JP2013074025A - Method for manufacturing conductive pattern formation substrate and conductive pattern formation substrate - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a conductive pattern formation substrate and the conductive pattern formation substrate in which contact resistance is reduced when being connected to other wiring.SOLUTION: A nanowire layer 4 is formed on a substrate 2 by coating a solution having a metal nanowire NW dispersed therein on the outer face of the substrate 2, at least a part of a solvent is removed from the solution coated on the substrate 2, and after at least a part of the solvent is removed, a wiring 7 containing a conductor is laminated on the nanowire layer 4 so as to come into contact with the nanowire layer 4.

Description

本発明は、導電パターン形成基板の製造方法及び導電パターン形成基板に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a conductive pattern formation substrate and a conductive pattern formation substrate.

従来、基板上に形成された導電パターンの例として、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）や銀ナノワイヤーを有する導電パターンが知られている。これらの導電パターンは、光透過性を有する導電パターンを構成することができ、タッチパネルの画面上に配置される透明電極などに採用されている。
例えば特許文献１には、金属ナノワイヤーを含む導電層が基板上に形成された透明導電体が開示されている。特許文献１に記載の透明導電体の導電層は、複数の金属ナノワイヤーが高分子や有機マトリクスに埋め込まれており、隣接する金属ナノワイヤー同士が接していることにより配線パターンとして機能する。 Conventionally, as an example of a conductive pattern formed on a substrate, a conductive pattern having ITO (indium tin oxide) or silver nanowires is known. These conductive patterns can constitute a light-transmitting conductive pattern, and are employed for transparent electrodes arranged on the screen of the touch panel.
For example, Patent Document 1 discloses a transparent conductor in which a conductive layer including metal nanowires is formed on a substrate. The conductive layer of the transparent conductor described in Patent Document 1 functions as a wiring pattern when a plurality of metal nanowires are embedded in a polymer or an organic matrix and adjacent metal nanowires are in contact with each other.

特表２００９−５０５３５８号公報Special table 2009-505358

しかしながら、特許文献１に記載の透明導電体では、金属ナノワイヤーの大部分は高分子や有機マトリクスの内部に配置され、高分子や有機マトリクスの外面に露出された金属ナノワイヤーは少ない。このため、導電層を他の配線に接続しようとしたときに、前記他の配線と金属ナノワイヤーとの接触面積が狭く、接触抵抗が大きいという問題がある。   However, in the transparent conductor described in Patent Document 1, most of the metal nanowires are disposed inside the polymer or organic matrix, and few metal nanowires are exposed on the outer surface of the polymer or organic matrix. For this reason, when it is going to connect a conductive layer to other wiring, there exists a problem that the contact area of said other wiring and metal nanowire is narrow, and contact resistance is large.

本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、他の配線に接続する場合における接触抵抗が低減された導電パターン形成基板の製造方法及び導電パターン形成基板を提供することである。   The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and an object thereof is to provide a method for manufacturing a conductive pattern forming substrate and a conductive pattern forming substrate with reduced contact resistance when connecting to other wiring. That is.

上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
本発明の導電パターン形成基板の製造方法は、金属ナノワイヤーが分散された溶液を基板の外面に塗布することによりナノワイヤー層を前記基板上に形成し、前記基板上に塗布された溶液から溶媒の少なくとも一部を除去し、前記溶媒の少なくとも一部を除去した後、導体を含有する配線を前記ナノワイヤー層と接するように前記ナノワイヤー層に積層することを特徴とする導電パターン形成基板の製造方法である。 In order to solve the above problems, the present invention proposes the following means.
In the method for producing a conductive pattern-formed substrate of the present invention, a nanowire layer is formed on the substrate by applying a solution in which metal nanowires are dispersed to the outer surface of the substrate, and a solvent is applied from the solution applied on the substrate. After removing at least a part of the substrate and removing at least a part of the solvent, a wiring containing a conductor is laminated on the nanowire layer so as to be in contact with the nanowire layer. It is a manufacturing method.

また、前記溶液は、前記金属ナノワイヤーと水溶性ポリマーと水系溶媒とを含み、前記ナノワイヤー層を前記基板上に形成した後前記配線を積層する前に、前記水系溶媒を蒸発させることが好ましい。   The solution includes the metal nanowires, a water-soluble polymer, and an aqueous solvent, and it is preferable to evaporate the aqueous solvent before forming the wiring after forming the nanowire layer on the substrate. .

また、前記配線が形成された後に、前記ナノワイヤー層と前記配線とをともに絶縁材料によって被覆することが好ましい。   Moreover, it is preferable that both the nanowire layer and the wiring are covered with an insulating material after the wiring is formed.

また、前記ナノワイヤー層の形成後、前記ナノワイヤー層に配置された前記金属ナノワイヤーの一部を前記ナノワイヤー層から除去することにより前記金属ナノワイヤーによる導電パターンを前記ナノワイヤー層に形成することが好ましい。   In addition, after the nanowire layer is formed, a part of the metal nanowire disposed in the nanowire layer is removed from the nanowire layer, thereby forming a conductive pattern of the metal nanowire in the nanowire layer. It is preferable.

