JP2012516558A - 複合構成部分および複合構成部分を製造する方法 - Google Patents
複合構成部分および複合構成部分を製造する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012516558A JP2012516558A JP2011546804A JP2011546804A JP2012516558A JP 2012516558 A JP2012516558 A JP 2012516558A JP 2011546804 A JP2011546804 A JP 2011546804A JP 2011546804 A JP2011546804 A JP 2011546804A JP 2012516558 A JP2012516558 A JP 2012516558A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- bonding
- partner
- composite component
- bonding layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
- H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
- H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24058—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including grain, strips, or filamentary elements in respective layers or components in angular relation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
- Y10T428/24562—Interlaminar spaces
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
- Y10T428/24612—Composite web or sheet
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31652—Of asbestos
- Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
本発明は、複合構成部分であって、第1の接合パートナ(2)と、第2の接合パートナ(3)と、第1の接合層(4)とが設けられていて、第1の接合層(4)が、第1の接合パートナ(2)と第2の接合パートナ(2)との間に配置されている形式のものに関する。本発明によれば、第1の接合層(4)に対して付加的に、少なくとも1つの第2の接合層(6)が第1の接合パートナ(2)と第2の接合パートナ(3)との間に設けられていて、第1の接合層(4)と第2の接合層(6)との間に少なくとも1つの中間層(5)が設けられる。
Description
従来技術
本発明は、請求項1の上位概念部に記載の形式の複合構成部分であって、第1の接合パートナと、少なくとも1つの第2の接合パートナとが設けられている形式のものに関する。第1の接合パートナが、電子素子、特にパワー半導体、または特に装着された、有利にはパワー半導体を装着された回路支持体であり、第2の接合パートナがヒートシンクであると有利である。さらに本発明は、請求項13の上位概念部に記載の形式の、複合構成部分を製造する方法に関する。
本発明は、請求項1の上位概念部に記載の形式の複合構成部分であって、第1の接合パートナと、少なくとも1つの第2の接合パートナとが設けられている形式のものに関する。第1の接合パートナが、電子素子、特にパワー半導体、または特に装着された、有利にはパワー半導体を装着された回路支持体であり、第2の接合パートナがヒートシンクであると有利である。さらに本発明は、請求項13の上位概念部に記載の形式の、複合構成部分を製造する方法に関する。
現在、自動車用途のために、DBC基板またはAMB基板上の出力回路またはB−ブリッジまたはH−ブリッジのような高い出力損失を有する電気的な回路は、熱伝導接着剤を介してヒートシンクに結合されている。電気的な回路に設けられた半導体の放散される熱量は、回路支持体と、接合箇所を形成する熱伝導接着剤とによって、ベースプレートまたはケーシング内に案内され、これにより、熱を少なくとも1つの電子的な素子から導出して、これにより電子的な素子を適切に冷却することができる。ベースプレートまたはケーシングは、やはり受動的にまたは能動的に、特に流れる媒体によって冷却され得る。上記複合構成部分では、熱伝導接着剤により形成された接合層が、熱導出に対する著しい隘路を、既に比較的短時間のパルス負荷時に形成するので不都合である。これに対して択一的には、実装された回路支持体と、ヒートシンクとの結合部が、はんだ材料を用いて提供される。はんだ材料は、熱伝導接着剤よりも高い熱伝導率を有している。しかし、この場合に不都合となるのは、複合構成部分の熱機械的な負荷によって、運転中にはんだの破壊が生じ得ることである。このことは、はんだ材料を用いた結合部がその寿命要求に基づいてしばしば有効ではないか、もしくは極めて小さな面しかはんだ材料を介して結合されていないことにつながる。
発明の開示
したがって、本発明の根底を成す課題は、冒頭で述べた形式の複合構成部分を改良して、良好な耐熱衝撃性(Temperaturwechselbestaendigkeit)および/または熱導出により優れた複合構成部分を提供することである。さらに、本発明の課題は、耐熱衝撃性の複合構成部分を製造する方法を提供することにある。
したがって、本発明の根底を成す課題は、冒頭で述べた形式の複合構成部分を改良して、良好な耐熱衝撃性(Temperaturwechselbestaendigkeit)および/または熱導出により優れた複合構成部分を提供することである。さらに、本発明の課題は、耐熱衝撃性の複合構成部分を製造する方法を提供することにある。
この課題は、複合構成部分に関しては、請求項1の特徴部に記載の特徴、すなわち複合構成部分であって、第1の接合パートナと、少なくとも1つの第2の接合パートナと、第1の接合層とが設けられていて、第1の接合層が、第1の接合パートナと第2の接合パートナとの間に配置されている形式のものにおいて、第1の接合層に対して付加的に、少なくとも1つの第2の接合層が、第1の接合パートナと第2の接合パートナとの間に設けられており、第1の接合層と、第2の接合層との間に、少なくとも1つの中間層が配置されていることにより解決される。複合構成部分を製造する方法に関しては、請求項13の特徴部に記載の特徴、すなわち複合構成部分を製造する方法であって、第1の接合パートナを、少なくとも1つの第2の接合パートナに、少なくとも1つの第1の接合層を介して接合させる方法において、第1の接合パートナと第2の接合パートナとを接合させるために、付加的に少なくとも1つの第2の接合層と、第1の接合層と第2の接合層との間に配置されるべき中間層とを設けることにより解決される。本発明の有利な変化形は従属請求項に記載されている。本発明の枠内には、明細書、特許請求の範囲および/または図面に開示された少なくとも2つの特徴から成る全ての組合せが含まれる。繰り返しを防ぐために、装置に関して開示された特徴は、方法に関して開示されたものとしてもみなされ、請求可能であり得る。同様に方法に関して開示された特徴は、装置に関して開示されたものとしてもみなされ、請求可能であり得る。
