JP2013059808A - レーザ加工装置 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 66
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 140
- 238000010128 melt processing Methods 0.000 claims description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 60
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 59
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 59
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 38
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 28
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 15
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 13
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 11
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 101100008049 Caenorhabditis elegans cut-5 gene Proteins 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
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- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
- B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
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- C03B33/00—Severing cooled glass
- C03B33/02—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
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- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
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- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
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- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Abstract
【解決手段】レーザ加工装置は、表面3及び裏面21を備える板状の加工対象物1の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することで、加工対象物1の切断予定ライン5に沿って、切断の起点となる改質領域を加工対象物1の内部に形成する。レーザ加工装置は、裏面21からレーザ光を入射し、切断予定ライン5に沿って、加工対象物1の厚さ方向に並ぶ溶融処理領域131,132を形成する。その後に、裏面21から前記レーザ光を入射し且つ溶融処理領域131もしくは溶融処理領域132の何れかを通過させることで、切断予定ライン5に沿って、溶融処理領域131,132間に位置する溶融処理領域133を形成すると共に、溶融処理領域133を形成する際、少なくとも溶融処理領域131,132間に渡る割れ24を発生させる。
【選択図】図22
Description
また、第1の改質領域及び第2の改質領域を形成する際においては、一方の表面からレーザ光を入射して切断予定ラインに沿って、第1の改質領域を形成し、第1の改質領域を形成した後に、一方の表面からレーザ光を入射して切断予定ラインに沿って、第1の改質領域と他方の表面との間に位置する第2の改質領域を形成することが好ましい。
また、加工対象物の一方の表面又は他方の表面にエキスパンドテープを貼り付ける手段と、加工対象物が切断予定ラインに沿って切断されるようにエキスパンドテープを拡張する手段と、を含むことが好ましい。
(A)加工対象物:パイレックス(登録商標)ガラス(厚さ700μm)
(B)レーザ
光源:半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ
波長:1064nm
レーザ光スポット断面積:3.14×10−8cm2
発振形態:Qスイッチパルス
繰り返し周波数:100kHz
パルス幅:30ns
出力:出力<1mJ/パルス
レーザ光品質:TEM00
偏光特性:直線偏光
(C)集光用レンズ
レーザ光波長に対する透過率:60パーセント
(D)加工対象物が載置される載置台の移動速度:100mm/秒
(A)加工対象物:シリコンウェハ(厚さ350μm、外径4インチ)
(B)レーザ
光源:半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ
波長:1064nm
レーザ光スポット断面積:3.14×10−8cm2
発振形態:Qスイッチパルス
繰り返し周波数:100kHz
パルス幅:30ns
出力:20μJ/パルス
レーザ光品質:TEM00
偏光特性:直線偏光
(C)集光用レンズ
倍率:50倍
N.A.:0.55
レーザ光波長に対する透過率:60パーセント
(D)加工対象物が載置される載置台の移動速度:100mm/秒
〔第1実施形態〕
〔第2実施形態〕
〔第3実施形態〕
〔第4実施形態〕
Claims (9)
- 一方の表面と前記一方の表面に対向する他方の表面とを備える板状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って、切断の起点となる改質領域を前記加工対象物の内部に形成するレーザ加工装置であって、
前記レーザ光を発振する光源と、
前記加工対象物が載置される載置台と、
前記載置台上の前記加工対象物の内部に、前記光源から発振された前記レーザ光を照射して前記改質領域を形成する手段と、を備え、
前記改質領域を形成する手段は、
前記一方の表面から前記レーザ光を入射して、前記切断予定ラインに沿って、前記加工対象物の厚さ方向に並ぶ第1の改質領域及び第2の改質領域を形成し、
前記第1の改質領域及び第2の改質領域を形成した後に、前記一方の表面から前記レーザ光を入射し且つ前記第1の改質領域もしくは前記第2の改質領域の何れかを通過させることで、前記切断予定ラインに沿って、前記第1の改質領域と前記第2の改質領域との間に位置する第3の改質領域を形成すると共に、
