JP2012506135A - 放射線ビームを案内するための光学モジュール - Google Patents

Abstract

光学モジュールを用いて、ＥＵＶ放射線ビームを案内する。光学モジュールは、真空排気可能なチャンバ（３２）と、チャンバ（３２）内に収容した少なくとも１つのミラーとを備える。上記ミラーは、互いに補完し合ってミラー反射面全体を形成する反射面（３４）を有する複数の個別ミラー（２７）を有する。支持構造を、熱伝導部（３７）により個別ミラー（２７）それぞれのミラー本体（３５）にそれぞれ機械的に連結する。ミラー本体（３５）の少なくとも若干は、少なくとも１自由度での支持構造（３６）に対するミラー本体（３５）の所定の変位を得るための関連のアクチュエータ（５０）を有する。熱伝導部（３７）は、ミラー本体（３５）が吸収する少なくとも１ｋＷ／ｍ^２の熱パワー密度を支持構造（３６）に放散させるよう構成する。光学モジュールの一態様では、集積電子変位回路を、変位可能な個別ミラー（２７）のそれぞれに空間的に近接して関連付ける。この変更形態では、中央制御装置を、変位可能な個別ミラー（２７）の集積電子変位回路と信号接続する。その結果、個別ミラーに無視できない熱負荷がかかる場合でも高いＥＵＶ放射線スループットを確保する照明光学系を構成できる、光学モジュールが得られる。
【選択図】図１１

Description

本発明は、ＥＵＶ放射線ビームを案内するための光学モジュールに関する。本発明はさらに、この種の光学モジュールの個別ミラーを駆動する方法と、この種の光学モジュールで用いるミラーと、放射線源からの照明光で物体視野を照明するためのマイクロリソグラフィ投影露光システム用の照明光学系と、この種の照明光学系及び放射線源を備える照明システムと、この種の照明システムを備える投影露光システムと、この種の投影露光システムを用いて微細構造コンポーネントを製造する方法と、この種の方法により製造される微細構造又はナノ構造コンポーネントとに関する。

アクチュエータにより変位させることができる複数の個別ミラーからなるミラーを備える光学モジュールは、特許文献１（米国特許第６，６５８，０８４号）から既知である。

投影露光システムの動作中、特に５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲のＥＵＶ放射線（極紫外線）での動作中に、投影露光システムの個別ミラーに熱エネルギーが溜まるマイクロリソグラフィ投影露光システム用の照明光学系は、要求の厳しい照明作業に許容できないほど低い放射線出力でしか作動できないか、又は放射線スループットに関して、換言すれば使用されるＥＵＶ放射線と生成されるＥＵＶ放射線との比に関して、同じく許容できないほど高い損失を有し得る。

米国特許第６，６５８，０８４号明細書

したがって、本発明の目的は、個別ミラーに無視できないほどの熱負荷がかかる場合でも高い放射線又は照明光スループットを確保する光照明光学系を構成できるように、冒頭で述べた種類の光学モジュールを開発することである。

この目的は、請求項１に開示される特徴を有する光学モジュールと、請求項１４に開示される特徴を有する光学モジュールと、請求項２６に開示される特徴を有する光学モジュールとにより、本発明に従って達成される。

請求項１に記載の本発明による光学モジュールは、本発明の第１の態様によれば、中央制御装置と個別ミラーのアクチュエータとの間の信号伝送要件を減らす。個別ミラーに空間的に近接して関連付けた集積電子変位回路は、本来なら中央制御装置が担当する信号処理作業の少なくとも一部を担う。結果として、光学モジュールの領域全体で、小型構造、残留熱発生、及び寄生電磁界のより好ましい比を実現する回路機構を、アクチュエータに関して実現することができる。光学モジュールにより案内される放射線ビームは、部分放射線ビーム、換言すれば全放射線ビームの一部であり得る。光学モジュールにより案内することができる放射線ビームは、ＥＵＶ放射線ビームとすることができる。

請求項２に従って構成した集積電子変位回路は、例えばシリアルバスシステムを用いて、複数のこの種の変位回路をまとめて駆動することを可能にする。これにより、さらに単純化された構造で光学モジュールのアクチュエータを駆動することが可能になる。

請求項３に従った配置は、光学モジュールの小型構造を可能にする。

安全特別低電圧を用いたアクチュエータの駆動で、より高い電圧から生じる危険が回避される。安全特別低電圧は、この場合、４８Ｖ未満の電圧を意味するとみなされる。集積電子変位回路の駆動は、２０Ｖ未満、１０Ｖ未満、特に５Ｖ未満の電圧を用いて行うことができる。特に、＋／−１Ｖの駆動電圧を用いることができる。その場合、ローレンツアクチュエータの所要電力が集積電子変位回路によりその場で出力されるため、磁界の生成に用いられるコイルの単位長さ当たりの巻数が少ないローレンツアクチュエータを用いることができる。

請求項５に記載のライン配置は、磁界への望ましくない干渉の発生を回避する。

請求項６に記載の配置は、集積電子変位回路とローレンツアクチュエータの個々のコイルとの間における短い接続ラインの使用を可能にする。

請求項７に記載の駆動回路板の多層構造は、コンパクトな電気接続技法を可能にする。

請求項８に記載の基板層は、放熱と同時に高い機械的安定性を可能にする。基板層の材料の例は、セラミック材料、ケイ素、二酸化ケイ素、窒化アルミニウム、及び酸化アルミニウム、例えばＡｌ_２Ｏ_３セラミックスである。この基板層の駆動回路板は、ＣＰＣ（銅めっきセラミック）技術、ＬＴＣＣ（低温同時焼成セラミックス）技術、若しくはＨＴＣＣ（高温同時焼成セラミックス）技術、又は同様の関連した種類の技術を用いて製造することができる。

請求項９に記載のヒートシンクは、一方では光学モジュールのミラーが反射する有効放射線の残留吸収による入熱であり、他方ではアクチュエータの供給による入熱である、入熱の良好な放熱を可能にする。

請求項１０に記載のヒートシンクフィンガは、駆動回路板からの効率的な放熱を可能にする。

請求項１１に記載の永久磁石は、ローレンツアクチュエータでの使用に功を奏することが分かっている。永久磁石は、サマリウムコバルト磁石として構成することができる。可能な代替形態は、真空に適した高磁性磁石材料の組み合わせの全てである。ローレンツアクチュエータを配置する、場合によっては存在する低圧環境の充填ガスに応じて、例えばネオジム鉄ホウ素（ＮｄＦｅＢ）等の他の磁性材料も用いることができる。

