JP2013095965A - スパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明のスパッタリングターゲットは、スパッタリングターゲット中の全金属元素に対し、Ga:15〜40原子%を含有し、さらに、Bi:0.1〜5原子%を含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる成分組成を有する。このスパッタリングターゲットの製造方法は、少なくともCu,GaおよびBiの各元素を単体またはこれらのうち2種以上の元素を含む合金を1050℃以上に溶解し、鋳塊を作製する工程を有する。または、少なくともCu,GaおよびBiの各元素を単体またはこれらのうち2種以上の元素を含む合金の粉末とした原料粉末を作製する工程と、原料粉末を真空、不活性雰囲気または還元性雰囲気で熱間加工する工程を有している。
【選択図】図1
Description
すなわち、高密度で高Ga含有量のCuGaターゲットは、非常に硬くかつ延性が乏しいため、切削での表面加工が困難であり、研削加工を使用せざるを得ないという不都合があった。このため、ターゲットの加工速度が遅く、かつ複雑形状の加工が非常に困難であった。また、CuGaにNaをドープしたターゲットにおいても、上記同様な課題がある。
したがって、本発明は、上記知見から得られたものであり、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、第1の発明のスパッタリングターゲットは、ターゲット中の全金属元素に対し、Ga:15〜40原子%(at%)、Bi:0.1〜5原子%を含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる成分組成を有することを特徴とする。
この第1の発明では、Bi:0.1〜5原子%を含有しているので、高い密度であっても高い被切削性を有することができる。
Gaの含有量を15〜40原子%と規定した理由は、特許文献2に記載されているように、この範囲のGa含有量が変換効率の高いCIGS光吸収層を形成するために、一般的なGa添加量だからである。
すなわち、このスパッタリングターゲットでは、Cu−Ga合金を主とする合金相の結晶粒中またはその粒界(以下、粒界等と略記する場合がある)に、Biの金属元素単体またはBiを10%原子以上の濃度で含む金属間化合物を含む組織を有するので、粒界等にあるBi金属元素単体またはBiを10原子%以上の濃度で含む金属間化合物によって快削性を発揮することができ、被切削性を向上させることができる。一般的に、Cuには最大0.5原子%程度、Gaには0.2原子%程度のBiが固溶されるが、本研究によれば、0.5原子%程度固溶したBiより、Bi金属単相又はBiが10原子%以上含む金属間化合物の存在が、合金の快削性の向上により有効である。
本発明者らは、Biを添加した場合、スパッタリングターゲット素地中のCu5Bi2の存在が、スパッタリングターゲットの被切削性に影響を与えることを発見した。すなわち、Cu5Bi2の状態でBiがスパッタリングターゲットに含まれると、スパッタリングターゲットの機械加工の際に、チッピングや欠け等の発生がより低減できることが判った。
すなわち、このスパッタリングターゲットでは、金属相の平均粒径が100μmを超えると、ターゲットが加工中に粒界に沿ってチッピングや割れが発生しやすくなり、Biの添加による快削性の改善効果が影響されるため、金属相の平均粒径を100μm以下に設定している。
すなわち、このスパッタリングターゲットでは、Bi含有相の平均粒径が比較的小さいサイズに調整することで、Bi含有相がCuGa素地の粒界に集中することが容易になり、加工中の粒界割れを有効に防止できる。さらに、Bi含有相サイズを小さくし、低融点且つCuGa素地に比べて格段柔らかいBi含有相をターゲット素地中で均一に分布させることにより、切削中に切削ツールとターゲット表面とを有効に潤滑させる効果を実現できる。なお、Bi含有相のサイズが80μmより大きくなると、ターゲット組織中、比較的高融点、高硬度のCu及びGaからなる相と低融点、低硬度のBi含有相との切削性の違いが切削中に大きく現れ、ターゲットの表面粗さを増加させてしまう不都合がある。
なお、上記金属相およびBi含有相の平均粒径は、粒子の外接長方形の長径の平均と定義する。
すなわち、このスパッタリングターゲットでは、さらに、Naが、NaF化合物、Na2S化合物またはNa2Se化合物の状態で、スパッタリングターゲット中の全金属元素に対し、0.05〜15原子%含有しているので、発電効率の向上に有効なNaを含有したCu−Ga膜を成膜することができる。なお、このNaを含有したCu−Ga膜におけるF(フッ素)、硫黄(S)は、太陽電池の光吸収層の特性に特に影響を及ぼさない。
ここで、Naの含有量を上記範囲に設定した理由は、Na添加量が15原子%を超えると、下地となるMo電極への密着力が低下し、その後のセレン化プロセス中に膜剥がれが発生するためである。一方、Na添加量が0.05原子%より少ないと、発電効率の向上効果が得られないためである。なお、Naの好ましい量は、0.1原子%〜5原子%である。
すなわち、このスパッタリングターゲットの製造方法では、原料を1050℃以上で溶解することで、鋳塊組織中のGa、Biが確実にかつ均一に分散することができ、焼結体の切削加工性を全体として均一に向上させることができる。
また、第9の発明は、第6の発明のスパッタリングターゲットを作製する方法であって、少なくともCu,GaおよびBiの各元素を単体またはこれらのうち2種以上の元素を含む合金の金属粉末とし、前記金属粉末にNaF粉末、Na2S粉末またはNa2Se粉末を混合して原料粉末を作製する工程と、前記原料粉末を真空、不活性雰囲気または還元性雰囲気で熱間加工する工程とを有し、前記原料粉末に含まれるGaが、CuGa合金またはGaBi合金として含有されていることを特徴とする。
すなわち、これらのスパッタリングターゲットの製造方法では、原料粉末として、GaをCuGa合金またはGaBi合金として含有させるので、金属Gaのみで原料粉末に添加する場合よりも、焼結体組織中のGaを確実に合金化することができ、焼結体の切削加工性をより向上させることができる。
すなわち、本発明に係るスパッタリングターゲット及びその製造方法によれば、Bi:0.1〜5原子%を含有するので、高い密度であっても高い被削性を有することができる。したがって、本発明のスパッタリングターゲットでは、切削での表面加工が容易であり、スパッタリングターゲットの加工速度が早く、かつ複雑形状の加工も容易となる。また、本発明のスパッタリングターゲットを用いることで、スパッタ法によりBi含有Cu−Ga膜を形成することができる。
また、Cu−Ga合金を主とする合金相の結晶粒内または粒界には、Bi単体またはBiを10原子%以上含む金属間化合物の少なくとも一方を含む組織を有している。
さらに、Biを10原子%以上含む金属間化合物は、Cu5Bi2を含んでいる。
なお、Biは比較的に粉砕しにくい金属であり、Bi粉末をBiインゴットより粉砕で作製される場合は、一般的に数百μmサイズであるが、本発明の研究によれば、ターゲット組織中のBi相の平均粒径は80μm以下であることで、切削加工によるターゲット表面へのダメージがより少なく、より平坦な加工面が得られる。
スパッタリングターゲット素地中のGa合金の形成方法としては、スパッタリングターゲットの原料とするGaを、原料粉末中にCuGaの合金または金属間化合物、GaBiの合金または金属間化合物として添加する方法、または原料となるCu,Ga,Biを一緒に溶解し、合金にする方法等がある。
上記各金属元素の組成評価は、スパッタリングターゲットを粉砕し、ICP法(高周波誘導結合プラズマ法)を用いて含有量を定量分析する。
溶解鋳造法では、少なくともCu,GaおよびBiの各元素を単体またはこれらのうち2種以上の元素を含む合金を1050℃以上に溶解し、鋳塊を作製する工程と、得られた鋳塊を必要に応じて圧延し、スパッタリングターゲットを作製する。
(a)アトマイズ装置により、所定量のCuGaBi全量をCuGaBiアトマイズ粉として製造し、原料粉末とする。なお、Naを添加する場合、所定量のNaF、Na2SまたはNa2Seの粉末を上記原料粉末に混合する。
(b)アトマイズ装置により、所定量のCuGa全量をCuGaアトマイズ粉として製造し、さらに、Bi粉末をこのCuGaアトマイズ粉と混合し、所定組成の原料粉末を作る。なお、Naを添加する場合、所定量のNaF、Na2SまたはNa2Seの粉末を上記原料粉末に混合する。
(c)アトマイズ装置により、CuGaBiアトマイズ粉を作製し、さらにCuGa粉,Cu粉またはBi粉(またはCuとBiの金属間化合物)をこのCuGaBiアトマイズ粉に添加し、所定組成の混合粉末を作る。なお、Naを添加する場合、所定量のNaF、Na2SまたはNa2Seの粉末を上記原料粉末に混合する。
(d)所定量のCuGaBi全量を溶解し、鋳造したインゴットを粉砕し、その粉末を原料粉末として用いる。なお、Naを添加する場合、所定量のNaF、Na2SまたはNa2Seの粉末を上記原料粉末に混合する。また、所定量のCuGaを溶解し、鋳造したインゴットを粉砕し、その粉末にBi粉末またはBiとCuとの金属間化合物粉を添加し、混合粉末を作ることもできる。
なお、加工済みのスパッタリングターゲットの酸化、吸湿を防止するため、スパッタリングターゲット全体を真空パックまたは不活性ガス置換したパックにて保管することが好ましい。
また、ターゲット素地中のGaがCu−Ga二元合金の形態で含有されるので、GaをCu−Gaの固溶体又は金属間化合物とすることにより、焼結後、切削加工中において、チッピング、欠けを生ずることなく、スパッタに適した加工表面を実現することができる。
また、Naが、NaF化合物、Na2S化合物またはNa2Se化合物として含有され、スパッタリングターゲット中の全金属元素に対し、Naが0.05〜15原子%含有されている場合には、スパッタ法により、発電効率の向上に有効なNaを含有したCu−Ga膜を成膜することができる。なお、このNaを含有したCu−Ga膜におけるF(フッ素)、硫黄(S)は、太陽電池の光吸収層の特性に特に影響を及ぼさない。
まず、実施例1〜3,5,6,9,10の原料粉としては、表1の組成になるように、Cu,Bi,Gaの各金属の全量をアトマイズ装置に装入し、1150℃に昇温し、金属が全部溶湯になっていることを確認して、アトマイズを行うことでCuGaBiアトマイズ粉末を作製した。
本発明の比較例1〜3の原料粉末としては、表2の組成になるように、Cu,Gaの各金属の全量をアトマイズ装置に装入し、1150℃に昇温し、金属が全部溶湯になっていることを確認して、アトマイズを行うことで表2のCuGaアトマイズ粉末を作製した。
本発明の比較例4は、Cu,Ga,Biの各金属の全量を真空溶解炉に装入し、1150℃に昇温後、金属が全部溶湯になっていることを確認してから、黒鉛製鋳型に出湯し、真空炉中にて200℃まで炉冷してCuGaBiからなるインゴットを作製した。なお、圧延は行わなかった。
比較例6の原料粉末としては、まずCu,Gaの各金属の全量をアトマイズ装置に装入し、1150℃に昇温し、金属が全部溶湯になっていることを確認して、アトマイズを行うことでCuGaアトマイズ粉末を作製した。次に、得られたCuGaアトマイズ粉に、平均粒径500μmに粉砕したBi粉末を投入し、乾式ボールミルにて8時間混合して、表2の混合粉末を作製した。
比較例9の原料粉末としては、まず表2の組成のとおり、Cu,Gaの各金属の全量をアトマイズ装置に装入し、1150℃に昇温し、金属が全部溶湯になっていることを確認して、アトマイズを行うことでCuGaアトマイズ粉末を作製した。次に、得られたCuGaアトマイズ粉に、平均粒径200μmに粉砕したBi粉末と平均粒径1μm以下のNaF粉末とを投入し、乾式ボールミルにて8時間混合して表1の混合粉末を作製した。
このように作製した実施例および比較例の原料粉末を用いて、表3および表4に示す真空ホットプレス法、HIP法または加圧成形後の雰囲気焼結法(焼結時の雰囲気は2大気圧の20%水素と80%窒素との混合ガスを使用)、または鋳造法などの方法にて、直径80mm、厚み6mmのスパッタリングターゲットを作製した。得られたスパッタリングターゲットの寸法密度を算出し、理論密度比として計算した結果を、表3及び表4に示す。
一例としてCu69Ga30Bi1(原子%)とした本発明の実施例6と、Cu69.9Ga29.7Bi0.01(原子%)とした本発明の比較例5との加工後におけるターゲット表面の写真を図1および図2に示す。
なお、本発明の実施例のスパッタリングターゲットは、いずれも95%以上の高密度が得られている。
Claims (9)
- スパッタリングターゲット中の全金属元素に対し、Ga:15〜40原子%、Bi:0.1〜5原子%、残部がCu及び不可避不純物からなる成分組成を有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
- 請求項1に記載のスパッタリングターゲットにおいて、
Cu−Ga合金を主とする合金相の結晶粒内または粒界に、Bi単体またはBiを10原子%以上含む金属間化合物の少なくとも一方を含むBi含有相を有することを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 請求項2に記載のスパッタリングターゲットにおいて、
Biを10原子%以上含む金属間化合物が、Cu5Bi2を含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 請求項2または3に記載のスパッタリングターゲットにおいて、
スパッタリングターゲット素地中のBi含有相の平均粒径が80μm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 請求項1から4のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲットにおいて、
スパッタリングターゲット素地中の金属相の平均粒径が100μm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 請求項1から5のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲットにおいて、
さらに、Naが、NaF化合物、Na2S化合物またはNa2Se化合物として含有され、スパッタリングターゲット中の全金属元素(Seを除く)に対し、Naが0.05〜15原子%含有されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 請求項1から5のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲットを製造する方法であって、
少なくともCu,GaおよびBiの各元素を単体またはこれらのうち2種以上の元素を含む合金を1050℃以上に溶解し、鋳塊を作製する工程を有することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項1から5のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲットを作製する方法であって、
少なくともCu,GaおよびBiの各元素を単体またはこれらのうち2種以上の元素を含む合金の粉末とした原料粉末を作製する工程と、
前記原料粉末を真空、不活性雰囲気または還元性雰囲気で熱間加工する工程とを有し、
前記原料粉末に含まれるGaが、CuGa合金またはGaBi合金として含有されていることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項6に記載のスパッタリングターゲットを作製する方法であって、
少なくともCu,GaおよびBiの各元素を単体またはこれらのうち2種以上の元素を含む合金の金属粉末とし、前記金属粉末にNaF粉末、Na2S粉末またはNa2Se粉末を混合して原料粉末を作製する工程と、
前記原料粉末を真空、不活性雰囲気または還元性雰囲気で熱間加工する工程とを有し、
前記原料粉末に含まれるGaが、CuGa合金またはGaBi合金として含有されていることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015074788A (ja) * | 2013-10-07 | 2015-04-20 | 三菱マテリアル株式会社 | Inスパッタリングターゲット及びIn膜 |
WO2016002633A1 (ja) * | 2014-07-03 | 2016-01-07 | 住友金属鉱山株式会社 | スパッタリング用ターゲット材とその製造方法 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101201577B1 (ko) | 2007-08-06 | 2012-11-14 | 에이치. 씨. 스타아크 아이앤씨 | 향상된 조직 균일성을 가진 내화 금속판 |
US10202681B2 (en) * | 2013-09-27 | 2019-02-12 | Plansee Se | Copper-gallium sputtering target |
US10351946B2 (en) | 2013-10-07 | 2019-07-16 | Mitsubishi Materials Corporation | Sputtering target and method for producing same |
CN103469170B (zh) * | 2013-10-08 | 2016-01-06 | 江西冠能光电材料有限公司 | 一种用于薄膜太阳能电池的溅射靶 |
TWI586824B (zh) * | 2013-10-09 | 2017-06-11 | Mitsubishi Materials Corp | Sputtering target and its manufacturing method |
US10023953B2 (en) | 2014-04-11 | 2018-07-17 | H.C. Starck Inc. | High purity refractory metal powders and their use in sputtering targets which may have random texture |
KR102586549B1 (ko) | 2020-12-09 | 2023-10-06 | 주식회사 에스비이엔지 | 재활용가능한 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002064062A (ja) * | 2000-08-17 | 2002-02-28 | Honda Motor Co Ltd | 化合物半導体の成膜方法 |
JP2003282600A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Honda Motor Co Ltd | 光吸収層の作製方法および装置 |
JP2010116580A (ja) * | 2008-11-11 | 2010-05-27 | Solar Applied Materials Technology Corp | 銅−ガリウム合金スパッタリングターゲット及びそのスパッタリングターゲットの製造方法並びに関連用途 |
JP2010265544A (ja) * | 2009-04-14 | 2010-11-25 | Kobelco Kaken:Kk | Cu−Ga合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP2010280944A (ja) * | 2009-06-04 | 2010-12-16 | Hitachi Cable Ltd | Cu−Ga合金、スパッタリングターゲット、Cu−Ga合金の製造方法、スパッタリングターゲットの製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3249408B2 (ja) | 1996-10-25 | 2002-01-21 | 昭和シェル石油株式会社 | 薄膜太陽電池の薄膜光吸収層の製造方法及び製造装置 |
JP4377788B2 (ja) * | 2004-09-27 | 2009-12-02 | 株式会社神戸製鋼所 | 半導体配線用Cu合金、Cu合金配線の製法、該製法で得られたCu合金配線を有する半導体装置、並びに半導体のCu合金配線形成用スパッタリングターゲット |
