｍ〜約０.２μｍである。
一つの実施形態では、第１薄膜２２を、Ｓｉ０２膜とすることができ、この第１薄膜２２は、プラズマ増強化学気相蒸着（plasma enhanced chemical vapor deposition； ＰＥＣＶＤ）プロセスを２回実行することによって形成され、第１薄膜２２は、マイクロレンズ素子２０上に形成された初期薄膜（図示されていない）と、さらにこの初期薄膜上に形成されたバルク膜（bulk film）からなる。初期薄膜は、約５０Å〜約１００Åの厚さを有し、バルク膜は、初期薄膜の厚さより大きい厚さを有する。代表的な実施形態では、初期薄膜を蒸着するステップは、オルトけい酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）およびＯ２のガス源を用い、２００℃より低い、例えば約１８０℃のプロセス温度で、２５０ワットより大きくない高周波（ＲＦ）電力を印加して、且つＯ２を流量２５０〜１０００立方センチメートル毎分（ＳＣＣＭ）流して行う。上述のプロセス条件によって形成された初期薄膜は、引張（正）応力を有し、凹面状態（concave state）である。バルク膜を蒸着するステップは、オルトけい酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）およびＯ２のガス源を用い、２００℃より低い、例えば約１８０℃のプロセス温度で、２５０ワットより大きい高周波（ＲＦ）電力を印加し、且つＯ２を流量２５０〜２０００立方センチメートル毎分（ＳＣＣＭ）流して行う。上述のプロセス条件によって形成されたバルク膜は、圧縮（負）応力を有し、凸面状態（convex state）である。よって、初期薄膜の応力は、バルク膜の応力によって相殺されるので、第１薄膜２２の応力を最適化することができる。次いで、第２薄膜２４は、第１薄膜２２の応力を相殺するように保つ応力を有するように形成される。第２薄膜２４は、任意の好適な薄膜蒸着またはコーティングプロセスによって形成することができる。
他の実施形態では、第１薄膜２２は、低温化学気相蒸着（ＬＴＣＶＤ）プロセスを一回実行することで形成されるＳｉＯ２膜とすることができる。ＳｉＯ２膜を形成するステップは、ビス（ジエチルアミド）シラン（bis（diethylamide）silane）およびＯ３のガス源を用い、約７０℃〜１８０℃のプロセス温度で行う。１８０℃のプロセス温度の生産速度は、７０℃のプロセス温度の生産速度の５倍である。ＬＴＣＶＤプロセスのガス源に用いるビス（ジエチルアミド）シランおよびＯ３は、新しい材料である。これら新しい材料を用いるＬＴＣＶＤプロセスは、高いプロセス温度、高い高周波電力、および富酸素環境を有する従来のＰＥＣＶＤプロセスに取って代わって、有機材料層に損傷を与えることを防ぐ、例えば、マイクロレンズ素子２０の下方のスペーサ１６に損傷を与えることを防ぐことができる。また、本発明のＬＴＣＶＤプロセスに用いるビス（ジエチルアミド）シランは、ＰＥＣＶＤプロセスに用いられるＴＥＯＳより、より高い移動性を有する。よって、ビス（ジエチルアミド）シランおよびＯ３のガス源を用いたＬＴＣＶＤプロセスは、マイクロレンズ素子２０上に堅固なＳｉＯ２膜を形成することができる。更に、ビス（ジエチルアミド）シランおよびＯ３のガス源を用いたＬＴＣＶＤプロセスは、任意の２つの隣接するマイクロユニットの間に０．１μｍより小さい間隙を有するマイクロレンズ素子２０に好適である。上述のＬＴＣＶＤプロセス条件によって形成された第１薄膜２２は、圧縮（負）応力および凸面状態を有する。第１薄膜２２の応力を相殺するために、第２薄膜２４は、引張（正）応力を有し、凹面状態になるように形成される。第２薄膜２４は、第１薄膜２２の応力を相殺する応力を有するように形成される。第２薄膜２４は、任意の好適な薄膜蒸着またはコーティングプロセスによって形成されることができる。
１つの実施形態では、第１薄膜２２は、ＳｉＯ２膜とすることができ、この第１薄膜２２は、マイクロレンズ素子２０上に初期薄膜（図示されていない）を形成し、さらに形成した初期薄膜上にバルク膜（bulk film）を形成することで形成される。初期薄膜は、約５０Å〜約１００Åの厚さを有し、バルク膜は、初期薄膜の厚さより大きい厚さを有する。初期薄膜は、低温化学気相蒸着（ＬＴＣＶＤ）プロセスによって形成され、バルク膜は、プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）プロセスによって形成される。初期薄膜を形成するＬＴＣＶＤプロセスは、ビス（ジエチルアミド）シランおよびＯ３のガス源を用いて、７０〜１８０℃のプロセス温度で行う。バルク膜を形成するＰＥＣＶＤプロセスは、オルトけい酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）およびＯ２のガス源を用い、２００℃より低く、例えば約１８０℃のプロセス温度で、２５０ワットより大きい高周波（ＲＦ）電力を印加し、且つＯ２を流量２５０〜２０００立方センチメートル毎分（ＳＣＣＭ）流して行う。