請求項１２に記載の関連付けは、集積電子変位回路の効率を効率的に用いて小型機構を可能にする有利な折衷案である。

請求項１３に記載の部分的個別ミラー組立体への分割は、個別ミラー駆動のばらつきを改善する。

本発明によれば、真空での動作は、大気により生じる照明光損失が回避されるため、特にＥＵＶ範囲内の照明光が小さな波長である場合にスループットを大幅に増加させることが、第２の態様により認識された。この場合、熱伝達媒体としてガスが必要なくなる。請求項１４に記載の光学モジュールでは、少なくとも１ｋＷ／ｍ^２の放熱パワー密度（heat dissipation power density：放熱量）を有する熱伝導部があるため、ミラー本体が吸収する光学的又は電気的パワー、換言すれば反射されないパワーを、ミラー本体により支持構造に効率的に確実に放散させる。ミラー本体の過熱は、例えばミラー本体上の高反射性コーティングの破壊につながる可能性があるが、真空排気されたチャンバ内でミラー本体が動作するにも関わらずこれが回避される。本発明による放熱パワー密度の高い熱伝導部により、ミラー本体からの対流放熱又はガス媒体による熱伝導を用いたミラー本体からの放熱は問題とならない。その場合、個々のミラーの過熱を伴わずに、少ないＥＵＶ放射損失につながる光学モジュールのミラーの真空動作が可能である。支持構造に対するミラー本体の変位自由度は、少なくとも１つの傾斜及び／又は並進自由度である。ミラー本体の１つの反射面は、０．５ｍｍ×０．５ｍｍ、１ｍｍ×１ｍｍ、４ｍｍ×４ｍｍ、８ｍｍ×８ｍｍ、又は１０ｍｍ×１０ｍｍの大きさを有し得る。ミラー本体の１つの反射面は、正方形の形態から逸脱していてもよい。熱伝導部は、ミラー本体が吸収するパワー密度のより多くを放散する（dissipate a greater power density）よう構成することもできる。ミラー本体ごとに、２ｋＷ／ｍ^２、５ｋＷ／ｍ^２、１０ｋＷ／ｍ^２、２０ｋＷ／ｍ^２、５０ｋＷ／ｍ^２、又は１００ｋＷ／ｍ^２のパワー密度を、例えば熱伝導部の１つにより支持構造に放散することができる。熱伝導部は、ミラー本体が吸収する少なくとも５０ｍＷの熱パワーを支持構造に放散するよう構成することができる。ミラー本体ごとに、例えば、１００ｍＷ、１５０ｍＷ、又は１６０ｍｗのパワーを熱伝導部の１つにより支持構造に放散することができる。

請求項１５に記載のアクチュエータは、比較的剛性の熱伝導部の使用を可能にし、このような熱伝導部はさらに、有利に高い放熱能力を有し得る。

これは特に、高いアクチュエータ力を実現することができる請求項１６に記載のローレンツアクチュエータに当てはまる。ローレンツアクチュエータは、原理上、米国特許第７，１４５，２６９号から既知である。

請求項１７に記載の通電アクチュエータコンポーネントは、集積密度の高いアクチュエータの構造を可能にする。

請求項１８に記載の複数層の印刷導体路は、例えば、印刷層ごとに導体路の様々な向き及び／又は印刷層ごとに様々な導体路断面を可能にする。したがって、アクチュエータの様々な力方向を実現することで、様々な変位自由度及び／又は様々な変位力レベルを実現することができる。

例えば国際公開第２００７／２３４５７４号から既知の請求項１９に記載のリラクタンスアクチュエータも同様に、高いアクチュエータ力を可能にする。

請求項２０に記載のピエゾアクチュエータにも同じことが言える。

光学素子は、利用可能なアクチュエータ力で必要な偏向を達成するために、一体継手に基づく軸受システムを用いて能動自由度に十分な順応性があるように取り付けることができる。同時に、軸受は、受動自由度に十分な剛性があるようなもの、及び軸受システムが十分な熱パワー密度又は十分な絶対熱パワーを放散できるようなものであり得る。熱伝導率を高めるために、比較的低い機械的剛性を有し得る付加的な熱伝導要素又は熱伝導部を用いることが考えられる。

請求項２１に記載の複数の熱伝導ストリップは、ミラー本体を変位させるために必要な熱伝導ストリップの弾性を確保し、複数の熱伝導ストリップにより良好な放熱が同時に可能になる。

請求項２２に記載の支持構造の能動的冷却は、同じく光学モジュールの熱平衡を改善する。能動的冷却は、例えば、水冷及び／又はペルチェ冷却であり得る。

請求項２３に記載の少なくとも０．５の集積密度は、ミラー本体間の中間空間の領域における低い照明光損失を保証する。

請求項２４に記載したミラー本体のマトリクス状の、換言すれば行列状の配置を、非常に高い集積密度で実現することができる。

請求項２５に記載のミラー本体がファセットミラーのファセットである場合、物体視野をミラー本体それぞれによって完全に照明する、この種のミラー本体を有する光学モジュールを備える露光光学系の構成が可能である。この種のファセットミラーの単一ファセットを、この種の複数の個別ミラーにより実現することが代替的に可能である。これにより、照明光学系の融通性が高まる。

本発明の第３の態様による請求項２６に記載の光学モジュールは、良好な移動度と良好な伝熱とを特に上手く両立させる。この第３の態様による熱伝導部は、ミラー本体が吸収する少なくとも１ｋＷ／ｍ^２の熱パワー密度を支持構造に放散するよう構成することができる。熱伝導部のそれぞれは、２つ、３つ、又はそれよりも多数の熱伝導ストリップを有することができる。熱伝導部は、溝孔付き膜の一部であり得る。隣接する熱伝導ストリップ相互は、この種の膜の溝孔により互いに離間させることができる。アクチュエータは、ミラー本体に接続されて鏡面に対して直交する及び／又は溝孔付き膜の膜平面に対して直交する方向に延びるアクチュエータピンを有し得る。この種のアクチュエータピンに対する調整力は、膜平面と平行に延び得る。熱伝導ストリップを有する熱伝導部は、特にこれを膜として構成した場合、膜平面と平行に伝わるこの種の作動力の作用時に、アクチュエータピンが全体的に並進変位することで不都合にも折れることがないよう構成することができる。

請求項２７に記載の熱伝導ストリップの配置により可能となる熱伝導部の設計は、個別ミラーの作動のために、熱伝導部の応答力とアクチュエータにより外側から加わる力とに関して容易に管理可能な力の比が確保されるようなものである。

請求項２８に記載の中間空間により、支持構造に対する熱伝導部の移動度、したがってミラー本体の移動度が確保される。２つ、３つ、又はそれよりも多数の熱伝導ストリップを、内側連結部と外側連結部との間で互いに連続させることができる。したがって、この構成では、複数の熱伝導ストリップが内側連結部の周りに周方向に連続する。

請求項２９に記載の渦巻き状構成では、例えば、熱伝導部ごとに２つ〜４つのこの種の渦巻き状熱伝導ストリップを用いることができる。各熱伝導ストリップは、中心又は中心軸の周りで１回転〜２回転を形成し得る。渦巻きの中心周りにおける各熱伝導ストリップの周方向長さは、３６０°〜５４０°、特に４２０°の範囲であることが好ましい。渦巻き状構成の代替形態として、熱伝導ストリップは、熱伝導部の半径方向内側連結部と熱伝導部の半径方向外側連結部との間で、平面視Ｃ字形又はＳ字形に構成することができる。「渦巻き形」構成、「Ｃ字状」構成、及び「Ｓ字状」構成の組み合わせも可能である。

請求項３０に記載の電極配置は、個別ミラーの静電作動を可能にする。

請求項３１に記載の複数の対向電極は、個別ミラーそれぞれにおける複数の傾斜自由度の再現可能な事前決定を可能にする。

本発明の第１態様〜第３態様による光学モジュールの上述の特徴は、互いに組み合わせることができる。

本発明のさらなる目的は、関連の集積電子変位回路での行列状に配置された個別ミラーを備える光学モジュールの駆動又は制御方法を開示することである。

この目的は、請求項３２に開示する特徴を有する方法により本発明に従って達成される。この方法を用いて、本発明の第１の態様による光学モジュールを駆動することができる。

本発明による駆動方法は、各個別ミラーレンズが別個に駆動されることを回避するものである。個別ミラー列全体の駆動は、個別ミラーを駆動するために伝送すべき制御ワードの複雑性を低減する。これにより、制御論理が単純化される。