JP4865473B2 (ja) | 2006-09-25 | 2012-02-01 | 富士フイルム株式会社 | 成形印刷物の製造方法、及び、成形印刷物 |
KR100829601B1 (ko) | 2006-09-27 | 2008-05-14 | 삼성전자주식회사 | 칼코겐 화합물 타겟, 이의 제조 방법 및 상변화 메모리장치의 제조 방법 |
US8124211B2 (en) | 2007-03-28 | 2012-02-28 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium, sputtering target, and method for manufacturing the same |
CN101440442B (zh) * | 2007-11-22 | 2010-12-22 | 北京有色金属研究总院 | 一种无铅易切削铋黄铜合金 |
EP2322676A4 (en) * | 2008-09-10 | 2012-06-13 | Taiho Kogyo Co Ltd | SLIDING ELEMENT CONSISTING OF SINTERED MATERIAL FREE OF Pb Cu-Bi TYPE |
US20110089030A1 (en) * | 2009-10-20 | 2011-04-21 | Miasole | CIG sputtering target and methods of making and using thereof |
JP4793504B2 (ja) * | 2009-11-06 | 2011-10-12 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP5877510B2 (ja) * | 2010-01-07 | 2016-03-08 | Jx金属株式会社 | Cu−Ga系スパッタリングターゲット、同ターゲットの製造方法、光吸収層及び該光吸収層を用いた太陽電池 |
CN102712996B (zh) * | 2010-01-07 | 2014-11-26 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 溅射靶、化合物半导体薄膜、具有化合物半导体薄膜的太阳能电池以及化合物半导体薄膜的制造方法 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002064062A (ja) * | 2000-08-17 | 2002-02-28 | Honda Motor Co Ltd | 化合物半導体の成膜方法 |
JP2003282600A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Honda Motor Co Ltd | 光吸収層の作製方法および装置 |
JP2010116580A (ja) * | 2008-11-11 | 2010-05-27 | Solar Applied Materials Technology Corp | 銅−ガリウム合金スパッタリングターゲット及びそのスパッタリングターゲットの製造方法並びに関連用途 |
JP2010265544A (ja) * | 2009-04-14 | 2010-11-25 | Kobelco Kaken:Kk | Cu−Ga合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP2010280944A (ja) * | 2009-06-04 | 2010-12-16 | Hitachi Cable Ltd | Cu−Ga合金、スパッタリングターゲット、Cu−Ga合金の製造方法、スパッタリングターゲットの製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015074788A (ja) * | 2013-10-07 | 2015-04-20 | 三菱マテリアル株式会社 | Inスパッタリングターゲット及びIn膜 |
WO2016002633A1 (ja) * | 2014-07-03 | 2016-01-07 | 住友金属鉱山株式会社 | スパッタリング用ターゲット材とその製造方法 |
JP6066018B2 (ja) * | 2014-07-03 | 2017-01-25 | 住友金属鉱山株式会社 | スパッタリング用ターゲット材とその製造方法 |
JPWO2016002633A1 (ja) * | 2014-07-03 | 2017-04-27 | 住友金属鉱山株式会社 | スパッタリング用ターゲット材とその製造方法 |
US10612127B2 (en) | 2014-07-03 | 2020-04-07 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Target material for sputtering and method for manufacturing same |
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