JP2013084836A - Cmp方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態に係わるCMP方法は、酸化珪素砥粒を含む研磨剤を用い、かつ、研磨停止膜として窒化珪素膜を用いて、被研磨膜としての酸化珪素膜の平坦化を行う場合において、研磨剤に、50000以上、5000000以下の重量平均分子量を持つ第1の水溶性高分子と、1000以上、10000以下の重量平均分子量を持つ第2の水溶性高分子とを含ませた状態で、酸化珪素膜の研磨を行う。
【選択図】図7
Description
まず、実施形態のCMP方法を実施するためのCMP装置を説明する。
図1は、CMP装置の斜視図であり、図2は、図1のCMP装置の側面図である。
図1及び図2のCMP装置を用いたCMP方法を説明する。
このセッティングは、被研磨物14を保持部13に保持する動作と、保持部13を台座部11上の所定位置に移動させる動作を含む。
台座部11の回転と共に保持部13を回転させてもよい。但し、保持部13の回転時期は、台座部11の回転時期と同じであってもよいし、異なっていてもよい。
スラリーは、遠心力により研磨パッド12上の全体にまんべんなく塗布される。
研磨の開始は、例えば、保持部13を下降させることにより行うことができる。
研磨の終了は、例えば、保持部13を上昇させることにより行うことができる。
被研磨物14は、第1の実施例と同様に、酸化珪素膜を被研磨膜とし、かつ、窒化珪素膜を研磨停止膜とする。例えば、被研磨物14は、図3に示す半導体装置である。
このステップは、本例で新たに加わったステップである。
研磨の開始は、例えば、保持部13を下降させることにより行うことができる。
研磨の終了は、例えば、保持部13を上昇させることにより行うことができる。
ステップST6の状態を図14に示す。
平坦性は、被研磨膜の研磨面の最も低い点と最も高い点との差のことである。即ち、平坦性は、その値が零に近づくほど向上することを意味する。
図17乃至図19は、半導体装置の製造方法を示している。
Claims (5)
- 酸化珪素砥粒を含む研磨剤を用い、かつ、研磨停止膜として窒化珪素膜を用いて、被研磨膜としての酸化珪素膜の平坦化を行うCMP方法において、前記研磨剤に、50000以上、5000000以下の重量平均分子量を持つ第1の水溶性高分子と、1000以上、10000以下の重量平均分子量を持つ第2の水溶性高分子とを含ませた状態で、前記酸化珪素膜の研磨を行うCMP方法。
- 第1の水溶性高分子は、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリスルホン酸及びそれらの塩のグループから選択される請求項1に記載のCMP方法。
- 第2の水溶性高分子は、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリスルホン酸及びそれらの塩のグループから選択される請求項1に記載のCMP方法。
- 前記酸化珪素膜の研磨面の温度は、40℃以下である請求項1に記載のCMP方法。
- 半導体基板上に研磨停止膜としての窒化珪素膜を形成する工程と、
前記窒化珪素膜及び前記半導体基板に溝を形成する工程と、
前記窒化珪素膜上に前記溝を埋め込む酸化珪素膜を形成する工程と、
酸化珪素砥粒、50000以上、5000000以下の重量平均分子量を持つ第1の水溶性高分子、及び、1000以上、10000以下の重量平均分子量を持つ第2の水溶性高分子を含む研磨剤を用いて、前記窒化珪素膜が露出するまで、CMPにより前記酸化珪素膜を研磨する工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
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