請求項３３に記載した複数の部分個別ミラーアレイの駆動は、光学モジュールの駆動の柔軟性を高める。

請求項３４に記載の伝送される制御値のチェックは、通信障害又はハードウェア障害の発生の識別を可能にする。

請求項３５に記載のミラー、請求項３６に記載の照明光学系、請求項３７に記載の照明システム、請求項３８に記載の投影露光システム、請求項３９に記載の製造方法、及び請求項４０に記載の構造コンポーネントの利点は、本発明による光学モジュールに関してすでに上述した利点に対応する。５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲の有効放射線を生成するＥＵＶ放射線源を備える照明システムを用いる場合、本発明による光学モジュールの利点が特に顕著になる。

図面を用いて本発明の実施形態をより詳細に説明する。

子午線断面で示す照明光学系及び投影光学系を備えるマイクロリソグラフィ用の投影露光システムを概略的に示す。 通常照明設定の形態である投影光学系の入射瞳の照明を示す。 輪帯照明設定、換言すればリング状照明設定の形態とした投影光学系の入射瞳の照明を示す。 ４５°４重極照明設定の形態とした投影光学系の入射瞳の照明を示す。 マルチミラーアレイ（ＭＭＡ）及びそれにより照明される瞳ファセットミラーを備える、図１による投影露光システムの照明光学系における他の構成を示す。 一照明設定に対応する瞳ファセット照明での図５による瞳ファセットミラーの平面図を概略的に示す。 マルチミラーアレイと瞳ファセットミラーとのチャネル関連付けを位置決めし直した図５による照明光学系を示す。 輪帯照明設定に対応する瞳ファセット照明での図７による瞳ファセットミラーの平面図を概略的に示す。 マルチミラーアレイと瞳ファセットミラーとのチャネル関連付けを位置決めし直した図５による照明光学系を示す。 ２重極照明設定に対応する瞳ファセット照明での図９による瞳ファセットミラーの平面図を概略的に示す。 図１による照明光学系のファセットミラーにおける１つの個別ミラー、及び図６によるマルチミラーアレイにおける１つの個別ミラーの構成を断面図で概略的に示す。 図１１によるミラー機構の、永久磁石を有するアクチュエータピンの自由端部の領域における詳細拡大斜視図を示す。 図１１及び図１２による個別ミラーのマウンティングの実施形態を示す。 図１１と同様の図で、図１による照明光学系のファセットミラー又は図６によるマルチミラーアレイの一方の、他の構成における２つの隣接する個別ミラーを断面図で概略的に示し、図１４の左側に示す個別ミラーは非傾斜中立位置で示し、図１４の右側に示す個別ミラーはアクチュエータにより傾斜させた位置で示す。 図１４の線ＸＶ−ＸＶに沿った断面を示す。 図１４及び図１５による構成の個別ミラーのミラー本体を変位させるためのアクチュエータの対向電極を製造する方法シーケンスの方法ステップを概略的に示す。 図１４及び図１５による構成の個別ミラーにおいてミラー本体を粗さの小さいミラー面と一体化する方法の方法シーケンスを概略的に示す。 図１５と同様の図で、図１４及び図１５による個別ミラーの構成の熱伝導部を部分的に示す。 図１８と同様の図で、熱伝導部内の熱伝導ストリップにおける他の構成を示す。 図１８と同様の図で、熱伝導部内の熱伝導ストリップにおける別の構成を示す。 図１８と同様の図で、熱伝導部内の熱伝導ストリップにおけるさらに他の構成を示す。 図１４と同様の図で、個別ミラーのスペーサ及びアクチュエータピンとそれらの間に位置付けられている熱伝導部との領域における他の構成の詳細拡大図を示す。 図２２と同様の図で、スペーサとアクチュエータピン及び熱伝導部との接続における他の構成を示す。 個別ミラー反射面に対して直交する光学モジュールの実施形態の断面を概略的に示し、個別ミラーのアクチュエータを駆動するための駆動回路板を、個別ミラーのアレイ配置を有する概略的に示すミラープレートに加えて示す。 図１４と同様の図で、光学モジュールの互いに順次隣接する複数の個別ミラーのさらなる構成を示し、個別ミラーの反射面とは反対の側に配置した駆動回路板を個別ミラーの支持構造の下方に概略的に示す。 １つの個別ミラーのローレンツアクチュエータとして構成したアクチュエータを構成するための導体路の平面図を示し、導体路は、２つ１組で駆動される合計４つの個別コイルを備えるコイルプレートの形態の駆動回路板に施す。 集積電子変位回路（ＡＳＩＣ）と、個別ミラーアレイにおける駆動すべき個別ミラー列の一部とした４つの関連コイルプレートとの相互接続を概略的に示す。 コイルプレートの一構成を平面図で概略的に示す。 コイルプレートの一構成を平面図で概略的に示す。 図２８又は図２９によるコイルプレートの側面図を示す。 集積電子変位回路（ＡＳＩＣ）の１つに関連付けた図２８による４つのコイルプレートの配置を平面図で示す。 プレート平面に対して直交するコイルプレートの１つの断面図を示し、積層構造でのコイルプレートの構成を示す。 集積電子変位回路（ＡＳＩＣ）の機能回路図を示す。 図３１と同様の図で、集積電子変位回路（ＡＳＩＣ）が実装されたコイルプレート群を駆動回路板の平面図で示す。 コイルプレート群に関連の集積電子変位回路（ＡＳＩＣ）を高密度実装した光学モジュールの部分個別ミラーアレイのための駆動回路板の平面図を示す。 図３５の線ＸＸＸＶＩ−ＸＸＸＶＩに沿った断面を縮尺どおりでなく拡大して示す。 光学モジュールにおける複数の部分個別ミラーアレイの駆動計画を概略的に示す。 図３５による駆動回路板におけるデータフローを概略的に示す。

図１は、マイクロリソグラフィ用の投影露光システム１を子午線断面で概略的に示す。投影露光システム１の照明システム２は、放射線源３のほかに、物体平面６の物体視野５を露光させる照明光学系４を有する。物体視野５は、例えば１３／１のｘ／ｙアスペクト比で矩形又は弧状に設計することができる。ここで露光させるのは、反射レチクルであり、これは図１には示されていないが、物体視野５内に配置され、投影露光システム１で投影されて微細構造又はナノ構造の半導体コンポーネントを製造するための構造を担持する。投影光学系７を用いて、像平面９の像視野８に物体視野５を結像させる。レチクル上の構造は、ウェーハの感光層上に結像させ、ウェーハは像平面９の像視野８の領域に配置するが図示されていない。

レチクルホルダ（図示せず）が保持するレチクルと、ウェーハホルダ（図示せず）が保持するウェーハは、投影露光システム１の動作中にｙ方向に同期走査する。投影光学系７の結像スケールに応じて、ウェーハに対して逆方向のレチクルの走査を行うこともできる。

放射線源３は、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲の有効放射線を放出するＥＵＶ放射線源である。これは、プラズマ源、例えば、ＧＤＰＰ源（ガス放電生成プラズマ）又はＬＰＰ源（レーザ生成プラズマ）とすることができる。他のＥＵＶ放射線源、例えば、シンクロトロン又は自由電子レーザ（ＦＥＬ）に基づくものも可能である。

放射線源３から放出されるＥＵＶ放射線１０は、コレクタ１１により集束させる。対応するコレクタは、例えば欧州特許第１２２５４８１号から既知である。コレクタ１１の後、ＥＵＶ放射線１０は、中間焦点平面１２を通って伝播した後で視野ファセットミラー１３に衝突する。視野ファセットミラー１３は、物体平面６と光学的に共役な照明光学系４の平面内に配置する。