前記第3の改質領域を形成する際、少なくとも前記第1の改質領域と前記第2の改質領域との間に渡る割れを発生させることを特徴とするレーザ加工装置。 - 前記改質領域を形成する手段は、
前記第1の改質領域及び第2の改質領域を形成する際、前記一方の表面から前記レーザ光を入射して、前記切断予定ラインに沿って前記第1の改質領域を形成した後に、前記一方の表面から前記レーザ光を入射して、前記切断予定ラインに沿って、前記第1の改質領域と前記一方の表面との間に位置する前記第2の改質領域を形成することを特徴とする請求項1記載のレーザ加工装置。 - 前記改質領域を形成する手段は、
前記第1の改質領域及び第2の改質領域を形成する際、前記一方の表面から前記レーザ光を入射して、前記切断予定ラインに沿って前記第1の改質領域を形成した後に、前記一方の表面から前記レーザ光を入射して、前記切断予定ラインに沿って、前記第1の改質領域と前記他方の表面との間に位置する前記第2の改質領域を形成することを特徴とする請求項1記載のレーザ加工装置。 - 前記改質領域を形成する手段は、
前記第3の改質領域を形成した後に、前記切断予定ラインに沿って、前記第2の改質領域と前記第3の改質領域との間に位置する第4の改質領域を形成することを特徴とする請求項1〜3の何れか一項記載のレーザ加工装置。 - 前記第3の改質領域は、前記切断予定ラインの略全体に沿って形成されることを特徴とする請求項1〜4の何れか一項記載のレーザ加工装置。
- 前記第3の改質領域は、前記切断予定ラインの一端部分に沿って形成されることを特徴とする請求項1〜5の何れか一項記載のレーザ加工装置。
- 前記第3の改質領域は、前記第1の改質領域及び前記第2の改質領域のうち、前記加工対象物においてレーザ光が入射するレーザ光入射面に近い一方の改質領域側に偏倚するように形成されることを特徴とする請求項1〜6の何れか一項記載のレーザ加工装置。
- 前記加工対象物は半導体基板を備え、前記改質領域は溶融処理領域を含むことを特徴とする請求項1〜7の何れか一項記載のレーザ加工装置。
- 前記改質領域を切断の起点として前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物を切断する手段をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜8の何れか一項記載のレーザ加工装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012236937A JP5702761B2 (ja) | 2006-07-03 | 2012-10-26 | レーザ加工装置 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006183498 | 2006-07-03 | ||
JP2006183498 | 2006-07-03 | ||
JP2006221161 | 2006-08-14 | ||
JP2006221161 | 2006-08-14 | ||
JP2012236937A JP5702761B2 (ja) | 2006-07-03 | 2012-10-26 | レーザ加工装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012062392A Division JP5410561B2 (ja) | 2006-07-03 | 2012-03-19 | チップ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013059808A true JP2013059808A (ja) | 2013-04-04 |
JP5702761B2 JP5702761B2 (ja) | 2015-04-15 |
Family
ID=38543973
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012062392A Active JP5410561B2 (ja) | 2006-07-03 | 2012-03-19 | チップ |
JP2012236937A Active JP5702761B2 (ja) | 2006-07-03 | 2012-10-26 | レーザ加工装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012062392A Active JP5410561B2 (ja) | 2006-07-03 | 2012-03-19 | チップ |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7897487B2 (ja) |
EP (1) | EP1875983B1 (ja) |
JP (2) | JP5410561B2 (ja) |
KR (1) | KR101466392B1 (ja) |
CN (2) | CN102554462B (ja) |
ES (1) | ES2428826T3 (ja) |
TW (2) | TWI485759B (ja) |
Families Citing this family (117)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4659300B2 (ja) * | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法 |
TWI326626B (en) * | 2002-03-12 | 2010-07-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Laser processing method |
CN100485902C (zh) | 2002-03-12 | 2009-05-06 | 浜松光子学株式会社 | 基板的分割方法 |
ATE493226T1 (de) | 2002-03-12 | 2011-01-15 | Hamamatsu Photonics Kk | Verfahren zum schneiden eines bearbeiteten objekts |
TWI520269B (zh) | 2002-12-03 | 2016-02-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Cutting method of semiconductor substrate |
FR2852250B1 (fr) * | 2003-03-11 | 2009-07-24 | Jean Luc Jouvin | Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau |
WO2004080643A1 (ja) * | 2003-03-12 | 2004-09-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | レーザ加工方法 |
