JP2012518185A - 基板の形状または厚さの情報を測定するための方法および装置 - Google Patents
基板の形状または厚さの情報を測定するための方法および装置 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (58)
- 組み合わせを含む基板の形状または厚さの情報を測定する干渉計装置であって、
間隔を空けて配置された第1の参照フラットおよび第2の参照フラットであって、対応する第1の平行参照表面および第2の平行参照表面を有し、前記対応する第1の平行参照表面および第2の平行参照表面は、前記基板の配置用の光キャビティを前記第1の参照フラットと前記第2の参照フラットとの間に形成する、第1の参照フラットおよび第2の参照フラットと、
前記参照フラット間の前記キャビティ内に前記基板を配置するように構成された基板ホルダであって、前記配置は、前記基板の第1の表面および第2の表面が、前記第1の参照フラットおよび第2の参照フラットの対応する第1の参照表面および第2の参照表面に実質的に平行となり、かつ、前記基板の第1の表面または第2の表面が前記第1の参照フラットまたは第2の参照フラットのうち対応する1つから3ミリメートル以下の位置となるように行われる、基板ホルダと、
前記キャビティの直径方向において対向する両側に配置され、かつ前記キャビティに光学的に結合される第1の干渉計デバイスおよび第2の干渉計デバイスであって、前記第1の干渉計および第2の干渉計はそれぞれ、前記基板の前記第1の表面および第2の表面と、前記第1の参照表面および第2の参照表面との間の間隔の変動をマッピングするように動作可能であり、前記マッピングは、前記キャビティに光学的に結合された光が前記キャビティを出入りすることによる干渉を通じて、前記第1の干渉計デバイスおよび第2の干渉計デバイスによりそれぞれ行われる、第1の干渉計デバイスおよび第2の干渉計デバイスと、
を含む、装置。 - 第1のインターフェログラム検出器および第2のインターフェログラム検出器と、前記基板の厚さ変動を決定するために、前記第1のインターフェログラム検出器および第2のインターフェログラム検出器の出力を受信するように接続された少なくとも1つのコンピュータとをさらに含む、請求項1に記載の装置。
- 前記第1の参照フラットおよび第2の参照フラットは、前記基板について大型視野が得られる寸法である、請求項1に記載の装置。
- 前記第1の干渉計デバイスおよび第2の干渉計デバイスはフィゾー干渉計である、請求項1に記載の装置。
- 前記第1の干渉計デバイスおよび第2の干渉計デバイスに光学的に結合された1つ以上の光源をさらに含む、請求項1に記載の装置。
- 前記1つ以上の光源は、複数の波長の光を生成するように構成された光源を含む、請求項5に記載の装置。
- 前記1つ以上の光源は、白色光源を1つ以上含む、請求項5に記載の装置。
- 前記1つ以上の光源は、照明器と、前記照明器と前記第1の干渉計デバイスおよび第2の干渉計デバイスとの間にそれぞれ接続された第1の光ファイバーおよび第2の光ファイバーとを含む、請求項5に記載の装置。
- 前記基板ホルダは、前記基板を受け入れるように適合された開口フレームおよび前記フレームに取り付けられた2つ以上のエッジホルダを含み、前記2つ以上のエッジホルダは、そのエッジによって前記基板を保持するように適合される、請求項1に記載の装置。
- 前記エッジホルダは、前記参照フラットの前記第1の参照表面と前記第2の参照表面との間の間隙内に嵌るサイズにされる、請求項9に記載の装置。
- 前記基板ホルダは、前記参照フラット間の前記キャビティ内に前記基板を配置するように構成され、前記配置は、前記基板の第1の表面および第2の表面が前記第1の参照フラットおよび第2の参照フラットの対応する第1の参照表面および第2の参照表面に実質的に平行であり、かつ、前記基板の第1の表面または第2の表面が前記第1の参照フラットまたは第2の参照フラットのうち対応する1つから2ミリメートル以下の位置となるように行われる、請求項1に記載の装置。
- 前記基板ホルダは、前記参照フラット間の前記キャビティ内に前記基板を配置するように構成され、前記配置は、前記基板の第1の表面および第2の表面が前記第1の参照フラットおよび第2の参照フラットの対応する第1の参照表面および第2の参照表面に実質的に平行であり、かつ、前記基板の第1の表面または第2の表面が前記第1の参照フラットまたは第2の参照フラットのうち対応する1つから1ミリメートル以下の位置となるように行われる、請求項1に記載の装置。
- 前記第1の参照フラットおよび第2の参照フラットのサイズは、前記基板の第1の表面または第2の表面の一部が前記第1の参照表面または第2の参照表面と重複しないような、前記基板よりも小さなサイズであり、前記装置は、
前記基板の第1の表面または第2の表面のうち、前記第1の参照表面または第2の参照表面と重複していない部位に近接する少なくとも1つの減衰プレートであって、前記少なくとも1つの減衰プレートは減衰表面を有し、前記減衰表面は、前記基板ホルダが前記基板を前記キャビティ内に配置した際に、前記基板の第1の表面または第2の表面に対して実質的に平行となるように構成される、少なくとも1つの減衰プレートと、