ＥＵＶ放射線１０は、以下では有効放射線、照明光、又は結像光とも称する。

視野ファセットミラー１３の後、ＥＵＶ放射線１０は、瞳ファセットミラー１４により反射される。瞳ファセットミラー１４は、照明光学系７の入射瞳平面又はこれと光学的に共役な平面内に位置付ける。視野ファセットミラー１３及び瞳ファセットミラー１４は、より詳細に後述する複数の個別ミラーから作製する。この場合、個別ミラーへの視野ファセットミラー１３の分割は、物体視野５の全体を別個に照明する視野ファセットのそれぞれを個別ミラーの厳密に１つで表すように行うことができる。代替的に、視野ファセットの少なくとも一部又は全部を、この種の複数の個別ミラーにより作製することが可能である。これと同じことが、視野ファセットにそれぞれ関連付けた瞳ファセットミラー１４の瞳ファセットの構成にも当てはまり、単一の個別ミラー又はこの種の複数の個別ミラーによりそれぞれを形成することができる。

ＥＵＶ放射線１０は、２５°以下の入射角度で２つのファセットミラー１３、１４に衝突する。したがって、２つのファセットミラーの垂直入射動作領域にＥＵＶ放射線１０が衝突する。斜入射衝突も可能である。瞳ファセットミラー１４は、投影光学系７の瞳平面であるか又は投影光学系７の瞳平面と光学的に共役である、照明光学系４の平面内に配置する。瞳ファセットミラー１４と、ＥＵＶ放射線１０のビーム経路の順に示すミラー１６、１７、及び１８を備える伝送光学系１５の結像光学モジュールとを用いて、視野ファセットミラー１３の視野ファセットを、物体視野５に互いに重ね合わせて結像させる。伝送光学系１５の最後のミラー１８は、斜入射ミラーである。伝送光学系１５は、瞳ファセットミラー１４と共に、ＥＵＶ放射線１０を視野ファセットミラー１３から物体視野５へ伝達するための順行光学系（following optical system）とも称する。照明光１０は、放射線源３から物体視野５へ複数の照明チャネルにより案内される。これら照明チャネルのそれぞれに、視野ファセットミラー１３の視野ファセット及びその下流に配置した瞳ファセットミラー１４の瞳ファセットを関連付ける。視野ファセットミラー１３及び瞳ファセットミラー１３の個別ミラーは、アクチュエータにより傾斜させることができるため、瞳ファセットと視野ファセットとの関連付けの変化、したがって照明チャネルの構成の変化を得ることができる。物体視野５にわたる照明光１０の照明角度分布に関して異なる、種々の照明設定が得られる。

位置関係の説明を容易にするために、グローバル直交ｘｙｚ座標系を以下で特に用いる。ｘ軸は、図１で図面の平面に対し直交して図を見る者に向かって延びる。ｙ軸は、図１で右側に延びる。ｚ軸は、図１で上方に延びる。

以下の図のうち選択されたものでは、ローカル直交ｘｙｚ座標系が描かれており、ｘ軸は、図１によるｘ軸と平行に延び、ｙ軸は、この軸と共に各光学素子の光学面内に含まれる。

図２は、図１による照明光学系４で達成することができ、通常照明設定又は小型通常照明設定と称する、第１の照明設定を示す。投影光学系７の入射瞳における照明光１０の強度分布を示している。入射瞳は、円形瞳端縁２０まで最大限に照明することができる。

通常照明設定では、瞳端縁２０内で、それと同心の円形瞳領域２１を照明する。瞳端縁２０の半径Ｓ_ｍａｘに対する通常瞳照明領域の外側半径Ｓ_ｏｕｔは、以下のような挙動を示す：Ｓ_ｏｕｔ／Ｓ_ｍａｘ＝０．８．

図３は、図１による照明光学系４で調整することができ、輪帯照明設定と称される、他の照明設定の照明条件を示す。ここではリング状の瞳領域２２が照明される。瞳領域２２の外側半径Ｓ_ｏｕｔは、ここでは図２による通常照明リングの瞳領域２１のものと同じ大きさである。瞳端縁２０の半径Ｓ_ｍａｘに対する輪帯瞳領域２２の内側半径Ｓ_ｉｎは、以下のような挙動を示す：Ｓ_ｉｎ／Ｓ_ｍａｘ＝０．６。

図４は、図１による照明光学系４で調整することができ、４５°４重極又は４５°クェーサー照明設定と呼ぶ、別の照明設定を示す。投影光学系７の入射瞳において、瞳端縁２０内で、入射瞳の４象限に配置した４つのリングセクタ形状（ring sector-shaped：部分リング形）の瞳領域２３を照明する。瞳領域２３のそれぞれは、この場合、瞳端縁２０の中心に対して４５°の周方向角度に及ぶ。クェーサー瞳領域２３は、瞳端縁２０の中心側が、図３による輪帯瞳領域２２の内側半径に対応する内側半径Ｓ_ｉｎにより画定される。クェーサー瞳領域２３は、瞳端縁２０により外方が画定される。

図２〜図４による様々な照明設定及び所定の他の照明設定は、視野ファセットミラー１３の個別ミラーを対応して傾斜させることにより、また視野ファセットミラー１３における個別ミラーと瞳ファセットミラー１４における個別ミラーとの関連付けを対応して変えることにより、達成することができる。視野ファセットミラー１３における個別ミラーの傾斜に応じて、これら個別ミラーに新たに関連付ける瞳ファセットミラー１４における個別ミラーは、視野ファセットミラー１３の視野ファセットが物体視野５においてさらに確実に結像されるように傾斜させることにより、位置決めし直す。

図５は、投影露光システム１の代替的な照明光学系２４の構成を示す。図１〜図４を参照してすでに上述したものに対応するコンポーネントは、同一の参照符号を有しており、再度詳述はしない。

ＬＰＰ源としても構成され得る放射線源３から放出された有効放射線１０は、第１のコレクタ２５により最初に収集される。コレクタ２５は、放物面鏡とすることができ、放射線源３を中間焦点平面１２に結像するか、又は放射線源３の光を中間焦点平面１２の中間焦点に合焦する。コレクタ２５は、有効放射線１０が０°近傍の入射角度で衝突するように操作することができる。コレクタ２５は、その場合、垂直入射近傍に操作されるため、垂直入射（ＮＩ）ミラーとも称する。コレクタ２５の代わりに、斜入射で操作されるコレクタも用いることができる。

照明光学系２４には、マルチミラー又はマイクロミラーアレイ（ＭＭＡ）の形態とした視野ファセットミラー２６を、有効放射線１０、換言すればＥＵＶ放射線ビームを案内するための光学モジュールの一例として、中間焦点平面１２の下流に配置する。視野ファセットミラー２６は、微小電気機械的システム（ＭＥＭＳ）として構成する。これは、マトリクス状態にして行列状のアレイとして配置する。より詳細に後述するように、個別ミラー２７は、アクチュエータにより傾斜させることができる。概して、視野ファセットミラー２６は、約１００，０００個の個別ミラー２７を有する。個別ミラー２７のサイズに応じて、視野ファセットミラー２６は、例えば、１，０００個、５，０００個、７，０００個、又は数十万個、例えば、５００，０００個の個別ミラー２７を有することもできる。

視野ファセットミラー２６の前方に、スペクトルフィルタを配置することができ、これは、放射線源３の放出のうち投影露光に用いることができない他の波長成分から有効放射線１０を分離する。スペクトルフィルタは図示されていない。

