JP2013093264A - プラズマ処理装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、スパイラルコイル3が第一石英板4に接合され、誘導結合型プラズマトーチユニットTの最下部にプラズマ噴出口8が設けられる。第二石英板5及び第三石英板6に囲まれた長尺チャンバ内部の空間7にガスを供給しつつ、スパイラルコイル3に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、基材2に照射する。
【選択図】図1
Description
前記長尺チャンバが開口部を備え、
前記開口部と対向して配置され、かつ基材を保持する基材載置台を備え、
前記チャンバの長手方向と前記開口部の長手方向とは平行に配置され、
前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動可能とする移動機構を備えたこと、
を特徴とする。
前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに前記チャンバと前記基材とを相対的に移動しながら前記基材の表面を処理することを特徴とする。
以下、本発明の実施の形態1について、図1〜図3を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態2について、図4を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態3について、図5を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態4について、図6を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態5について、図7を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態6について、図8を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態7について、図9を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態8について、図10を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態9について、図11を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態10について、図12を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態11について、図13及び図14を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態12について、図15を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態13について、図16及び図17を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態14について、図18及び図19を参照して説明する。
2 基材
T 誘導結合型プラズマトーチユニット
3,19 スパイラルコイル
4 第一石英板
5 第二石英板
6 第三石英板
7 長尺チャンバ内部の空間
8 プラズマ噴出口
9 プラズマガスマニホールド
10 プラズマガス供給配管
11 プラズマガス供給穴
12 接着剤
13 シールドガスノズル
14 シールドガスマニホールド
15 水冷管
22 薄膜
Claims (21)
- 長尺チャンバと、前記チャンバ内にガスを供給するガス供給装置と、前記チャンバの長手方向と平行な向きに長尺な形状をもつスパイラルコイルと、前記スパイラルコイルに接続された高周波電源とを備え、
前記長尺チャンバが開口部を備え、
前記開口部と対向して配置され、かつ基材を保持する基材載置台を備え、
前記チャンバの長手方向と前記開口部の長手方向とは平行に配置され、
前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動可能とする移動機構を備えたこと、
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記スパイラルコイルは、平面状である、請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記チャンバの前記スパイラルコイルに近い側の内壁面が、前記スパイラルコイルがなす平面と平行な平面である、請求項2記載のプラズマ処理装置。
- 前記チャンバは、少なくとも片方が溝を備えた2枚の誘電体板に挟まれた空間として構成されている、請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記チャンバの外形は、前記スパイラルコイルの外形よりも大きい、請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 「前記チャンバの深さ」=「前記チャンバの、前記スパイラルコイルから前記チャンバへの方向の長さ」と定義するとき、前記チャンバの深さが0.5mm以上7mm以下である、請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 「前記チャンバの深さ」=「前記チャンバの、前記スパイラルコイルから前記チャンバへの方向の長さ」と定義するとき、前記チャンバの深さが1mm以上5mm以下である、請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記開口部は、前記チャンバにおいて、前記スパイラルコイルとは反対側に設けられている、請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記開口部から前記チャンバへの向きと、前記スパイラルコイルから前記チャンバへの向きが、互いに垂直である、請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記スパイラルコイルが中空の管から構成され、かつ、前記スパイラルコイル内に冷媒が流れるよう構成され、かつ、前記スパイラルコイルが前記チャンバの壁面を構成する部材、または、前記チャンバの壁面を構成する部材に接着された部材に接着されている、請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 水冷管が、前記チャンバの壁面を構成する部材、または、前記チャンバの壁面を構成する部材に接着された部材に接着されている、請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記水冷管は、前記チャンバにおいて、前記スパイラルコイルとは反対側に設けられている、請求項11記載のプラズマ処理装置。
- 前記水冷管は導体であり、かつ、接地されている、請求項12記載のプラズマ処理装置。