本発明の実施形態に基づき、第１薄膜２２または第１薄膜２２からなる初期薄膜は、そのプロセス温度が２００℃より低く、２５０ワットより大きくない高周波（ＲＦ）電力を印加し、且つＯ２の流量が２５０〜１０００立方センチメートル毎分（ＳＣＣＭ）であるプラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）プロセスによって形成するか、またはビス（ジエチルアミド）シランおよびＯ３のガス源を用い、そのプロセス温度が７０〜１８０℃であるＬＴＣＶＤプロセスによって形成される。よって、マイクロレンズ構造１８の下方のスペーサ１６は、第１薄膜２２の蒸着により損傷を受けない。また、第１薄膜２２または第１薄膜２２からなる初期薄膜上の次の層の蒸着プロセスは、マイクロレンズ構造１８の下方のスペーサ１６が第１薄膜２２または第１薄膜２２の初期薄膜によって隔絶されて保護されるため、プロセス温度、高周波（ＲＦ）電力、またはＯ２の流量に制限されない。
また、第１薄膜２２または第１薄膜２２の初期薄膜を形成する上述のプロセスは、マイクロレンズ構造１８の任意の２つのマイクロレンズユニット間の間隙を充填する、優れた段差被覆能力を有する。よって、第１薄膜２２を蒸着した後、マイクロレンズ構造１８の任意の２つのマイクロレンズユニット間の間隙のフィルファクタ（fill factor）は、９９％より大きく、且つマイクロレンズ構造１８の表面積は、マイクロレンズ素子２０の表面積より大きくなり、イメージセンサ１０に入射する光束を増加させる。
図２のマイクロレンズ構造１８は、マイクロレンズ素子２０上にある第１薄膜２２および第２薄膜２４で例示されるが、より多くの薄膜をマイクロレンズ構造１８となる第２薄膜に蒸着してもよい。一つの実施形態では、図３に示されるように、マイクロレンズ構造は、第２薄膜２４上に形成される第３薄膜２６を更に含む。第３薄膜は、第３屈折率Ｎ３より小さく、且つ空気の屈折率Ｎ＊より大きい第４屈折率Ｎ４を有し、Ｎ１（約１.５５）＞Ｎ２＞Ｎ３＞Ｎ４＞Ｎ＊（＝１.０）となる。例えば、第２薄膜２４の第３屈折率Ｎ３は、１.４０であり、第３薄膜２６の第４屈折率Ｎ４は、１，３０である。第３薄膜２６の材料は、透明であり、且つ１.３０または１.４０より小さい屈折率Ｎ４を有する任意の好適な材料としてもよい。
図３に示されるように、別の実施形態では、マイクロレンズ構造は、第３薄膜２６上に配置された複数の薄膜２８を更に含み、第３薄膜２６上の薄膜２８のそれぞれは、第３薄膜の第４屈折率Ｎ４より小さく、空気の屈折率Ｎ＊より大きい屈折率Ｎ５、またはＮｎ、即ち、Ｎ１（約１.５５）＞Ｎ２＞Ｎ３＞Ｎ４＞Ｎ５＞・・・Ｎn＞Ｎ＊（＝１.０）を有する。例えば、第３薄膜２６の第４屈折率Ｎ４は、１.３０であり、第３薄膜２６上の薄膜２８の屈折率Ｎ５、およびＮnは、１.３０より小さく、１.０より大きい。第３薄膜２６上の薄膜２８の屈折率Ｎ５・・・Ｎｎは、第４屈折率Ｎ４より小さい屈折率Ｎ５から空気の屈折率Ｎ＊より大きい屈折率Ｎｎに徐々に減少する。マイクロレンズ素子２０上の薄膜２８の最も外側の薄膜２８’は、空気の屈折率Ｎ＊より大きい、最小の屈折率Ｎｎを有する。第１薄膜２２、第２薄膜２４、第３薄膜２６、および第３薄膜２６上に配置された複数の薄膜の全厚さは、約０.１μｍ〜約０.２μｍである。
本発明の実施形態に従えば、第１薄膜２２、および第２薄膜２４、または更に追加の第３薄膜２６、および第３薄膜２６上の追加の薄膜２８からなる多層膜は、マイクロレンズ素子２０上に配置される。多層膜は、マイクロレンズ素子２０の屈折率Ｎ１より小さい屈折率Ｎ２から空気の屈折率Ｎ＊より大きい屈折率Ｎｎに徐々に減少する複数の屈折率を有する。よって、マイクロレンズ素子２０上の多層膜は、イメージセンサ１０に入射する光束を増加させ、イメージセンサの感度を向上させることができる。
また、マイクロレンズ素子２０上の多層膜の各層の応力は、異なる厚さによって調整され、且つ異なる材料を用いた蒸着プロセス、異なる蒸着法、または異なるプロセス条件によって調整することができる。よって、多層膜の応力性能（performance）と統合された多層膜は、マイクロレンズ素子２０上の多層膜の最適な全体性能を得て、マイクロレンズ構造１８用の大きなプロセスウィンドウを得ることができる。
本発明の実施形態では、マイクロレンズ素子２０上に第１薄膜２２を蒸着する前に、イメージセンサ１０のボンドパッド１２は、保護のために平坦化層（図示されていない）に覆われている。多層膜の蒸着プロセスが完成された後、パターン化された保護層（図示されていない）は、マイクロレンズ素子２０の上方の多層膜上に形成される。次いで、パターン化された保護層で覆われておらず、且つボンドパッド１２上に配置された平坦化層および他の層は、エッチングプロセスによって除去される。ボンドパッド１２は、露出され、多層膜はパターン化される。次いで、パターン化された保護層は、除去されてマイクロレンズ構造１８の製造を完成する。
この発明は、実施例の方法及び望ましい実施の形態によって記述されているが、本発明は、これらを限定するものではないことは理解される。逆に、種々の変更及び同様の配置をカバーするものである（当業者には明白なように）。よって、添付の請求の範囲は、最も広義な解釈が与えられ、全てのこのような変更及び同様の配置を含むべきである。
１０ イメージセンサ
１２ ボンドパッド
１４ カラーフィルタ
１６ スペーサ
１８ マイクロレンズ構造
２０ マイクロレンズ素子
２２ 第１薄膜
２４ 第２薄膜
２６ 第３薄膜
２８ 第３薄膜上に配置された複数の薄膜
２８’最も外側の薄膜
Ｍ マイクロレンズ構造の一部
Ｎ１ 第１屈折率
Ｎ２ 第２屈折率
Ｎ３ 第３屈折率
Ｎ４ 第４屈折率
Ｎｎ 最も外側の薄膜の屈折率
Ｎ＊ 空気の屈折率
１２ ボンドパッド
１４ カラーフィルタ
１６ スペーサ
１８ マイクロレンズ構造
２０ マイクロレンズ素子
２２ 第１薄膜
２４ 第２薄膜
２６ 第３薄膜
２８ 第３薄膜上に配置された複数の薄膜
２８’最も外側の薄膜
Ｍ マイクロレンズ構造の一部
Ｎ１ 第１屈折率
Ｎ２ 第２屈折率
Ｎ３ 第３屈折率
Ｎ４ 第４屈折率
Ｎｎ 最も外側の薄膜の屈折率
Ｎ＊ 空気の屈折率
Claims (21)
- 第１屈折率を有するマイクロレンズ素子と、
前記マイクロレンズ素子上に配置され、前記第１屈折率より小さい第２屈折率を有する第１薄膜と、
前記第１薄膜上に配置され、前記第２屈折率より小さく、且つ空気の屈折率より大きい第３屈折率を有する第２薄膜と、を含むことを特徴とするマイクロレンズ構造。 - 前記マイクロレンズ素子は、０.３５μｍ〜１.０μｍの厚さを有し、前記第１薄膜は、少なくとも５００Åの厚さを有し、前記第２薄膜は、少なくとも５００Åの厚さを有し、前記第１薄膜および前記第２薄膜の全厚さは、０.１μｍ〜０.２μｍであることを特徴とする請求項１に記載のマイクロレンズ構造。
- 前記マイクロレンズ素子の前記第１屈折率は、１.５５であり、前記第１薄膜の前記第２屈折率は、１.４５であり、前記第２薄膜の前記第３屈折率は、１.４０であることを特徴とする請求項１に記載のマイクロレンズ構造。
- 前記第１薄膜は、初期薄膜およびバルク膜を含み、前記初期薄膜は、５０Å〜１００Åの厚さを有し、前記バルク膜は、前記初期薄膜の厚さより大きい厚さを有し、前記初期薄膜は、前記バルク膜の圧縮応力によって相殺される引張応力を有するか、または前記初期薄膜は、前記バルク膜の引張応力によって相殺される圧縮応力を有することを特徴とする請求項１に記載のマイクロレンズ構造。
- 前記第１薄膜は、Ｓｉ０２膜を含み、且つ前記第１薄膜の応力は、前記第２薄膜応力によって相殺されることを特徴とする請求項１に記載のマイクロレンズ構造。
- 前記第２薄膜上に配置され、前記第３屈折率より小さく、且つ空気の屈折率より大きい第４屈折率を有する第３薄膜を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のマイクロレンズ構造。
- 前記第１薄膜、前記第２薄膜および前記第３薄膜の全厚さは、０.１μｍ〜０.２μｍであり、前記第２薄膜の応力は、前記第３薄膜応力によって相殺されることを特徴とする請求項６に記載のマイクロレンズ構造。
- 前記第３薄膜上に配置された複数の薄膜を更に含み、前記第３薄膜上の前記薄膜のそれぞれは、前記第４屈折率より小さく、且つ空気の屈折率より大きい複数の屈折率を有し、前記第３薄膜上の前記複数の薄膜の前記複数の屈折率は、前記第４屈折率から空気の屈折率に徐々に減少する請求項６に記載のマイクロレンズ構造。