EP2269765B1 (en) * | 2003-07-18 | 2014-10-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Cut semiconductor chip |
JP4563097B2 (ja) | 2003-09-10 | 2010-10-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
JP4601965B2 (ja) * | 2004-01-09 | 2010-12-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4598407B2 (ja) * | 2004-01-09 | 2010-12-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4509578B2 (ja) * | 2004-01-09 | 2010-07-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
KR101336523B1 (ko) | 2004-03-30 | 2013-12-03 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 레이저 가공 방법 및 반도체 칩 |
US8604383B2 (en) * | 2004-08-06 | 2013-12-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
JP4762653B2 (ja) * | 2005-09-16 | 2011-08-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4907965B2 (ja) * | 2005-11-25 | 2012-04-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4804911B2 (ja) * | 2005-12-22 | 2011-11-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
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JP5054496B2 (ja) | 2007-11-30 | 2012-10-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP5134928B2 (ja) | 2007-11-30 | 2013-01-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物研削方法 |
JP5241525B2 (ja) | 2009-01-09 | 2013-07-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
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2007
- 2007-07-02 US US11/822,151 patent/US7897487B2/en active Active
- 2007-07-02 EP EP07012952.3A patent/EP1875983B1/en active Active
- 2007-07-02 ES ES07012952T patent/ES2428826T3/es active Active
- 2007-07-03 TW TW096124130A patent/TWI485759B/zh active
- 2007-07-03 CN CN201210032963.0A patent/CN102554462B/zh active Active
- 2007-07-03 CN CN200710126927XA patent/CN101100018B/zh active Active
- 2007-07-03 KR KR1020070066612A patent/KR101466392B1/ko active IP Right Grant
- 2007-07-03 TW TW103129523A patent/TWI511192B/zh active
-
2010
- 2010-01-15 US US12/688,516 patent/US8043941B2/en active Active
-
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- 2011-09-19 US US13/235,936 patent/US8338271B2/en active Active
-
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- 2012-03-19 JP JP2012062392A patent/JP5410561B2/ja active Active
- 2012-10-26 JP JP2012236937A patent/JP5702761B2/ja active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5702761B2 (ja) | 2015-04-15 |
KR101466392B1 (ko) | 2014-11-28 |
US8338271B2 (en) | 2012-12-25 |
JP5410561B2 (ja) | 2014-02-05 |
JP2012129553A (ja) | 2012-07-05 |
US20080000884A1 (en) | 2008-01-03 |
TW200809942A (en) | 2008-02-16 |
CN102554462A (zh) | 2012-07-11 |
US20100184271A1 (en) | 2010-07-22 |
ES2428826T3 (es) | 2013-11-11 |
TW201448000A (zh) | 2014-12-16 |
TWI511192B (zh) | 2015-12-01 |
CN101100018B (zh) | 2012-04-25 |
CN102554462B (zh) | 2014-12-10 |
KR20080003736A (ko) | 2008-01-08 |
TWI485759B (zh) | 2015-05-21 |
US20120006799A1 (en) | 2012-01-12 |
US7897487B2 (en) | 2011-03-01 |
EP1875983B1 (en) | 2013-09-11 |
CN101100018A (zh) | 2008-01-09 |
US8043941B2 (en) | 2011-10-25 |
EP1875983A1 (en) | 2008-01-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |