JP2013097093A - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】並列に電気的に接続された複数の保持容量を積層した場合でも、いずれの保持容量に不具合が発生したかを容易かつ確実に検査することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００においては、並列に電気的に接続された第１保持容量７０ａと第２保持容量７０ｂとによって保持容量７０が形成され、かつ、第１保持容量７０ａと第２保持容量７０ｂとは積層された構造になっている。また、素子基板１０の端部と画像表示領域との間には、第１保持容量７０ａと同一の層構造を備えた検査用第１容量と、第２保持容量７０ｂと同一の層構造を備えた検査用第２容量が形成されているとともに、検査用第１容量に電気的に接続する第１容量検査用端子対と、検査用第２容量に電気的に接続する第２容量検査用端子対とが設けられている。
【選択図】図４

Description

本発明は、液晶装置等の電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。

各種の電気光学装置のうち、例えば液晶装置では、共通電極との間で電気光学物質層を駆動する画素電極、および画素電極に対応して設けられた画素トランジスターを備えた画素を有している。また、液晶装置では、画素電極に対して保持容量を設け、かかる保持容量によって画素電極の電位を保持することにより、表示画像におけるコントラストの向上やフリッカーの低減が図られている。

また、複数の保持容量を積層し、保持容量同士を並列に電気的に接続することにより、容量増大を実現するという技術が提案されている（特許文献１、２参照）。

具体的には、図９に示すように、第１電極７１と、第１電極７１に対して下層側で第１誘電体層７５を介して重なる第２電極７２とにより第１保持容量７０ａを形成し、第１電極７１と、第１電極７１に対して上層側で第２誘電体層７６を介して重なる第３電極７３とによって第２保持容量７０ｂを形成し、第２電極７２と第３電極７３とを導通させた構造が提案されている。

特開２０００−２８４７２２号公報 特開２００２−１２３１９２号公報

しかしながら、図９に示す構成のように、薄い誘電体層を介して複数の電極が積層している構造を採用すると、短絡や耐電圧の低下等の不具合が発生しやすいが、図９に示す構成では、第２電極７２と第３電極７３とが導通しているため、不具合が第１電極７１と第２電極７２との間、あるいは第１電極７１と第３電極７３との間のいずれで発生しているかを検査することができないという問題点がある。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、並列に電気的に接続された複数の保持容量を積層した場合でも、いずれの保持容量に不具合が発生したかを容易かつ確実に検査することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明は、基板の一方面側に設けられた画素電極、該画素電極の電位を保持する保持容量、および前記画素電極に対応して設けられたスイッチング素子を画像表示領域に有する電気光学装置であって、前記保持容量は、第１電極、および該第１電極に対して前記基板側で第１誘電体層を介して重なる第２電極により構成された第１保持容量と、前記第１電極、および該第１電極に対して前記基板と反対側で第２誘電体層を介して重なり、前記第２電極と導通する第３電極により構成された第２保持容量と、を備え、前記基板の端部と前記画像表示領域との間には、前記第１保持容量と同一の層構造を備えた検査用第１容量と、前記第２保持容量と同一の層構造を備えた検査用第２容量と、前記検査用第１容量に電気的に接続する第１容量検査用端子対と、前記検査用第２容量に電気的に接続する第２容量検査用端子対と、を有することを特徴とする。

本発明では、並列に電気的に接続された第１保持容量と第２保持容量とによって保持容量が形成され、かつ、第１保持容量と第２保持容量とは積層された構造になっている。このため、保持容量は、占有する面積が狭くても大きな静電容量を有する。ここで、基板の端部と画像表示領域との間には、第１保持容量と同一の層構造を備えた検査用第１容量と、第２保持容量と同一の層構造を備えた検査用第２容量が形成されているとともに、検査用第１容量に電気的に接続する第１容量検査用端子対と、検査用第２容量に電気的に接続する第２容量検査用端子対とが設けられている。このため、第１容量検査用端子対を用いれば、検査用第１容量の検査を行うことができ、かかる検査結果によれば、第２保持容量の影響を受けずに、第１保持容量の短絡や耐電圧等の特性を把握することができる。また、第２容量検査用端子対を用いれば、検査用第２容量の検査を行うことができ、かかる検査結果によれば、第１保持容量の影響を受けずに、第２保持容量の短絡や耐電圧等の特性を把握することができる。従って、保持容量に短絡や耐電圧の低下等の不具合が発生した場合、第１保持容量および第２保持容量のいずれにおいて不具合が発生したかを容易かつ確実に検査することができる。それ故、検査結果を製造工程等に適切にフィードバックすることができるので、不具合に対する対策を適正に行うことができる。

本発明において、前記基板の前記画像表示領域と前記基板の端部との間には、前記第１電極と同一の層に位置する第１容量検査用第１電極と、前記第２電極と同一の層で前記第１誘電体層を介して前記第１容量検査用第１電極に重なって前記検査用第１容量を構成する第１容量検査用第２電極と、前記第３電極と同一の層で前記第２誘電体層を介して前記第１容量検査用第１電極に重なる第１容量検査用第３電極と、前記第１電極と同一の層に位置する第２容量検査用第１電極と、前記第２電極と同一の層で前記第１誘電体層を介して前記第２容量検査用第１電極に重なる第２容量検査用第２電極と、前記第３電極と同一の層で前記第２誘電体層を介して前記第２容量検査用第１電極に重なって前記検査用第２容量を構成する第２容量検査用第３電極と、が設けられ、前記第１容量検査用端子対は、前記第１容量検査用第１電極に導通する第１容量検査用第１端子と、前記第１容量検査用第２電極に導通する第１容量検査用第２端子と、を備え、前記第２容量検査用端子対は、前記第２容量検査用第３電極に導通する第２容量検査用第１端子と、前記第２容量検査用第１電極に導通する第２容量検査用第２端子と、を備えていることが好ましい。このように構成すると、検査用第１容量および検査用第２容量のいずれにおいても、保持容量と同様、３つの電極の各間に誘電体層が介在している構造になっているので、保持容量の第１保持容量で不具合が発生した際、検査用第１容量で不具合が発生しやすく、保持容量の第２保持容量で不具合が発生した際、検査用第２容量で不具合が発生しやすい。それ故、保持容量での不具合原因等を検査用第１容量および検査用第２容量に対する検査によって確実に把握することができる。

この場合、前記第１容量検査用第１端子は、前記第１容量検査用第１電極および前記第１容量検査用第３電極に導通し、前記第２容量検査用第２端子は、前記第２容量検査用第１電極および前記第２容量検査用第２電極に導通していることが好ましい。このように構成すると、検査用第１容量の検査時、第１容量検査用第１電極と第１容量検査用第３電極とが同一の電位になっているので、検査用第１容量の検査結果に第１容量検査用第３電極の電気的な影響が及ばない。また、検査用第２容量の検査時、第２容量検査用第１電極と第２容量検査用第２電極とが同一の電位になっているので、検査用第２容量の検査結果に第２容量検査用第２電極の電気的な影響が及ばない。

本発明において、前記基板の前記画像表示領域と前記基板の端部との間には、前記第１電極と同一の層に位置する検査用第１電極と、前記第２電極と同一の層で前記第１誘電体層を介して前記検査用第１電極に重なって前記検査用第１容量を構成する検査用第２電極と、前記第３電極と同一の層で前記第２誘電体層を介して前記検査用第１電極に重なって前記検査用第２容量を構成する検査用第３電極と、前記検査用第１電極に導通する検査用第１端子と、前記検査用第２電極に導通する検査用第２端子と、前記検査用第３電極に導通する検査用第３端子と、を備え、前記第１容量検査用端子対は、前記検査用第１電極と前記検査用第２電極とによって構成され、前記第２容量検査用端子対は、前記検査用第１電極と前記検査用第３電極とによって構成されていることが好ましい。このように構成すると、検査用第１容量および検査用第２容量のいずれもが、保持容量と同様、各々が誘電体層を介して重なっている３つの電極のうちの一部で構成されているので、保持容量での不具合の様子を検査用第１容量および検査用第２容量の検査によって確実に把握することができる。また、検査用第１容量の検査時、検査用第１電極と検査用第３電極とをプローブ等を介して同一の電位にすれば、検査用第１容量の検査結果に検査用第３電極の電気的な影響が及ばない。また、検査用第２容量の検査時、検査用第１電極と検査用第２電極とをプローブ等を介して同一の電位にすれば、検査用第２容量の検査結果に検査用第２電極の電気的な影響が及ばない。