本発明の導電パターン形成基板は、基板と、前記基板の外面に設けられ複数の金属ナノワイヤーからなる導電パターンを有するナノワイヤー層と、前記導電パターンに接するように前記ナノワイヤー層に積層された配線と、前記ナノワイヤー層と前記配線とに接し前記ナノワイヤー層と前記配線とをともに被覆するオーバーコートと、を備えることを特徴とする導電パターン形成基板である。   The conductive pattern forming substrate of the present invention was laminated on the nanowire layer so as to be in contact with the substrate, the nanowire layer provided on the outer surface of the substrate, and having a conductive pattern made of a plurality of metal nanowires. A conductive pattern forming substrate comprising: a wiring; and an overcoat that contacts the nanowire layer and the wiring and covers the nanowire layer and the wiring together.

また、前記金属ナノワイヤーは、接着手段によって前記基板の外面に付着し、且つ前記オーバーコート内に少なくとも一部が埋め込まれていることが好ましい。   Moreover, it is preferable that the said metal nanowire adheres to the outer surface of the said board | substrate by the adhesion | attachment means, and at least one part is embedded in the said overcoat.

本発明の導電パターン形成基板の製造方法によれば、他の配線に接続する場合における接触抵抗が低減された導電パターン形成基板を製造することができる。
また、本発明の導電パターン形成基板によれば、他の配線との接触抵抗が低減されているので、電気抵抗が低く確実に導通された回路とすることができる。 According to the method for manufacturing a conductive pattern forming substrate of the present invention, it is possible to manufacture a conductive pattern forming substrate with reduced contact resistance when connecting to another wiring.
Further, according to the conductive pattern forming substrate of the present invention, since the contact resistance with other wiring is reduced, it is possible to make a circuit that has a low electrical resistance and is reliably conducted.

本発明の第１実施形態の導電パターン形成基板を示す模式的な平面図である。It is a typical top view which shows the conductive pattern formation board | substrate of 1st Embodiment of this invention. 図１のＡ−Ａ線における断面図である。It is sectional drawing in the AA of FIG. 同実施形態の導電パターン形成基板の製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of the conductive pattern formation board | substrate of the embodiment. 同製造方法における一部のステップを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a part of step in the manufacturing method. 同製造方法における一部のステップを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a part of step in the manufacturing method. 同製造方法における一部のステップを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a part of step in the manufacturing method. 同製造方法における一部のステップを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a part of step in the manufacturing method. （ａ）は、金属ナノワイヤーが設けられた一般的な半製品の断面図である。（ｂ）は、一般的な半製品を使用したときの金属ナノワイヤーと他の配線との接続状態を示す図である。(A) is sectional drawing of the general semi-finished product in which the metal nanowire was provided. (B) is a figure which shows the connection state of metal nanowire and another wiring when a general semi-finished product is used. 本実施形態の導電パターン形成基板における金属ナノワイヤーと配線との接続状態を示す図である。It is a figure which shows the connection state of the metal nanowire and wiring in the conductive pattern formation board | substrate of this embodiment. 本発明の第２実施形態の導電パターン形成基板の製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of the conductive pattern formation board | substrate of 2nd Embodiment of this invention. 同実施形態の変形例の導電パターン形成基板の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the conductive pattern formation board | substrate of the modification of the embodiment.

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態の導電パターン形成基板の製造方法および導電パターン形成基板について説明する。
まず、本実施形態の導電パターン形成基板の構成について説明する。図１は、本実施形態の導電パターン形成基板を示す平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線における断面図である。なお、図１においては、導電パターン形成基板の外観形状に加えて、導電パターン形成基板の内部構造物の一部も実線で示している。
図１及び図２に示すように、導電パターン形成基板１は、基板２と、ナノワイヤー層４と、配線７と、オーバーコート８と、粘着剤層９と、カバーフィルム１０とを備える。 (First embodiment)
A manufacturing method of a conductive pattern formation substrate and a conductive pattern formation substrate of a 1st embodiment of the present invention are explained.
First, the configuration of the conductive pattern forming substrate of this embodiment will be described. FIG. 1 is a plan view showing a conductive pattern forming substrate of the present embodiment. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. In FIG. 1, in addition to the external shape of the conductive pattern forming substrate, a part of the internal structure of the conductive pattern forming substrate is also shown by a solid line.
As shown in FIGS. 1 and 2, the conductive pattern forming substrate 1 includes a substrate 2, a nanowire layer 4, a wiring 7, an overcoat 8, an adhesive layer 9, and a cover film 10.

基板２は、板材、フィルム、シート、または膜によって形成されており、絶縁性を有する。本実施形態では、基板２は、ポリエチレンテレフタレートのシートが採用されている。なお、基材２の材料としては、ポリエチレンテレフタレートの他に、ポリカーボネート、ＰＥＮ、アクリル樹脂、シクロオレフィンポリマーなどを採用することができる。
基板２の厚さ方向の一方の面２ａ上には、基板２と他の部材との接着性を高めるためのアンダーコート３が設けられている。アンダーコート３は、絶縁材料からなる。 The board | substrate 2 is formed with the board | plate material, the film, the sheet | seat, or the film | membrane, and has insulation. In the present embodiment, the substrate 2 is a polyethylene terephthalate sheet. In addition, as a material of the base material 2, polycarbonate, PEN, an acrylic resin, a cycloolefin polymer, etc. other than a polyethylene terephthalate can be employ | adopted.
On one surface 2 a in the thickness direction of the substrate 2, an undercoat 3 is provided for improving the adhesion between the substrate 2 and another member. The undercoat 3 is made of an insulating material.