- 前記スパイラルコイルの長手方向に平行で前記スパイラルコイルの中心を通る直線と、前記チャンバの長手方向に平行で前記チャンバの中心を通る直線と、前記チャンバへのガス導入部をなす線状部の長手方向に平行で前記線状部の中心を通る直線と、前記開口部の長手方向に平行で前記開口部の中心を通る直線が、互いに平行、かつ同一平面上に配置されている、請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記チャンバの壁面を構成する部材、または、前記チャンバの壁面を構成する部材に接着された部材に、前記開口部の長尺方向と平行な向きに長尺の貫通穴が設けられ、前記貫通穴内に冷媒が流れるよう構成されている、請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記開口部の近傍に、前記開口部の長尺方向と平行な向きに長尺な形状をもつシールドガス供給口を備えた、請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記開口部の近傍に、前記開口部の長尺方向と平行な向きに並んだ多数のシールドガス供給口を備えた、請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記開口部がなす線状部が、前記スパイラルコイルの短手方向を構成する部分よりもさらに内側に配置されている、請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記チャンバへのガス導入部をなす線状部が、前記スパイラルコイルの短手方向を構成する部分よりもさらに内側に配置されている、請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記スパイラルコイルを2個備え、かつ、2個のコイルの間に前記チャンバが挟まれている、請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 長尺チャンバ内にガスを供給しつつ、前記チャンバに形成されたスリット状の開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、前記チャンバの長手方向と平行な向きに長尺な形状をもつスパイラルコイルに高周波電力を供給することで、前記チャンバ内に高周波電磁界を発生させるプラズマ処理方法であって、
前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに前記チャンバと前記基材とを相対的に移動しながら前記基材の表面を処理すること、
を特徴とするプラズマ処理方法。
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CN201210414355.6A CN103094039B (zh) | 2011-10-27 | 2012-10-25 | 电感耦合型的等离子体处理装置以及等离子体处理方法 |
US13/661,115 US9343269B2 (en) | 2011-10-27 | 2012-10-26 | Plasma processing apparatus |
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---|---|---|---|
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015111543A (ja) * | 2013-10-30 | 2015-06-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置及び方法、並びに電子デバイスの製造方法 |
US9583313B2 (en) | 2013-08-20 | 2017-02-28 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6473889B2 (ja) * | 2014-09-19 | 2019-02-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置及び方法、電子デバイスの製造方法 |
US10475628B2 (en) * | 2018-05-21 | 2019-11-12 | Main Law Cafe | Plasma beam penetration of millimeter scale holes with high aspect ratios |
US10991592B2 (en) * | 2018-05-21 | 2021-04-27 | Main Law Cafe | Modified etch-and-deposit Bosch process in silicon |
CN114162905B (zh) * | 2021-11-25 | 2024-05-14 | 柳州市柳铁中心医院 | 液体脉冲放电制备除菌等离子体水的装置及方法 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07122546A (ja) * | 1993-10-20 | 1995-05-12 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置の制御方法 |
JP2000516405A (ja) * | 1997-06-05 | 2000-12-05 | アプライド マテリアルズ,インコーポレイテッド | 内部誘導コイルアンテナと導電性チャンバ壁とを有するrfプラズマエッチリアクタ |
JP2001501379A (ja) * | 1996-09-30 | 2001-01-30 | ラム リサーチ コーポレイション | パーティクル制御方法及びプラズマ処理チャンバー |
JP2005079533A (ja) * | 2003-09-03 | 2005-03-24 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2005129483A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-05-19 | Shibaura Mechatronics Corp | プラズマ処理装置 |
JP2006040668A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-09 | Sharp Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2006297339A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 処理ガス吐出装置及びこれを備えた表面処理装置 |
JP2007287452A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Seiko Epson Corp | プラズマ装置 |
JP2009520324A (ja) * | 2005-12-19 | 2009-05-21 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 誘導結合された高周波プラズマフラッドガンを提供する技術 |
JP2009158491A (ja) * | 2009-04-01 | 2009-07-16 | Nu Eco Engineering Kk | プラズマ発生装置 |
JP2009545165A (ja) * | 2006-07-28 | 2009-12-17 | セナージェン・ディバイシーズ・インコーポレイテッド | 多結晶のシリコン及びシリコン−ゲルマニウムの太陽電池を製造するための方法及びシステム |
JP2010251162A (ja) * | 2009-04-16 | 2010-11-04 | Seiko Epson Corp | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4948458A (en) | 1989-08-14 | 1990-08-14 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for producing magnetically-coupled planar plasma |