前記減衰プレートに接続された位置決め機構であって、前記位置決め機構は、前記減衰表面が前記基板の第1の表面または第2の表面から3ミリメートル以下の位置となるように前記減衰プレートを位置決めするように動作可能である、位置決め機構と、
をさらに含む、請求項1に記載の装置。 - 前記位置決め機構は、前記基板ホルダが前記基板を前記第1の参照表面と前記第2の参照表面との間に配置できる距離を以て、前記減衰プレートを前記基板の第1の表面または第2の表面に対して垂直に移動させることができる、請求項13に記載の装置。
- 前記少なくとも1つの減衰プレートは、第1の減衰プレートおよび第2の減衰プレートを含み、前記第1の減衰プレートは、前記基板の前記第1の表面の一部であって、前記第1の参照表面と重複しない一部と重複し、前記第1の減衰プレートは、前記第1の参照表面に対して平行に配向された第1の減衰表面を有し、前記第2の減衰プレートは、前記基板の前記第2の表面の一部であって、前記第2の参照表面と重複しない一部と重複し、前記第2の減衰プレートは、前記第2の参照表面に対して平行に配向された第2の減衰表面を有する、請求項13に記載の装置。
- 前記位置決め機構は、前記第1の減衰プレートに接続された第1のアクチュエータおよび前記第2の減衰プレートに接続された第2のアクチュエータを含み、前記第1のアクチュエータは、前記第1の減衰表面が前記基板の第1の表面から2ミリメートル以下の位置となるように前記第1の減衰プレートを位置決めするように動作可能であり、前記第2のアクチュエータは、前記第2の減衰表面が前記基板の前記第2の表面から2ミリメートル以下の位置となるように前記第2の減衰プレートを位置決めするように動作可能である、請求項15に記載の装置。
- 前記基板が前記光キャビティ内に配置された際、前記少なくとも1つの減衰プレート、前記基板ホルダならびに前記第1の参照フラットおよび第2の参照フラットは、前記参照フラットの中心が前記少なくとも1つの減衰プレートの中心および前記基板の中心から外れた様態において配置される、請求項13に記載の装置。
- 前記基板が前記光キャビティ内に配置された際、前記基板のエッジは、前記第1の参照フラットおよび第2の参照フラットのエッジに近接して配置される、請求項17に記載の装置。
- 前記第1の参照フラットおよび第2の参照フラットの直径は、前記基板が前記光キャビティ内に配置された際に前記第1の参照フラットおよび第2の参照フラットが前記基板のエッジおよび中心を含む前記基板の一部と重複する直径である、請求項17に記載の装置。
- 前記基板ホルダは、前記基板が前記光キャビティ内に配置されている間、前記参照表面に対して垂直でありかつ前記参照フラットの対称軸から中心が外れた軸周囲において前記基板を回転させるように構成され、あるいは、前記基板ホルダは、前記基板が前記光キャビティ内にある間、前記参照表面に平行な方向に沿って前記基板を平行移動させるように構成される、請求項13に記載の装置。
- 基板の形状または厚さの情報を測定するための方法であって、
第1の干渉計チャンネルおよび第2の干渉計チャンネル内の第1の参照フラットと第2の参照フラットとの間に形成された光キャビティ内に基板を配置して、前記基板の第1の試験表面および第2の試験表面をマッピングするステップであって、前記マッピングは、前記基板の第1の表面および第2の表面が前記第1の参照フラットおよび第2の参照フラットの対応する第1の参照表面および第2の参照表面に実質的に平行であり、かつ、前記基板の第1の表面または第2の表面が前記第1の参照フラットまたは第2の参照フラットのうち対応する1つから3ミリメートル以下の位置となるように行われる、ステップと、
前記第1の干渉計チャンネルまたは第2の干渉計チャンネルを用いて前記キャビティを形成する参照表面のキャビティ特性を測定するステップと、
n前記干渉計チャンネル内に第1の位相シフトを設けて、少なくとも前記基板の第1の試験表面および第2の試験表面の一部をマッピングするステップと、
第2の位相シフトを設けて、前記参照表面のキャビティ特性を測定するステップと、
前記第1の試験表面および第2の試験表面ならびに前記キャビティ特性の干渉計マップから、前記基板の形状または厚さの情報を決定するステップと、
を含む、方法。 - 前記第1の位相シフトまたは第2の位相シフトを提供するステップは、前記参照表面のうちの1つと、前記試験表面のうちの対応する1つとの間の相対距離を変化させるステップを含む、請求項21に記載の方法。
- 前記形状または厚さの情報は、前記基板の厚さ変動を含む、請求項21に記載の方法。
- 前記第1の位相シフトまたは第2の位相シフトを提供するステップは、前記第1の干渉計チャンネルまたは第2の干渉計チャンネルにおいて用いられる光の波長を変化させるステップを含む、請求項21に記載の方法。
- 形状または厚さの情報は、前記基板の絶対厚さを含む、請求項24に記載の方法。
- 前記基板の第1の表面または第2の表面は、前記第1の参照フラットまたは第2の参照フラットのうち対応する1つから2ミリメートル以下の位置となる、請求項21に記載の方法。
- 前記基板の第1の表面または第2の表面は、前記第1の参照フラットまたは第2の参照フラットのうち対応する1つから1ミリメートル以下の位置となる、請求項21に記載の方法。