ナノワイヤー層４は、複数の金属ナノワイヤーが回路パターンをなして配置された導電パターン５と、金属ナノワイヤーが取り除かれていることにより絶縁性となっている絶縁部６とを有する。   The nanowire layer 4 has a conductive pattern 5 in which a plurality of metal nanowires are arranged in a circuit pattern, and an insulating portion 6 that is insulative by removing the metal nanowires.

導電パターン５は、基板２の外面に設けられた複数の金属ナノワイヤーからなる。本実施形態では、金属ナノワイヤーは、後述する水溶性ポリマーの接着力によってアンダーコート３に接着されている。導電パターン５を構成する金属ナノワイヤーは、例えば長さが数十μｍ程度の微細な金属線材である。金属ナノワイヤーの材料は、銀、金、銅、アルミニウムなど、導電性の高い金属材料であることが好ましい。導電パターン５内において、複数の金属ナノワイヤーは略均一に分散されている。複数の金属ナノワイヤーは、隣接する金属ナノワイヤーと接しており、隣接する金属ナノワイヤーと電気的に接続されている。   The conductive pattern 5 is composed of a plurality of metal nanowires provided on the outer surface of the substrate 2. In this embodiment, the metal nanowire is bonded to the undercoat 3 by the adhesive force of a water-soluble polymer described later. The metal nanowire constituting the conductive pattern 5 is a fine metal wire having a length of about several tens of μm, for example. The material of the metal nanowire is preferably a highly conductive metal material such as silver, gold, copper, or aluminum. In the conductive pattern 5, the plurality of metal nanowires are distributed substantially uniformly. The plurality of metal nanowires are in contact with adjacent metal nanowires and are electrically connected to the adjacent metal nanowires.

絶縁部６は、導電パターン５の周囲に設けられており、導電パターン５を構成する各線間を絶縁している。   The insulating portion 6 is provided around the conductive pattern 5 and insulates between the lines constituting the conductive pattern 5.

配線７は、導電パターン５に接するようにナノワイヤー層４に積層されている。本実施形態では、配線７は複数設けられており、各配線７の一端は導電パターン５にそれぞれ接続され、配線７の他端は基板２の周縁部へと延びている。各配線７の他端は、基板２の周縁部において整列され、ＺＩＦコネクタ等に接続可能な端子となっている。
また、配線７の材料としては、金属粒子を含有するペースト、カーボンペースト、金属薄膜等、あるいはＩＴＯや導電性ポリマーなどからなる薄膜等を採用することができる。金属粒子、金属薄膜の材料は、銀、金、銅、アルミニウムなどを用いることができる。 The wiring 7 is laminated on the nanowire layer 4 so as to be in contact with the conductive pattern 5. In the present embodiment, a plurality of wirings 7 are provided, one end of each wiring 7 is connected to the conductive pattern 5, and the other end of the wiring 7 extends to the peripheral edge of the substrate 2. The other end of each wiring 7 is aligned at the peripheral edge of the substrate 2 and serves as a terminal that can be connected to a ZIF connector or the like.
As the material of the wiring 7, a paste containing metal particles, a carbon paste, a metal thin film, or the like, or a thin film made of ITO or a conductive polymer can be employed. Silver, gold, copper, aluminum, or the like can be used as the material for the metal particles and the metal thin film.

オーバーコート８は、所定の処理により硬化する樹脂材料によって形成されており、絶縁性を有する。オーバーコート８の材料としては、紫外線硬化樹脂や接着剤などを採用することができる。本実施形態では、オーバーコート８の材料は、紫外線硬化型アクリル系樹脂である。オーバーコート８は、ナノワイヤー層４と配線７とに接し、ナノワイヤー層４と配線７とをともに被覆している。また、導電パターン５を形成する金属ナノワイヤーは、オーバーコート８内に埋め込まれている。   The overcoat 8 is formed of a resin material that is cured by a predetermined treatment, and has an insulating property. As a material for the overcoat 8, an ultraviolet curable resin, an adhesive, or the like can be used. In this embodiment, the material of the overcoat 8 is an ultraviolet curable acrylic resin. The overcoat 8 is in contact with the nanowire layer 4 and the wiring 7 and covers both the nanowire layer 4 and the wiring 7. The metal nanowires that form the conductive pattern 5 are embedded in the overcoat 8.

粘着剤層９は、粘着性を有する層であり、オーバーコート８にカバーフィルム１０を付着させて保持するために設けられている。本実施形態では、粘着剤層９は、アクリル系粘着剤によって構成されている。   The pressure-sensitive adhesive layer 9 is a layer having adhesiveness, and is provided for attaching and holding the cover film 10 to the overcoat 8. In the present embodiment, the pressure-sensitive adhesive layer 9 is composed of an acrylic pressure-sensitive adhesive.

カバーフィルム１０は、板材、フィルム、シート、または膜によって形成されている。本実施形態では、カバーフィルム１０は、ポリエチレンテレフタレートによって形成されている。なお、カバーフィルム１０の材料としては、ポリエチレンテレフタレートの他に、ポリカーボネート、ＰＥＮ、アクリル樹脂、シクロオレフィンポリマーなどを採用することができる。   The cover film 10 is formed of a plate material, a film, a sheet, or a film. In the present embodiment, the cover film 10 is made of polyethylene terephthalate. As a material for the cover film 10, polycarbonate, PEN, acrylic resin, cycloolefin polymer, and the like can be used in addition to polyethylene terephthalate.