本発明は、2つの接合パートナを、公知先行技術におけるように唯1つの接合層で互いに結合させるのではなく、少なくとも2つの接合層、有利にはもっぱら2つの接合層によって結合させ、この場合、これらの接合層の間には、少なくとも1つの、有利にはもっぱら1つの別の層、つまり1つの中間層が配置されている、という思想に基づいている。この場合、接合層は、各接合パートナを中間層に堅固に結合させ、かつ接合パートナと中間層との、必要となる電気的かつ/または機械的かつ/または熱的な結合を提供するという役割を有している。中間層は、その熱膨張係数が小さく、それにより複合構成部分の耐熱衝撃性を最適化することができるように選択されていると有利である。中間層の膨張特性が、接合パートナの少なくとも1つの膨張特性、有利には半導体の、特に回路側における膨張特性に少なくともほぼ一致していると特に極めて有利であり、この場合、膨張係数の差は許容されるが、この差はできるだけ小さいことが望ましい。有利には接合パートナの1つの熱膨張係数に類似した小さな熱膨張係数を有する中間層を設けることによって、複合構成部分の耐熱衝撃性が高められる。さらに、熱パルス(Waermepulse)の付加的な拡散が生じる。後述するように、接合層の少なくとも1つ、特に極めて有利には両方の接合層が焼結層であり、接合パートナと、有利には導電性かつ伝熱性である中間層との電気的、熱的かつ機械的な結合を保証するための特に金属製の焼結粒子を有する焼結層であると特に極めて有利である。中間層として、たとえばケイ素を使用することができる。
本発明はたとえば、電気的なパワーステアリングの出力最終段、特にハイブリット自動車での使用または電気自動車での使用におけるユニバーサルインバータユニットの出力最終段、特にハイブリット用の、特にスタータ/ジェネレータにおける制御エレクトロニクスのDC/DCコンバータの出力最終段、ジェネレータシールドにおける挿入ダイオード、たとえば炭化ケイ素のような高温安定性の半導体、または高温下で作動されかつセンサ近傍の評価エレクトロニクスを必要とするセンサ、ならびに光電装置のインバータに用いられるモジュール内で使用され得る。別の用途も同じく可能である。
冒頭で述べたように、本発明の改良形は、中間層の熱膨張係数が、第1の接合パートナおよび/または第2の接合パートナの熱膨張係数に少なくともほぼ一致する、という利点を有している。中間層の熱膨張係数が、接合パートナとして働く電気的かつ/または電子的な素子、有利には半導体、極めて有利にはパワー半導体、さらに有利には該パワー半導体の回路側に一致すると特に極めて有利である。中間層の材料が、電気的かつ/または電子的な素子のいずれかの材料に一致するとさらに有利である。
両接合パートナが、もっぱら3つの層、つまり第1の接合パートナに直接接触する第1の接合層と、第2の接合パートナに直接接触する第2の接合層と、第1の接合層と第2の接合層との間に配置された中間層とを介して互いに結合されていると特に有利である。
特に、接合層の少なくとも1つ、有利には両接合層が、焼結層として形成されている場合に、中間層が横方向で構造化されていると有利であり、これにより、それぞれ限られた面だけを金属製の少なくとも1つの焼結層に結合させることができる。これによって、温度変化に基づく機械的な応力を最低限に減じることができる。中間層の横方向の構造化に対して付加的にまたは択一的には、第1の接合層および/または第2の接合層を横方向で構造化することが可能である。中間層および/または第1の接合層および/または第2の接合層を既に構造化して、特に極めて有利には互いに横方向で間隔を置いた面区分として被着させる。
第1の接合層および/または第2の接合層および/または中間層が構造化されていて、この場合、それぞれの層に設けられた構造区分の間に少なくとも1つの流体通路、有利には流体通路網が形成されているようになっていて、流体通路網が、これらの流体通路網を通じて冷却流体、特に冷却ガスまたは冷却液を案内することができるように適しかつ規定されていると、さらに有利である。このようにして、付加的に熱を複合構成部分から搬出することができる。この場合、特に極めて有利には、流体通路または流体通路網は、中間層内に、当該中間層に設けられた構造区分の間に形成されている。換言すれば、結合層の少なくとも1つが構造化されていて、この場合、構造全体から熱を取り除くために、冷却流体を案内することができる中空スペースが生じるようにされる。最も単純な場合、冷却流体はガスであってよい。冷却液による通流は、時間当たりより多くの熱量を吸収することができるという利点を有している。
本発明の改良形は、流体通路および/または流体通路網に流体を供給するための手段が設けられている、という利点を有している。この場合、この手段は、最も単純な場合には、空気を流体通路もしくは流体通路網を通して吹き込みかつ/または吸い出すファン装置であってよい。冷却液が設けられている場合、流体通路および/または流体通路網に液体を供給するための手段がポンプを有していると有利である。
接合層の形成に関して、種々異なる可能性がある。冒頭で述べたように、接合層の少なくとも1つ、有利には両接合層が、特に金属製の焼結粒子を有する焼結層として形成されていると特に有利である。これによって、接合パートナと、中間層との熱的かつ電気的に最適な接続を達成することができる。付加的または択一的には、接合層の少なくとも1つを、接着剤層またははんだ層として、特に鉛フリーのはんだを利用して形成することができる。中間層を、合金により形成された勾配層(Gradienten-Schicht)または溶接により形成された層として形成することも可能である。複数の層、つまり第1の層および/または第2の層および/または中間層の少なくとも1つが、マイクロ構造化されかつ/またはナノ構造化されている場合に、たとえばソーラーセルにおいて光閉じ込め(Lichtfallen)として使用されているような、たとえばピラミッド構造、通路または類似の構造が実現されていると有利である。これにより、冷却通路内の熱伝達に用いられる表面を拡大することができる。1つの接合パートナ、有利にはヒートシンクが、改善された温度導出のために微視的に構造化されていることも可能である。
第1の接合層および/または第2の接合層および/または(有利には)中間層内に、少なくとも1つのセンサ、特に温度センサが導入されている実施形態が特に有利である。この温度センサは、接合パートナ、特に半導体の、最も熱い箇所で直接に温度を測定するのではなく、接合パートナ、特に半導体の下で温度を測定する。このことは、回路支持体におけるスペース節約が実現可能であり、かつ/または付加的な費用のかかる半導体表面を省くことができるという利点を有している。少なくとも1つのセンサ、有利には温度センサが、貫通接触部もしくはスルーコンタクトにより、1つの接合パートナ、特に回路支持体に導電接続されていると特に有利である。