- 前記第1の参照フラットおよび第2の参照フラットのサイズは、前記基板の第1の表面または第2の表面の一部が前記第1の参照表面または第2の参照表面と重複しないような、前記基板よりも小さなサイズであり、前記方法は、
前記基板の第1の表面または第2の表面のうち、前記第1の参照表面または第2の参照表面と重複していない部位に近接して、少なくとも1つの減衰プレートを位置決めするステップであって、前記少なくとも1つの減衰プレートは、前記第1の参照表面または第2の参照表面に平行に配向された減衰表面を有し、前記減衰プレートは、前記減衰表面が前記基板の第1の表面または第2の表面から3ミリメートル以下の位置となるように位置決めされるステップ、
をさらに含む、請求項21に記載の方法。 - 前記第1の参照表面と前記第2の参照表面との間に形成された前記キャビティ内に前記基板を配置する前に、前記基板ホルダが前記基板を前記第1の参照表面と前記第2の参照表面との間に配置するのに十分な距離だけ、前記減衰プレートを前記基板の第1の表面または第2の表面に対して垂直に移動させるステップをさらに含む、請求項28に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの減衰プレートは、第1の減衰プレートおよび第2の減衰プレートを含み、前記第1の減衰プレートは、前記基板の前記第1の表面の一部であって、前記第1の参照表面と重複しない一部と重複し、前記第1の減衰プレートは、前記第1の参照表面に対して平行に配向された第1の減衰表面を有し、前記第2の減衰プレートは、前記基板の前記第2の表面の一部であって、前記第2の参照表面と重複しない一部と重複し、前記第2の減衰プレートは、前記第2の参照表面に対して平行に配向された第2の減衰表面を有する、請求項28に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの減衰プレートを位置決めするステップは、前記第1の減衰表面が前記基板の第1の表面から3ミリメートル以下の位置となるように前記第1の減衰プレートを位置決めするステップを含む、請求項30に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの減衰プレートを位置決めするステップは、前記第2の減衰表面が前記基板の前記第2の表面から3ミリメートル以下の位置となるように、前記第2の減衰プレートを位置決めするステップをさらに含む、請求項31に記載の方法。
- 前記参照フラットの中心は、前記基板が前記光キャビティ内に配置された際、前記少なくとも1つの減衰プレートの中心および前記基板の中心から外れる、請求項28に記載の方法。
- 前記基板のエッジは、前記基板が前記光キャビティ内に配置された際、前記第1の参照フラットおよび第2の参照フラットのエッジに近接して配置される、請求項28に記載の方法。
- 前記第1の参照フラットおよび第2の参照フラットの直径は、前記基板が前記光キャビティ内に配置された際に、前記第1の参照フラットおよび第2の参照フラットが前記基板のエッジおよび中心を含む前記基板の一部と重複する直径である、請求項28に記載の方法。
- 前記参照表面に対して垂直でありかつ前記参照フラットの対称軸から中心が外れた軸周囲において前記基板を回転させるステップと、前記基板が前記光キャビティ内にある際に前記第1の試験表面および第2の試験表面の異なる部位を干渉マッピングするステップとをさらに含むか、または、前記参照表面に平行な方向に沿って前記基板を平行移動させるステップと、前記基板が前記光キャビティ内にある際に前記第1の試験表面および第2の試験表面の異なる部位を干渉マッピングするステップとをさらに含む請求項28に記載の方法。
- 前記基板を回転させるステップは、前記基板が前記光キャビティ内にある様態でその中心周囲において前記基板を回転させるステップを含む、請求項36に記載の方法。
- 干渉計システムであって、
間隔を空けて配置された第1の参照フラットおよび第2の参照フラットであって、前記第1の参照フラットおよび第2の参照フラットは、対応する第1の平行参照表面および第2の平行参照表面を有し、前記対応する第1の平行参照表面および第2の平行参照表面は、光キャビティを形成し、前記光キャビティのサイズは、前記対応する第1の平行参照表面と第2の平行参照表面との間の基板を受け入れるようなサイズにされ、前記第1の参照フラットおよび第2の参照フラットサイズは、前記基板の第1の表面または第2の表面の一部がd前記第1の参照表面または第2の参照表面と重複しないように、前記基板よりも小さなサイズにされ、第1の参照フラットおよび第2の参照フラットと、
前記基板の第1の表面または第2の表面のうち、前記第1の参照表面または第2の参照表面と重複していない部位に近接して配置された少なくとも1つの減衰プレートであって、前記少なくとも1つの減衰プレートは減衰表面を有し、前記減衰表面は、前記基板が前記キャビティ内にある際、前記基板の第1の表面または第2の表面に対して平行に配置されるように構成される、少なくとも1つの減衰プレートと、
前記減衰プレートに接続された位置決め機構であって、前記位置決め機構は、前記減衰表面が前記基板の第1の表面または第2の表面から3ミリメートル以下の位置となるように前記減衰プレートを位置決めするように動作可能である、位置決め機構と、