本実施形態では、基板２、ナノワイヤー層４、オーバーコート８、粘着剤層９、およびカバーフィルム１０は、光透過性を有する。これにより、導電パターン形成基板１は、配線７が設けられた部分を除き、厚さ方向への光透過性を有している。なお、配線７として光透過性を有する構成が採用されている場合には、導電パターン形成基板１は全体として厚さ方向への光透過性を有する。   In the present embodiment, the substrate 2, the nanowire layer 4, the overcoat 8, the pressure-sensitive adhesive layer 9, and the cover film 10 have light transmittance. Thereby, the conductive pattern formation board | substrate 1 has the light transmittance to the thickness direction except the part in which the wiring 7 was provided. In addition, when the structure which has a light transmittance is employ | adopted as the wiring 7, the conductive pattern formation board | substrate 1 has the light transmittance to the thickness direction as a whole.

次に、本実施形態の導電パターン形成基板の製造方法について、上述の導電パターン形成基板１を製造する例を用いて説明する。図３は、本実施形態の導電パターン形成基板の製造方法を示すフローチャートである。図４ないし図７は、本実施形態の導電パターン形成基板の製造方法における各ステップを示す説明図である。   Next, the manufacturing method of the conductive pattern formation board | substrate of this embodiment is demonstrated using the example which manufactures the above-mentioned conductive pattern formation board | substrate 1. FIG. FIG. 3 is a flowchart showing the method for manufacturing the conductive pattern forming substrate of the present embodiment. 4 to 7 are explanatory views showing respective steps in the method of manufacturing the conductive pattern forming substrate of the present embodiment.

まず、図４に示すように、基板２の外面のうち厚さ方向の一方の面のアンダーコート３表面に、金属ナノワイヤーが分散された溶液４ａを塗布する（図３に示すステップＳ１）。本実施形態では、金属ナノワイヤーが分散された溶液４ａは、金属ナノワイヤーと水溶性ポリマーと水系溶媒とを含む。
ステップＳ１では、図４に示すように、金属ナノワイヤーが分散された溶液４ａを基板２の外面にベタ塗りする。金属ナノワイヤーが分散された溶液４ａは、基板２の外面のうち厚さ方向の一方の面の全体に均一に塗布された状態となる。金属ナノワイヤーが分散された溶液４ａを基板２の外面に塗布することにより、基板２上にはナノワイヤー層４が形成される。
これでステップＳ１は終了し、ステップＳ２へ進む。 First, as shown in FIG. 4, a solution 4a in which metal nanowires are dispersed is applied to the surface of the undercoat 3 on one surface in the thickness direction of the outer surface of the substrate 2 (step S1 shown in FIG. 3). In this embodiment, the solution 4a in which metal nanowires are dispersed includes metal nanowires, a water-soluble polymer, and an aqueous solvent.
In step S1, the solution 4a in which the metal nanowires are dispersed is solidly applied to the outer surface of the substrate 2 as shown in FIG. The solution 4a in which the metal nanowires are dispersed is in a state of being uniformly applied to one entire surface in the thickness direction among the outer surfaces of the substrate 2. The nanowire layer 4 is formed on the substrate 2 by applying the solution 4 a in which the metal nanowires are dispersed on the outer surface of the substrate 2.
Step S1 is complete | finished now and it progresses to step S2.

ステップＳ２は、基板２上に塗布された溶液４ａから溶媒の少なくとも一部を除去するステップである。
ステップＳ２では、金属ナノワイヤーが分散された溶液４ａが塗布された基板２を乾燥させ、溶液４ａに含まれる水系溶媒を蒸発させる。これにより、金属ナノワイヤーと水溶性ポリマーとが基板２上に残留し、水溶性ポリマーによって金属ナノワイヤーが基板２に付着する。
これでステップＳ２は終了し、ステップＳ３へ進む。 Step S2 is a step of removing at least a part of the solvent from the solution 4a applied on the substrate 2.
In step S2, the substrate 2 coated with the solution 4a in which the metal nanowires are dispersed is dried, and the aqueous solvent contained in the solution 4a is evaporated. Thereby, metal nanowire and water-soluble polymer remain on the substrate 2, and the metal nanowire adheres to the substrate 2 by the water-soluble polymer.
Step S2 is complete | finished now and it progresses to step S3.

ステップＳ３は、ナノワイヤー層４と接するようにナノワイヤー層４に配線７を積層するステップである。
ステップＳ３では、図５に示すように、公知の方法を用いて配線７をナノワイヤー層４に積層する。例えば、配線７として金属ペーストやカーボンペーストなどを採用する場合には、スクリーン印刷等の印刷法を用いてパターンをナノワイヤー層４上に形成する。そして、ナノワイヤー層４上に形成された金属ペーストやカーボンペーストなどを焼成して固化させる。また、金属薄膜を採用する場合には、金属原子をナノワイヤー層４上に積層させた後にエッチング等によってパターン形成したり、金属薄膜をナノワイヤー層４上に接着させたりすることができる。
金属ペーストやカーボンペーストをナノワイヤー層４上に印刷した場合には、ナノワイヤー層４に設けられた金属ナノワイヤーは金属ペーストやカーボンペースト内に埋め込まれる。これにより、金属ペーストやカーボンペーストに含まれる導体の粒子に金属ナノワイヤーが接触し、導通状態となる。
なお、配線７を形成する方法はこれらには限られず、公知の方法を適宜採用することができる。
これでステップＳ３は終了し、ステップＳ４へ進む。 Step S3 is a step of laminating the wiring 7 on the nanowire layer 4 so as to be in contact with the nanowire layer 4.
In step S3, as shown in FIG. 5, the wiring 7 is laminated on the nanowire layer 4 using a known method. For example, when a metal paste or carbon paste is used as the wiring 7, a pattern is formed on the nanowire layer 4 using a printing method such as screen printing. And the metal paste, carbon paste, etc. which were formed on the nanowire layer 4 are baked and solidified. When a metal thin film is employed, metal atoms can be laminated on the nanowire layer 4 and then patterned by etching or the like, or the metal thin film can be adhered on the nanowire layer 4.
When a metal paste or carbon paste is printed on the nanowire layer 4, the metal nanowire provided in the nanowire layer 4 is embedded in the metal paste or carbon paste. Thereby, metal nanowire contacts the particle | grains of the conductor contained in metal paste or carbon paste, and it will be in a conduction | electrical_connection state.
In addition, the method of forming the wiring 7 is not limited to these, and a known method can be appropriately employed.
Step S3 is complete | finished now and it progresses to step S4.