本発明に係る電気光学装置は、以下のように規定することもできる。すなわち、本発明に係る電気光学装置は、基板の一方面側の画像表示領域に設けられた画素電極と、前記画素電極の電位を保持する保持容量と、前記画素電極に対応して設けられたスイッチング素子と、平面視で前記基板の端部と前記画像表示領域との間に設けられた第１検査用素子と、平面視で前記基板の端部と前記画像表示領域との間に設けられた第２検査用素子と、を含み、前記保持容量は、第１電極、該第１電極と基板との間に設けられた第１誘電体層、および前記第１電極の前記基板側に前記第１誘電体層を介して設けられた第２電極により構成された第１保持容量と、前記第１電極、該第１電極の基板と反対側に設けられた第２誘電体層、および前記第１電極の前記基板と反対側に前記第２誘電体層を介して設けられた第３電極により構成された第２保持容量と、を備え、前記第１検査用素子は、前記第１電極と同一の層に形成された第４電極と、前記第１誘電体層と同一の層に形成された第３誘電体層と、前記第２電極と同一の層に形成され、前記第４電極の前記基板側に前記第３誘電体層を介して形成された第５電極と、前記第２誘電体層と同一の層に形成された第４誘電体層と、前記第３電極と同一の層に形成され、前記第４電極の前記基板と反対側に前記第４誘電体層を介して形成された第６電極と、前記第４電極に電気的に接続された第１端子と、前記第５電極に電気的に接続された第２端子と、を備え、前記第４電極、前記第３誘電体層および前記第５電極により第１容量を構成し、前記第２検査用素子は、前記第１電極と同一の層に形成された第７電極と、前記第１誘電体層と同一の層に形成された第５誘電体層と、前記第２電極と同一の層に形成され、前記第７電極の前記基板側に前記第５誘電体層を介して形成された第８電極と、前記第２誘電体層と同一の層に形成された第６誘電体層と、前記第３電極と同一の層に形成され、前記第７電極の前記基板と反対側に前記第６誘電体層を介して形成された第９電極と、前記第７電極に電気的に接続された第３端子と、前記第９電極に電気的に接続された第４端子と、を備え、前記第７電極、前記第６誘電体層および前記第９電極により第２容量を構成することを特徴とする。

本発明では、第１保持容量と第２保持容量とによって保持容量が形成され、かつ、第１保持容量と第２保持容量とは積層された構造になっている。このため、保持容量は、占有する面積が狭くても大きな静電容量を有する。ここで、基板の端部と画像表示領域との間には、第１保持容量と同一の層構造を備えた第１容量を備えた第１検査用素子と、第２保持容量と同一の層構造を備えた第２容量を備えた第２検査用素子が形成されている。このため、第１検査用素子を用いれば、第１容量の検査を行うことができ、かかる検査結果によれば、第２保持容量の影響を受けずに、第１保持容量の短絡や耐電圧等の特性を把握することができる。また、第２検査用素子を用いれば、第２容量の検査を行うことができ、かかる検査結果によれば、第１保持容量の影響を受けずに、第２保持容量の短絡や耐電圧等の特性を把握することができる。従って、保持容量に短絡や耐電圧の低下等の不具合が発生した場合、第１保持容量および第２保持容量のいずれにおいて不具合が発生したかを容易かつ確実に検査することができる。それ故、検査結果を製造工程等に適切にフィードバックすることができるので、不具合に対する対策を適正に行うことができる。検査用の第１容量および第２容量のいずれにおいても、保持容量と同様、３つの電極の各間に誘電体層が介在している構造になっているので、保持容量の第１保持容量で不具合が発生した際、検査用の第１容量で不具合が発生しやすく、保持容量の第２保持容量で不具合が発生した際、検査用の第２容量で不具合が発生しやすい。それ故、保持容量での不具合原因等を検査用の第１容量および検査用の第２容量に対する検査によって確実に把握することができる。

本発明は、前記第１保持容量および前記第２保持容量が、前記スイッチング素子に対して前記基板とは反対側で少なくとも一部が前記スイッチング素子と重なっている場合に適用すると効果的である。かかる構成の場合、スイッチング素子が原因で、スイッチング素子の上層側に凹凸が発生していると、第１誘電体層や第２誘電体層に欠陥が発生しやすく、保持容量に短絡等の不具合が発生しやすいが、このような場合でも、本発明によれば、不具合の発生個所を確実に把握できる。それ故、検査結果を製造工程等に適切にフィードバックすることができるので、不具合に対する対策を適正に行うことができる。

本発明において、前記第１誘電体層および前記第２誘電体層は各々、複数層の誘電体膜を有し、前記基板側からみて、前記第１誘電体層を構成する前記複数の誘電体膜と、前記第２誘電体層を構成する前記複数の誘電体膜とにおける絶縁膜の積層順が同一であることが好ましい。かかる構成によれれば、画素電極に印加する電位の極性を反転させると、第１電極と第２電極との極性、および第１電極と第３電極との極性が反転することになるが、いずれの極性でも、絶縁膜の配列は実質同一である。それ故、固定電位のシフト等の不具合が発生しにくい。

本発明において、電気光学装置は例えば液晶装置であり、この場合、液晶装置は、前記基板の一方面側に対向する対向基板と、前記基板と前記対向基板との間に保持された液晶層と、を有している。

本発明に係る電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピューター、投射型表示装置等の電子機器に用いることができる。これらの電子機器のうち、投射型表示装置は、電気光学装置（液晶装置）に光を供給するための光源部と、前記電気光学装置によって光変調された光を投射する投射光学系とを備えている。

本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。 本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の液晶パネルの説明図である。 本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の画素の平面構造を示す説明図である。 本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の画素の断面構造を示す説明図である。 本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の検査用容量および検査用端子等の説明図である。 本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の検査用容量および検査用端子等の説明図である。 本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の画素の断面構造を示す説明図である。 本発明を適用した投射型表示装置（電子機器）および光学ユニットの概略構成図である。 本発明の課題を説明するための説明図である。

本発明の実施の形態として、各種の電気光学装置のうち、アクティブマトリクス型の液晶装置に本発明を適用した例を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。また、対向基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは対向基板の基板本体が位置する側とは反対側（素子基板が位置する側）を意味し、下層側とは対向基板の基板本体が位置する側を意味する。

［実施の形態１］
（電気光学装置の構成）
（全体構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図１において、本形態の電気光学装置１００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを有する液晶装置であり、かかる液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画像表示領域１０ａ（画素配列領域／有効画素領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する素子基板１０（図２等を参照）では、画像表示領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交差部分に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスター（スイッチング素子）からなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースドレイン領域のうち、データ線側ソースドレイン領域にはデータ線６ａが電気的に接続され、画素電極側ソースドレイン領域には画素電極９ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されている。このようにして、電気光学装置１００では、複数の画素１００ａの各々に複数の画素電極９ａおよび複数の画素トランジスター３０が形成されている。

素子基板１０において、画像表示領域１０ａより外周側には、図２に示す走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像信号Ｓ１、Ｓ２・・Ｓｎを各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号Ｇ１、Ｇ２・・Ｇｍを各走査線３ａに順次供給する。

各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層（電気光学物質層）を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量７０が付加されている。本形態では、保持容量７０を構成するために、素子基板１０には、複数の画素１００ａに跨って延在する容量線７ａが形成されており、容量線７ａには、共通電位Ｖcomが印加されている。

また、本形態では、図３および図４等を参照して後述するように、保持容量７０は、第１保持容量７０ａと、第２保持容量７０ｂとから構成されており、第１保持容量７０ａと第２保持容量７０ｂとは並列に電気的に接続されている。

（液晶パネル１００ｐおよび素子基板１０の構成）
図２は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐの説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。

図２に示すように、液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１５２によって貼り合わされており、シール材１５２は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１５２は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０と対向基板２０との間のうち、シール材１５２によって囲まれた領域内には、各種液晶材料（電気光学物質）からなる液晶層５０（電気光学物質層）が設けられている。本形態において、シール材１５２には、液晶注入口１５２ｃとして利用される途切れ部分が形成されており、かかる液晶注入口１５２ｃは、液晶材料の注入後、封止材１５８によって封止されている。

かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画像表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１５２も略四角形に設けられ、画像表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。

素子基板１０において、外周領域１０ｃでは、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子電極１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子電極１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。

図３および図４等を参照して詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、対向基板２０と対向する一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａには、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。

また、素子基板１０の一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａより外側の外周領域１０ｃのうち、画像表示領域１０ａとシール材１５２とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画素電極９ｂは、隣り合うダミー画素電極９ｂ同士が細幅の連結部（図示せず）で繋がっている。また、ダミー画素電極９ｂは、共通電位Ｖcomが印加されており、画像表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。また、ダミー画素電極９ｂは、素子基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。なお、ダミー画素電極９ｂに電位を印加せず、ダミー画素電極９ｂを電位的にフロート状態とする場合もあり、この場合でも、ダミー画素電極９ｂは、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。

