JP2005183791A - 基板処理方法及びその装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 基板が帯電しないように洗浄処理する基板処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 処理槽1内に基板Wを浸漬して、いわゆるQDR法による洗浄処理を施す基板処理装置において、気液混合器37により純水に炭酸ガスを溶解させたCO2溶解水を、ノズル51から基板Wに噴射する構成とする。CO2溶解水は比抵抗が低いので、基板Wの表面に衝突・接触するときに帯電することを防止することができる。したがって、洗浄処理後の基板Wが帯電することなく、洗浄処理を行うことができる。
【選択図】 図1
【解決手段】 処理槽1内に基板Wを浸漬して、いわゆるQDR法による洗浄処理を施す基板処理装置において、気液混合器37により純水に炭酸ガスを溶解させたCO2溶解水を、ノズル51から基板Wに噴射する構成とする。CO2溶解水は比抵抗が低いので、基板Wの表面に衝突・接触するときに帯電することを防止することができる。したがって、洗浄処理後の基板Wが帯電することなく、洗浄処理を行うことができる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体基板、液晶表示器用のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板(以下、単に「基板」と称する)に対して洗浄処理を行う基板処理方法及びその装置に関する。
従来、薬液処理後の基板を洗浄する方法の一つとして、クイックダンプリンス法(以下、QDR法と呼ぶ)が採用されている。図5は、QDR法による洗浄処理の流れを表した図である。図5を参照して、QDR法による洗浄処理の一例を、簡単に説明する。
<搬入Cin>
先ず、薬液処理等が施された基板Wが処理槽1に搬入される。
<ステップS1>
基板Wは、処理槽1の底部から注入されてオーバーフローしている純水中に浸漬されて洗浄される。
<ステップS2>
その後、処理槽1内の純水を処理槽1の底部から急速に全量排水する。
<ステップS3>
このとき、処理槽1の上部に配設されるノズル51から基板Wに向けて純水を噴射する。
<ステップS4>
純水を噴射しながら、再び処理槽1の底部から処理槽1内に純水を注入して、処理槽1を満水状態にする。
<ステップS5>
ノズル51から純水の噴射を終了し、基板の浸漬洗浄を継続する。
<搬出Cout>
洗浄処理が終了すれば、基板Wが処理槽1から引き上げられて搬出される。
先ず、薬液処理等が施された基板Wが処理槽1に搬入される。
<ステップS1>
基板Wは、処理槽1の底部から注入されてオーバーフローしている純水中に浸漬されて洗浄される。
<ステップS2>
その後、処理槽1内の純水を処理槽1の底部から急速に全量排水する。
<ステップS3>
このとき、処理槽1の上部に配設されるノズル51から基板Wに向けて純水を噴射する。
<ステップS4>
純水を噴射しながら、再び処理槽1の底部から処理槽1内に純水を注入して、処理槽1を満水状態にする。
<ステップS5>
ノズル51から純水の噴射を終了し、基板の浸漬洗浄を継続する。
<搬出Cout>
洗浄処理が終了すれば、基板Wが処理槽1から引き上げられて搬出される。
この洗浄方法によれば、基板Wから離脱した薬液や不純物(パーティクル)等によって汚染された純水を、急速排水によって処理槽1外に排出するので、処理槽1内に汚染された純水が滞留することがなく、基板にパーティクルなどが再付着することがない。そして、汚染されていない純水を新たに注入して基板Wを洗浄するので、オーバーフローのみによって処理槽1内の純水を置換する手法に比べて、洗浄処理のスループットが向上する(例えば、特許文献1参照)。
また、上述した急速排水時には、処理槽1内の基板Wは周囲の雰囲気に曝されることになる。これにより、基板Wの表面が部分的に乾燥すると、基板Wの表面にウォータ−マークの付着等を招く。そこで、基板Wが乾燥しないように、図5のステップS3、ステップS4に示すように、処理槽1の純水を排水した後に、処理槽1の上方のノズル51から、基板Wに向けて純水を噴射する、いわゆる「シャワー洗浄」を行う構成としている。
特開平11−214341号公報