ステップＳ４は、オーバーコート８を形成するステップである。
ステップＳ４では、図６に示すように、配線７が積層されたナノワイヤー層４上に、紫外線硬化型アクリル系樹脂を塗布する。さらに、塗布された紫外線硬化型アクリル系樹脂に紫外線を照射して紫外線硬化型アクリル系樹脂を硬化させる。これにより、ナノワイヤー層４と配線７とをともに被覆する絶縁材料からなる層が形成され、オーバーコート８となる。
これでステップＳ４は終了し、ステップＳ５へ進む。 Step S4 is a step of forming the overcoat 8.
In step S4, as shown in FIG. 6, an ultraviolet curable acrylic resin is applied on the nanowire layer 4 on which the wiring 7 is laminated. Further, the applied ultraviolet curable acrylic resin is irradiated with ultraviolet rays to cure the ultraviolet curable acrylic resin. Thereby, a layer made of an insulating material that covers both the nanowire layer 4 and the wiring 7 is formed, and the overcoat 8 is formed.
Step S4 is complete | finished now and it progresses to step S5.

ステップＳ５は、導電パターン５を形成するステップである。
ステップＳ５では、図７に示すように、レーザー光をオーバーコート８を介してナノワイヤー層４に照射する。これにより、ナノワイヤー層４では、レーザー光が照射された部分に位置する金属ナノワイヤーが崩壊し、ワイヤー状であった金属ナノワイヤーはナノワイヤー層４から除去される。これにより、レーザー光が照射された部分では、金属ナノワイヤー同士の接触がなくなるため、導電性が消失する。すなわち、レーザー光が照射された部分が絶縁部６となり、残りが導電パターン５となる。なお、レーザー光が照射されなかった部分が全て配線７として利用される必要はなく、例えばノイズに対するシールドとなる電気的に浮いた状態のパターンがナノワイヤー層４内に設けられていてもよい。
なお、基板２の材質を適宜選択することにより、基板２を介してレーザー光をナノワイヤー層４に照射することもできる。この場合、厚さ方向で配線７と重なった位置にある金属ナノワイヤーを除去することができる。
これでステップＳ５は終了し、ステップＳ６へ進む。 Step S5 is a step of forming the conductive pattern 5.
In step S <b> 5, the nanowire layer 4 is irradiated with laser light through the overcoat 8 as shown in FIG. 7. Thereby, in the nanowire layer 4, the metal nanowire located in the part irradiated with the laser beam collapses, and the metal nanowire that is in the form of a wire is removed from the nanowire layer 4. Thereby, in the part irradiated with the laser beam, since the contact between the metal nanowires is lost, the conductivity is lost. That is, the portion irradiated with the laser light becomes the insulating portion 6, and the rest becomes the conductive pattern 5. In addition, it is not necessary to use all the portions not irradiated with the laser light as the wiring 7. For example, an electrically floating pattern that serves as a shield against noise may be provided in the nanowire layer 4.
Note that the nanowire layer 4 can be irradiated through the substrate 2 by appropriately selecting the material of the substrate 2. In this case, the metal nanowire located at the position overlapping the wiring 7 in the thickness direction can be removed.
Step S5 is complete | finished now and it progresses to step S6.

ステップＳ６は、粘着剤層９およびカバーフィルム１０を形成するステップである。
ステップＳ６では、厚さ方向の一方の面に粘着剤が塗布されたカバーフィルム１０を、粘着剤がオーバーコート８に接する状態でオーバーコート８に貼り付ける（図２参照）。
カバーフィルム１０が貼り付けられることにより、配線７や導電パターン５は外力から保護される。
これでステップＳ６は終了する。 Step S <b> 6 is a step of forming the pressure-sensitive adhesive layer 9 and the cover film 10.
In step S6, the cover film 10 with the adhesive applied to one surface in the thickness direction is attached to the overcoat 8 with the adhesive in contact with the overcoat 8 (see FIG. 2).
By attaching the cover film 10, the wiring 7 and the conductive pattern 5 are protected from external force.
This ends step S6.

次に、本実施形態の導電パターン形成基板１の作用について説明する。図８（ａ）は、金属ナノワイヤーが設けられた一般的な半製品の断面図である。図８（ｂ）は、一般的な半製品を使用したときの金属ナノワイヤーと他の配線７との接続状態を示す図である。図９は、本実施形態の導電パターン形成基板１における金属ナノワイヤーと配線７との接続状態を示す図である。   Next, the operation of the conductive pattern forming substrate 1 of the present embodiment will be described. FIG. 8A is a cross-sectional view of a general semi-finished product provided with metal nanowires. FIG. 8B is a diagram showing a connection state between the metal nanowire and the other wiring 7 when a general semi-finished product is used. FIG. 9 is a diagram showing a connection state between the metal nanowires and the wiring 7 in the conductive pattern forming substrate 1 of the present embodiment.

