JP2013128063A - 基板処理方法及び基板処理システム - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 274
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 384
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 134
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 89
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 75
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 269
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 94
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 94
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 94
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 71
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-N Nitrous acid Chemical compound ON=O IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 71
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 41
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 170
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 59
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 31
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 23
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 6
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 5
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M Nitrite anion Chemical compound [O-]N=O IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-2-hydroxypropanoate Chemical compound NCC(O)C(O)=O BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100338891 Arabidopsis thaliana HHO2 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 235000015073 liquid stocks Nutrition 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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Abstract
【解決手段】基板処理機構10において処理液を用いて基板を処理する基板処理方法であって、基板の処理の活性化に寄与する活性種を含有する活性種含有溶液を生成する前段ステップと、該前段ステップにて生成された前記活性種含有溶液と前記基板を処理する処理液とを混合して活性種含有処理液を生成する第1ステップ(S21〜S23)と、該第1ステップにて生成された前記活性種含有処理液を前記基板処理機構に前記処理液として供給する第2ステップ(S29)とを有し、前記基板処理機構において、前記活性種含有処理液と前記基板との反応によって活性種を生じさせつつ当該基板を処理する構成となる。
【選択図】図4A
Description
20 処理液供給ユニット
21 回収タンク
22 溶液貯留タンク
23 第1供給タンク
24 第2供給タンク
25 流量計
30 処理液回収機構
31 ドレインタンク
32 ポンプ
40 制御ユニット
Claims (18)
- 基板処理機構において処理液を用いて基板を処理する基板処理方法であって、
基板の処理の活性化に寄与する活性種を含有する活性種含有溶液を生成する前段ステップと、
該前段ステップにて生成された前記活性種含有溶液と前記基板を処理する処理液とを混合して活性種含有処理液を生成する第1ステップと、
該第1ステップにて生成された前記活性種含有処理液を前記基板処理機構に前記処理液として供給する第2ステップとを有し、
前記基板処理機構において、前記活性種含有処理液と前記基板との反応によって活性種を生じさせつつ当該基板を処理する基板処理方法。 - 前記基板処理機構において前記基板を処理した後の活性種含有処理液を回収する処理液回収ステップと、
該処理液回収ステップにより回収された前記活性種含有処理液を前記基板処理機構に前記処理液として戻す処理液戻しステップと、
前記基板処理機構において使用される活性種含有処理液が前記基板を処理する処理液として有効であるか否かを判定する判定ステップと、
該判定ステップにより前記活性種含有処理液が前記基板を処理する処理液として有効でないと判定されたときに、前記基板処理機構にて使用されていた前記活性種含有処理液を新たな活性種含有溶液として新たな処理液と混合し、新たな活性種含有処理液を生成する第3ステップと、
該第3ステップにて生成された前記活性種含有処理液を前記基板処理機構に前記処理液として供給する第4ステップとを有する請求項1記載の基板処理方法。 - 前記前段ステップは、前記基板処理機構において前記基板と同種の所定基板に前記処理液を与え、該処理液と前記所定基板との反応によって活性種を生じさせつつ当該所定基板を処理した後の当該処理液を前記活性種含有溶液として生成する請求項1または2記載の基板処理方法。