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題を有することが発覚した。
すなわち、QDR法によって洗浄処理された基板表面に、静電気が発生し帯電していることがわかった。基板表面が帯電すると、パーティクルの付着を招き、結果的に洗浄処理を好適に行うことができない。また、静電気が放電を起こすと、基板表面の絶縁層が破壊される。これらの不具合は、パターン欠陥を引き起こし、基板の品質に重大な影響を与える。
すなわち、QDR法によって洗浄処理された基板表面に、静電気が発生し帯電していることがわかった。基板表面が帯電すると、パーティクルの付着を招き、結果的に洗浄処理を好適に行うことができない。また、静電気が放電を起こすと、基板表面の絶縁層が破壊される。これらの不具合は、パターン欠陥を引き起こし、基板の品質に重大な影響を与える。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板が帯電しないように洗浄処理する基板処理方法及びその装置を提供することを目的とする。
本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意検討を重ねた。
先ず、従来のQDR法による洗浄処理後の基板表面には、数ボルト程度まで帯電していることを確認した。
そして、一連の洗浄工程において、処理槽1内の純水を排水した後に、基板Wに純水を噴射する工程が、基板表面の帯電の増大に著しく寄与していることを突き止めた。
先ず、従来のQDR法による洗浄処理後の基板表面には、数ボルト程度まで帯電していることを確認した。
そして、一連の洗浄工程において、処理槽1内の純水を排水した後に、基板Wに純水を噴射する工程が、基板表面の帯電の増大に著しく寄与していることを突き止めた。
図2を参照して、より詳しく説明する。図2は、基板表面の帯電分布を模式的に表した図であり、(a)は、処理槽内の純水の急速排水や基板への純水の噴射を行わないで、純水中に浸漬した基板を単に引き上げた後の基板表面の帯電分布であり、(b)は、基板への純水の噴射を行わないで、処理槽内の純水を急速排水した後の基板表面の帯電分布であり、(c)は、純水の急速排水を伴わないで、基板に純水を噴射した後の基板表面の帯電分布である。
図2(a)、(b)より、基板表面の帯電は、純水中に基板Wを浸漬するだけの工程に比べて、処理槽1内の純水を急速排水する工程によって、幾分大きくなることがわかる。これは、急速排水時の液面低下に伴って、純水と基板Wとの間に摩擦が生じていることに起因するものと考えられる。
また、図2(b)、(c)より、基板表面の帯電は、純水を急速排水する工程に比べて、基板Wに純水を噴射する工程による方が、約2倍も大きいことがわかる。これは、噴射された純水が基板Wに衝突・接触することによる摩擦は、急速排水時の液面低下に伴う摩擦に比べて大きいことに起因するものと考えられる。
そして、図2(a)、(b)、(c)を総合的に比較すると、一連の洗浄工程において、純水を急速排水した後、純水を噴射する工程のときに、基板表面の帯電が最も大きいことが確認された。一方、急速排水工程による帯電は、従来から指摘されていたが、純水噴射工程による場合の半分に過ぎず、純水中に基板を浸漬のみする工程の帯電量とあまり変わらないといえる。以上から、純水噴射工程が、帯電の増大に著しく寄与していることを突き止めた。
本発明者らは、このような知見を得て、次のような構成をとる本発明を完成するに至った。
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板を処理槽内で純水洗浄する処理を含む基板処理方法において、前記純水洗浄する処理は、前記処理槽内に貯留された純水中に前記基板を浸漬する工程と、純水中に基板を浸漬した状態で、前記処理槽内の純水を急速に排水する工程と、純水を急速に排水した後、または純水を急速に排水しながら、純水の比抵抗を低下させる物質を純水に混入した処理液を前記基板に供給する工程と、前記処理槽内に純水を供給して、純水中に基板を再び浸漬する工程とを備えることを特徴とする。