一般的に、金属ナノワイヤーの回路パターンを有する配線基板を製造する場合には、基板１０２上のアンダーコート１０３に金属ナノワイヤーＮＷがベタ塗りされた半製品１０１（図８（ａ）参照）を使用する。しかしながら、当該半製品１０１には、金属ナノワイヤーＮＷが基板１０２から脱落するのを防止する目的で、金属ナノワイヤーＮＷを覆う保護層１０８が設けられている。保護層１０８が設けられたこのような半製品１０１から保護層１０８のみを除去することは困難である。このため、金属ナノワイヤーＮＷに他の配線１０７を接続する場合には、図８（ｂ）に示すように、保護層１０８を貫通して保護層１０８の表面から露出した金属ナノワイヤーＮＷの一部に、他の配線１０７を接続するようになっていた。   Generally, when manufacturing a wiring board having a metal nanowire circuit pattern, a semi-finished product 101 (see FIG. 8A) in which the metal nanowire NW is solid-coated on the undercoat 103 on the substrate 102 is used. use. However, the semi-finished product 101 is provided with a protective layer 108 that covers the metal nanowires NW in order to prevent the metal nanowires NW from falling off the substrate 102. It is difficult to remove only the protective layer 108 from such a semi-finished product 101 provided with the protective layer 108. For this reason, when another wiring 107 is connected to the metal nanowire NW, as shown in FIG. 8B, one of the metal nanowires NW that penetrates the protective layer 108 and is exposed from the surface of the protective layer 108. Another wiring 107 was connected to the part.

また、金属ナノワイヤーＮＷは、基板１０２上で整列して配置されるのではなく、不規則に分散している。上記一般的な半製品１０１では、金属ナノワイヤーＮＷが保護層１０８の外面にどのくらい露出されているかを制御することは困難である。このため、金属ナノワイヤーＮＷと他の配線１０７との導通不良が発生する可能性があった。   Further, the metal nanowires NW are not arranged in alignment on the substrate 102 but are irregularly dispersed. In the general semi-finished product 101, it is difficult to control how much the metal nanowire NW is exposed on the outer surface of the protective layer 108. For this reason, there is a possibility that poor conduction between the metal nanowire NW and the other wiring 107 may occur.

これに対して、本実施形態の導電パターン形成基板の製造方法では、上述の保護層に相当する層を形成する前に金属ナノワイヤーと他の配線７とを接続するようになっている。このため、図９に示すように、金属ナノワイヤーＮＷと他の配線７との接触面積が上記一般的な半製品よりも広い。その結果、金属ナノワイヤーＮＷと他の配線７との間で電気が流れる経路が多く、接触抵抗が低い。   On the other hand, in the manufacturing method of the conductive pattern formation board of this embodiment, metal nanowire and other wiring 7 are connected before forming the layer equivalent to the above-mentioned protective layer. For this reason, as shown in FIG. 9, the contact area of the metal nanowire NW and the other wiring 7 is wider than the said general semi-finished product. As a result, there are many paths through which electricity flows between the metal nanowire NW and the other wiring 7, and the contact resistance is low.

また、水溶性ポリマーを含有する水系溶媒に金属ナノワイヤーＮＷが分散されており、水系溶媒を蒸発させたあとには、金属ナノワイヤーＮＷの外面には配線７を接触させることができる面が多く残されている   Further, the metal nanowires NW are dispersed in an aqueous solvent containing a water-soluble polymer, and after the aqueous solvent is evaporated, there are many surfaces on which the wiring 7 can be brought into contact with the outer surface of the metal nanowires NW. Left

以上説明したように、本実施形態の導電パターン形成基板の製造方法によれば、金属ナノワイヤーＮＷと他の配線７との接触抵抗を低減することができる。   As described above, according to the manufacturing method of the conductive pattern forming substrate of the present embodiment, the contact resistance between the metal nanowire NW and the other wiring 7 can be reduced.

そして、このように接触抵抗が低減された導電パターン形成基板１によれば、金属ナノワイヤーＮＷと他の配線７との接触不良が起こる可能性を低く抑えることができる。また、たとえば導電パターン形成基板１がタッチパネルとして使用された場合には、回路全体の電気抵抗を低く抑えることができるので、検出精度を高めることができる。   And according to the conductive pattern formation board | substrate 1 with which contact resistance was reduced in this way, the possibility that the contact failure with the metal nanowire NW and the other wiring 7 will occur can be restrained low. For example, when the conductive pattern forming substrate 1 is used as a touch panel, the electrical resistance of the entire circuit can be kept low, so that the detection accuracy can be increased.

また、配線７が形成された後に、ナノワイヤー層４と配線７とをともにオーバーコート８によって被覆するので、金属ナノワイヤーＮＷがオーバーコート８内に埋め込まれた状態となる。このため、基板２上に付着した金属ナノワイヤーＮＷが脱落しにくい。   In addition, since the nanowire layer 4 and the wiring 7 are both covered with the overcoat 8 after the wiring 7 is formed, the metal nanowires NW are embedded in the overcoat 8. For this reason, the metal nanowires NW adhering to the substrate 2 are difficult to drop off.