前記キャビティの直径方向において対向する両側に配置されかつ前記キャビティに光学的に結合された第1の干渉計デバイスおよび第2の干渉計デバイスであって、前記第1の干渉計および第2の干渉計は、前記基板の前記第1の表面および第2の表面と、前記第1の参照表面および第2の参照表面との間の間隔の変動をマッピングするようにそれぞれ動作可能であり、前記マッピングは、前記キャビティに光学的に結合された光が前記キャビティを出入りすることによる干渉を通じて、前記第1の干渉計デバイスおよび第2の干渉計デバイスによりそれぞれ行われる、第1の干渉計デバイスおよび第2の干渉計デバイスと、
を含む、システム。 - 前記基板の第1の表面および第2の表面が前記第1の参照フラットおよび第2の参照フラットの対応する第1の参照表面および第2の参照表面と実質的に平行になるように、前記参照フラット間の前記キャビティ内に前記基板を配置するように構成された基板ホルダをさらに含む、請求項38に記載のシステム。
- 前記位置決め機構は、前記基板ホルダが前記基板を前記第1の参照表面と前記第2の参照表面との間に配置するのに十分な距離だけ、前記減衰プレートを前記基板の第1の表面または第2の表面に対して垂直方向へと移動させるように動作可能である、請求項39に記載のシステム。
- 前記少なくとも1つの減衰プレートは第1の減衰プレートおよび第2の減衰プレートを含み、前記第1の減衰プレートは、前記基板の前記第1の表面の一部であって、前記第1の参照表面と重複しない一部と重複し、前記第1の減衰プレートは、前記第1の参照表面に対して平行に配向された第1の減衰表面を有し、前記第2の減衰プレートは、前記基板の前記第2の表面の一部であって、前記第2の参照表面と重複しない一部と重複し、前記第2の減衰プレートは、前記第2の参照表面に対して平行に配向された第2の減衰表面を有する、請求項38に記載のシステム。
- 前記位置決め機構は、前記第1の減衰プレートに接続された第1のアクチュエータおよび前記第2の減衰プレートに接続された第2のアクチュエータを含み、前記第1のアクチュエータは、前記第1の減衰表面が前記基板の第1の表面から2ミリメートル以下の位置となるように前記第1の減衰プレートを位置決めするように動作可能であり、前記第2のアクチュエータは、前記第2の減衰表面が前記基板の前記第2の表面から2ミリメートル以下の位置となるように前記第2の減衰プレートを位置決めするように動作可能である、請求項41に記載のシステム。
- 前記少なくとも1つの減衰プレートならびに前記第1の参照フラットおよび第2の参照フラットは、前記基板が前記光キャビティ内に配置された際、前記参照フラットの中心が前記少なくとも1つの減衰プレートの中心および前記基板の中心から外れるように、配置される、請求項38に記載のシステム。
- 前記基板のエッジは、前記基板が前記光キャビティ内に配置された際、前記第1の参照フラットおよび第2の参照フラットのエッジに近接して配置される、請求項43に記載のシステム。
- 前記第1の参照フラットおよび第2の参照フラットの直径は、前記基板が前記光キャビティ内に配置された際、前記第1の参照フラットおよび第2の参照フラットが前記基板のエッジおよび中心を含む前記基板の一部と重複する直径である、請求項43に記載のシステム。
- 前記基板が前記光キャビティ内に配置されている間、前記少なくとも1つの減衰プレートの面に平行な面において前記基板を移動させるように構成された基板ホルダをさらに含む、請求項38に記載のシステム。
- 前記基板ホルダは、前記少なくとも1つの減衰プレートの前記面に平行な1つ以上の方向において前記基板を平行移動させるように構成される、請求項46に記載のシステム。
- 前記基板ホルダは、前記少なくとも1つの減衰プレートの面に対して平行な面に対して垂直な軸周囲において前記基板を回転させるように構成される、請求項46に記載のシステム。
- 基板の形状または厚さの情報を測定するための方法であって、
a)第1の干渉計チャンネルおよび第2の干渉計チャンネル内の第1の参照フラットと第2の参照フラットとの間に形成された光キャビティ内に基板の第1の部位を配置して、前記基板の第1の試験表面および第2の試験表面をマッピングするステップであって、前記マッピングは、前記基板の第1の表面および第2の表面が前記第1の参照フラットおよび第2の参照フラットの対応する第1の参照表面および第2の参照表面と実質的に平行な様態で行われ、前記第1の参照フラットおよび第2の参照フラットのサイズは、前記基板の第1の表面または第2の表面の一部が前記第1の参照表面または第2の参照表面と重複しないように、前記基板よりも小さいサイズである、ステップと、
b)前記基板の第1の表面または第2の表面のうち、前記第1の参照表面または第2の参照表面と重複していない部位に近接して少なくとも1つの減衰プレートを位置決めするステップであって、前記少なくとも1つの減衰プレートは、前記第1の参照表面または第2の参照表面に平行に配向された減衰表面を有し、前記減衰プレートは、前記減衰表面が前記基板の第1の表面または第2の表面から3ミリメートル以下の位置となるように位置決めされる、ステップと、
c)前記第1の干渉計チャンネルまたは第2の干渉計チャンネルを用いて前記キャビティを形成する参照表面のキャビティ特性を測定するステップと、
d)前記干渉計チャンネル内に第1の位相シフトを設けて、前記基板の第1の試験表面および第2の試験表面の第1の部位の第1の干渉計マップを得るステップと、
e)第2の位相シフトを設けて、前記参照表面のキャビティ特性を測定するステップと、
f)前記基板を移動させて、前記基板の第2の部位を前記光キャビティ内に配置するステップと、
g)d)およびe)を繰り返して、前記基板の第1の試験表面および第2の試験表面の第2の部位の第2の干渉計マップを得るステップと、
h)前記第1の干渉計マップおよび第2の干渉計マップをつなぎ合わせるステップと、
i)前記第1の干渉計マップおよび第2の干渉計マップならびに前記キャビティ特性から、前記基板の形状または厚さの情報を決定するステップと、
を含む、方法。 - 前記少なくとも1つの減衰プレートは、第1の減衰プレートおよび第2の減衰プレートを含み、前記第1の減衰プレートは、前記基板の前記第1の表面の一部であって、前記第1の参照表面と重複しない一部と重複し、前記第1の減衰プレートは、前記第1の参照表面に対して平行に配向された第1の減衰表面を有し、前記第2の減衰プレートは、前記基板の前記第2の表面の一部であって、前記第2の参照表面と重複しない一部と重複し、前記第2の減衰プレートは、前記第2の参照表面に対して平行に配向された第2の減衰表面を有する、請求項49に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの減衰プレートを位置決めするステップは、前記第1の減衰表面が前記基板の第1の表面から3ミリメートル以下の位置となるように前記第1の減衰プレートを位置決めするステップを含む、請求項50に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの減衰プレートを位置決めするステップは、前記第2の減衰表面が前記基板の前記第2の表面から3ミリメートル以下の位置となるように前記第2の減衰プレートを位置決めするステップをさらに含む、請求項51に記載の方法。
- 前記基板が前記光キャビティ内に配置された際、前記参照フラットの中心は、前記少なくとも1つの減衰プレートの中心および前記基板の中心から外れる、請求項51に記載の方法。
- 前記基板のエッジは、前記基板が前記光キャビティ内に配置された際、前記第1の参照フラットおよび第2の参照フラットのエッジに近接して配置される、請求項51に記載の方法。
- 前記第1の参照フラットおよび第2の参照フラットの直径は、前記基板が前記光キャビティ内に配置された際、前記第1の参照フラットおよび第2の参照フラットが前記基板のエッジおよび中心を含む前記基板の一部と重複する直径である、請求項49に記載の方法。
- f)は、前記参照表面に対して垂直でありかつ前記参照フラットの対称軸から中心が外れた軸周囲において前記基板を回転させるステップを含むか、または、前記参照表面に対して平行な方向に沿って前記基板を平行移動させるステップを含む、請求項49に記載の方法。
- 前記第1の干渉計マップおよび第2の干渉計マップは重複する、請求項49に記載の方法。
- 前記基板は半導体ウェーハである、請求項49に記載の方法。
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US20140293291A1 (en) * | 2013-04-01 | 2014-10-02 | Kla-Tencor Corporation | Wafer Shape and Thickness Measurement System Utilizing Shearing Interferometers |
RU2549211C1 (ru) * | 2013-11-05 | 2015-04-20 | федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Научно-исследовательский радиофизический институт" | Способ удаленного контроля формы поверхности и толщины покрытий, получаемых в процессе магнетронного вакуумного напыления, и устройство для его осуществления |
US9581433B2 (en) | 2013-12-11 | 2017-02-28 | Honeywell Asca Inc. | Caliper sensor and method using mid-infrared interferometry |
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US10024654B2 (en) * | 2015-04-06 | 2018-07-17 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for determining in-plane distortions in a substrate |
US10475712B2 (en) | 2016-09-30 | 2019-11-12 | Kla-Tencor Corporation | System and method for process-induced distortion prediction during wafer deposition |
US10571248B2 (en) | 2017-01-09 | 2020-02-25 | Kla-Tencor Corporation | Transparent film error correction pattern in wafer geometry system |
US10236222B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-03-19 | Kla-Tencor Corporation | System and method for measuring substrate and film thickness distribution |
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US11441893B2 (en) * | 2018-04-27 | 2022-09-13 | Kla Corporation | Multi-spot analysis system with multiple optical probes |
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US10563975B1 (en) * | 2018-07-25 | 2020-02-18 | Applejack 199 L.P. | Dual-sensor arrangment for inspecting slab of material |
WO2021194780A1 (en) * | 2020-03-27 | 2021-09-30 | Corning Incorporated | Substrate holder for use with interferometer |
CN114894117A (zh) * | 2022-04-22 | 2022-08-12 | 南京中安半导体设备有限责任公司 | 标准镜单元、标准镜安装组件及晶圆检测装置 |
CN114743912A (zh) * | 2022-04-22 | 2022-07-12 | 南京中安半导体设备有限责任公司 | 晶圆装载装置及晶圆检测设备 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000081321A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-03-21 | Nidek Co Ltd | 試料検査装置 |
JP2002005640A (ja) * | 2000-06-20 | 2002-01-09 | Kobe Steel Ltd | 光学式形状測定装置 |
JP2003269923A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-25 | Fuji Photo Optical Co Ltd | 絶対厚み測定装置 |
JP2003529743A (ja) * | 1999-06-18 | 2003-10-07 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | スキャン、繋ぎ合わせ、および防振を含む両面計測検査具での測定 |
JP2004294432A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-21 | Phase Shift Technology Inc | 研磨された不透明なプレートの形状と厚さ変化を測定する方法と装置 |
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Family Cites Families (5)
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---|---|---|---|---|
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000081321A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-03-21 | Nidek Co Ltd | 試料検査装置 |
JP2003529743A (ja) * | 1999-06-18 | 2003-10-07 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | スキャン、繋ぎ合わせ、および防振を含む両面計測検査具での測定 |
JP2002005640A (ja) * | 2000-06-20 | 2002-01-09 | Kobe Steel Ltd | 光学式形状測定装置 |
JP2003269923A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-25 | Fuji Photo Optical Co Ltd | 絶対厚み測定装置 |
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