第1の接合パートナが、電子構成部分、特に半導体素子、有利にはパワー半導体素子であるか、またはこれらを含んでいると特に極めて有利である。第1の接合パートナが、少なくとも1つの電子構成部分を装着された回路支持体であり、回路支持体が、第1の接合層を介して直接に中間層に接続されているとさらに有利である。第2の接合パートナがヒートシンク、特にベースプレート、冷却体、またはケーシングであると特に有利である。この場合、この第2の接合パートナが、第2の接合層を介して、特に有利にはケイ素から形成されている中間層に直接に接続されていると極めて有利である。
本発明は、複合構成部分、有利には上記のように形成された複合構成部分を製造する方法にも関する。本発明による方法は、少なくとも2つの、有利にはもっぱら2つの接合パートナを、少なくとも3つの、有利にはもっぱら3つの層、つまり第1の接合層、第2の接合層ならびに第1の接合層と第2の接合層との間に配置される中間層を介して互いに接合させることにより優れている。接合層の形成に関しては、複合構成部分につき記載したように、種々異なる可能性がある。接合層の少なくとも1つを焼結層、接着剤層またははんだ層として形成することができる。接合パートナの少なくとも1つへの層の被着に関しても、種々異なる可能性がある。したがって、少なくとも3つ、有利にはもっぱら3つの層を順次に接合パートナの1つの上に被着させ、その後に別の接合パートナを3つの層の上に被着させる実施形態が考えられる。さらに、各接合パートナに1つの接合層を備え、そのあとに接合層の1つに中間層を被着することも考え得る。
本発明による方法の有利な実施態様および改良形に関しては、複合構成部分の上記説明が参照される。上記説明からは方法の有利な実施態様を導き出すことができる。
本発明の別の利点、特徴および詳細は、以下の有利な実施形態の説明および図面につき明らかになる。
図中、同一の素子および同一の機能を有する素子は同一の符号で示されている。
図1には、複合構成部分1の第1の実施形態が示されている。層配置構造(Schichtanordnung)を介して互いに機械的、熱的かつ電気的に結合された第1の接合パートナ2と、第2の接合パートナ3とが示されている。第1の接合パートナ2は、たとえば、少なくとも1つのパワー半導体を装着された回路支持体であり、第2の接合パートナ3は、ヒートシンク、特にベースプレート、冷却体、ベースプレートと冷却体とから成る組合せおよび/またはケーシングである。
両接合パートナ2,3の間には、前述の層配置構造が示されている。この層配置構造は、第1の接合層4と、この第1の接合層4に直接接触している中間層5とを有していて、また、中間層5は、直接に第2の接合層6に接触していて、また、第2の接合層6は第2の接合パートナ3を直接に中間層5に結合させている。両接合層4,6は、有利には同一に形成されているが、使用目的に応じて互いに異なって形成されていてもよい。有利には、第1の接合層4も第2の接合層6も、金属製の焼結粒子を有する焼結層である。図示された実施形態でケイ素から形成されている中間層5は、その熱膨張係数が、回路支持体に結合された半導体の回路側の熱膨張係数に一致していることにより優れている。
図2に示された複合構成部分1は、中間層5が横方向で構造化されていて、この場合、横方向で間隔を置いた複数の構造区分7の間に中空スペース8が形成されていて、中空スペース8が互いに網状に接続されていて、これにより流体通路網9を形成するようにされていることによって、上記の図1に示した複合構成部分1とは異なっている。流体通路網9を通じて、冷却流体、特に冷却ガスまたは冷却液を案内することができる。構造区分7が小さく選択されているほど、絶対的な結合面はより小さくなり、耐熱衝撃性はより改善される。
図3から図5は、結合層配置構造に設けられた層の1つを構造化するための種々異なる可能性を(閉じずに)示している。真ん中の中間層5がそのように構造化されると有利である。構造区分7は、図3に示した実施形態では、正方形に輪郭を描かれ、規則的な列および隙間で配置されている。
図4に示した実施形態では、構造区分7が、長方形に輪郭を描かれている、つまり幅方向の延在長さよりも大きな長手方向の延在長さを有していて、或る種の煉瓦壁模様に配置されている。
図5に示した実施形態では、構造区分7が六角形(蜜房形)に輪郭を描かれ配置されている。
図6は、複合構成部分1の別の択一的な実施形態を示している。この場合、複合構成部分1は第1の接合パートナ2および第2の接合パートナ3を有していて、これらの接合パートナ2,3は、第1の接合層4と、第2の接合層6と、これら第1の接合層4と第2の接合層6との間にサンドイッチ状に収容された中間層5とを備える層配置構造を介して互いに結合されている。図2に示した実施形態のように、中間層5は構造化されていて、この場合、横方向で間隔を置いた構造区分7の間に流体通路網9が形成されているようにされる。流体通路網9を通じて冷却流体を案内することができる。図6に示した実施形態は、中間層5内に温度センサとして形成されたセンサ10が組み込まれていて、センサ10が、貫通接触部もしくはスルーコンタクト11によって、第1の接合パートナ2に導電接続されていることにより優れている。センサ10により、第1の接合パートナ2の温度を測定し、特に監視することができる。
必要であれば、ヒートシンクとして形成された第2の接合パートナ3をマイクロ構造化することができる(図示せず)。これによって、温度をより良好に導出することができる。第2の接合パートナ3がさらに冷却リブを有していると有利である。
Claims (13)
- 複合構成部分であって、第1の接合パートナ(2)と、少なくとも1つの第2の接合パートナ(3)と、第1の接合層(4)とが設けられていて、該第1の接合層(4)が、第1の接合パートナ(2)と第2の接合パートナ(3)との間に配置されている形式のものにおいて、
第1の接合層(4)に対して付加的に、少なくとも1つの第2の接合層(6)が、第1の接合パートナ(2)と第2の接合パートナ(3)との間に設けられており、第1の接合層(4)と、第2の接合層(6)との間に、少なくとも1つの中間層(5)が配置されていることを特徴とする、複合構成部分。 - 中間層(5)の熱膨張係数が、第1の接合パートナ(2)および/または第2の接合パートナ(3)の熱膨張係数に少なくともほぼ一致する、請求項1記載の複合構成部分。
- 第1の接合層(4)が、第1の接合パートナ(2)を直接に中間層(5)に結合させ、前記第2の接合層(6)が、第2の接合パートナ(3)を直接に中間層(5)に結合させている、請求項1または2記載の複合構成部分。
- 第1の接合層(4)および/または第2の接合層(6)および/または中間層(5)が、横方向で構造化されている、請求項1から3までのいずれか1項記載の複合構成部分。
- 第1の接合層(4)および/または第2の接合層(6)および/または中間層(5)に設けられた構造区分(7)の間で横方向に、冷却流体を導くための流体通路および/または流体通路網(9)が形成されている、請求項4記載の複合構成部分。
- 流体通路および/または流体通路網(9)へ流体、特に冷却ガスまたは冷却液を供給するための手段が設けられている、請求項5記載の複合構成部分。