また、ベタ塗りによってナノワイヤー層４を基板２上に形成した後に金属ナノワイヤーＮＷの一部をナノワイヤー層４から除去して絶縁部６とするので、所望の導電パターン５の形状を容易に形成することができる。
また、レーザーを用いて金属ナノワイヤーＮＷを除去するので、微細なパターンを有する導電パターン５をナノワイヤー層４内に形成することができる。 Further, after the nanowire layer 4 is formed on the substrate 2 by solid coating, a part of the metal nanowire NW is removed from the nanowire layer 4 to form the insulating portion 6, so that the desired conductive pattern 5 can be easily shaped. Can be formed.
Moreover, since the metal nanowire NW is removed using a laser, the conductive pattern 5 having a fine pattern can be formed in the nanowire layer 4.

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態の導電パターン形成基板の製造方法及び導電パターン形成基板について説明する。図１０は、本実施形態の導電パターン形成基板の製造方法を示すフローチャートである。なお、本実施形態の製造方法により形成される導電パターン形成基板の形状は上記第１実施形態で説明した導電パターン形成基板１と同様であるので、図示を省略する。 (Second Embodiment)
Next, the manufacturing method of the conductive pattern formation board | substrate and conductive pattern formation board | substrate of 2nd Embodiment of this invention are demonstrated. FIG. 10 is a flowchart showing the method for manufacturing the conductive pattern forming substrate of this embodiment. In addition, since the shape of the conductive pattern formation board | substrate formed by the manufacturing method of this embodiment is the same as that of the conductive pattern formation board | substrate 1 demonstrated in the said 1st Embodiment, illustration is abbreviate | omitted.

本実施形態では、ナノワイヤー層４に導電パターン５を形成するタイミングが上述の第１実施形態と異なっている。
すなわち、図９に示すように、基板２上にナノワイヤー層４が形成されナノワイヤー層４の水系溶媒を蒸発させたあと、配線７及びオーバーコート８が形成される前に、導電パターン５をナノワイヤー層４に形成する（ステップＳ１０）。 In this embodiment, the timing which forms the conductive pattern 5 in the nanowire layer 4 differs from the above-mentioned 1st Embodiment.
That is, as shown in FIG. 9, after the nanowire layer 4 is formed on the substrate 2 and the aqueous solvent of the nanowire layer 4 is evaporated, the conductive pattern 5 is formed before the wiring 7 and the overcoat 8 are formed. It forms in the nanowire layer 4 (step S10).

配線７及びオーバーコート８は、導電パターン５がナノワイヤー層４に形成された後、上述の第１実施形態と同様の方法によって形成される。   The wiring 7 and the overcoat 8 are formed by the same method as in the first embodiment after the conductive pattern 5 is formed on the nanowire layer 4.

このような構成であっても、第１実施形態と同様の効果を奏する。
また、オーバーコート８がナノワイヤー層４に積層される前に導電パターン５の形成を行なうので、オーバーコート８の種類によらずナノワイヤー層４に好適に絶縁部６を形成することができる。また、レーザーを用いて導電パターン５を形成する場合に、本実施形態ではオーバーコート８を介することなくレーザーをナノワイヤー層４に当てることができる。このため、レーザーの出力を低く抑えても好適に絶縁部６を形成することができる。 Even with such a configuration, the same effects as those of the first embodiment can be obtained.
In addition, since the conductive pattern 5 is formed before the overcoat 8 is laminated on the nanowire layer 4, the insulating portion 6 can be suitably formed on the nanowire layer 4 regardless of the type of the overcoat 8. Further, when the conductive pattern 5 is formed using a laser, in the present embodiment, the laser can be applied to the nanowire layer 4 without using the overcoat 8. For this reason, the insulating part 6 can be suitably formed even if the output of the laser is kept low.

（変形例）
次に、上述の第２実施形態で説明した導電パターン形成基板の製造方法及び導電パターン形成基板の変形例について説明する。図１１は、本変形例の導電パターン形成基板を示す断面図であり、図１のＡ−Ａ線による断面と同様の断面を示している。 (Modification)
Next, the manufacturing method of the conductive pattern formation board | substrate demonstrated in the above-mentioned 2nd Embodiment and the modification of a conductive pattern formation board | substrate are demonstrated. FIG. 11 is a cross-sectional view showing a conductive pattern forming substrate according to this modification, and shows a cross section similar to that taken along the line AA of FIG.

図１１に示すように、本変形例の導電パターン形成基板１Ａは、上述の第１実施形態及び第２実施形態で説明したオーバーコート８に代えて、形状が異なるオーバーコート８Ａを備える。すなわち、導電パターン形成基板１Ａは、粘着剤層９及びカバーフィルム１０を備えておらず、オーバーコート８に代えてオーバーコート８Ａが導電パターン形成基板１Ａの最外層を構成している。   As shown in FIG. 11, the conductive pattern forming substrate 1 </ b> A of this modification includes an overcoat 8 </ b> A having a different shape instead of the overcoat 8 described in the first embodiment and the second embodiment. That is, the conductive pattern forming substrate 1A does not include the adhesive layer 9 and the cover film 10, and the overcoat 8A constitutes the outermost layer of the conductive pattern forming substrate 1A instead of the overcoat 8.

オーバーコート８Ａは、紫外線硬化型アクリル系樹脂によって構成されており、オーバーコート８Ａの上面は平滑に形成されている。
このような構成であっても、上述の実施形態で説明した導電パターン形成基板１と同様の効果を奏する。 The overcoat 8A is made of an ultraviolet curable acrylic resin, and the upper surface of the overcoat 8A is formed smoothly.
Even with such a configuration, the same effects as those of the conductive pattern forming substrate 1 described in the above-described embodiment can be obtained.

また、接着層及びカバーフィルム１０が設けられていなくてもオーバーコート８Ａによってカバーフィルム１０と同等の保護をすることができる。これにより、導電パターン形成基板の部品点数および製造時の工数を減らすことができる。   Further, even if the adhesive layer and the cover film 10 are not provided, the overcoat 8A can provide the same protection as the cover film 10. Thereby, the number of parts of a conductive pattern formation board and the man-hour at the time of manufacture can be reduced.

以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
また、上述の各実施形態及び変形例において示した構成要素は適宜に組み合わせて構成することが可能である。 As mentioned above, although embodiment of this invention was explained in full detail with reference to drawings, the concrete structure is not restricted to this embodiment, The design change etc. of the range which does not deviate from the summary of this invention are included.
In addition, the constituent elements shown in the above embodiments and modifications can be combined as appropriate.

１、１Ａ 導電パターン形成基板
２ 基板
３ アンダーコート
４ ナノワイヤー層
５ 導電パターン
６ 絶縁部
７ 配線
８、８Ａ オーバーコート
９ 粘着剤層
１０ カバーフィルム
ＮＷ 金属ナノワイヤー 1, 1A conductive pattern forming substrate 2 substrate 3 undercoat 4 nanowire layer 5 conductive pattern 6 insulating part 7 wiring 8, 8A overcoat 9 adhesive layer 10 cover film NW metal nanowire

Claims (6)

金属ナノワイヤーが分散された溶液を基板の外面に塗布することによりナノワイヤー層を前記基板上に形成し、
前記基板上に塗布された溶液から溶媒の少なくとも一部を除去し、
前記溶媒の少なくとも一部を除去した後、導体を含有する配線を前記ナノワイヤー層と接するように前記ナノワイヤー層に積層する
ことを特徴とする導電パターン形成基板の製造方法。 A nanowire layer is formed on the substrate by applying a solution in which metal nanowires are dispersed to the outer surface of the substrate,
Removing at least a portion of the solvent from the solution applied on the substrate;
After removing at least a part of the solvent, a wiring containing a conductor is laminated on the nanowire layer so as to be in contact with the nanowire layer. 請求項１に記載の導電パターン形成基板の製造方法であって、
前記溶液は、前記金属ナノワイヤーと水溶性ポリマーと水系溶媒とを含み、
前記ナノワイヤー層を前記基板上に形成した後前記配線を積層する前に、前記水系溶媒を蒸発させる
ことを特徴とする導電パターン形成基板の製造方法。 It is a manufacturing method of the conductive pattern formation board according to claim 1,
The solution includes the metal nanowire, a water-soluble polymer, and an aqueous solvent,
A method for producing a conductive pattern-formed substrate, comprising: evaporating the aqueous solvent after forming the nanowire layer on the substrate and before laminating the wiring. 請求項２に記載の導電パターン形成基板の製造方法であって、
前記配線が形成された後に、前記ナノワイヤー層と前記配線とをともに絶縁材料によって被覆することを特徴とする導電パターン形成基板の製造方法。 It is a manufacturing method of the conductive pattern formation board according to claim 2,
After the wiring is formed, the nanowire layer and the wiring are both covered with an insulating material. 請求項３に記載の導電パターン形成基板の製造方法であって、
前記ナノワイヤー層の形成後、前記ナノワイヤー層に配置された前記金属ナノワイヤーの一部を前記ナノワイヤー層から除去することにより前記金属ナノワイヤーによる導電パターンを前記ナノワイヤー層に形成することを特徴とする導電パターン形成基板の製造方法。 It is a manufacturing method of the conductive pattern formation board according to claim 3,
After forming the nanowire layer, removing a part of the metal nanowire arranged in the nanowire layer from the nanowire layer to form a conductive pattern by the metal nanowire in the nanowire layer. A method for producing a conductive pattern forming substrate. 基板と、
前記基板の外面に設けられ複数の金属ナノワイヤーからなる導電パターンを有するナノワイヤー層と、
前記導電パターンに接するように前記ナノワイヤー層に積層された配線と、
前記ナノワイヤー層と前記配線とに接し前記ナノワイヤー層と前記配線とをともに被覆するオーバーコートと、
を備えることを特徴とする導電パターン形成基板。 A substrate,
A nanowire layer having a conductive pattern formed of a plurality of metal nanowires provided on the outer surface of the substrate;
Wiring laminated on the nanowire layer so as to be in contact with the conductive pattern;
An overcoat that contacts the nanowire layer and the wiring and covers the nanowire layer and the wiring together;
A conductive pattern forming substrate comprising: 請求項５に記載の導電パターン形成基板であって、
前記金属ナノワイヤーは、接着手段によって前記基板の外面に付着し、且つ前記オーバーコート内に少なくとも一部が埋め込まれていることを特徴とする導電パターン形成基板。 The conductive pattern forming substrate according to claim 5,
The conductive pattern-formed substrate, wherein the metal nanowire is attached to an outer surface of the substrate by an adhesive means and at least a part of the metal nanowire is embedded in the overcoat.

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