- 前記基板処理機構が、前記基板としてのシリコン製基板のエッチング処理を行う請求項1記載の基板処理方法であって、
前記前段ステップは、前記活性種としての亜硝酸(HNO2)を含む亜硝酸含有溶液を生成し、
前記第1ステップは、前記亜硝酸含有溶液と、フッ酸(HF)及び硝酸(HNO3)を含むエッチング処理液とを混合して活性種含有エッチング処理液を生成し、
前記第2ステップは、前記第1ステップにて生成された前記活性種含有エッチング処理液を前記基板処理機構に前記処理液として供給し、
前記基板処理機構において、前記活性種含有エッチング処理液と前記シリコン製基板との反応によって活性種としての亜硝酸(HNO2)を生じさせつつ当該シリコン製基板をエッチング処理する基板処理方法。 - 前記基板処理機構において前記シリコン製基板を処理した後の前記活性種含有エッチング処理液を回収するエッチング処理液回収ステップと、
該エッチング処理液回収ステップにより回収された前記活性種含有エッチング処理液を前記基板処理機構に前記エッチング処理液として戻すエッチング処理液戻しステップと、
前記基板処理機構において使用される活性種含有エッチング処理液が前記シリコン製基板を処理する前記エッチング処理液として有効であるか否かを判定する判定ステップと、
該判定ステップにより前記活性種含有エッチング処理液が前記シリコン製基板を処理する前記エッチング処理液として有効でないと判定されたときに、前記基板処理機構において使用されていた前記活性種含有エッチング処理液を新たな活性種含有溶液として新たなエッチング処理液とを混合し、新たな活性種含有エッチング処理液を生成する第3ステップと、
該第3ステップにて生成された前記活性種含有エッチング処理液を前記基板処理機構に前記エッチング処理液として供給する第4ステップとを有する請求項4記載の基板処理方法。 - 前記前段ステップは、前記基板処理機構において所定シリコン製基板に前記エッチング処理液を与え、該エッチング処理液と前記所定シリコン製基板との反応によって活性種としての亜硝酸(HNO2)を生じさせつつ当該所定シリコン製基板を処理した後の当該エッチング処理液を前記活性種含有エッチング処理液として生成する請求項4または5記載の基板処理方法。
- 前記所定シリコン製基板は、表面が粗面化されたシリコン製基板または表面が酸化膜で覆われたシリコン製基板である請求項6記載の基板処理方法。
- 処理液を用いて基板を処理する基板処理機構と、
基板の処理の活性化に寄与する活性種を含有する活性種含有溶液を貯めおく貯液機構と、
前記貯液機構に貯めおかれた前記活性種含有溶液と前記基板を処理する処理液とを混合して前記活性種処理液を生成する処理液生成機構と、
該処理液生成機構にて生成された前記活性種含有処理液を前記基板処理機構に前記処理液として供給する処理液供給機構とを有し、
前記基板処理機構において、前記活性種含有処理液と前記基板との反応によって活性種を生じさせつつ当該基板を処理する基板処理システム。 - 前記基板処理機構において前記基板を処理した後の活性種含有処理液を回収する処理液回収機構と、
前記処理液回収機構により回収された前記活性種含有処理液を、前記基板処理機構に供給すべき活性種含有処理液として、前記処理液供給機構に戻す処理液戻し機構と、
前記基板処理機構において使用される活性種含有処理液が前記基板を処理する処理液として有効であるか否かを判定する判定手段と、
該判定手段により前記活性種含有処理液が前記基板を処理する処理液として有効でないと判定されたときに、前記処理液供給機構から前記基板処理機構に供給すべきであった前記活性種含有処理液を前記貯液機構に送る移送機構とを有し、
前記活性種含有処理液が活性種含有溶液として前記貯液機構に貯めおかれる請求項8記載の基板処理システム。 - 前記処理液生成機構は、前記貯液機構に貯めおかれた前記活性種含有処理液と前記基板を処理する処理液とを混合してなる前記活性種処理液を貯めおく供給タンクを有し、
前記処理液供給機構は、前記供給タンクに貯めおかれた前記活性種含有処理液を前記基板処理機構に供給する機構を有し、
前記処理液戻し機構は、回収された前記活性種含有溶液を前記供給タンクに戻す機構を有し、
前記移送機構は、前記供給タンクから前記活性種含有処理液を前記貯液機構に送る機構を有する請求項9記載の基板処理システム。 - 前記貯液機構は、前記基板処理機構において前記基板と同種の所定基板に前記処理液を与え、該処理液と前記所定基板との反応によって活性種を生じさせつつ当該処理基板を処理した後の当該処理液を予め前記活性種含有溶液として貯めておく請求項8乃至10のいずれかに記載の基板処理システム。
- 前記基板処理機構が、前記基板としてのシリコン製基板のエッチング処理を行う請求項8記載の基板処理システムであって、
前記貯液機構は、前記活性種としての亜硝酸(HNO2)を含む亜硝酸含有溶液を貯めおき、
前記処理液生成機構は、前記貯液機構に貯めおかれた前記亜硝酸含有溶液と、フッ酸(HF)及び硝酸(HNO3)を含むエッチング処理液とを混合して活性種含有エッチング処理液を生成し、
前記処理液供給機構は、前記処理液生成機構により生成された前記活性種含有エッチング処理液を前記基板処理機構に前記処理液として供給し、
前記基板処理機構において、前記活性種含有エッチング処理液と前記シリコン製基板との反応によって活性種としての亜硝酸(HNO2)を生じさせつつ当該シリコン製基板をエッチング処理する基板処理システム。 - 前記基板処理機構において前記シリコン製基板を処理した後の前記活性種含有エッチング処理液を回収する処理液回収機構と、
該処理液回収機構により回収された前記活性種含有エッチング処理液を、前記基板処理機構に供給すべき活性種含有エッチング処理液として、前記処理液供給機構に戻す処理液戻し機構と、
前記基板処理機構において使用される活性種含有エッチング処理液が前記シリコン製基板を処理するエッチング処理液として有効であるか否かを判定する判定手段と、
該判定手段により前記活性種含有エッチング処理液が前記シリコン製基板を処理するエッチング処理液として有効でないと判定されたときに、前記処理液供給機構から前記基板処理機構に供給すべきであった前記活性種含有エッチング処理液を前記貯液機構に送る移送機構とを有し、
前記活性種含有エッチング処理液が前記亜硝酸含有溶液として前記貯液機構に貯めおかれる請求項12記載の基板処理システム。 - 前記処理液生成機構は、前記貯液機構に貯めおかれた前記亜硝酸含有溶液と前記基板を処理するエッチング処理液とを混合してなる前記活性種含有エッチング処理液を貯めおく供給タンクを有し、
前記処理液供給機構は、前記供給タンクに貯めおかれた前記活性種含有エッチング処理液を前記基板処理機構に供給する機構を有し、
前記処理液戻し機構は、回収された前記活性種含有エッチング処理液を前記供給タンクに戻す機構を有し、
前記移送機構は、前記供給タンクから前記活性種含有処理液を前記貯液機構に送る機構を有する請求項13記載の基板処理システム。 - 前記貯液機構は、前記基板処理機構において所定シリコン製基板に前記エッチング処理液を与え、該エッチング処理液と前記所定シリコン製基板との反応によって活性種としての亜硝酸(HNO2)を生じさせつつ当該所定シリコン製基板を処理した後の当該エッチング処理液を予め前記亜硝酸含有溶液として貯めおく請求項12乃至14のいずれかに記載の基板処理システム。
- 前記所定シリコン製基板は、表面が粗面化されたシリコン製基板または表面が酸化膜で覆われたシリコン製基板である請求項15記載の基板処理システム。
- 基板処理機構において処理液を用いて基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板の処理の活性化に寄与する活性種と前記基板を処理する処理液とが混合されてなる活性種含有処理液を前記基板処理機構に前記処理液として供給するステップを有し、
前記基板処理機構において、前記活性種含有処理液と前記基板との反応によって活性種を生じさせつつ当該基板を処理する基板処理方法。 - 処理液を用いて基板を処理する基板処理機構と、
前記基板の処理の活性化に寄与する活性種と前記基板を処理する処理液とが混合されてなる活性種含有処理液を前記基板処理機構に前記処理液として供給する処理液供給機構とを有し、
前記基板処理機構において、前記活性種含有処理液と前記基板との反応によって活性種を生じさせつつ当該基板を処理する基板処理システム。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011277349A JP5858770B2 (ja) | 2011-12-19 | 2011-12-19 | 基板処理システム |
TW101143242A TWI502673B (zh) | 2011-12-19 | 2012-11-20 | Substrate processing method and substrate processing system |
KR1020120142832A KR101399801B1 (ko) | 2011-12-19 | 2012-12-10 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 시스템 |
CN201210544384.4A CN103165411B (zh) | 2011-12-19 | 2012-12-14 | 基板处理方法以及基板处理*** |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011277349A JP5858770B2 (ja) | 2011-12-19 | 2011-12-19 | 基板処理システム |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015216054A Division JP6139634B2 (ja) | 2015-11-02 | 2015-11-02 | 基板処理方法及び基板処理システム |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013128063A true JP2013128063A (ja) | 2013-06-27 |
JP2013128063A5 JP2013128063A5 (ja) | 2015-07-09 |
JP5858770B2 JP5858770B2 (ja) | 2016-02-10 |
Family
ID=48588398
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011277349A Active JP5858770B2 (ja) | 2011-12-19 | 2011-12-19 | 基板処理システム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5858770B2 (ja) |
KR (1) | KR101399801B1 (ja) |
CN (1) | CN103165411B (ja) |
TW (1) | TWI502673B (ja) |
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- 2011-12-19 JP JP2011277349A patent/JP5858770B2/ja active Active
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- 2012-11-20 TW TW101143242A patent/TWI502673B/zh active
- 2012-12-10 KR KR1020120142832A patent/KR101399801B1/ko active IP Right Grant
- 2012-12-14 CN CN201210544384.4A patent/CN103165411B/zh active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
TW201330153A (zh) | 2013-07-16 |
KR101399801B1 (ko) | 2014-05-27 |
CN103165411A (zh) | 2013-06-19 |
JP5858770B2 (ja) | 2016-02-10 |
TWI502673B (zh) | 2015-10-01 |
KR20130070528A (ko) | 2013-06-27 |
CN103165411B (zh) | 2016-08-03 |
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A521 | Written amendment |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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