- 前記第１薄膜、前記第２薄膜、前記第３薄膜、および前記第３薄膜上の前記複数の薄膜の全厚さは、０.１μｍ〜０.２μｍであることを特徴とする請求項８に記載のマイクロレンズ構造。
- 第１屈折率を有するマイクロレンズ素子を形成するステップと、
前記マイクロレンズ素子上に、前記第１屈折率より小さい第２屈折率を有する第１薄膜を蒸着するステップと、
前記第１薄膜上に、前記第２屈折率より小さく、空気の屈折率より大きい第３屈折率を有する第２薄膜を蒸着するステップと、を含むことを特徴とするマイクロレンズ構造を製造する方法。 - 前記第１薄膜を蒸着するステップは、プラズマ増強化学気相蒸着プロセスを２回実行することによって、Ｓｉ０２膜を形成するステップを含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
- 前記Ｓｉ０２膜を形成するステップは、初期薄膜を蒸着するステップおよびバルク膜を蒸着するステップを含み、前記初期薄膜は、前記バルク膜の厚さより小さい厚さを有することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
- 前記初期薄膜を蒸着するステップでは、オルトけい酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）およびＯ２のガス源を用い、そのプロセス温度は、２００℃より低く、２５０ワット以下の高周波（ＲＦ）電力を印加し、且つＯ２を２５０〜１０００立方センチメートル毎分（ＳＣＣＭ）の流量で流すことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
- 前記バルク膜を蒸着するステップでは、オルトけい酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）およびＯ２のガス源を用い、２００℃より低いプロセス温度で、２５０ワットより大きい高周波（ＲＦ）電力を印加し、且つＯ２を２５０〜１０００立方センチメートル毎分（ＳＣＣＭ）の流量で流すことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
- 前記第１薄膜を蒸着するステップは、低温化学気相蒸着（ＬＴＣＶＤ）プロセスを一回実行することによってＳｉ０２膜を形成するステップを含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
- 前記Ｓｉ０２膜を形成するステップは、ビス（ジエチルアミド）シランおよびＯ３のガス源を用い、７０℃〜１８０℃のプロセス温度で行うことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
- 前記第１薄膜を蒸着するステップは、初期薄膜を蒸着するステップおよびバルク膜を蒸着するステップを含み、前記初期薄膜および前記バルク膜の材料は、Ｓｉ０２であり、前記初期薄膜は、前記バルク膜の厚さより小さい厚さを有することを特徴とする請求項１０に記載の方法。
- 前記初期薄膜は低温化学気相蒸着（ＬＴＣＶＤ）プロセスによって形成され、前記バルク膜は、プラズマ増強化学気相蒸着プロセスによって形成されることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
- 前記低温化学気相蒸着（ＬＴＣＶＤ）プロセスは、ビス（ジエチルアミド）シランおよびＯ３のガス源を用い、７０℃〜１８０℃のプロセス温度で行うことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
- 前記第２薄膜上に、前記第３屈折率より小さく、且つ空気の屈折率より大きい第４屈折率を有する第３薄膜を蒸着させるステップを更に含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
- 前記第３薄膜上に、複数の薄膜を蒸着させるステップを更に含み、前記第３薄膜上の前記複数の薄膜のそれぞれは、前記第４屈折率より小さく、且つ空気の屈折率より大きい屈折率を有し、前記第３薄膜上の前記複数の薄膜の前記複数の屈折率は、前記第４屈折率から空気の屈折率に徐々に減少することを特徴とする請求項２０に記載の方法。
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