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板を処理槽内で純水洗浄する処理を含む基板処理方法において、前記純水洗浄する処理は、前記処理槽内に貯留された純水中に前記基板を浸漬する工程と、純水中に基板を浸漬した状態で、前記処理槽内の純水を急速に排水する工程と、純水を急速に排水した後、または純水を急速に排水しながら、純水の比抵抗を低下させる物質を純水に混入した処理液を前記基板に供給する工程と、前記処理槽内に純水を供給して、純水中に基板を再び浸漬する工程とを備えることを特徴とする。
[作用・効果]純水の比抵抗を低下させる物質を純水に混入した処理液は、比抵抗が低く、導電性を有する。請求項1に記載の発明によれば、比抵抗の低い処理液を基板に供給するので、シャワー洗浄時に基板表面が帯電することを防止できる。よって、基板が帯電しないように洗浄処理することができる。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の基板処理方法において、前記物質は、炭酸ガス、希ガス、およびメタンガスのいずれか1つであることを特徴とする。
[作用・効果]炭酸ガス、希ガス、あるいはメタンガスを純水に混入、溶解させると、比抵抗を低くすることができる。よって、かかる処理液を基板に噴射するので、シャワー洗浄時に基板表面が帯電することを防止できる。
請求項3に記載の発明は、請求項1に記載の基板処理方法において、前記物質は、塩酸、アンモニア、および過酸化水素のいずれか1つを含むものであることを特徴とする。
[作用・効果]塩酸、アンモニア、あるいは過酸化水素水を純水に混入させると、比抵抗を低くすることができる。よって、かかる処理液を基板に噴射しても、シャワー洗浄時に基板表面が帯電することを防止できる。
請求項4に記載の発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置において、純水を貯留し、純水に基板を浸漬する処理槽と、前記処理槽に純水を供給する純水供給手段と、前記処理槽から純水を排水する排水手段と、純水及び純水の比抵抗を下げる物質を混合した処理液を生成する処理液生成手段と、前記排水手段により前記処理槽から純水を排水した後、または前記処理槽から純水を排水させながら、前記処理液生成手段により生成された処理液を前記処理槽内の基板に供給する処理液供給手段と、を備えることを特徴とする。
[作用・効果]請求項4に記載の発明によれば、純水及び純水の比抵抗を下げる物質を混合した処理液を生成する処理液生成手段を備えることによって、基板に供給される処理液は比抵抗が低く、導電性を有する。したがって、請求項1に記載の方法を好適に実現できる。
請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の基板処理装置において、前記処理液供給手段が、前記処理槽内の基板に処理液を噴射することを特徴とする。
[作用・効果]請求項5に記載の発明によれば、処理槽内の基板に処理液供給手段が処理液を噴射しているので、基板の表面に効果的に処理液を供給できる。
請求項6に記載の発明は、請求項4または請求項5のいずれかに記載の基板処理装置において、前記処理液生成手段が、純水の比抵抗を下げる物質として炭酸ガス、希ガス、およびメタンガスのいずれか1つを純水に溶解して処理液を生成することを特徴とする。
[作用・効果]請求項6に記載の発明によれば、炭酸ガス、希ガス、およびメタンガスを純水に混入、溶解することにより比抵抗を低くすることができる。これにより、処理液での洗浄時に基板の帯電を防止できる。
請求項7に記載の発明は、請求項4または請求項5のいずれかに記載の基板処理装置において、前記処理液生成手段が、純水の比抵抗を下げる物質として塩酸、アンモニア、および過酸化水素のいずれか1つを純水に溶解して処理液を生成することを特徴とする。
[作用・効果]請求項7に記載の発明によれば、塩酸、アンモニア、および過酸化水素を純水に混入、溶解することにより比抵抗を低くすることができる。これにより、処理液での洗浄時に基板の帯電を防止できる。
請求項8に記載の発明は、請求項6または請求項7のいずれかに記載の基板処理装置において、前記処理液生成手段に接続され、純水中のガスを脱気する脱気手段をさらに備えることを特徴とする。
[作用・効果]請求項8に記載の発明によれば、脱気手段により、純水中のガスを脱気しているので、炭酸ガス等の純水の比抵抗を下げる物質の純水への溶解を効果的に行うことができる。
本発明に係る基板処理方法及びその装置によれば、基板に供給される処理液は比抵抗が低く、導電性を有するので、シャワー洗浄時に基板表面に帯電することを防止することができる。よって、基板表面が帯電することに起因したパーティクルの付着や、基板表面の絶縁膜の破壊などを回避して、洗浄処理の品質を向上することができる。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
図1は、本発明の一実施例に係る基板処理装置における洗浄処理部の概略構成を示すブロック図である。
実施例に係る基板処理装置100は、洗浄処理部のほかに、図示しない複数の薬液槽を備えた、いわゆる多槽式によるものである。かかる基板処理装置100によって、各槽で一群の基板に対して順次所定の処理が施される。そして、例えば薬液処理が行われたあとに、図1に示す洗浄処理部において、基板群を洗浄する。
この洗浄処理部は、半導体ウエハなどの基板Wを洗浄処理する専用の処理部であり、大きく分けて、処理槽1、純水供給部10、排水部20、処理液生成・噴射部30とから構成される。
処理槽1は、純水を貯留する。かかる処理槽1内に、複数枚の基板Wを浸漬して一括して洗浄処理が施される。基板Wは、図示しない保持アームによって、処理槽1の内外を昇降可能に保持されるとともに、他の処理部等へ搬送移動される。
また、処理槽1は、その上部の周囲に回収槽3を備えている。回収槽3は、処理槽1から溢れた純水を回収する。
また、処理槽1は、その上部の周囲に回収槽3を備えている。回収槽3は、処理槽1から溢れた純水を回収する。
純水供給部10は、処理槽1の底部から処理槽1内に純水を注入して供給する。純水は、工場のユーティリティ等として備わる純水供給源11から供給される。かかる純水供給源11に、純水供給管路13が連通接続される。この純水供給管路13には、電磁開閉弁15、流量調節弁17のほか図示しないフィルタ等が介装されている。そして、純水供給管路13の末端側に、注入管19が連通される。注入管路19は、処理槽1の底部に配設され、処理槽1内へ純水を注入して供給する。これにより、純水を処理槽1の上部から溢れ出させる。
排水部20は、処理槽1に貯留された純水を急速に排水する。純水は、排出口21を通じて処理槽1外に排出される。排出口21は、処理槽1の最底部に設けられている。この排出口21に、排出管路23が連通接続されている。この排出管路23に、電磁開閉弁25が介装されている。そして、排出管路23の他端側は、図示しない排出液処理部に連通される。そして、電磁開閉弁25を開放することにより、処理槽1に貯留された純水を急速に排出する。
処理液生成・噴射部30は、比抵抗の低い洗浄用の処理液を生成し、基板Wにこの処理液を噴射する。本実施例において、処理液は、純水に炭酸ガスを溶解させた、いわゆるCO2溶解水である。純水と炭酸ガスは、それぞれ工場のユーティリティ等として備わる純水供給源11と炭酸ガス供給源31から供給される。なお、炭酸ガス供給源31は、本基板処理装置100に配備されてもよい。これら純水供給源11に純水供給管路33が、炭酸ガス供給源31に炭酸ガス供給管路35が、それぞれ連通接続されている。なお、純水供給管路33には、図示しない電磁開閉弁等が介装されている。また、炭酸ガス供給管路35には、図示しない圧力計、圧力調整弁、流量調節弁等が介装されている。そして、純水供給管路33、及び炭酸ガス供給管路35の他端側には、気液混合器37が連通接続される。この気液混合器37によって、純水に炭酸ガスを溶解させる。
本実施例においては、この気液混合器37の内部には図示しないガス溶解膜を備えている。このガス溶解膜は、例えば中空子分離膜等で形成され、気体透過性および液体不透過性を有する。このガス溶解膜を隔てて、純水と炭酸ガスを別々に供給する。そして、炭酸ガスの圧力を純水の供給圧よりも高くすると、炭酸ガスがガス溶解膜を透過して純水中に溶解する。さらに、かかる純水領域の反対側には、別のガス溶解膜を隔てて脱気領域が形成されている。この脱気領域は、後述する真空ポンプ47によって真空引きされているので、純水領域よりも圧力が低い。よって、純水中の溶存ガスや不要な炭酸ガスが純水中から脱気される。このようにして、炭酸ガスが純水に溶解した処理液を生成することができる。
さらに、本実施例では、処理液が所定の比抵抗となるように、純水に所定量の炭酸ガスを溶解させるように制御されている。具体的には、図示しない制御部が、後述する真空ポンプ47や図示しない流量調節弁等の計装機器を操作して、処理液の比抵抗の値を制御する。
このような気液混合器37に、処理液供給管路39と脱気排出管路41とが連通接続されている。
処理液供給管路39には、気液混合器37において生成された処理液が送液される。処理液供給管路39には、電磁開閉弁43と流量調節弁45と、図示しない炭酸ガス濃度計、比抵抗計等が介装されている。そして、処理液供給管路39の末端側に、ノズル51が連通されている。ノズル51は、処理槽1の上部に設けられ、処理槽1内にある基板Wに向けて処理液を噴射する。本実施例では、ノズル51はパイプ形状であり、かかるノズル51に図示しない複数の細孔が形成されている。このようなノズル51によれば、基板Wに処理液をシャワー状に噴射して供給することができる。
一方、脱気排出管路41には、気液混合器37において脱気された溶存ガス等が通じる。脱気排出管路41には、真空ポンプ47、及び図示しない電磁開閉弁等が介装されている。これによって、不要な溶存ガス等を排出する。
次に、上記の構成を有する洗浄処理部の動作を説明する。なお、一連の処理の流れ自体は、従来技術と同様であるため、図5も参照して、説明する。
<搬入Cin>
本実施例にかかる基板処理装置100の他の処理槽において薬液処理等が終了すると、基板Wは図1に示す洗浄処理部に搬送される。
そして、図示しない保持アームによって、基板Wを処理槽1内に収容するように下降させる。すると、処理槽1内には、既に注入管19より供給された純水が貯留されているので、基板Wはこの純水中に浸漬される。
本実施例にかかる基板処理装置100の他の処理槽において薬液処理等が終了すると、基板Wは図1に示す洗浄処理部に搬送される。
そして、図示しない保持アームによって、基板Wを処理槽1内に収容するように下降させる。すると、処理槽1内には、既に注入管19より供給された純水が貯留されているので、基板Wはこの純水中に浸漬される。
<ステップS1:浸漬洗浄工程>
処理槽1内には、注入管19から純水が供給されている。かかる水流によって、基板Wの表面に付着する薬液やパーティクル等は離脱し、純水中へと放出される。こうして汚染された純水は、処理槽1の上部から溢れだすことによって、処理槽1から排出され、回収槽3に回収される。このように、基板Wの表面に付着する薬液等を処理槽1外に流し出すことによって、洗浄処理を行う。
処理槽1内には、注入管19から純水が供給されている。かかる水流によって、基板Wの表面に付着する薬液やパーティクル等は離脱し、純水中へと放出される。こうして汚染された純水は、処理槽1の上部から溢れだすことによって、処理槽1から排出され、回収槽3に回収される。このように、基板Wの表面に付着する薬液等を処理槽1外に流し出すことによって、洗浄処理を行う。
<ステップS2:急速排水工程>
浸漬洗浄工程が終了すると、電磁開閉弁15を閉止し、電磁開閉弁25を開放する。すると、処理槽1内の純水が排出口21より急速に排出される。
浸漬洗浄工程が終了すると、電磁開閉弁15を閉止し、電磁開閉弁25を開放する。すると、処理槽1内の純水が排出口21より急速に排出される。
<ステップS3:噴射工程>
処理槽1内の純水を急速排水した後、電磁開閉弁43を開放する。すると、ノズル51から基板Wに向けて処理液がシャワー状に噴射される。
処理槽1内の純水を急速排水した後、電磁開閉弁43を開放する。すると、ノズル51から基板Wに向けて処理液がシャワー状に噴射される。
ここで、噴射される処理液は、気液混合器37により、純水に炭酸ガスを溶解させたものである。したがって、処理液の比抵抗は、純水に比べて低い。通常、純水として、18MΩcm以上の比抵抗が要求されているが、処理液の比抵抗は、18MΩcm以下となる。
よって、基板Wの表面に処理液が衝突、接触して供給されても、基板Wの表面に静電気が発生することを抑制でき、シャワー洗浄時に基板Wの表面が帯電することを防止することができる。
<ステップS4:噴射+給水工程>
一方、処理槽1内の純水が完全に排水されると、電磁開閉弁25を閉止する一方、電磁開閉弁15を開放して、再び注入管19から処理槽1内に純水を注入する。処理槽1の純水が満水状態となった後も、所定時間経過するまで、処理液の噴射は継続して行われる。
一方、処理槽1内の純水が完全に排水されると、電磁開閉弁25を閉止する一方、電磁開閉弁15を開放して、再び注入管19から処理槽1内に純水を注入する。処理槽1の純水が満水状態となった後も、所定時間経過するまで、処理液の噴射は継続して行われる。
<ステップS5:浸漬洗浄工程>
その後、電磁開閉弁43を閉止して処理液の噴射を終了すると、基板Wに対して浸漬洗浄のみが施される。基板Wが十分洗浄されると、この浸漬洗浄工程を終了する。本実施例では、処理槽1内の純水の比抵抗値が設定値に達したことを、図示しない比抵抗計によって、確認することによって、洗浄処理の終了を判断している。これをもって、一連の工程による洗浄処理が完了する。
その後、電磁開閉弁43を閉止して処理液の噴射を終了すると、基板Wに対して浸漬洗浄のみが施される。基板Wが十分洗浄されると、この浸漬洗浄工程を終了する。本実施例では、処理槽1内の純水の比抵抗値が設定値に達したことを、図示しない比抵抗計によって、確認することによって、洗浄処理の終了を判断している。これをもって、一連の工程による洗浄処理が完了する。
<搬出Cout>
図示しない保持アームが上昇して基板Wを処理槽1外に搬出し、次の乾燥処理部等に搬送する。
図示しない保持アームが上昇して基板Wを処理槽1外に搬出し、次の乾燥処理部等に搬送する。
<本発明と従来技術との比較−1>
従来技術に比べて本発明によれば、どれほど基板Wの表面の帯電を防止することができるか検証した。
図3は、基板にCO2溶解水を噴射し、その後、純水で浸漬洗浄した場合の、基板表面の帯電分布を模式的に表した図である。一方、図3と対比される従来技術によるものは、図2(c)である。
従来技術に比べて本発明によれば、どれほど基板Wの表面の帯電を防止することができるか検証した。
図3は、基板にCO2溶解水を噴射し、その後、純水で浸漬洗浄した場合の、基板表面の帯電分布を模式的に表した図である。一方、図3と対比される従来技術によるものは、図2(c)である。
なお、基板Wに噴射する液体が、図3ではCO2溶解水であるのに対し、図2(c)では純水である点で異なる以外は、双方とも同じ条件である。
図3と図2(c)を比較すると、CO2溶解水を噴射した場合の帯電の大きさは、純水を噴射した場合の約1割程度に抑制できている。よって、本実施例によれば、従来技術に比べて、シャワー洗浄時に基板Wの表面が帯電することを防止できることが確認された。これは、CO2溶解水は比抵抗が低く、導電性を有しているので、基板Wに衝突・接触しても静電気の発生が抑制されたと考えられる。
<本発明と従来技術との比較−2>
基板Wの表面に帯電させずに洗浄処理を行う方法として、注入管17から処理槽1内に注入される純水を、CO2溶解水等に変更することが知られている。そこで、かかる洗浄方法と、図3に示す本発明によるものとの比較を検証した。
基板Wの表面に帯電させずに洗浄処理を行う方法として、注入管17から処理槽1内に注入される純水を、CO2溶解水等に変更することが知られている。そこで、かかる洗浄方法と、図3に示す本発明によるものとの比較を検証した。
図4は、基板に純水を噴射し、その後、CO2溶解水で浸漬洗浄した場合の、基板表面の帯電分布を模式的に表した図である。
CO2溶解水が、図3では基板Wに噴射されるのに対し、図4では処理槽1内に注入供給される点で異なる以外は、双方とも同じ条件である。
図3と図4を比較すると、CO2溶解水を基板Wに噴射した後、純水で基板Wを浸漬した本実施例(図3)の帯電の大きさは、純水を基板Wに噴射した後、CO2溶解水で基板Wを浸漬した場合(図4)の約2割程度に抑制できている。よって、本実施例によれば、従来技術に比べて、CO2溶解水を効果的に使用して、シャワー洗浄時に基板Wの表面が帯電するのを防止できるといえる。
これは、大きな静電気が発生しやすい噴射工程にCO2溶解水を使用して、基板Wの表面の帯電を未然に防止していることによると考えられる。
一方、図4に示す基板Wの表面の帯電は、基板に純水を噴射した時に発生したものと考えられる。そして、純水の噴射により、一度基板Wの表面に静電気の発生を許容すると、その後に基板WをCO2溶解水に浸漬しても、除電することは困難であるといえる。
これは、大きな静電気が発生しやすい噴射工程にCO2溶解水を使用して、基板Wの表面の帯電を未然に防止していることによると考えられる。
一方、図4に示す基板Wの表面の帯電は、基板に純水を噴射した時に発生したものと考えられる。そして、純水の噴射により、一度基板Wの表面に静電気の発生を許容すると、その後に基板WをCO2溶解水に浸漬しても、除電することは困難であるといえる。
これに対して本発明によれば、基板に噴射する液体として、比抵抗の低い処理液を用いるので、シャワー洗浄時に基板Wが帯電することがない。したがって、洗浄処理後にパーティクル等の付着を招くことがなく、放電による絶縁破壊のおそれもない。
また、噴射工程で使用される処理液は、処理槽に供給される純水量より少なくて済むので、処理槽にCO2溶解水を供給する従来技術に比べて、炭酸ガスの消費量も少なくすることができる。したがって、ランニングコストの低減が図れる。
次に、本実施例のその他の効果を以下に列挙する。
まず、純水に溶解させる物質として炭酸ガスを用いれば、純水に容易に溶解することや、基板Wへの影響が少ないことや、ユーティリティを含めた設備が安全、安価に構成できる点ことが挙げられる。また、気液混合器37等の構成によって処理液であるCO2溶解水を生成すれば、処理液の比抵抗の値を一定に保つことや、可変することが容易にできる。
まず、純水に溶解させる物質として炭酸ガスを用いれば、純水に容易に溶解することや、基板Wへの影響が少ないことや、ユーティリティを含めた設備が安全、安価に構成できる点ことが挙げられる。また、気液混合器37等の構成によって処理液であるCO2溶解水を生成すれば、処理液の比抵抗の値を一定に保つことや、可変することが容易にできる。
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
(1)上述した実施例では、純水に炭酸ガスを溶解させる構成としたが、これに限定されるものでなく、純水の比抵抗を低下させることができる物質であればよい。たとえば、Xeなどの希ガスや、メタンガスなどのガスを溶解させたり、あるいは塩酸、アンモニア、過酸化水素などの薬液を僅かに混合してもよい。また、処理液が、オゾン水やいわゆる機能水と呼ばれるものであってもよい。
なお、塩酸、アンモニア、過酸化水素等を純水に混合する場合は、上述した気液混合器37やそれに付随する脱気設備等を要しない。例えば、純水供給管路33と上記溶液を送液する管路とをミキシングバルブによって連通して、純水と混合するように構成してもよい。
なお、塩酸、アンモニア、過酸化水素等を純水に混合する場合は、上述した気液混合器37やそれに付随する脱気設備等を要しない。例えば、純水供給管路33と上記溶液を送液する管路とをミキシングバルブによって連通して、純水と混合するように構成してもよい。
(2)上述した実施例では、純水に炭酸ガスを溶解させるために気液混合器37を備える構成としたが、これに限定されるものではなく、純水に炭酸ガスを溶解させることができればよい。たとえば、純水中に炭酸ガスを直接供給する、いわゆるバブリングタンクによって、CO2溶解水を生成してもよい。
また、ノズル51をいわゆる二流体ノズルとしてノズル内で純水に直接炭酸ガスを溶解させてもよい。これによれば、処理液を脱気する設備を省略することができる。
また、ノズル51をいわゆる二流体ノズルとしてノズル内で純水に直接炭酸ガスを溶解させてもよい。これによれば、処理液を脱気する設備を省略することができる。
(3)上述した実施例では、基板処理装置100はいわゆる多槽式であったが、これに限られるものではなく、単槽式であってもよい。この場合、処理槽1において、洗浄処理のほかに薬液処理等が基板に順に施される構成となる。
(4)実施例では、処理槽1内の純水を急速排水した後に、基板に向けてCO2溶解水を噴射するようにしたが、処理槽1内の純水を急速排水しながら、基板に向けてCO2溶解水を噴射してもよい。このようにすれば、純水の急速排水のともなう帯電を抑制する効果を期待できる。
1…処理槽
10…純水供給部
11…純水供給源
20…排水部
31…炭酸ガス供給源
37…気液混合器
51…ノズル
W …基板
10…純水供給部
11…純水供給源
20…排水部
31…炭酸ガス供給源
37…気液混合器
51…ノズル
W …基板
Claims (8)
- 基板を処理槽内で純水洗浄する処理を含む基板処理方法において、
前記純水洗浄する処理は、
前記処理槽内に貯留された純水中に前記基板を浸漬する工程と、