- 第1の接合層(4)および/または第2の接合層(6)が、焼結層、接着剤層、はんだ層またはエラストマシーリング材料として形成されている、請求項1から6までのいずれか1項記載の複合構成部分。
- 第1の接合層(4)および/または第2の接合層(6)および/または中間層(5)が、マイクロ構造化されかつ/またはナノ構造化されている、請求項1から7までのいずれか1項記載の複合構成部分。
- 第1の接合層(4)および/または第2の接合層(6)および/または中間層(5)内に、少なくとも1つのアクチュエータ、特にペルチェ素子またはセンサ(10)、特に温度センサおよび/または流量センサが設けられている、請求項1から8までいずれか1項記載の複合構成部分
- 前記センサ(10)が、第1の接合層(4)および/または第2の接合層(6)を通って貫通接触されている、請求項1から9までのいずれか1項記載の複合構成部分。
- 第1の接合パートナ(2)が、電子構成部分、特に半導体素子、有利にはパワー半導体素子および/または特に装着された回路支持体である、請求項1から10までのいずれか1項記載の複合構成部分。
- 第2の接合パートナ(3)が、回路支持体またはヒートシンク、特にベースプレート、冷却体またはケーシングであるか、または別の構成群、特に論理構成群である、請求項1から11までのいずれか1項記載の複合構成部分。
- 複合構成部分(1)、有利には請求項1から12までのいずれか1項記載の複合構成部分を製造する方法であって、第1の接合パートナ(2)を、少なくとも1つの第2の接合パートナ(3)に、少なくとも1つの第1の接合層(4)を介して接合させる方法において、
第1の接合パートナ(2)と第2の接合パートナ(3)とを接合させるために、付加的に、少なくとも1つの第2の接合層(6)と、第1の接合層(4)と第2の接合層(6)との間に配置されるべき中間層(5)とを設けることを特徴とする、複合構成部分を製造する方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE200910000514 DE102009000514A1 (de) | 2009-01-30 | 2009-01-30 | Verbundbauteil sowie Verfahren zum Herstellen eines Verbundbauteil |
DE102009000514.5 | 2009-01-30 | ||
PCT/EP2010/050771 WO2010086282A1 (de) | 2009-01-30 | 2010-01-25 | Verbundbauteil sowie verfahren zum herstellen eines verbundbauteils |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012516558A true JP2012516558A (ja) | 2012-07-19 |
Family
ID=42077287
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011546804A Pending JP2012516558A (ja) | 2009-01-30 | 2010-01-25 | 複合構成部分および複合構成部分を製造する方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8730676B2 (ja) |
EP (1) | EP2392027B1 (ja) |
JP (1) | JP2012516558A (ja) |
CN (1) | CN102301468A (ja) |
DE (1) | DE102009000514A1 (ja) |
WO (1) | WO2010086282A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018182198A (ja) * | 2017-04-19 | 2018-11-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010027932A1 (de) | 2010-04-19 | 2011-10-20 | Robert Bosch Gmbh | Verbundbauteil und Verfahren zum Herstellen eines Verbundbauteils |
DE102011083899A1 (de) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Robert Bosch Gmbh | Schichtverbund zum Verbinden von elektronischen Bauteilen umfassend eine Ausgleichsschicht, Anbindungsschichten und Verbindungsschichten |
US9159649B2 (en) * | 2011-12-20 | 2015-10-13 | Intel Corporation | Microelectronic package and stacked microelectronic assembly and computing system containing same |
WO2017129408A1 (de) | 2016-01-25 | 2017-08-03 | Metall + Plastic Gmbh | Isolator, isolatorsystem sowie verfahren |
US10506694B2 (en) | 2017-01-27 | 2019-12-10 | James Hanlon | Electro static discharge (ESD) safe liner device for various totes and other containers |
DE102017203132A1 (de) * | 2017-02-06 | 2018-08-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Leistungsmodul |
DE102019134595A1 (de) * | 2019-12-16 | 2021-06-17 | Endress+Hauser SE+Co. KG | Fügen von zwei Bauteilen eines Feldgeräts der Prozess- und Automatisierungstechnik |
KR20210132772A (ko) * | 2020-04-27 | 2021-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01289297A (ja) * | 1988-02-25 | 1989-11-21 | Alcatel Nv | 冷却装置を備えた回路板 |
JP2001024120A (ja) * | 1999-07-09 | 2001-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体治工具 |