対向基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は、対向基板２０の略全面に形成されている。

また、対向基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され、共通電極２１の表面には配向膜２２が積層されている。本形態において、遮光層２９は、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されており、額縁部分２９ａの内周縁によって画像表示領域１０ａが規定されている。また、本形態において、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。ここで、額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと重なる位置に形成されており、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１５２の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分２９ａとシール材１５２とは重なっていない。

液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１５２より外側には、対向基板２０の一方面２０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極２５が形成されており、素子基板１０の一方面１０ｓの側には、対向基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極２５）と対向する位置に基板間導通用電極１０６が形成されている。本形態において、基板間導通用電極２５は、共通電極２１の一部からなる。基板間導通用電極２５は、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線に導通している。基板間導通用電極１０６と基板間導通用電極２５との間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９が配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極１０６、基板間導通材１０９および基板間導通用電極２５を介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１５２は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１５２は、略四角形である。但し、シール材１５２は、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極２５、１０６を避けて内側を通るように設けられている。

なお、素子基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の電気光学装置１００の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。

かかる構成の電気光学装置１００において、画素電極９ａおよび共通電極２１をＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透光性の導電膜により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。かかる透過型の電気光学装置１００の場合、素子基板１０および対向基板２０のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。本形態では、対向基板２０から入射した光が素子基板１０を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。これに対して、共通電極２１をＩＴＯやＩＺＯ等の透光性導電膜により形成し、画素電極９ａをアルミニウム等の反射性導電膜により形成すると、反射型の液晶装置を構成することができる。電気光学装置１００が反射型である場合、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０の側で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。

その際、液晶層５０では、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。例えば、ノーマリホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置１００からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。なお、階調表示を行うにあたっては、画像信号Ｓ１、Ｓ２・・Ｓｎとしてデジタル信号を用い、画素１００ａの選択期間中におけるパルスの数やパルスのデューティ比によって画像信号に応じたコントラストをもつ光を出射させてもよい。

電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０あるいは素子基板１０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、電気光学装置１００は、電子ペーパーとして用いることできる。また、電気光学装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。

本形態において、電気光学装置１００が、後述する投射型表示装置においてＲＧＢ用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置である場合を中心に説明する。また、本形態において、電気光学装置１００は、液晶層５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。

また、本形態の電気光学装置１００においては、画素電極９ａを駆動するにあたって、画素電極９ａの電位が共通電極２１の電位より高い第１期間と、画素電極９ａの電位が共通電極２１の電位より低い第２期間とが実行される。本形態においては、共通電極２１の電位を基準としたときの画素電極９ａの極性が１フレーム毎に反転する。例えば、共通電極２１の電位（共通電位Ｖcom）は＋７Ｖで一定であるのに対して、画素電極９ａの電位は＋１２Ｖ（第１期間）と＋２Ｖ（第２期間）とに切り換わり、共通電位Ｖcomからみたときの極性が判定する。

（画素の具体的構成例）
図３は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の画素１００ａの平面構造を示す説明図であり、素子基板１０において隣り合う複数の画素の平面図である。図４は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の画素１００ａの断面構造を示す説明図であり、図４（ａ）、（ｂ）は、図３のＦ−Ｆ′線に沿って素子基板を切断したときの断面図、および保持容量７０の断面構造を示す説明図である。なお、図３では、各層を以下の線
走査線３ａ＝太い二点鎖線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
ゲート電極３ｃおよび中継電極３ｄ＝細い実線
第１電極７１＝太くて短い点線
第２電極７２（ドレイン電極）＝細い一点鎖線
第３電極７３＝細い二点鎖線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ、６ｃ＝太い一点鎖線
容量線７ａおよび中継電極７ｂ＝細い実線
画素電極９ａ＝細くて長い破線
で示してある。また、図３では、互いの端部が重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。

図３に示すように、素子基板１０の一方面１０ｓには、複数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。本形態において、画素間領域１０ｆは縦横に延在しており、走査線３ａは画素間領域１０ｆのうち、Ｘ方向（第１方向）に延在する第１画素間領域１０ｇに沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向（第２方向）に延在する第２画素間領域１０ｈに沿って直線的に延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素トランジスター３０が形成されており、本形態において、画素トランジスター３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域等を利用して形成されている。素子基板１０には容量線７ａが形成されており、かかる容量線７ａには共通電位Ｖcomが印加されている。本形態において、容量線７ａは、データ線６ａに重なって直線的に連続して延在しているとともに、走査線３ａに重なるように突出する部分を有している。このため、容量線７ａは、遮光層としても機能している。

図４（ａ）に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの液晶層５０側の基板面側（一方面１０ｓ側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、配向膜１６および保持容量７０を主体として構成されている。

素子基板１０において、基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等からなる走査線３ａが形成されており、走査線３ａは、電気光学装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射する遮光層としても機能している。

走査線３ａの上層側には、透光性の絶縁膜１２が形成されており、かかる絶縁膜１２の表面側に、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。本形態において、絶縁膜１２は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリコン酸化膜（シリケートガラスも含む。）や、シリコン窒化膜からなる。

画素トランジスター３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｃとを備えており、本形態において、ゲート電極３ｃは、ゲート絶縁層２および絶縁膜１２を貫通するコンタクトホール１２ａ、１２ｂ（図３参照）を介して走査線３ａに導通している。なお、ゲート電極３ｃは、走査線の一部として構成されることもある。画素トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｃとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にデータ線側ソースドレイン領域１ｈおよび画素電極側ソースドレイン領域１ｉを備えている。本形態において、画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、データ線側ソースドレイン領域１ｈおよび画素電極側ソースドレイン領域１ｉは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域１ｂ、１ｃを備え、低濃度領域１ｂ、１ｃに対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域１ｄ、１ｅを備えている。本形態において、画素トランジスター３０はｎ型（第１導電型）の電界効果型トランジスターであり、データ線側ソースドレイン領域１ｈおよび画素電極側ソースドレイン領域１ｉにはｎ型の不純物が導入されている。

半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、例えば、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなるゲート絶縁層と、温度が７００〜９００℃の高温条件での減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜からなるゲート絶縁層との２層構造からなる。ゲート電極３ｃは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなり、ゲート絶縁層２の上層には、ゲート電極３ｃと同時形成された中継電極３ｄが形成されている。

ゲート電極３ｃおよび中継電極３ｄの上層側には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成されている。層間絶縁膜４１の上層には、少なくとも一部が画素トランジスター３０と重なるように、第１電極７１、第２電極７２、第３電極７３、第１誘電体層７５、第２誘電体層７６が形成されており、かかる複数の電極（第１電極７１、第２電極７２、第３電極７３）と、複数層の誘電体層（第１誘電体層７５、第２誘電体層７６）によって保持容量７０が形成されている。かかる保持容量７０の構成は、図４（ｂ）を参照して後述する。

保持容量７０を構成する３つの電極のうち、層間絶縁膜４１上に形成されている第２電極７２は、画素電極側ソースドレイン電極として形成されている。第２電極７２は、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。第２電極７２は、半導体層１ａの画素電極側ソースドレイン領域１ｉと一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介して画素電極側ソースドレイン領域１ｉに導通している。また、第２電極７２は、層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール４１ｂを介して中継電極３ｄに導通している。

保持容量７０の上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４２が形成されており、かかる層間絶縁膜４２の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂ、６ｃとが同一の層に同一の導電膜により形成されている。データ線６ａと中継電極６ｂ、６ｃは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４２、第２誘電体層７６、第１誘電体層７５、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してデータ線側ソースドレイン領域１ｈに導通している。

中継電極６ｃは、層間絶縁膜４２、第２誘電体層７６、第１誘電体層７５および層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール４２ｄを介して中継電極３ｄに導通している。このため、中継電極６ｃは、中継電極３ｄおよび第２電極７２を介して画素電極側ソースドレイン領域１ｉに導通している。また、中継電極６ｃは、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ｃを介して第３電極７３に導通している。このため、第３電極７３は、中継電極６ｃ、３ｄを介して第２電極７２に導通し、第２電極７２を介して画素電極側ソースドレイン領域１ｉに導通している。これに対して、中継電極６ｂは、層間絶縁膜４２および第２誘電体層７６を貫通するコンタクトホール４２ｂを介して第１電極７１に導通している。

データ線６ａおよび中継電極６ｂ、６ｃの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４３が形成されており、かかる層間絶縁膜４３の上層側には、容量線７ａおよび中継電極７ｂが同一の層に同一の導電膜によって形成されている。容量線７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。中継電極７ｂは、層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール４３ｂを介して中継電極６ｃに導通している。