視野ファセットミラー２６には、８４０Ｗのパワー及び６．５ｋＷ／ｍ^２のパワー密度の有効放射線１０が衝突する。

ファセットミラー２６の個別ミラーアレイ全体は、直径が５００ｍｍであり、個別ミラー２７が密に実装されている。個別ミラー２７は、視野ファセットが厳密にそれぞれ１つの個別ミラーにより実現される限り、倍率を除いて、物体視野５の形態を表す。ファセットミラー２６は、ｙ方向が約５ｍｍでｘ方向が約１００ｍｍの寸法を有する、それぞれが視野ファセットを表す５００個の個別ミラーから形成することができる。各視野ファセットを厳密に１つの個別ミラー２７により実現する形態の代替形態として、より小さな個別ミラー２７の群により視野ファセットのそれぞれに類似するものを形成してもよい。ｙ方向が５ｍｍでｘ方向が１００ｍｍの寸法を有する１つの視野ファセットは、例えば、５ｍｍ×５ｍｍの寸法を有する個別ミラー２７の１×２０アレイから０．５ｍｍ×０．５ｍｍの寸法を有する個別ミラー２７の１０×２００アレイにより作製することができる。個別ミラー２７による完成視野ファセットアレイの表面カバー率は、７０％〜８０％とすることができる。

ファセットミラー２６の個別ミラー２７から、有効光１０が瞳ファセットミラー２８へ反射される。瞳ファセットミラー２８は、約２，０００個の静的瞳ファセット２９を有する。これらは、複数の同心リング状に互いに順次隣接させて配置するため、最内側のリングにおける瞳ファセット２９はセクタ状（sector-like：扇状）の設計であり、また最内側リングに直接隣接するリングにおける瞳ファセット２９はリングセクタ状の設計である。１２個の瞳ファセット２９は、各リングにおける瞳ファセットミラー２８の１つの象限内で順次隣接して存在し得る。図６に示す各リングセクタは、複数の個別ミラー２７により形成される。

有効光１０は、瞳ファセット２９により、物体平面６に配置した反射レチクル３０へ反射される。図１による投影露光システムに関連して示したように、投影光学系７がそれに続く。図１による照明光学系４に関連して上述したように、ファセットミラー２８とレチクル３０との間に伝送光学系がさらに設けることができる。

例として、図６は、図２による通常照明設定に近似したものを得ることができる、瞳ファセットミラー２８の瞳ファセット２９の照明を示す。瞳ファセットミラー２８の２つの内側瞳ファセットリングにおいて、瞳ファセット２９を周方向で１つ置きに照明する。図６におけるこの交互照明図は、この照明設定で実現される充填密度が輪帯照明設定の１／２であることを象徴するものである。この２つの内側瞳ファセットリングでも、均一な照明分布を目的としているが、占有密度は１／２である。図６に示す２つの外側瞳ファセットリングは照明しない。

図７は、輪帯照明設定を調整する場合の照明光学系２４の条件を概略的に示す。視野ファセットミラー２６における個別ミラー２７を、後述するアクチュエータを用いた作動により傾斜させることにより、瞳ファセットミラー２８において、リングセクタ状の瞳ファセット２９の外側リングを有効光１０で照明する。瞳ファセットミラー２８のこの照明を図８に示す。この照明をもたらすための個別ミラー２７の傾斜は、個別ミラー２７の例を用いて図７に例として示す。

図９は、２重極設定を調整する場合の照明光学系２４の条件を概略的に示す。

図１０は、この２重極照明設定に属する瞳ファセットミラー２８の照明を示す。瞳ファセットミラー２８の第２象限と第３象限との間の移行部及び第１象限と第４象限との間の移行部における２つのリングセクタを照明する。この場合、３つの最も外側の瞳ファセットリングにおける瞳ファセット２９のうち、ここで照明するのは、それぞれ瞳ファセットミラー２８の中心３２ａに対する周方向範囲が約５５°である２つの関連するリングセクタ領域３１である。

瞳ファセットミラー２８のこの２重極照明はさらに、視野ファセットミラー２６における個別ミラー２７のアクチュエータによる対応の傾斜により得られ、これは個別ミラー２７の１つの例を用いて図９に例として示す。

図５、図７、及び図９の照明設定を調整するためには、±５０ｍｒａｄの範囲における個別ミラー２７の傾斜角度が必要である。調整する照明設定の各傾斜位置は、０．２ｍｒａｄの精度で維持しなければならない。

図１による照明光学系４の実施形態での、視野ファセットミラー２６における個別ミラー２７又は視野ファセットミラー１３及び瞳ファセットミラー１４の対応する構成の個別ミラーは、有効放射線１０の波長での反射率を最適化するための多層コーティングを有する。多層コーティングの温度は、投影露光システム１の動作中に４２５Ｋを超えるべきではない。

これは、視野ファセットミラー２６における個別ミラー２７の１つを用いて例として後述する（図１１を参照）個別ミラーの構造により達成される。

照明光学系４又は２４の個別ミラー２７は、真空排気可能なチャンバ３２に収容し、チャンバ３２のうち１つの制限壁３３を図５及び図１１に示す。チャンバ３２は、逆止弁３３ｂを収容する流体ライン３３ａにより真空ポンプ３３ｃと連通する。真空排気可能なチャンバ３２内の運転圧力は、数Ｐａ（分圧Ｈ２）である。他の分圧は全て、明らかに１×１０^−７ｍｂａｒ未満である。

複数の個別ミラー２７を有するミラーは、真空排気可能なチャンバ３２と共に、ＥＶＡ放射線１０のビームを案内するための光学モジュールを形成する。個別ミラー２７は、ファセットミラー１３、１４、又は２６、２８の１つの一部とすることができる。

各個別ミラーは、０．５ｍｍ×０．５ｍｍ又は５ｍｍ×５ｍｍ以上の寸法を有する反射面３４を有することができ、これに光を衝突させることができる。反射面３４は、個別ミラー２７のミラー本体３５の一部である。ミラー本体３５は多層コーティングを伴う。

個別ミラー３７の反射面３４は、互いに補完し合って視野ファセットミラー２６のミラー反射面全体を形成する。したがって、反射面３４は、互いに補完し合って視野ファセットミラー１３又は瞳ファセットミラー１４におけるミラー反射面全体を形成することもできる。

個別ミラー２７の支持構造３６又は支持体を、熱伝導部３７によりミラー本体３５に機械的に連結する（図１１参照）。熱伝導部３７の一部は、継手体３８であり、支持構造３６に対するミラー本体３５の傾斜を可能にする。継手体３８は、既定の傾斜自由度で、例えば１つ又は２つの傾動軸線周りにミラー本体３５の傾動を可能にする一体継手として構成することができる。継手体３８は、支持構造３６に固定される外側保持リング３９を有する。さらに、継手体３８は、保持リング３９に対して関節のように回動可能に連結される内側の中央保持体４０を有する。この中央保持体は、反射面３４の中央下方に配置する。中央保持体４０とミラー本体３５との間にスペーサ４１を配置する。

ミラー本体３５に溜まる熱、換言すれば、特に有効放射線１０のうち個別ミラー２７に衝突してミラー本体３５に吸収される部分は、熱伝導部３７により、すなわちスペーサ４１、中央保持体４０、継手体３８、及びホルダとしての保持リング３９により支持構造３６に放散される。熱伝導部３７により、１０ｋＷ／ｍ^２の熱パワー密度又は少なくとも１６０ｍＷの熱パワーを支持構造３６に放散させることができる。熱伝導部３７は、代替的に、少なくとも１ｋＷ／ｍ^２の熱パワー密度又はミラー本体３５が吸収する少なくとも５０ｍＷのパワーを支持構造３６に放散するように構成する。放射線源３による放出から吸収されるパワーに加えて、吸収パワーは、例えば吸収電力パワーでもあり得る。支持構造３６は、能動冷却流体を案内する冷却チャネル４２を有する。