JP2001291925A (ja) * | 2000-03-03 | 2001-10-19 | Jenoptik Ag | 高出力ダイオードレーザバー用の実装基板およびヒートシンク |
JP2006294699A (ja) * | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Toyota Industries Corp | 放熱装置 |
JP2007019203A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Toyota Industries Corp | 放熱装置 |
JP2008141154A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-06-19 | T Rad Co Ltd | 複合放熱板およびその製造方法並びに、それに用いる熱応力緩和プレート |
JP2008294280A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Showa Denko Kk | 半導体装置 |
Family Cites Families (72)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3467569A (en) * | 1966-06-03 | 1969-09-16 | Dow Chemical Co | Resin foam-metal laminate composites |
US3451030A (en) * | 1966-07-01 | 1969-06-17 | Gen Electric | Solder-bonded semiconductor strain gauges |
US4098669A (en) * | 1976-03-31 | 1978-07-04 | Diamond Shamrock Technologies S.A. | Novel yttrium oxide electrodes and their uses |
JPS5990248A (ja) * | 1982-11-15 | 1984-05-24 | Sony Corp | 情報記録媒体 |
US4574879A (en) * | 1984-02-29 | 1986-03-11 | The Bergquist Company | Mounting pad for solid-state devices |
DE3446780A1 (de) * | 1984-12-21 | 1986-07-03 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Verfahren und verbindungswerkstoff zum metallischen verbinden von bauteilen |
US4963425A (en) * | 1985-03-05 | 1990-10-16 | Unisys Corporation | Printed wiring board substrate for surface mounted components |
US4739443A (en) * | 1985-12-30 | 1988-04-19 | Olin Corporation | Thermally conductive module |
US4888247A (en) * | 1986-08-27 | 1989-12-19 | General Electric Company | Low-thermal-expansion, heat conducting laminates having layers of metal and reinforced polymer matrix composite |
US5224017A (en) * | 1989-05-17 | 1993-06-29 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Composite heat transfer device |
US5754403A (en) * | 1989-09-29 | 1998-05-19 | Texas Instruments Incorporated | Constraining core for surface mount technology |
US5043796A (en) * | 1990-02-06 | 1991-08-27 | Motorola, Inc. | Isolating multiple device mount with stress relief |
JPH0574824A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-03-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
US5372295A (en) * | 1991-10-04 | 1994-12-13 | Ryoden Semiconductor System Engineering Corporation | Solder material, junctioning method, junction material, and semiconductor device |
US5234152A (en) * | 1992-01-07 | 1993-08-10 | Regents Of The University Of California | Transient liquid phase ceramic bonding |
TW238419B (ja) * | 1992-08-21 | 1995-01-11 | Olin Corp | |
JP3451107B2 (ja) * | 1992-10-05 | 2003-09-29 | 株式会社エコ・トゥエンティーワン | 電子冷却装置 |
DE4418207C1 (de) * | 1994-05-25 | 1995-06-22 | Siemens Ag | Thermischer Sensor/Aktuator in Halbleitermaterial |
US5571608A (en) * | 1994-07-15 | 1996-11-05 | Dell Usa, L.P. | Apparatus and method of making laminate an embedded conductive layer |
US5652055A (en) * | 1994-07-20 | 1997-07-29 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Matched low dielectric constant, dimensionally stable adhesive sheet |
US5554430A (en) * | 1994-12-23 | 1996-09-10 | Eastman Kodak Company | Low CTE boron/carbon fiber laminate |
US6001471A (en) * | 1995-08-11 | 1999-12-14 | 3M Innovative Properties Company | Removable adhesive tape with controlled sequential release |
WO1998003997A1 (en) * | 1996-07-22 | 1998-01-29 | Northrop Grumman Corporation | Closed loop liquid cooling within rf modules |
US6159762A (en) * | 1996-11-28 | 2000-12-12 | Scheiter; Thomas | Process for producing micromechanical sensors |
US6586352B1 (en) * | 1997-06-13 | 2003-07-01 | International Business Machines Corporation | Method for reducing coefficient of thermal expansion in chip attach packages |
US6432497B2 (en) * | 1997-07-28 | 2002-08-13 | Parker-Hannifin Corporation | Double-side thermally conductive adhesive tape for plastic-packaged electronic components |
US6396712B1 (en) * | 1998-02-12 | 2002-05-28 | Rose Research, L.L.C. | Method and apparatus for coupling circuit components |
TW585813B (en) * | 1998-07-23 | 2004-05-01 | Toyo Kohan Co Ltd | Clad board for printed-circuit board, multi-layered printed-circuit board, and the fabrication method |
US6317331B1 (en) * | 1998-08-19 | 2001-11-13 | Kulicke & Soffa Holdings, Inc. | Wiring substrate with thermal insert |
US6219237B1 (en) * | 1998-08-31 | 2001-04-17 | Micron Technology, Inc. | Structure and method for an electronic assembly |
JP2000216550A (ja) * | 1999-01-25 | 2000-08-04 | Oki Electric Ind Co Ltd | 積層プリント配線基板 |
FR2789518B1 (fr) * | 1999-02-10 | 2003-06-20 | Commissariat Energie Atomique | Structure multicouche a contraintes internes controlees et procede de realisation d'une telle structure |
JP4334054B2 (ja) * | 1999-03-26 | 2009-09-16 | 株式会社東芝 | セラミックス回路基板 |
JP3393602B2 (ja) * | 2000-01-13 | 2003-04-07 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置 |
EP1134072A3 (en) * | 2000-03-15 | 2003-10-01 | Nitto Denko Corporation | Transparent shock-absorbing laminate and flat panel display using the same |
US6327149B1 (en) * | 2000-09-06 | 2001-12-04 | Visteon Global Technologies, Inc. | Electrical circuit board and method for making the same |
DE10158185B4 (de) | 2000-12-20 | 2005-08-11 | Semikron Elektronik Gmbh | Leistungshalbleitermodul mit hoher Isolationsfestigkeit |
EP1225633A1 (de) * | 2001-01-22 | 2002-07-24 | ABB Schweiz AG | Heat sink for cooling a power semiconductor device and method of manufacturing such a heat sink |
JP2002333848A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Sharp Corp | 複合アクティブマトリクス基板、その製造方法、及び電磁波撮像装置 |
US20020185726A1 (en) * | 2001-06-06 | 2002-12-12 | North Mark T. | Heat pipe thermal management of high potential electronic chip packages |
JP4848539B2 (ja) * | 2001-08-23 | 2011-12-28 | Dowaメタルテック株式会社 | 放熱板およびパワー半導体モジュール、icパッケージ |
US6942018B2 (en) * | 2001-09-28 | 2005-09-13 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Electroosmotic microchannel cooling system |
US6632694B2 (en) * | 2001-10-17 | 2003-10-14 | Astralux, Inc. | Double heterojunction light emitting diodes and laser diodes having quantum dot silicon light emitters |
US6953736B2 (en) * | 2002-07-09 | 2005-10-11 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. | Process for transferring a layer of strained semiconductor material |
US20040040651A1 (en) * | 2002-08-28 | 2004-03-04 | Kuraray Co., Ltd. | Multi-layer circuit board and method of making the same |
US6927422B2 (en) * | 2002-10-17 | 2005-08-09 | Astralux, Inc. | Double heterojunction light emitting diodes and laser diodes having quantum dot silicon light emitters |
DE10261402A1 (de) * | 2002-12-30 | 2004-07-15 | Schulz-Harder, Jürgen, Dr.-Ing. | Wärmesenke in Form einer Heat-Pipe sowie Verfahren zum Herstellen einer solchen Wärmesenke |
GB2398672A (en) * | 2003-02-19 | 2004-08-25 | Qinetiq Ltd | Group IIIA nitride buffer layers |
JP4394477B2 (ja) | 2003-03-27 | 2010-01-06 | Dowaホールディングス株式会社 | 金属−セラミックス接合基板の製造方法 |
US6987671B2 (en) * | 2003-06-26 | 2006-01-17 | Intel Corporation | Composite thermal interface devices and methods for integrated circuit heat transfer |
JP4014549B2 (ja) | 2003-09-18 | 2007-11-28 | 富士電機システムズ株式会社 | ヒートシンク及びその製造方法 |
FR2864970B1 (fr) * | 2004-01-09 | 2006-03-03 | Soitec Silicon On Insulator | Substrat a support a coefficient de dilatation thermique determine |
US20050189342A1 (en) | 2004-02-23 | 2005-09-01 | Samer Kabbani | Miniature fluid-cooled heat sink with integral heater |
DE502004001796D1 (de) * | 2004-02-27 | 2006-11-30 | Abb Technology Ag | Hochspannungsgerät mit Partikelfalle |
US7119432B2 (en) * | 2004-04-07 | 2006-10-10 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for establishing improved thermal communication between a die and a heatspreader in a semiconductor package |
JP4283738B2 (ja) * | 2004-07-08 | 2009-06-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP4419742B2 (ja) | 2004-07-28 | 2010-02-24 | ブラザー工業株式会社 | 電子部品搭載基板及びインクジェットヘッド |
US7270012B2 (en) * | 2004-10-01 | 2007-09-18 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device embedded with pressure sensor and manufacturing method thereof |
US7338640B2 (en) * | 2005-03-31 | 2008-03-04 | General Electric Company | Thermopile-based gas sensor |
US20090229864A1 (en) * | 2005-09-15 | 2009-09-17 | Mitsubishi Materials Corporation | Insulating circuit board and insulating circuit board having cooling sink |
KR20080065988A (ko) * | 2005-09-28 | 2008-07-15 | 니뽄 가이시 가부시키가이샤 | 히트싱크 모듈 및 그 제조방법 |
US7572665B2 (en) * | 2005-10-21 | 2009-08-11 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Microelectronics grade metal substrate, related metal-embedded devices and methods for fabricating same |
US7527873B2 (en) * | 2006-02-08 | 2009-05-05 | American Standard Circuits | Thermally and electrically conductive interface |
KR101297170B1 (ko) * | 2006-04-04 | 2013-08-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 연료 전지용 막-전극 어셈블리, 이의 제조방법 및 이를포함하는 연료 전지 시스템 |
JP4936136B2 (ja) * | 2006-11-29 | 2012-05-23 | 日本特殊陶業株式会社 | センサ素子、センサ素子製造方法およびガスセンサ |
JP2008151154A (ja) | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Sanden Corp | ソレノイド |
US20080217717A1 (en) * | 2007-03-09 | 2008-09-11 | Lockheed Martin Corporation | Cte matched multiplexor |
JP5101919B2 (ja) * | 2007-04-09 | 2012-12-19 | 日東電工株式会社 | 配線回路基板用両面粘着テープ又はシートおよび両面粘着テープ付き配線回路基板 |
JP2008294279A (ja) | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Showa Denko Kk | 半導体装置 |
US7764494B2 (en) * | 2007-11-20 | 2010-07-27 | Basic Electronics, Inc. | Liquid cooled module |
