JP2013048238A - デバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 デバイスの製造方法は、基板をチャンバ内に搬入して載置台に載置する工程と、待機位置において封止部材により液滴吐出ノズルを隔離した状態で、チャンバの内部を減圧する減圧工程と、ガス供給機構からチャンバ内にパージガスを導入してチャンバ内部の雰囲気を置換するとともに大気圧状態に戻す雰囲気置換工程と、封止部材による液滴吐出ノズルの隔離を解除し、液滴吐出ノズルを吐出位置に移動させて被処理体へ向けて前記液滴を吐出する吐出工程とを含む。
【選択図】 図5
Description
被処理体を前記第1の容器内に搬入して前記載置台に載置する工程と、
前記待機位置において前記第2の容器により前記液滴吐出ノズルを隔離した状態で、前記第1の容器の内部を減圧する減圧工程と、
前記ガス供給機構から前記第1の容器内にパージガスを導入して該第1の容器内部の雰囲気を置換するとともに大気圧状態に戻す雰囲気置換工程と、
前記第2の容器による前記液滴吐出ノズルの隔離を解除し、該液滴吐出ノズルを前記吐出位置に移動させて被処理体へ向けて前記液滴を吐出する吐出工程と、
を含むことを特徴とする、デバイス製造方法を提供する。
また、前記吐出工程の後で、形成されたデバイスを焼成する第2の加熱工程を有することが好ましい。
また、液滴吐出ノズルを用いて半導体デバイスを製造することにより、フォトリソグラフィー工程を削減することが可能となり、装置構成の簡素化、省エネルギー化、低コスト化を図ることが可能になる。
<第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態にかかるデバイス製造装置の内部の構造を示す概略斜視図であり、図2は、デバイス製造装置の概略構成を示す断面図である。このデバイス製造装置100は、例えばFPD(フラットパネルディスプレイ)用ガラス基板やプラスチック基板などの基板Sを収容する第1の耐圧容器としてのチャンバ1を備えている。このチャンバ1は、気密に構成され、排気装置41により減圧可能であり、また、図示しない基板搬入出口から基板Sを搬入または搬出できるように構成されている。デバイス製造装置100のチャンバ1内には、搬入された基板Sを水平に載置して保持するためのステージ3と、このステージ3に載置された基板Sの上面(正確にはデバイス形成面)に対してデバイス材料を微小な液滴として吐出する精密吐出ノズル5を有するキャリッジ7と、このキャリッジ7をY方向に水平移動させる走査機構9とを有している。
なお、精密吐出ノズル5の構成は、デバイス材料を微小な液滴として吐出できるものであれば上記構成に限るものではない。
なお、ガス導入部26は、チャンバ1の上部に限らず、例えばチャンバ1の側壁1cや、底板1bに設けることもできる。
まず、ステップS1では、図示しない基板搬入出口より基板Sをチャンバ1内に搬入し、ステージ3上に載置する。
次に、支持部材13をガイドレール11,11に沿ってスライド移動させることにより、キャリッジ7を待機位置、すなわち精密吐出ノズル5が基板Sと対向する位置より外れ、封止部材21に対向する位置まで移動させる。この状態で、ステップS2では、封止部材21を上昇させて支持部材13の当接面17aに封止部材21の縁部21aを当接させ、精密吐出ノズル5を隔離する。
図7および図8は、本発明の第2実施形態に係るデバイス製造装置200の概略構成を示す図面である。本実施形態に係るデバイス製造装置200は、チャンバを必要としない構成であるため、基板Sが大型でチャンバ内に収容しきれない場合に有利に使用できる。
このデバイス製造装置200は、例えばFPD用ガラス基板やプラスチック基板などの基板Sを水平に載置して保持するためのステージ103と、このステージ103に載置された基板Sの上面(正確にはデバイス形成面)に対してデバイス材料を微小な液滴として吐出する精密吐出ノズル105を有するキャリッジ107と、このキャリッジ107をY方向に水平移動させる走査機構109とを有している。
なお、デバイス製造装置200における他の構成は、第1実施形態のデバイス製造装置100と同様であるため、同一の構成に同一の符号を付して説明を省略する。
まず、ステップS11では、基板Sをステージ103に載置し、枠体116が基板Sの上方に位置するまで支持部材113をガイドレール111,111に沿ってスライド移動させる。この状態では、隔壁プレート108が閉状態であり、精密吐出ノズル105のノズル孔105aを外部雰囲気から遮断している。
3 ステージ
5 精密吐出ノズル
7 キャリッジ
11 ガイドレール
13 支持部材
15 脚部
17 ガイド板
19 液体材料タンク
31 パージガス供給源
50 コントローラ
51 ユーザーインターフェース
52 記憶部
100,200 デバイス製造装置
Claims (3)
- 被処理体を載置する載置台を備えた第1の容器と、前記第1の容器内にパージガスを供給するガス供給機構と、前記第1の容器内を減圧排気する排気機構と、前記載置台に対向配備された液滴吐出ノズルから被処理体に向けて半導体デバイス材料の液滴を吐出する液滴吐出機構と、被処理体に対して液滴を吐出する吐出位置と液滴を吐出しない待機位置との間で、前記液滴吐出ノズルを移動させる移動機構と、前記待機位置において前記液滴吐出ノズルを隔離して大気圧状態に保持する第2の容器と、を備え、被処理体表面に半導体デバイスを製造するデバイス製造装置を用い、
被処理体を前記第1の容器内に搬入して前記載置台に載置する工程と、
前記待機位置において前記第2の容器により前記液滴吐出ノズルを隔離した状態で、前記第1の容器の内部を減圧する減圧工程と、
前記ガス供給機構から前記第1の容器内にパージガスを導入して該第1の容器内部の雰囲気を置換するとともに大気圧状態に戻す雰囲気置換工程と、
前記第2の容器による前記液滴吐出ノズルの隔離を解除し、該液滴吐出ノズルを前記吐出位置に移動させて被処理体へ向けて前記液滴を吐出する吐出工程と、
を含むことを特徴とする、デバイス製造方法。 - 前記雰囲気置換工程の前に、前記載置台および前記第1の容器を加熱する第1の加熱工程を有することを特徴とする、請求項1に記載のデバイス製造方法。
- 前記吐出工程の後で、形成されたデバイスを焼成する第2の加熱工程を有することを特徴とする、請求項1または請求項2に記載のデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012180556A JP5529220B2 (ja) | 2012-08-16 | 2012-08-16 | デバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2006322995A Division JP5084236B2 (ja) | 2006-11-30 | 2006-11-30 | デバイス製造装置およびデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2013048238A true JP2013048238A (ja) | 2013-03-07 |
JP5529220B2 JP5529220B2 (ja) | 2014-06-25 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5529220B2 (ja) |
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