容量線７ａは、層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール４３ａを介して中継電極６ｂに導通しており、中継電極６ｂを介して第１電極７１に導通している。このため、容量線７ａは、中継電極６ｂを介して第１電極７１に共通電位Ｖcomを供給する。

容量線７ａおよび中継電極７ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４４が形成されており、かかる層間絶縁膜４４の上層側には、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる画素電極９ａが形成されている。層間絶縁膜４４には、層間絶縁膜４４を貫通して中継電極７ｂまで到達したコンタクトホール４４ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール４４ａを介して中継電極７ｂに電気的に接続している。その結果、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、６ｃ、３ｄを介して第２電極７２に導通し、第２電極７２を介して画素電極側ソースドレイン領域１ｉに導通している。

画素電極９ａの上層側にはポリイミドや無機配向膜からなる配向膜１６が形成されている。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯ_X（ｘ＜２）、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＭｇＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｓｂ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）からなる。

図２（ｂ）に示すように、対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（素子基板１０と対向する一方面２０ｓ）に形成された遮光層２９、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１、および配向膜２２を主体として構成されている。本形態において、配向膜２２は、ＳｉＯ_X（ｘ＜２）、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＭｇＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｓｂ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）からなる。

（保持容量７０の構成）
図４（ａ）、（ｂ）に示すように、保持容量７０では、下層側（基板本体１０ｗの側）から上層側（画素電極９ａの側）に向かって、第２電極７２、第１誘電体層７５、第１電極７１、第２誘電体層７６および第３電極７３がこの順に積層されている。このため、第２電極７２、第１誘電体層７５および第１電極７１により第１保持容量７０ａが形成され、第１電極７１、第２誘電体層７６および第３電極７３により第２保持容量７０ｂが形成されている。また、第１電極７１は、容量線７ａの側に導通している一方、第２電極７２および第３電極７３は、画素電極９ａの側（画素電極側ソースドレイン領域１ｉの側）に導通している。このため、図４（ｂ）に示すように、第１保持容量７０ａおよび第２保持容量７０ｂは、容量線７ａと画素電極９ａの側（画素電極側ソースドレイン領域１ｉの側）との間で並列に電気的に接続されている。

ここで、第１誘電体層７５および第２誘電体層７６は各々、複数層の誘電体膜からなり、本形態では、下層側（基板本体１０ｗ側）からみて、第１誘電体層７５を構成する複数の誘電体膜と、第２誘電体層７６を構成する複数の誘電体膜とにおける絶縁膜の積層順が同一である。より具体的には、第１誘電体層７５は、下層側（基板本体１０ｗ側）からみて、シリコン酸化膜７５ａおよびシリコン窒化膜７５ｂがこの順に積層された構造になっており、第２誘電体層７６は、下層側（基板本体１０ｗ側）からみて、シリコン酸化膜７６ａおよびシリコン窒化膜７６ｂがこの順に積層された構造になっている。

（検査用容量および検査用端子等の構成）
図５は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の検査用容量および検査用端子等の説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、検査用第１容量等の平面構成を示す平面図、検査用第１容量等の断面構成を示す断面図、検査用第２容量等の平面構成を示す平面図、および検査用第２容量等の断面構成を示す断面図である。なお、図５（ｂ）、（ｄ）では、層間絶縁膜４１より上層側のみを図示してある。

図４を参照して説明したように、本形態では、２つの保持容量（第１保持容量７０ａ、第２保持容量７０ｂ）が積層され、かつ、並列に電気的に接続されて保持容量７０が構成されている。このため、第１保持容量７０ａおよび第２保持容量７０ｂの電気的特性等を個別に検査することは困難である。従って、以下に説明するように、本形態の電気光学装置１００では、素子基板１０の製造途中の検査工程、あるいは素子基板１０を製造した後、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる前の検査工程で２つの保持容量（第１保持容量７０ａ、第２保持容量７０ｂ）を個別に検査するための検査用容量および検査用端子が構成されている。

より具体的には、本形態では、図２（ａ）に示すように、素子基板１０の端部と画像表示領域１０ａとの間（外周領域１０ｃ）のうち、一方の走査線駆動回路１０４（１０４ａ）と素子基板１０の端部とに挟まれた領域に、第１保持容量７０ａと同一の層構造を備えた検査用第１容量７０ｅ（第１容量）と、検査用第１容量７０ｅに電気的に接続する第１容量検査用端子対７７とが形成されている。すなわち、本形態では、検査用第１容量７０ｅ（第１容量）および第１容量検査用端子対７７によって第１検査用素子が構成されている。

また、素子基板１０の端部と画像表示領域１０との間（外周領域１０ｃ）のうち、他方の走査線駆動回路１０４（１０４ｂ）と素子基板１０の端部とに挟まれた領域に、第２保持容量７０ｂと同一の層構造を備えた検査用第２容量７０ｆ（第２容量）と、検査用第２容量７０ｆに電気的に接続する第２容量検査用端子対７８とが形成されている。すなわち、本形態では、検査用第２容量７０ｆ（第２容量）および第２容量検査用端子対７８によって第２検査用素子が構成されている。

ここで、第１容量検査用端子対７７および第２容量検査用端子対７８は、対向基板２０と重なる位置に設けられているが、第１容量検査用端子対７７および第２容量検査用端子対７８は、素子基板１０の製造途中の検査工程、あるいは素子基板１０を製造した後、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる前の検査工程でプローブ等の検査電極が接触するので、対向基板２０と重なる位置に第１容量検査用端子対７７および第２容量検査用端子対７８が設けられていても検査に支障はない。

（検査用第１容量７０ｅおよび第１容量検査用端子対７７の具体的構成例）
本形態では、検査用第１容量７０ｅを構成するにあたって、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、第１容量検査用第１電極７１ｓと、第１誘電体層７５を介して第１容量検査用第１電極７１ｓに重なって検査用第１容量７０ｅを構成する第１容量検査用第２電極７２ｓと、第２誘電体層７６を介して第１容量検査用第１電極７１ｓに重なる第１容量検査用第３電極７３ｓとが形成されている。ここで、図４（ａ）と図５（ｂ）とを対比すればわかるように、第１容量検査用第１電極７１ｓ、第１容量検査用第２電極７２ｓおよび第１容量検査用第３電極７３ｓは各々、第１電極７１、第２電極７２および第３電極７３と同時形成された導電膜からなる。このため、第１容量検査用第１電極７１ｓは第１電極７１と同一の層に位置し、第１容量検査用第２電極７２ｓは第２電極７２と同一の層に位置し、第１容量検査用第３電極７３ｓは第３電極７３と同一の層に位置する。

また、層間絶縁膜４４上には、画素電極９ａと同時形成された導電膜からなる第１容量検査用第１端子７９ａおよび第１容量検査用第２端子７９ｂが形成されており、かかる第１容量検査用第１端子７９ａおよび第１容量検査用第２端子７９ｂによって、検査用第１容量７０ｅに電気的に接続する第１容量検査用端子対７７が形成されている。本形態において、検査用第１容量７０ｅは、素子基板１０の端部に沿って延在し、検査用第１容量７０ｅを延在方向の両側で挟む位置に第１容量検査用第１端子７９ａおよび第１容量検査用第２端子７９ｂが形成されている。

また、層間絶縁膜４２上には、データ線６ａおよび中継電極６ｂと同時形成された導電膜からなる中継電極６ｆ、６ｇが形成されており、層間絶縁膜４３上には、容量線７ａおよび中継電極７ｂと同時形成された導電膜からなる中継電極７ｃ、７ｄが形成されている。第１容量検査用第１端子７９ａは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ｃを介して中継電極７ｃに導通し、中継電極７ｃは、層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール４３ｃを介して中継電極６ｆに導通し、中継電極６ｆは、層間絶縁膜４２および第２誘電体層７６を貫通するコンタクトホール４２ｈを介して第１容量検査用第１電極７１ｓに導通している。このため、第１容量検査用第１端子７９ａは、第１容量検査用第１電極７１ｓに導通している。

また、中継電極６ｆは、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ｉを介して第１容量検査用第３電極７３ｓに導通しており、第１容量検査用第１端子７９ａは、第１容量検査用第１電極７１ｓおよび第１容量検査用第３電極７３ｓに導通している。

一方、第１容量検査用第２端子７９ｂは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ｄを介して中継電極７ｄに導通し、中継電極７ｄは、層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール４３ｄを介して中継電極６ｇに導通し、中継電極６ｇは、層間絶縁膜４２、第２誘電体層７６および第１誘電体層７５を貫通するコンタクトホール４２ｊを介して第１容量検査用第２電極７２ｓに導通している。このため、第１容量検査用第２端子７９ｂは、第１容量検査用第２電極７２ｓに導通している。

このようにして、本形態では、検査用第１容量７０ｅ（第１容量）および第１容量検査用端子対７７によって第１検査用素子が構成されている。

従って、第１容量検査用端子対７７（第１容量検査用第１端子７９ａおよび第１容量検査用第２端子７９ｂ）の各々にプローブを当接させて、第１容量検査用端子対７７の間の短絡の有無、耐電圧、静電容量等を検査すれば、検査用第２容量７０ｆの影響を受けずに、検査用第１容量７０ｅでの短絡の有無、耐電圧、静電容量等を検査することができる。従って、検査用第１容量７０ｅの検査結果によれば、保持容量７０の第２保持容量７０ｂの影響を受けずに、第１保持容量７０ａでの短絡の有無、耐電圧、静電容量等を検査することができる。その際、第１容量検査用第１端子７９ａは、第１容量検査用第１電極７１ｓおよび第１容量検査用第３電極７３ｓに導通しているので、第１容量検査用第１電極７１ｓおよび第１容量検査用第３電極７３ｓは同一の電位である。それ故、第１容量検査用第３電極７３ｓの電位の影響を受けずに、検査用第１容量７０ｅでの短絡の有無、耐電圧、静電容量を検査することができる。

（検査用第２容量７０ｆおよび第２容量検査用端子対７８の構成）
本形態では、図５（ｃ）、（ｄ）に示すように、検査用第２容量７０ｆを構成するにあたって、第２容量検査用第１電極７１ｔと、第１誘電体層７５を介して第２容量検査用第１電極７１ｔに重なる第２容量検査用第２電極７２ｔと、第２誘電体層７６を介して第２容量検査用第１電極７１ｔに重なって検査用第２容量７０ｆを構成する第２容量検査用第３電極７３ｔとが形成されている。図４（ａ）と図５（ｄ）とを対比すればわかるように、第２容量検査用第１電極７１ｔ、第２容量検査用第２電極７２ｔおよび第２容量検査用第３電極７３ｔは各々、第１電極７１、第２電極７２および第３電極７３と同時形成された導電膜からなる。このため、第２容量検査用第１電極７１ｔは第１電極７１と同一の層に位置し、第２容量検査用第２電極７２ｔは第２電極７２と同一の層に位置し、第２容量検査用第３電極７３ｔは第３電極７３と同一の層に位置する。

また、層間絶縁膜４４上には、画素電極９ａと同時形成された導電膜からなる第２容量検査用第１端子７９ｃおよび第２容量検査用第２端子７９ｄが形成されており、かかる第２容量検査用第１端子７９ｃおよび第２容量検査用第２端子７９ｄによって、検査用第２容量７０ｆに電気的に接続する第２容量検査用端子対７８が形成されている。本形態において、検査用第２容量７０ｆは、素子基板１０の端部に沿って延在し、検査用第２容量７０ｆを延在方向の両側で挟む位置に第２容量検査用第１端子７９ｃおよび第２容量検査用第２端子７９ｄが形成されている。

また、層間絶縁膜４２上には、データ線６ａおよび中継電極６ｃと同時形成された導電膜からなる中継電極６ｈ、６ｉが形成されており、層間絶縁膜４３上には、容量線７ａおよび中継電極７ｂと同時形成された導電膜からなる中継電極７ｅ、７ｆが形成されている。第２容量検査用第１端子７９ｃは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ｅを介して中継電極７ｅに導通し、中継電極７ｅは、層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール４３ｅを介して中継電極６ｈに導通し、中継電極６ｈは、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ｋを介して第２容量検査用第３電極７３ｔに導通している。このため、第２容量検査用第１端子７９ｃは、第２容量検査用第３電極７３ｔに導通している。

一方、第２容量検査用第２端子７９ｄは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ｆを介して中継電極７ｆに導通し、中継電極７ｆは、層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール４３ｆを介して中継電極６ｉに導通し、中継電極６ｉは、層間絶縁膜４２、および第２誘電体層７６を貫通するコンタクトホール４２ｌを介して第２容量検査用第１電極７１ｔに導通している。このため、第２容量検査用第２端子７９ｄは、第２容量検査用第１電極７１ｔに導通している。また、中継電極６ｉは、層間絶縁膜４２、第２誘電体層７６および第１誘電体層７５を貫通するコンタクトホール４２ｍを介して第２容量検査用第２電極７２ｔに導通しており、第２容量検査用第２端子７９ｄは、第２容量検査用第１電極７１ｔおよび第２容量検査用第２電極７２ｔに導通している。

このようにして、本形態では、検査用第２容量７０ｆ（第２容量）および第２容量検査用端子対７８によって第２検査用素子が構成されている。

従って、第２容量検査用端子対７８（第２容量検査用第１端子７９ｃおよび第２容量検査用第２端子７９ｄ）の各々にプローブを当接させて、第２容量検査用端子対７８の間の短絡の有無、耐電圧、静電容量等を検査すれば、検査用第１容量７０ｅの影響を受けずに、検査用第２容量７０ｆでの短絡の有無、耐電圧、静電容量等を検査することができる。従って、検査用第２容量７０ｆの検査結果によれば、保持容量７０の第１保持容量７０ａの影響を受けずに、第２保持容量７０ｂでの短絡の有無、耐電圧、静電容量等を検査することができる。その際、第２容量検査用第２端子７９ｄは、第２容量検査用第１電極７１ｔおよび第２容量検査用第２電極７２ｔに導通しているので、第２容量検査用第１電極７１ｔおよび第２容量検査用第２電極７２ｔは同一の電位である。それ故、第２容量検査用第２電極７２ｔの電位の影響を受けずに、検査用第２容量７０ｆでの短絡の有無、耐電圧、静電容量を検査することができる。

（検査用の各構成要素）
なお、上記の構成において、検査用の各構成要素を、保持容量７０を構成する要素から連番で表すと、以下に示す関係
第１容量検査用第１電極７１ｓ＝第４電極
第１容量検査用第２電極７２ｓ＝第５電極
第１容量検査用第３電極７３ｓ＝第６電極
第２容量検査用第１電極７１ｔ＝第７電極
第２容量検査用第２電極７２ｔ＝第８電極
第２容量検査用第３電極７３ｔ＝第９電極
第１容量検査用第１端子７９ａ＝第１端子
第１容量検査用第２端子７９ｂ＝第２端子
第２容量検査用第２端子７９ｄ＝第３端子
第２容量検査用第１端子７９ｃ＝第４端子
第１誘電体層７５＝第３誘電体層、第５誘電体層
第２誘電体層７６＝第４誘電体層、第６誘電体層
に対応する。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００では、並列に電気的に接続された第１保持容量７０ａと第２保持容量７０ｂとによって保持容量７０が形成され、かつ、第１保持容量７０ａと第２保持容量７０ｂとは積層された構造になっている。このため、保持容量７０は、占有する面積が狭くても大きな静電容量を有する。ここで、素子基板１０の端部と画像表示領域１０ａとの間には、第１保持容量７０ａと同一の層構造を備えた検査用第１容量７０ｅと、第２保持容量７０ｂと同一の層構造を備えた検査用第２容量７０ｆが形成されているとともに、検査用第１容量７０ｅに電気的に接続する第１容量検査用端子対７７と、検査用第２容量７０ｆに電気的に接続する第２容量検査用端子対７８とが設けられている。このため、第１容量検査用端子対７７を用いれば、検査用第１容量７０ｅの検査を行うことができ、かかる検査結果によれば、第２保持容量７０ｂの影響を受けずに、第１保持容量７０ａの短絡や耐電圧等の特性を把握することができる。また、第２容量検査用端子対７８を用いれば、検査用第２容量７０ｆの検査を行うことができ、かかる検査結果によれば、第１保持容量７０ａの影響を受けずに、第２保持容量７０ｂの短絡や耐電圧等の特性を把握することができる。従って、保持容量７０に短絡や耐電圧の低下等の不具合が発生した場合、第１保持容量７０ａおよび第２保持容量７０ｂのいずれにおいて不具合が発生したかを容易かつ確実に検査することができる。それ故、検査結果を製造工程等に適切にフィードバックすることができるので、不具合に対する対策を適正に行うことができる。

また、本形態では、検査用第１容量７０ｅには、第３電極７３と同一の層で第２誘電体層７６を介して第１容量検査用第１電極７１ｓに重なる第１容量検査用第３電極７３ｓが設けられ、検査用第２容量７０ｆには、第２電極７２と同一の層で第１誘電体層７５を介して第２容量検査用第１電極７１ｔに重なる第２容量検査用第２電極７２ｔが設けられている。このため、検査用第１容量７０ｅおよび検査用第２容量７０ｆはいずれも、保持容量７０と同様、３つの電極の各間に誘電体層が介在している構造になっているので、保持容量７０の第１保持容量７０ａで不具合が発生した際、検査用第１容量７０ｅで不具合が発生しやすく、保持容量７０の第２保持容量７０ｂで不具合が発生した際、検査用第２容量７０ｆで不具合が発生しやすい。それ故、保持容量７０の不具合原因等を検査用第１容量７０ｅおよび検査用第２容量７０ｆに対する検査によって確実に把握することができる。

また、第１容量検査用端子対７７を構成する第１容量検査用第１端子７９ａおよび第１容量検査用第２端子７９ｂのうち、第１容量検査用第１端子７９ａは、第１容量検査用第１電極７１ｓおよび第１容量検査用第３電極７３ｓに導通している。このため、検査用第１容量７０ｅを検査する際、第１容量検査用第１電極７１ｓおよび第１容量検査用第３電極７３ｓは同一の電位であるので、第１容量検査用第３電極７３ｓの電位の影響を受けずに、検査用第１容量７０ｅの検査を行うことができる。また、第２容量検査用端子対７８を構成する第２容量検査用第１端子７９ｃおよび第２容量検査用第２端子７９ｄのうち、第２容量検査用第２端子７９ｄは、第２容量検査用第１電極７１ｔおよび第２容量検査用第２電極７２ｔに導通している。このため、検査用第２容量７０ｆを検査する際、第２容量検査用第１電極７１ｔおよび第２容量検査用第２電極７２ｔは同一の電位であるので、第２容量検査用第２電極７３ｔの電位の影響を受けずに、検査用第２容量７０ｆの検査を行うことができる。

また、本形態においては、図４（ｂ）を参照して説明したように、第１誘電体層７５および第２誘電体層７６は各々、複数層の誘電体膜からなり、下層側（基板本体１０ｗ側）からみて、第１誘電体層７５を構成する複数の誘電体膜と、第２誘電体層７６を構成する複数の誘電体膜とにおける絶縁膜の積層順が同一である。従って、画素電極９ａに印加する電位の極性を共通電位Ｖcomに対して反転させた際には、第１電極７１と第２電極７２との極性、および第１電極７１と第３電極７３との極性が反転することになるが、いずれの極性でも、絶縁膜の配列は実質同一である。すなわち、画素電極９ａがプラスの期間では、第１保持容量７０ａのシリコン窒化膜７５ｂおよび第２保持容量７０ｂのシリコン酸化膜７６ａがプラスである一方、画素電極９ａがマイナスの期間では、第１保持容量７０ａのシリコン酸化膜７５ａおよび第２保持容量７０ｂのシリコン窒化膜７６ｂがプラスである。画素電極９ａがプラスの期間とマイナスの期間とでは、絶縁膜の極性は対称であるので、固定電位のシフト等の不具合が発生しにくい。

［実施の形態１の変形例１］
上記実施の形態１においては、第１容量検査用第１端子７９ａが第１容量検査用第１電極７１ｓおよび第１容量検査用第３電極７３ｓの双方に導通し、第２容量検査用第２端子７９ｄが第２容量検査用第１電極７１ｔおよび第２容量検査用第２電極７２ｔの双方に導通していた。但し、図５に示す構成において、第１容量検査用第１端子７９ａが、第１容量検査用第３電極７３ｓに導通せずに第１容量検査用第１電極７１ｓに導通し、第２容量検査用第２端子７９ｄが、第２容量検査用第２電極７２ｔに導通せずに第２容量検査用第１電極７１ｔに導通している構造を採用してもよい。

［実施の形態１の変形例２］
上記実施の形態１においては、検査用第１容量７０ｅには、第３電極７３と同一の層で第２誘電体層７６を介して第１容量検査用第１電極７１ｓに重なる第１容量検査用第３電極７３ｓが設けられ、検査用第２容量７０ｆには、第２電極７２と同一の層で第１誘電体層７５を介して第２容量検査用第１電極７１ｔに重なる第２容量検査用第２電極７２ｔが設けられていた。但し、実施の形態１あるいは実施の形態１の変形例１で説明した構成において、第１容量検査用第３電極７３ｓおよび第２容量検査用第２電極７２ｔが設けられていない構造を採用してもよい。

［実施の形態２］
図６は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の検査用容量および検査用端子等の説明図であり、図６（ａ）、（ｂ）は、検査用容量等の平面構成を示す平面図、および検査用容量等の断面構成を示す断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には、同一の符号を付してそれらの説明を省略する。また、図６（ｂ）では、層間絶縁膜４１より上層側のみを図示してある。

実施の形態１では、素子基板１０上の異なる領域に検査用第１容量７０ｅおよび検査用第２容量７０ｆを形成したが、図６を参照して以下に説明するように、検査用第１容量７０ｅおよび検査用第２容量７０ｆを積層した構造を採用してもよい。具体的には、素子基板１０の外周領域１０ｃには、検査用第１電極７１ｕと、第１誘電体層７５を介して検査用第１電極７１ｕに下層側で重なって検査用第１容量７０ｅ（第１容量）を構成する検査用第２電極７２ｕと、第２誘電体層７６を介して検査用第１電極７１ｕに上層側で重なって検査用第２容量７０ｆ（第２容量）を構成する検査用第３電極７３ｕとが形成されている。ここで、図４（ａ）と図６（ｂ）とを対比すればわかるように、検査用第１電極７１ｕ、検査用第２電極７２ｕおよび検査用第３電極７３ｕは各々、第１電極７１、第２電極７２および第３電極７３と同時形成された導電膜からなる。このため、検査用第１電極７１ｕは第１電極７１と同一の層に位置し、検査用第２電極７２ｕは第２電極７２と同一の層に位置し、検査用第３電極７３ｕは第３電極７３と同一の層に位置する。

また、層間絶縁膜４４上には、画素電極９ａと同時形成された導電膜からなる検査用第１端子７９ｅ、検査用第２端子７９ｆおよび検査用第３端子７９ｇが形成されており、検査用第１端子７９ｅおよび検査用第２端子７９ｆによって、検査用第１容量７０ｅに電気的に接続する第１容量検査用端子対７７が構成されている。また検査用第１端子７９ｅおよび検査用第３端子７９ｇによって、検査用第２容量７０ｆに電気的に接続する第２容量検査用端子対７８が構成されている。本形態において、検査用第１容量７０ｅおよび検査用第２容量７０ｆは、素子基板１０の端部に沿って延在し、検査用第１容量７０ｅおよび検査用第２容量７０ｆを延在方向の両側で挟む位置に検査用第１端子７９ｅおよび検査用第２端子７９ｆが形成されている。また、検査用第３端子７９ｇは、検査用第１容量７０ｅおよび検査用第２容量７０ｆと重なる位置で、検査用第１端子７９ｅと検査用第２端子７９ｆとの間に形成されている。

また、層間絶縁膜４２上には、データ線６ａと同時形成された導電膜からなる中継電極６ｊ、６ｋ、６ｌが形成されており、層間絶縁膜４３上には、容量線７ａと同時形成された導電膜からなる中継電極７ｇ、７ｈ、７ｉが形成されている。検査用第１端子７９ｅは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ｇを介して中継電極７ｇに導通し、中継電極７ｇは、層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール４３ｇを介して中継電極６ｊに導通し、中継電極６ｊは、層間絶縁膜４２および第２誘電体層７６を貫通するコンタクトホール４２ｎを介して容量検査用第１電極７１ｕに導通している。このため、検査用第１端子７９ｅは、容量検査用第１電極７１ｕに導通している。

検査用第２端子７９ｆは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ｈを介して中継電極７ｈに導通し、中継電極７ｈは、層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール４３ｈを介して中継電極６ｋに導通し、中継電極６ｋは、層間絶縁膜４２、第２誘電体層７６および第１誘電体層７５を貫通するコンタクトホール４２ｏを介して検査用第２電極７２ｕに導通している。このため、検査用第２端子７９ｆは、検査用第２電極７２ｕに導通している。

検査用第３端子７９ｇは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ｉを介して中継電極７ｉに導通し、中継電極７ｉは、層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール４３ｉを介して中継電極６ｌに導通し、中継電極６ｌは、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ｐを介して検査用第３電極７３ｕに導通している。このため、検査用第３端子７９ｇは、検査用第３電極７３ｕに導通している。

このようにして、本形態では、検査用第１容量７０ｅ（第１容量）および第１容量検査用端子対７７によって第１検査用素子が構成され、検査用第２容量７０ｆ（第２容量）および第２容量検査用端子対７８によって第２検査用素子が構成されている。

従って、第１容量検査用端子対７７（検査用第１端子７９ｅおよび検査用第２端子７９ｆ）の各々にプローブを当接させて、第１容量検査用端子対７７の間の短絡の有無、耐電圧、静電容量等を検査すれば、検査用第２容量７０ｆの影響を受けずに、検査用第１容量７０ｅでの短絡の有無、耐電圧、静電容量等を検査することができる。従って、検査用第１容量７０ｅの検査結果によれば、保持容量７０の第２保持容量７０ｂの影響を受けずに、第１保持容量７０ａでの短絡の有無、耐電圧、静電容量等を検査することができる。その際、検査用第１端子７９ｅに当接させたプローブを検査用第３端子７９ｇにも当接させれば、検査用第１電極７１ｕおよび検査用第３電極７３ｕは同一の電位となる。それ故、検査用第３電極７３ｕの電位の影響を受けずに、検査用第１容量７０ｅでの短絡の有無、耐電圧、静電容量を検査することができる。

また、第２容量検査用端子対７８（検査用第１端子７９ｅおよび検査用第３端子７９ｇ）の各々にプローブを当接させて、第２容量検査用端子対７８の間の短絡の有無、耐電圧、静電容量等を検査すれば、検査用第１容量７０ｅの影響を受けずに、検査用第２容量７０ｆでの短絡の有無、耐電圧、静電容量等を検査することができる。従って、検査用第２容量７０ｆの検査結果によれば、保持容量７０の第１保持容量７０ａの影響を受けずに、第２保持容量７０ｂでの短絡の有無、耐電圧、静電容量等を検査することができる。その際、検査用第１端子７９ｅに当接させたプローブを検査用第２端子７９ｆにも当接させれば、検査用第１電極７１ｕおよび検査用第２電極７２ｕは同一の電位となる。それ故、検査用第２電極７２ｕの電位の影響を受けずに、検査用第２容量７０ｆでの短絡の有無、耐電圧、静電容量を検査することができる。

なお、上記の構成において、検査用の各構成要素を、保持容量７０を構成する要素から連番で表すと、以下に示す関係
検査用第１電極７１ｕ＝第４電極、第７電極
検査用第２電極７２ｕ＝第５電極、第８電極
検査用第３電極７３ｕ＝第６電極、第９電極
検査用第１端子７９ｅ＝第１端子、第３端子
検査用第２端子７９ｆ＝第２端子
検査用第３端子７９ｇ＝第４端子
第１誘電体層７５＝第３誘電体層、第５誘電体層
第２誘電体層７６＝第４誘電体層、第６誘電体層
に対応する。

［実施の形態２の変形例］
実施の形態２では、第１容量検査用端子対７７（検査用第１端子７９ｅおよび検査用第２端子７９ｆ）の各々にプローブを当接させて、検査用第１容量７０ｅの検査を行う際、検査用第１端子７９ｅに当接させたプローブを検査用第３端子７９ｇにも当接させたが、検査用第１端子７９ｅに当接させたプローブを検査用第３端子７９ｇに当接させない方法を採用してもよい。また、実施の形態２では、第２容量検査用端子対７８（検査用第１端子７９ｅおよび検査用第３端子７９ｇ）の各々にプローブを当接させて、検査用第２容量７０ｆの検査を行う際、検査用第１端子７９ｅに当接させたプローブを検査用第２端子７９ｆにも当接させたが、検査用第１端子７９ｅに当接させたプローブを検査用第２端子７９ｆに当接させない方法を採用してもよい。

［実施の形態３］
図７は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００の画素１００ａの断面構造を示す説明図であり、図７（ａ）、（ｂ）は、素子基板１０を切断したときの断面図、および保持容量７０の断面構造を示す説明図である。

上記実施の形態１、２等では、保持容量７０の第１電極７１が容量線７ａに導通し、第２電極７２および第３電極７３が画素電極９ａ側に導通している構造であったが、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、保持容量７０の第１電極７１が画素電極９ａ側に導通し、第２電極７２および第３電極７３が容量線７ａに導通している構造を採用してもよい。

より具体的には、図７（ａ）に示すように、容量線７ａに導通する中継電極６ｂは、層間絶縁膜４２、第２誘電体層７６および第１誘電体層７５を貫通するコンタクトホール４２ｒを介して第２電極７２に導通しているとともに、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ｓを介して第３電極７３に導通している。また、画素電極９ａに導通する中継電極６ｃは、層間絶縁膜４２および第２誘電体層７６を貫通するコンタクトホール４２ｔを介して第１電極７１に導通している。また、第１電極７１は、第１誘電体層７５、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ｃを介して画素電極側ソースドレイン領域１ｉに導通している。

かかる構成の電気光学装置１００でも、実施の形態１と同様、図７（ｂ）に示すように、第１誘電体層７５および第２誘電体層７６は各々、複数層の誘電体膜からなり、下層側（基板本体１０ｗ側）からみて、第１誘電体層７５を構成する複数の誘電体膜と、第２誘電体層７６を構成する複数の誘電体膜とにおける絶縁膜の積層順が同一である。より具体的には、第１誘電体層７５は、下層側（基板本体１０ｗ側）からみて、シリコン酸化膜７５ａおよびシリコン窒化膜７５ｂがこの順に積層された構造になっており、第２誘電体層７６は、下層側（基板本体１０ｗ側）からみて、シリコン酸化膜７６ａおよびシリコン窒化膜７６ｂがこの順に積層された構造になっている。

［他の実施の形態］
上記実施の形態では、電気光学装置として、透過型の液晶装置を例示したが、反射型の液晶装置に本発明を適用してもよい。また、上記実施の形態では、保持容量７０を走査線３ａと重なる領域に設けたが、保持容量７０をデータ線６ａと重なる領域に設けた場合や、保持容量７０を走査線３ａおよびデータ線６ａの双方と重なる領域に設けた場合に本発明を適用してもよい。

［他の電気光学装置］
上記実施の形態では、電気光学装置として液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマディスプレイ、ＦＥＤ（Field Emission Display）、ＳＥＤ（Surface-Conduction Electron-Emitter Display）、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置等の電気光学装置に本発明を適用してもよい。

［電子機器への搭載例］
（投射型表示装置および光学ユニットの構成例）
図８は、本発明を適用した投射型表示装置（電子機器）および光学ユニットの概略構成図であり、図８（ａ）、（ｂ）は各々、透過型の液晶装置を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の液晶装置を用いた投射型表示装置の説明図である。

図８（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、液晶パネルとして透過型の液晶パネルを用いた例であるのに対して、図８（ｂ）に示す投射型表示装置１０００は、液晶パネルとして反射型の液晶パネルを用いた例である。但し、以下に説明するように、投射型表示装置１１０、１０００はいずれも、光源部１３０、１０２１と、光源部１３０、１０２１から互いに異なる波長域の光が供給される複数の電気光学装置１００と、複数の電気光学装置１００から出射された光を合成して出射するクロスダイクロイックプリズム１１９、１０２７（光合成光学系）と、光合成光学系により合成された光を投射する投射光学系１１８、１０２９とを有している。また、投射型表示装置１１０、１０００においては、電気光学装置１００およびクロスダイクロイックプリズム１１９、１０２７（光合成光学系）を備えた光学ユニット２００が用いられている。

（投射型表示装置の第１例）
図８（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９（合成光学系）と、リレー系１２０とを備えている。

光源１１２は、赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光Ｒを透過させるとともに、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光Ｇおよび青色光Ｂのうち青色光Ｂを透過させるとともに緑色光Ｇを反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとに分離する色分離光学系を構成する。

ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１および偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を、例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。

液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）、および第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光Ｒは、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。

λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光Ｒを変調し、変調した赤色光Ｒをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。

なお、λ／２位相差板１１５ａ、および第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ、および第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。

液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光Ｇを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。かかる液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）、および第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光Ｇは、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）は、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光Ｇを変調し、変調した緑色光Ｇをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。

液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光Ｂを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。かかる液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）、および第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光Ｂは、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。

λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光Ｂを変調し、変調した青色光Ｂをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ、および第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。

リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光Ｂの光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光Ｂをリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光Ｂを液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。

クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光Ｂを反射して緑色光Ｇを透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光Ｒを反射して緑色光Ｇを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７の各々で変調された赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとを合成し、投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。

なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射トランジスター特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光Ｒ、および青色光Ｂをｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光Ｇをｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。

（投射型表示装置の第２例）
図８（ｂ）に示す投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光源部１０２１から出射された光源光を赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、および青色光Ｂの３色の色光に分離する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の光源光によって照明される光変調部１０２５とを有している。また、投射型表示装置１０００は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム１０２７（合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をスクリーン（不図示）に投射する投射光学系１０２９とを備えている。

かかる投射型表示装置１０００において、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対のフライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ１０２１ｉとを備えている。本形態においては、光源部１０２１は、放物面からなるリフレクタ１０２１ｆを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅは、システム光軸と直交する面内にマトリクス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材１０２１ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に平行なｐ偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは、偏光変換部材１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部１０２５に設けた複数の電気光学装置１００を各々均一に重畳照明可能とする。

色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色光Ｒは、反射ミラー１０２３ｊで反射されダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ｐ偏光を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、および光学補償板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）に入射する。

また、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色光Ｇは、反射ミラー１０２３ｊで反射され、その後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏光板１０３７ｇ、ｐ偏光を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｇ、および光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）に入射する。

これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロイックミラー１０３１ｂで反射された青色光Ｂは、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、入射側偏光板１０３７ｂ、ｐ偏光を透過する一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｂ、および光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）に入射する。なお、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂは、電気光学装置１００への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。

このように構成した投射型表示装置１０００では、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各電気光学装置１００において変調される。その際、電気光学装置１００から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８ｒ、１０３８ｇ、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する。クロスダイクロイックプリズム１０２７には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０２７ａおよび第２誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１０２７ａは赤色光Ｒを反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂは青色光Ｂを反射する。従って、３色の光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射光学系１０２９に出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプリズム１０２７で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず。）に投射する。

（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。

（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。

７ａ・・容量線、９ａ・・画素電極、１０・・素子基板、１０ａ・・画像表示領域、３０・・画素トランジスター、５０・・液晶層（電気光学物質層）、７０・・保持容量、７０ａ・・第１保持容量、７０ｂ・・第２保持容量、７０ｅ・・検査用第１容量、７０ｆ・・検査用第２容量、７１・・第１電極、７１ｓ・・第１容量検査用第１電極、７１ｔ・・第２容量検査用第１電極、７１ｕ・・検査用第１電極、７２・・第２電極、７２ｓ・・第１容量検査用第２電極、７２ｔ・・第２容量検査用第２電極、７２ｕ・・検査用第２電極、７３・・第３電極、７３ｓ・・第１容量検査用第３電極、７３ｔ・・第２容量検査用第３電極、７３ｕ・・検査用第３電極、７５・・第１誘電体層、７６・・第２誘電体層、７７・・第１容量検査用端子対、７８・・第２容量検査用端子対、７９ａ・・第１容量検査用第１端子、７９ｂ・・第１容量検査用第２端子、７９ｃ・・第２容量検査用第１端子、７９ｄ・・第２容量検査用第２端子、７９ｅ・・容量検査用第１端子、７９ｆ・・容量検査用第２端子、７９ｇ・・容量検査用第３端子、１００・・電気光学装置

Claims (9)

1. 基板の一方面側に設けられた画素電極、該画素電極の電位を保持する保持容量、および前記画素電極に対応して設けられたスイッチング素子を画像表示領域に有する電気光学装置であって、
   前記保持容量は、
   第１電極、および該第１電極に対して前記基板側で第１誘電体層を介して重なる第２電極により構成された第１保持容量と、
   前記第１電極、および該第１電極に対して前記基板と反対側で第２誘電体層を介して重なり、前記第２電極と導通する第３電極により構成された第２保持容量と、
   を備え、
   前記基板の端部と前記画像表示領域との間には、前記第１保持容量と同一の層構造を備えた検査用第１容量と、前記第２保持容量と同一の層構造を備えた検査用第２容量と、前記検査用第１容量に電気的に接続する第１容量検査用端子対と、前記検査用第２容量に電気的に接続する第２容量検査用端子対と、
   を有することを特徴とする電気光学装置。
2. 前記基板の前記画像表示領域と前記基板の端部との間には、
   前記第１電極と同一の層に位置する第１容量検査用第１電極と、
   前記第２電極と同一の層で前記第１誘電体層を介して前記第１容量検査用第１電極に重なって前記検査用第１容量を構成する第１容量検査用第２電極と、
   前記第３電極と同一の層で前記第２誘電体層を介して前記第１容量検査用第１電極に重なる第１容量検査用第３電極と、
   前記第１電極と同一の層に位置する第２容量検査用第１電極と、
   前記第２電極と同一の層で前記第１誘電体層を介して前記第２容量検査用第１電極に重なる第２容量検査用第２電極と、
   前記第３電極と同一の層で前記第２誘電体層を介して前記第２容量検査用第１電極に重なって前記検査用第２容量を構成する第２容量検査用第３電極と、
   が設けられ、
   前記第１容量検査用端子対は、前記第１容量検査用第１電極に導通する第１容量検査用第１端子と、前記第１容量検査用第２電極に導通する第１容量検査用第２端子と、を備え、
   前記第２容量検査用端子対は、前記第２容量検査用第３電極に導通する第２容量検査用第１端子と、前記第２容量検査用第１電極に導通する第２容量検査用第２端子と、を備えていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記第１容量検査用第１端子は、前記第１容量検査用第１電極および前記第１容量検査用第３電極に導通し、
   前記第２容量検査用第２端子は、前記第２容量検査用第１電極および前記第２容量検査用第２電極に導通していることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
4. 前記基板の前記画像表示領域と前記基板の端部との間には、前記第１電極と同一の層に位置する検査用第１電極と、前記第２電極と同一の層で前記第１誘電体層を介して前記検査用第１電極に重なって前記検査用第１容量を構成する検査用第２電極と、前記第３電極と同一の層で前記第２誘電体層を介して前記検査用第１電極に重なって前記検査用第２容量を構成する検査用第３電極と、前記検査用第１電極に導通する検査用第１端子と、前記検査用第２電極に導通する検査用第２端子と、前記検査用第３電極に導通する検査用第３端子と、を備え、
   前記第１容量検査用端子対は、前記検査用第１電極と前記検査用第２電極とによって構成され、
   前記第２容量検査用端子対は、前記検査用第１電極と前記検査用第３電極とによって構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
5. 基板の一方面側の画像表示領域に設けられた画素電極と、
   前記画素電極の電位を保持する保持容量と、
   前記画素電極に対応して設けられたスイッチング素子と、
   平面視で前記基板の端部と前記画像表示領域との間に設けられた第１検査用素子と、
   平面視で前記基板の端部と前記画像表示領域との間に設けられた第２検査用素子と、
   を含み、
   前記保持容量は、
   第１電極、該第１電極と基板との間に設けられた第１誘電体層、および前記第１電極の前記基板側に前記第１誘電体層を介して設けられた第２電極により構成された第１保持容量と、
   前記第１電極、該第１電極の基板と反対側に設けられた第２誘電体層、および前記第１電極の前記基板と反対側に前記第２誘電体層を介して設けられた第３電極により構成された第２保持容量と、
   を備え、
   前記第１検査用素子は、
   前記第１電極と同一の層に形成された第４電極と、
   前記第１誘電体層と同一の層に形成された第３誘電体層と、
   前記第２電極と同一の層に形成され、前記第４電極の前記基板側に前記第３誘電体層を介して形成された第５電極と、
   前記第２誘電体層と同一の層に形成された第４誘電体層と、
   前記第３電極と同一の層に形成され、前記第４電極の前記基板と反対側に前記第４誘電体層を介して形成された第６電極と、
   前記第４電極に電気的に接続された第１端子と、
   前記第５電極に電気的に接続された第２端子と、
   を備え、
   前記第４電極、前記第３誘電体層および前記第５電極により第１容量を構成し、
   前記第２検査用素子は、
   前記第１電極と同一の層に形成された第７電極と、
   前記第１誘電体層と同一の層に形成された第５誘電体層と、
   前記第２電極と同一の層に形成され、前記第７電極の前記基板側に前記第５誘電体層を介して形成された第８電極と、
   前記第２誘電体層と同一の層に形成された第６誘電体層と、
   前記第３電極と同一の層に形成され、前記第７電極の前記基板と反対側に前記第６誘電体層を介して形成された第９電極と、
   前記第７電極に電気的に接続された第３端子と、
   前記第９電極に電気的に接続された第４端子と、
   を備え、
   前記第７電極、前記第６誘電体層および前記第９電極により第２容量を構成することを特徴とする電気光学装置。
6. 前記第１保持容量および前記第２保持容量は、前記スイッチング素子に対して前記基板とは反対側で少なくとも一部が前記スイッチング素子と重なっていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置。
7. 前記第１誘電体層および前記第２誘電体層は各々、複数層の誘電体膜を有し、
   前記基板側からみて、前記第１誘電体層を構成する前記複数の誘電体膜と、前記第２誘電体層を構成する前記複数の誘電体膜とにおける絶縁膜の積層順が同一であることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置。
8. 前記基板の一方面側に対向する対向基板と、
   前記基板と前記対向基板との間に保持された液晶層と、
   を有していることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置。
9. 請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。

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