WO2010017321A1 (en) * | 2008-08-05 | 2010-02-11 | Cooligy Inc. | Bonded metal and ceramic plates for thermal management of optical and electronic devices |
JP6028280B2 (ja) * | 2009-11-18 | 2016-11-16 | ソイテックSoitec | 半導体構造又は半導体素子を製造する方法 |
-
2009
- 2009-01-30 DE DE200910000514 patent/DE102009000514A1/de not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-01-25 JP JP2011546804A patent/JP2012516558A/ja active Pending
- 2010-01-25 WO PCT/EP2010/050771 patent/WO2010086282A1/de active Application Filing
- 2010-01-25 US US13/146,599 patent/US8730676B2/en active Active
- 2010-01-25 EP EP10702270.9A patent/EP2392027B1/de active Active
- 2010-01-25 CN CN2010800060074A patent/CN102301468A/zh active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01289297A (ja) * | 1988-02-25 | 1989-11-21 | Alcatel Nv | 冷却装置を備えた回路板 |
JP2001024120A (ja) * | 1999-07-09 | 2001-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体治工具 |
JP2001291925A (ja) * | 2000-03-03 | 2001-10-19 | Jenoptik Ag | 高出力ダイオードレーザバー用の実装基板およびヒートシンク |
JP2006294699A (ja) * | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Toyota Industries Corp | 放熱装置 |
JP2007019203A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Toyota Industries Corp | 放熱装置 |
JP2008141154A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-06-19 | T Rad Co Ltd | 複合放熱板およびその製造方法並びに、それに用いる熱応力緩和プレート |
JP2008294280A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Showa Denko Kk | 半導体装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018182198A (ja) * | 2017-04-19 | 2018-11-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2010086282A1 (de) | 2010-08-05 |
US8730676B2 (en) | 2014-05-20 |
EP2392027B1 (de) | 2019-10-23 |
US20120002372A1 (en) | 2012-01-05 |
DE102009000514A1 (de) | 2010-08-26 |
EP2392027A1 (de) | 2011-12-07 |
CN102301468A (zh) | 2011-12-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2012516558A (ja) | 複合構成部分および複合構成部分を製造する方法 | |
US8198539B2 (en) | Heat radiator and power module | |
US9013877B2 (en) | Power semiconductor device | |
KR101188150B1 (ko) | 냉각 장치 | |
JP5046378B2 (ja) | パワー半導体モジュール、および該モジュールを搭載したパワー半導体デバイス | |
KR100901539B1 (ko) | 관련 다공 금속 방열판을 구비한 전기 버스 및 그 제조방법 | |
US20150034138A1 (en) | Thermoelectric module | |
JP2006245479A (ja) | 電子部品冷却装置 | |
WO2015198411A1 (ja) | パワーモジュール装置、電力変換装置およびパワーモジュール装置の製造方法 | |
US20130277034A1 (en) | Heat dissipation device and method for manufacturing the same | |
JP2009206191A (ja) | パワーモジュール | |
JP4826849B2 (ja) | Al−AlN複合材料、Al−AlN複合材料の製造方法及び熱交換器 | |
JP2017524248A (ja) | 冷却装置、冷却装置の製造方法及び電力回路 | |
JP6286541B2 (ja) | パワーモジュール装置及び電力変換装置 | |
JP2010165743A (ja) | 半導体モジュールおよびその製造方法 | |
CN102710102A (zh) | 一种液冷的igbt变流装置和制造方法 | |
CN111283190B (zh) | 用于增材制造的设备和方法 | |
JP5217015B2 (ja) | 電力変換装置及びその製造方法 | |
KR101956983B1 (ko) | 파워 모듈 및 그 제조 방법 | |
JP4605009B2 (ja) | パワーモジュールの製造方法 | |
JP2009158715A (ja) | 放熱装置及びパワーモジュール | |
JP2008042020A (ja) | 半導体モジュール | |
JP2003229520A (ja) | 冷却装置の製造方法 | |
JP2010524698A (ja) | 少なくとも1つの非プレート状の構成要素を備えた複合体を製造する方法 | |
JP2012114360A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130215 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130716 |