JPH04284974A (ja) | 1991-03-13 | 1992-10-09 | Nippon Steel Corp | 高速ガスシールドアーク溶接方法 |
US5290382A (en) * | 1991-12-13 | 1994-03-01 | Hughes Aircraft Company | Methods and apparatus for generating a plasma for "downstream" rapid shaping of surfaces of substrates and films |
JPH08118027A (ja) | 1994-10-17 | 1996-05-14 | Nippon Steel Corp | プラズマジェットの広幅化方法 |
US5877471A (en) * | 1997-06-11 | 1999-03-02 | The Regents Of The University Of California | Plasma torch having a cooled shield assembly |
DE29805999U1 (de) | 1998-04-03 | 1998-06-25 | Agrodyn Hochspannungstechnik GmbH, 33803 Steinhagen | Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Oberflächen |
DE29911974U1 (de) | 1999-07-09 | 2000-11-23 | Agrodyn Hochspannungstechnik G | Plasmadüse |
EP1073091A3 (en) * | 1999-07-27 | 2004-10-06 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Electrode for plasma generation, plasma treatment apparatus using the electrode, and plasma treatment with the apparatus |
JP3787079B2 (ja) | 2001-09-11 | 2006-06-21 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置 |
US6693253B2 (en) * | 2001-10-05 | 2004-02-17 | Universite De Sherbrooke | Multi-coil induction plasma torch for solid state power supply |
JP4120546B2 (ja) | 2002-10-04 | 2008-07-16 | 株式会社Ihi | 薄膜形成方法及び装置並びに太陽電池の製造方法及び装置並びに太陽電池 |
CN101341570A (zh) * | 2005-12-19 | 2009-01-07 | 瓦里安半导体设备公司 | 提供感应耦合射频电浆浸没枪的技术 |
JP2007287454A (ja) | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Seiko Epson Corp | プラズマ装置 |
TW200824140A (en) * | 2006-07-28 | 2008-06-01 | Senergen Devices Inc | Methods and systems for manufacturing polycrystalline silicon and silicon-germanium solar cells |
JP2008053634A (ja) | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Seiko Epson Corp | 半導体膜の製造方法、半導体素子の製造方法、電気光学装置、電子機器 |
FR2921388B1 (fr) | 2007-09-20 | 2010-11-26 | Air Liquide | Dispositif et procede de depot cvd assiste par plasma tres haute frequence a la pression atmospherique, et ses applications |
JP4296523B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2009-07-15 | 勝 堀 | プラズマ発生装置 |
JP2009158251A (ja) | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Tech In Tech Co Ltd | アークプラズマ発生装置 |
US20090166555A1 (en) * | 2007-12-28 | 2009-07-02 | Olson Joseph C | RF electron source for ionizing gas clusters |
US8142607B2 (en) * | 2008-08-28 | 2012-03-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | High density helicon plasma source for wide ribbon ion beam generation |
JP4889834B2 (ja) * | 2010-05-13 | 2012-03-07 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置及び方法 |
US8664861B1 (en) * | 2010-08-24 | 2014-03-04 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Plasma generator |
CN102387653B (zh) * | 2010-09-02 | 2015-08-05 | 松下电器产业株式会社 | 等离子体处理装置及等离子体处理方法 |
JP5263266B2 (ja) * | 2010-11-09 | 2013-08-14 | パナソニック株式会社 | プラズマドーピング方法及び装置 |
US8659229B2 (en) * | 2011-05-16 | 2014-02-25 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Plasma attenuation for uniformity control |
US8692468B2 (en) * | 2011-10-03 | 2014-04-08 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Transformer-coupled RF source for plasma processing tool |
CN103094038B (zh) * | 2011-10-27 | 2017-01-11 | 松下知识产权经营株式会社 | 等离子体处理装置以及等离子体处理方法 |
US10115565B2 (en) * | 2012-03-02 | 2018-10-30 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