中央保持体４０におけるスペーサ４１から離れる側には、スペーサ４１から続いてこれよりも小さな外径を有するアクチュエータピン４３を取り付ける。アクチュエータピン４３の一方の自由端部は、永久磁石４４を担持する。永久磁石４４のＮ極及びＳ極は、アクチュエータピン４３に沿って互いに順次隣接して配置されるため、図１１に示すように磁力線４５の経路が得られる。支持構造３６は、アクチュエータピン４３を包囲するスリーブとして構成する。支持構造３６は、例えば、図１１に示す個別ミラー２７のような個別ミラー２７のアレイ全体を配置するシリコンウェーハとすることができる。

冷却プレート４６を、支持構造２６及びアクチュエータピン４３のうちミラー本体３５から離れた側に配置する。冷却プレート４６は、視野ファセットミラー２６の個別ミラー２７の全部に対して連続的に設けることができる。冷却流体を能動的に案内する他の冷却チャネル４２を、冷却プレート４６に配置する。

支持構造３６及び冷却プレート４６は、個別ミラー２７の熱負荷コンポーネントの付加的な放射冷却を確実にし、特にアクチュエータピン４３を放射冷却する。

導体路４８を、冷却プレート４６のうちアクチュエータピン４３に面する表面４７に印刷する。冷却プレート４６は、導体路４８を印刷する基体として用いる。導体路３８を流れる電流は、永久磁石４４に対してローレンツ力４９を伝達し、これに関する力の方向を図１１に例として示す。したがって、導体路４８を流れる対応の電流により、アクチュエータピン４３を偏向させ、それに対応してミラー本体３５を傾斜させることができる。

したがって、個別ミラー２７は、電磁作動式アクチュエータの形態の、特にローレンツアクチュエータの形態としたアクチュエータ５０を有する。ローレンツアクチュエータは、米国特許第７，１４５，２６９号から基本的に既知である。この種のローレンツアクチュエータは、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）としてバッチプロセスで製造することができる。この種のローレンツアクチュエータを用いて、２０ｋＰａの力密度を得ることができる。力密度は、アクチュエータ力の、アクチュエータ力を作用させるアクチュエータの面に対する比として定義される。アクチュエータピン４３の断面を使用して、アクチュエータ力の作用をさせるアクチュエータのそれ自体観測すべき側面の測定寸法とすることができる。

ローレンツアクチュエータとしての構成の代替形態として、個別ミラー２７は、例えば国際公開第２００７／１３４５７４号のようにリラクタンスアクチュエータとして、又はピエゾアクチュエータとして構成することもできる。リラクタンスアクチュエータでは５０ｋＰａの力密度を得ることができる。構成に応じて、ピエゾアクチュエータでは５０ｋＰａ〜１Ｍｐａの力密度を得ることができる。

互いに順次隣接して位置する３つの群の形態で印刷した導体路４８を、図１１による構成で示す。代替的に、互いに絶縁した導体路の重なり合った複数の層を、冷却プレート４６上に印刷することが可能であり、このとき上記導体路は、表面４７上における個々の導体の向きに関して及び／又は導体路の断面に関して互いに異なる。その場合、互いに重なり合ったこれらの導体路の１つを流れる電流に応じて、異なる偏向方向をローレンツ力４９により生ずることができる。

図１２は、導体路４８に関するこの種の順次互いに重なり合う層５１〜５４の配置を示す。最上部の導体路層５１は、負のｘ方向の電流用に設計する。したがって、層５１の個々の導体路４８は、ｘ方向に沿って延びる。より詳細には図示していないが、その下方に位置付けられている導体路層５２，５４の導体路は、例えば、ｘ軸及びｙ軸で規定される平面の象限の二等分線に沿って延びるもの、及びこの二等分線に対して９０°の角度で延びるものと、ｙ方向に沿って延びるものである。層５２〜５４のこのような向きの導体路を流れる対応の電流により、ローレンツ力４９のそれぞれ異なる方向、したがって永久磁石４４及びそれに接続されているが図１２には示されていないアクチュエータピン４３の異なる偏向がもたらされる。永久磁石４４は、図１２には他の部分が示されていないアクチュエータピン４３の一部であり、したがってアクチュエータ５０のレバーアームの一部である。

図１３は、保持リング３９と中央保持体４０との間における継手体３８’の変更形態を示す。継手体３８は複数の隣接する一体継手５５を有し、一体継手５５は熱伝導ストリップとして用いられ、その断面が非常に小さいためこれらは弾性且つ可撓性である。互いに直接隣接する一体継手５５は、互いに離間しており、保持リング３９を中央保持体４０に接続する。一体継手５５から外側の保持リング３９への移行領域では、一体継手５５は概ね接線方向に延びる。一体継手５５は、一体継手５５から中央保持体４０への移行領域では概ね半径方向に延びる。

一体継手５５は、保持リング３９と中央保持体４０との間に湾曲経路を有する。

一体継手５５のこの経路により、これら一体継手５５により形成される継手体３８がアクチュエータピン４３に加わるアクチュエータ力に対向するために用いる反力に関して、この継手体３８の特有の剛性が得られる。

図１３に示す一体継手５５の湾曲経路の代替形態として、これらは異なる形に形成する及び／又は異なる経路を有することもでき、それに応じて、保持リング３９の平面内でこれに対して直交する方向における継手体３８の剛性に関する剛性要件が必要となる。

一体継手５５は全体で、スロット付き膜として構成した一体継手装置となる。膜を図示のストリップ構造にすることにより、熱伝導率の、特に放散させることができる熱パワー密度の大きな損失を伴わずに、作動方向での機械的弾性の著しい改善が得られる。機械的弾性の改善は、中央保持体４０、したがってそれに接続される個別ミラーに必要な作動力の低減につながる。

ミラー本体３５の反射面３４の和は、視野ファセットミラー２６の反射面全体が占める全面の０．５倍よりも大きい。全面は、この場合、反射面３４と、反射面３４相互間の中間空間が占める表面との和として定義される。この全面に対する、ミラー本体における反射面の和の比は、集積密度とも呼ぶ。この集積密度は、０．６よりも大きくすることもでき、０．７よりも大きくすることもできる。

投影露光システム１を用いて、レチクル３０の少なくとも一部を、微細構造又はナノ構造コンポーネント、特に半導体コンポーネント、例えばマイクロチップの、リソグラフィ製造用のウェーハ上における感光層の領域に結像させる。スキャナ又はステッパとしての投影露光システム１の構成に応じて、レチクル３０及びウェーハを、スキャナ動作で連続的に又はステッパ動作で段階的に時刻同期してｙ方向に変位させる。

図１１による光学モジュールは、超高真空で操作する。反射面３４へのＥＵＶ放射線１０の通常の衝突時に、ミラー本体３５は、最大４２５Ｋの温度を有する。スペーサ４１を経て、この温度は中央保持体４０へ、そして保持リング３９へと１００Ｋずつ低下する。保持リング３９と支持構造３６の冷却チャネル４２との間で、さらに３０Ｋの温度低下が生じる。導体路４８に至るまでに、光学モジュールは実質的に室温になる。