純水中に基板を浸漬した状態で、前記処理槽内の純水を急速に排水する工程と、
純水を急速に排水した後、または純水を急速に排水しながら、純水の比抵抗を低下させる物質を純水に混入した処理液を前記基板に供給する工程と、
前記処理槽内に純水を供給して、純水中に基板を再び浸漬する工程と
を備えることを特徴とする基板処理方法。 - 請求項1に記載の基板処理方法において、
前記物質は、炭酸ガス、希ガス、およびメタンガスのいずれか1つであることを特徴とする基板処理方法。 - 請求項1に記載の基板処理方法において、
前記物質は、塩酸、アンモニア、および過酸化水素のいずれか1つを含むものであることを特徴とする基板処理方法。 - 基板に所定の処理を行う基板処理装置において、
純水を貯留し、純水に基板を浸漬する処理槽と、
前記処理槽に純水を供給する純水供給手段と、
前記処理槽から純水を排水する排水手段と、
純水及び純水の比抵抗を下げる物質を混合した処理液を生成する処理液生成手段と、
前記排水手段により前記処理槽から純水を排水した後、または前記処理槽から純水を排水させながら、前記処理液生成手段により生成された処理液を前記処理槽内の基板に供給する処理液供給手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4に記載の基板処理装置において、
前記処理液供給手段は、前記処理槽内の基板に処理液を噴射することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4または請求項5のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理液生成手段は、純水の比抵抗を下げる物質として炭酸ガス、希ガス、およびメタンガスのいずれか1つを純水に溶解して処理液を生成することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4または請求項5のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理液生成手段は、純水の比抵抗を下げる物質として塩酸、アンモニア、および過酸化水素のいずれか1つを純水に溶解して処理液を生成することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項6または請求項7のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理液生成手段に接続され、純水中のガスを脱気する脱気手段をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
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US20170207079A1 (en) * | 2016-01-15 | 2017-07-20 | United Microelectronics Corp. | Substrate cleaning method |
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Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5472516A (en) * | 1994-04-15 | 1995-12-05 | At&T Corp. | Process and apparatus for semiconductor device fabrication |
JPH10189527A (ja) * | 1996-12-20 | 1998-07-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
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-
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-
2004
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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