JP2013083812A - レジストパターンの表面処理方法およびそれを用いたレジストパターン形成方法、ならびにそれらに用いる被覆層形成用組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】現像済みフォトレジストパターン表面に酸素を含む雰囲気下でプラズマ処理を施し、前記フォトレジストパターン表面にオキサゾリン骨格などを含む架橋性基を含有するポリマーを含む被覆層形成用組成物を接触させることを含んでなる、現像済みフォトレジストパターンの処理方法。
【選択図】なし
Description
現像済みフォトレジストパターン表面に酸素を含む雰囲気下でプラズマ処理を施し、
前記フォトレジストパターン表面に、レジストパターンの表面に存在する官能基と反応して結合し得る架橋性基を有するポリマーと溶媒とを含んでなる被覆層形成用組成物を接触させる
ことを含んでなることを特徴とするものである。
基板にフォトレジスト組成物を塗布してフォトレジスト組成物層を形成させ、
前記フォトレジスト組成物層を露光し、
露光済みのフォトレジスト組成物層を現像液により現像してフォトレジストパターンを形成させ、
前記フォトレジストパターン表面に酸素を含む雰囲気下でプラズマ処理を施し、
次いで前記フォトレジストパターン表面に、レジストパターンの表面に存在する官能基と反応して結合し得る架橋性基を有するポリマーと溶媒とを含んでなる被覆層形成用組成物を接触させる
ことを含んでなることを特徴とするものである。
本発明によるレジストパターンの表面処理方法は、まず現像済レジストパターンに酸素を含む雰囲気下でプラズマ処理を施す。ここで、表面処理を施すレジストパターンは特に限定されず、任意の方法で形成されたものを用いることができる(詳細後述)。
なお、ポリマーはこれらに限定されるものではなく、たとえばここにあげたポリマーの水素を炭素数1〜10程度のアルキル基に置換したり、アルキレン基の炭層数を変更したりすることもできる。
次に、本発明によるパターンの形成方法について説明する。本発明によるパターン形成方法は、リソグラフィー技術によってレジストパターンを形成させ、引き続いて前記のレジストパターンの表面処理方法によって処理するものである。
シリコン基板上にi線露光に対応したポジ型レジスト組成物(AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製AZ40XT−11D(商品名))をスピンコーターで2600rpmの条件で塗布し、125℃/360秒の条件でベーク処理して、膜厚が25〜27μmのレジスト膜を有する基板を準備した。得られた基板をi線露光装置(Suss Microtec社製MA200e型(商品名))を用いて、350〜400mJの条件で露光し、105℃で75秒間加熱した。引き続き23℃の2.38%TMAH水溶液で120秒間現像し、脱イオン水でリンス処理することによってラインパターンを有する現像済みレジスト基板を作製した。ここで得られたラインパターンを走査型電子顕微鏡によって観察したところ、その断面形状は矩形であった。さらに現像済みレジスト基板を、酸素流量100sccm、アンテナ出力1000Wの条件で20秒間酸素プラズマ処理した後に、ポリマーP8を0.5重量%の濃度で水に溶解させた被覆層形成用組成物に20秒間浸漬し、さらに脱イオン水で洗浄し、乾燥した。
酸素プラズマ処理の有無、被覆層形成用組成物による処理の有無、ポリマーの種類、被覆層形成用組成物のポリマー濃度、共溶媒の有無、浸漬時間を変更して実施例1を繰り返した。変更した条件および得られた結果は表1に示す通りであった。なお、用いたポリマーの構造は下記に示されるものであり、それらの重量平均分子量は表1に示す通りであった。ここで、ポリアクリル酸(PA)は、便宜的に架橋性基を含有するポリマーの欄に記載してあるが、架橋性基を含有しないポリマーである。また、共溶媒を用いた場合、その配合比は主たる溶媒である水と共溶媒との合計重量に対して、共溶媒の含有量が5重量%となるようにした。
I: 初期形状(図1(I))
A: 初期形状Iから変形がほとんど無い(図1(A))
B: 初期形状Iから軽微な変形が認められた(図1(B))
C: 初期状態Iに対して熱ダレによる顕著な変形が認められた(図1(C))
レジスト組成物をKrF露光に対応したレジスト組成物(AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製DX6270P(商品名))に変更して実施例1を繰り返した(実施例14)。また、酸素プラズマ処理の有無、被覆層形成用組成物による処理の有無を変更して実施例14を繰り返した(比較例4〜6)。なお、耐熱性評価の際の加熱温度は180℃とした。変更した条件および得られた結果は表2に示す通りであった。
レジスト組成物をArF露光に対応したレジスト組成物(AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製AX1120P(商品名))に変更して実施例1を繰り返した(実施例15)。また、酸素プラズマ処理の有無、被覆層形成用組成物による処理の有無を変更して実施例15を繰り返した(比較例8〜10)。変更した条件および得られた結果は表3に示す通りであった。
Claims (11)
- 現像済みフォトレジストパターン表面に酸素を含む雰囲気下でプラズマ処理を施し、
前記フォトレジストパターン表面に、レジストパターンの表面に存在する官能基と反応して結合し得る架橋性基を有するポリマーと溶媒とを含んでなる被覆層形成用組成物を接触させる
ことを含んでなることを特徴とする、現像済みフォトレジストパターンの表面処理方法。 - 前記プラズマ処理が、10%以上の濃度の酸素を含む雰囲気下で行われる、請求項1に記載の方法。
- 前記官能基がカルボキシ基または水酸基である、請求項1または2に記載の方法。
- 前記ポリマーに含まれる架橋性基が、オキサゾリン骨格、ピロリドン骨格、ジアリルアミン骨格、またはアミン基を含むものである、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ポリマーに含まれる架橋性基が、エポキシ基、オキセタン基、またはイソシアネート基を含むものである、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記被覆層形成用組成物が、溶媒として水を含んでなる、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
- 前記被覆用形成用組成物が、溶媒としてさらに有機溶媒を含んでなる、請求項6に記載の方法。
- 前記被覆用形成用組成物のpHが2〜10である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の方法。
- 前記フォトレジストパターン表面に前記被覆層形成用組成物を接触させた後、加熱することを含んでなる、請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。
- 基板にフォトレジスト組成物を塗布してフォトレジスト組成物層を形成させ、
前記フォトレジスト組成物層を露光し、
露光済みのフォトレジスト組成物層を現像液により現像してフォトレジストパターンを形成させ、
前記フォトレジストパターン表面に酸素を含む雰囲気下でプラズマ処理を施し、
次いで前記フォトレジストパターン表面に、レジストパターンの表面に存在する官能基と反応して結合し得る架橋性基を有するポリマーと溶媒とを含んでなる被覆層形成用組成物を接触させる
ことを含んでなることを特徴とする、パターン形成方法。 - 酸素を含む雰囲気下にプラズマ処理された現像済みフォトレジストパターン表面に接触させてレジストパターン表面に耐熱性被覆層を形成させるための被覆層形成用組成物であって、前記レジストパターンの表面に存在する官能基と反応して結合し得る架橋性基を有するポリマーと、溶媒とを含んでなることを特徴とする、被覆層形成用組成物。
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