冷却プレート４６の温度は約３００Ｋになる。

電磁作動式アクチュエータ５０の制動を、渦電流制動によって、又は巻線として存在する導体路４８の自己誘導制動によって実現することができる。導体路４８による自己誘導制動は、非常に低いオーム抵抗を有する導体路４８用の電流源又は電圧源があることを前提とするため、導体路４８に電流又は電圧がない場合、導体路４８を電流源又は電圧源により実質的に短絡させ、したがって永久磁石を導体路４８に対して移動させることで（図１１を参照）、導体路４８に制動電流を誘発させることができる。

巻線として構成した導体路４８用の供給ライン及び帰還ライン（supply and removal lines）は、逆平行に案内され得るため、一方では巻線として構成した各導体路４８への供給ワイヤ、及び他方では巻線として構成した導体路からの帰還ワイヤは、互いに隣接して平行に案内される。これにより、供給電流及び帰還電流の磁界が互いに打ち消し合うため、隣接する導体路４８間にフィードスルーが生じない。巻線として構成した導体路４８の供給ライン又は帰還ラインは、互いに重なり合う種々の層に配置する、又は１つの層内で互いに順次隣接させて配置することができる。

個別ミラーの他の構成を、図１４及び図１５につき以下で説明し、例として視野ファセットミラー２６における２つの個別ミラー２７を用いて以下で説明する。図１〜図１３につきすでに説明したものに対応するコンポーネントは、同じ参照符号を有しており、再度詳述はしない。

図１４及び図１５による個別ミラー２７の構成は、まず第１に、熱伝導部３７の設計が図１１〜図１３による構成と異なる。図１４及び図１５による構成では、これは、合計３個の渦巻き状の熱伝導ストリップ５６，５７，及び５８からなる、溝孔付き膜である。互いに入れ子状に収まる３つの渦巻きばねのように配置した熱伝導ストリップ５６〜５８のより詳細な構造は、図１５の断面図から明らかとなる。熱伝導ストリップ５６〜５８は、個別ミラー２７の中心５９の周りで半径方向に案内する。図１４及び図１５によれば、中心５９に対して熱伝導部３７の半径方向内側連結部６０上に、ミラー本体３５との各熱伝導ストリップ５６，５７，５８の連結移行部５６ｉ，５７ｉ，５８ｉを配置する。熱伝導部３７の半径方向内側連結部６０は、同時に中央保持体４０にもなる。ミラー本体３５への各熱伝導ストリップ５６〜５８の連結は、連結移行部５６ｉ，５７ｉ，５８ｉ、中央保持体４０、及びスペーサ４１により行われる。

半径方向外側連結部６１には、支持構造３６に対する各熱伝導ストリップ５６，５７，５８の連結移行部５６ａ，５７ａ，５８ａを配置する。熱伝導ストリップ５６〜５８は、連結移行部５６ａ，５７ａ，５８ａ、同時に保持リング３９にもなる外側連結部６１、及び支持構造３６のスリーブにより、支持構造３６に連結する。

熱伝導ストリップ５６〜５８は、中間空間により互いに離間して延びている。熱伝導ストリップ５６〜５８はそれぞれ、他の熱伝導ストリップとは独立して、ミラー本体３５を支持構造３６に接続する。支持構造３６は、図１５に示すように、外側を矩形に画定することができる。

熱伝導ストリップ５６〜５８は、内側連結部６０と外側連結部６１との間で半径方向に互いに連なり、隣接する熱伝導ストリップ５６〜５８間にそれぞれ中間空間が存在するように配置する。

合計３つの電極６２，６３，６４を、互いに電気的に絶縁して配置し、それぞれ中心５９の周りで周方向にちょうど１２０°にわたって延在させ、支持構造３６のスリーブに一体化する。電極６２〜６４は、図１４及び図１５による構成の場合に電極ピンとして形成されるアクチュエータピン４３の対向電極である。アクチュエータピン４３は、中空シリンダとして構成することができる。個別ミラー２７の他の実施形態では、３つの電極６２〜６４の代わりに４つ以上の電極が存在していてもよい。

図１４の右側に、図１４及び図１５による構成の個別ミラー２７を傾斜位置で示し、この位置で、対向電極６４を、アクチュエータピン４３の負電位Ｖ−に対して静電位Ｖ＋に接続する。この電位差Ｖ＋／Ｖ−により、アクチュエータピン４３の自由端部を対向電極６４に引き付ける力Ｆ_Ｅが生まれ、これが個別ミラー２７の対応の傾斜をもたらす。３つの熱伝導ストリップ５６，５７，５８からなる弾性膜マウンティングにより、この場合、個別ミラー２７の傾斜の弾性及び制御を確実にする。さらに、この弾性膜マウンティングにより、高面内剛性と称される弾性膜マウンティングの膜平面内の直進運動に対する個別ミラー２７の高い剛性を確保する。膜平面内の直進運動に対するこの高い剛性は、アクチュエータピン４３、換言すれば電極ピンの、電極６２〜６４の方向への望ましくない直進運動を、完全に又は実質的に抑制する。このようにして、アクチュエータピン４３の、したがってミラー本体３５の可能な傾斜角度範囲の望ましくない減少を回避する。

熱伝導ストリップ５６は、図１５において中心５９に対して３時の位置に配置した外側連結部５６ａと図１５で概ね５時の位置に配置した内側連結部５６ｉとの間で、中心５９の周りで周方向に約４２０°にわたって延びている。熱伝導ストリップ５７は、図１５における７時の位置と９時の位置との間で、外側連結移行部５７ａと内側連結移行部５７ｉとの間で同じく周方向且つ時計方向に約４２０°にわたって延びている。熱伝導ストリップ５８は、図１５における１１時の位置と１時の位置との間で、外側連結移行部５８ａと内側連結移行部５８ｉとの間で同じく周方向に約４２０°にわたって延びている。

アクチュエータピン４３の電極の電位に対する対向電極６２〜６４の相対電位をどのように選択するかに応じて、図１４及び図１５による構成の個別ミラー２７は、所定の傾斜角度に傾斜させることができる。この場合、３つの対向電極６２〜６４のうち１つに対するアクチュエータピン４３の傾きに精密に対応する傾斜角度が可能なだけでなく、対向電極６２〜６４の所定電位の組み合わせに応じて、他の所望の傾斜角度向きも可能である。

スペーサ４１、アクチュエータピン４３、熱伝導ストリップ５６〜５８を有する熱伝導部３７、内側連結部６０、及び外側連結部６１は、ミラー本体３５と共に、単結晶シリコンから製造する。代替的に、連結部６０及び６１を含む熱伝導ストリップ５６〜５８を、微細加工により多結晶ダイヤモンドから製造することもできる。

丸形断面を有するアクチュエータピン４３の代わりに、楕円形断面を有するアクチュエータピンを選択することもできる。その場合、この断面の楕円の半軸線は、大きな傾斜角度範囲が望まれる第１の軸線に沿ったアクチュエータピンの電極と対向電極６２〜６４との間の間隔が、第１の軸線に対して直交し、小さな傾斜角度範囲が望まれる第２の軸線に沿った間隔よりも小さくなるように選択する。大きな傾斜角度範囲は１００ｍｒａｄ、小さな傾斜角度範囲は５０ｍｒａｄであり得る。

図１６を用いて、対向電極６２〜６４を製造する方法を次に説明する。

準備ステップ６５において、出発基板を準備する。これは、厚さが３００μｍ〜７５０μｍであることが好ましい単結晶シリコンウェーハである。シリコンウェーハの厚さは、この範囲より大きい又は小さいものとすることもできる。熱伝導部３７を後で被着する（applied）側を、以下では出発基板の表側６６と称する。対向電極６２〜６４は、出発基板のうち表側６６とは反対の側の基板裏側６７から構造化する。