JP2013254723A (ja) * | 2012-05-11 | 2013-12-19 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
US9082590B2 (en) * | 2012-07-20 | 2015-07-14 | Applied Materials, Inc. | Symmetrical inductively coupled plasma source with side RF feeds and RF distribution plates |
US8809803B2 (en) * | 2012-08-13 | 2014-08-19 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Inductively coupled plasma ion source with multiple antennas for wide ion beam |
KR101688338B1 (ko) * | 2012-09-18 | 2016-12-20 | 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 | 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법 |
JP5861045B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2016-02-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置及び方法 |
JP6037292B2 (ja) * | 2013-08-20 | 2016-12-07 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP6043968B2 (ja) * | 2013-10-30 | 2016-12-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理方法並びに電子デバイスの製造方法 |
JP6127276B2 (ja) * | 2014-02-04 | 2017-05-17 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置及び方法 |
-
2011
- 2011-10-27 JP JP2011235764A patent/JP5617817B2/ja active Active
-
2012
- 2012-10-25 CN CN201210414355.6A patent/CN103094039B/zh active Active
- 2012-10-26 US US13/661,115 patent/US9343269B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07122546A (ja) * | 1993-10-20 | 1995-05-12 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置の制御方法 |
JP2001501379A (ja) * | 1996-09-30 | 2001-01-30 | ラム リサーチ コーポレイション | パーティクル制御方法及びプラズマ処理チャンバー |
JP2000516405A (ja) * | 1997-06-05 | 2000-12-05 | アプライド マテリアルズ,インコーポレイテッド | 内部誘導コイルアンテナと導電性チャンバ壁とを有するrfプラズマエッチリアクタ |
JP2005079533A (ja) * | 2003-09-03 | 2005-03-24 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2005129483A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-05-19 | Shibaura Mechatronics Corp | プラズマ処理装置 |
JP2006040668A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-09 | Sharp Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2006297339A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 処理ガス吐出装置及びこれを備えた表面処理装置 |
JP2009520324A (ja) * | 2005-12-19 | 2009-05-21 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 誘導結合された高周波プラズマフラッドガンを提供する技術 |
JP2007287452A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Seiko Epson Corp | プラズマ装置 |
JP2009545165A (ja) * | 2006-07-28 | 2009-12-17 | セナージェン・ディバイシーズ・インコーポレイテッド | 多結晶のシリコン及びシリコン−ゲルマニウムの太陽電池を製造するための方法及びシステム |
JP2009158491A (ja) * | 2009-04-01 | 2009-07-16 | Nu Eco Engineering Kk | プラズマ発生装置 |
JP2010251162A (ja) * | 2009-04-16 | 2010-11-04 | Seiko Epson Corp | プラズマ処理装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9583313B2 (en) | 2013-08-20 | 2017-02-28 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
JP2015111543A (ja) * | 2013-10-30 | 2015-06-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置及び方法、並びに電子デバイスの製造方法 |
US9627183B2 (en) | 2013-10-30 | 2017-04-18 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Plasma processing device, plasma processing method and method of manufacturing electronic devices |
US9673062B1 (en) | 2013-10-30 | 2017-06-06 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Plasma processing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9343269B2 (en) | 2016-05-17 |
US20130105460A1 (en) | 2013-05-02 |
JP5617817B2 (ja) | 2014-11-05 |
CN103094039A (zh) | 2013-05-08 |
CN103094039B (zh) | 2016-08-31 |
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