次に、エッチングステップ６８において、基板裏側６７から出発基板に、換言すれば後で支持構造３６となる未処理キャリア基板に、下地構造をエッチングする。これは、図１１〜図１５による構成に従ったリング状又はスリーブ状の支持構造３６とすることができる。エッチングステップ６８においてエッチングした支持構造３６は、対向電極６２〜６４間の分断点で途切れさせる。エッチングステップ６８は、光リソグラフィ及びシリコンディープエッチング等の標準的な方法を用いて行う。エッチングステップ６８では、対向電極６２〜６４の形状を規定し、後に設けるべき対向電極６２〜６４の鋳型のようにネガをエッチングする。エッチング深さ６９は、対向電極６２〜６４の高さを規定する。このエッチング深さは、出発基板の厚さよりも小さくすることができる。図示しない構成では、エッチング深さは、出発基板の厚さと同一サイズとすることもできる。

次に、被着ステップ７０において、後工程で対向電極６２〜６４の電気的絶縁のため、エッチングステップ６８で出発基板にエッチングした鋳型７１に、誘電体層を被着する。誘電体層は、二酸化ケイ素とすることができる。被着は、熱酸化又はＣＶＤ（化学気相成長法）等の標準的な方法により行うことができる。誘電体層の厚さは数マイクロメートルである。誘電体層は、ドープされた酸化ケイ素の層として構成でき、これにより、対向電極６２〜６４の後ドーピングの準備ができる。

充填ステップ７２において、誘電体層で裏打ちした鋳型７１に多結晶シリコンを充填する。ここではＬＰＣＶＤ（低圧ＣＶＤ）法を用いることができる。多結晶シリコンは、ドープされて導電性である。多結晶シリコンのドーピングは、被着中又はその後に拡散により行うことができる。

ＣＭＰ（化学機械研磨）法により実現することができる研磨ステップ７３において、充填ステップ７２中に鋳造基板上の鋳型７１の外側に成長した余分な多結晶シリコンを研磨除去する。

次に、構造化ステップ７４において、熱伝導部３７を出発基板の表側６６に被着する。これは、薄層法を用いて実現することができる。上述のように、熱伝導部３７は、図１４及び図１による構成でのアクチュエータピン４３、換言すれば中央電極を、支持構造３６に接続する。多結晶ダイヤモンド層を薄層として用いることができる。多結晶ダイヤモンド層は、ＣＶＤ法を用いて被着することができる。構造化ステップ７４は、対向電極製造法に必須ではないが、可動中央電極の装着を容易するために用いる。

装着ステップ７５において、ミラー本体３５を表側６６から装着する。これは、各ミラー本体３５をそれらの分離後に中央領域において、換言すれば後の中央スペーサ４１において出発基板にそれぞれ連結するように行う。装着ステップ７５は、融着プロセスとして設計することができる。

他の構造化ステップ７７において、出発基板の裏側から、中央の好ましくは可動の電極、換言すればアクチュエータピン４３を、光リソグラフィ法及びディープエッチング法を用いて構造化する。これは、中央電極、換言すればアクチュエータピン４３と支持構造３６のスリーブとの間における中間空間７６をエッチングで空けることにより行う。したがって、出発基板を貫通エッチングする。その場合、中央電極は、熱伝導部３７により、換言すれば表側６６に予め取り付けられたばねアタッチメントにより、出発基板に連結しているにすぎない。被着ステップ７０で被着した酸化物層は、この他の構造化ステップ７７中に側部エッチストップとして働き、充填ステップ７２で対向電極６２〜６４のために用意した多結晶シリコン製の要素を保護する。

次に、露出ステップ７８において、対向電極６２〜６４の内側７９の露出した酸化物層をエッチング除去する。この露出ステップ７８は省くこともできる。

このように用意した微小ミラーアクチュエータは、取り付けステップ８０においてさらなる基板に電気的且つ機械的に取り付けることができる。これは、フリップチャート法により行うことができ、この方法により、製造した電極機構を集積回路（ＡＳＩＣ）に結合する。これは、基板裏側６７から行う。この場合、対向電極６２〜６４は、集積回路上の対応の回路に電気接続する。この種の構成が、対向電極６２〜６４の統合駆動を、したがって各個別ミラー２７における傾斜ミラーの対応の制御を可能にする。

この方法により製造した対向電極６２〜６４は、出発基板の支持構造３６に一体化するが、出発基板から機械的に分離しない。したがって、支持構造３６は、対向電極６２〜６４の一体化後にもモノリシックユニットであり、これにより、さらなるプロセスステップ、特に取り付けステップ８０での接続に十分な安定性を確保する。

取り付けステップ８０中に、対向電極６２〜６４は、接触ステップ８１においてフリップチャート法により裏側６７から、換言すれば図１４において鉛直方向且つ中立位置の反射面３４に対して垂直方向に延びる方向から接触させることができる。例えば図１４における水平方向からの接触は不要である。

図１７を用いて、粗さの極めて小さい反射面３４を備えるミラー本体３５の一体化の方法を以下で説明する。

反射面３４の表面組成、特にそのマイクロラフネスの要件は非常に高い。これに典型的な粗さの値は、０．２ｎｍ ｒｍｓである。このマイクロラフネス値を得るには、反射面３４の外部研磨が必要であり、研磨後にこれを他方の個別ミラー２７に連結する。以下で説明する製造法において、予備研磨した非常に高い感度の反射面３４を、通常の微細加工法に適用される全プロセスステップ中で保つ。

研磨ステップ８２において、微細加工に適した様式のシリコン基板、例えば、１００ｍｍ又は１５０ｍｍの直径及び研磨プロセスに必要な厚さ、例えば１０ｍｍの厚さを有する丸形基板を、ＥＵＶ照明に必要な表面粗さに研磨する。

この種の研磨法は、「超研磨」とも称される。コーティングステップ８３において、研磨されたシリコン基板を、熱的方法により二酸化ケイ素薄層で覆う。

接合ステップ８４において、超研磨した酸化シリコン基板を、超研磨していない同じ様式の第２のシリコン基板と接合する。この場合、超研磨反射面３４は、キャリア基板とも称される第２のシリコン基板に載る。接合ステップ８４では、いわゆる「絶縁体上シリコン」（ＳＯＩ）ウェーハの製造に関連して用いる融着を用いることができる。

他の研磨ステップ８５において、こうして製造した基板サンドイッチを、化学機械的方法を用いて研磨する。したがって、ミラー基板予定物を必要な厚さに研削する。ミラー本体３５の典型的な厚さは、３０μｍ〜２００μｍの範囲内である。

高度に研磨した繊細な反射面３４が、その上に位置付けた二酸化ケイ素層及びシリコンキャリア基板により機械的且つ化学的に保護されているため、次に、ここで必要な厚さになった基板をさらに処理することができる。

次に、構造化ステップ８６において、ミラー基板のうち反射面３４とは反対の側の裏側を、ディープエッチング法により構造化する。したがって、スペーサ４１をエッチングすることができ、これを後で、熱伝導部３７と、換言すれば、膜サスペンションとも呼ばれるばねマウンティングと連結する。構造化ステップ８６では、反射面３４の横方向ミラー限界もディープエッチングにより予め決定することができるため、その後のキャリア基板の除去時に、個別ミラー２７のミラー本体３５はすでに分離されている。

次に、こうして用意された基板サンドイッチを、連結ステップ８７において、中央電極、換言すればアクチュエータピン４３に連結する。これは、図１６による製造法の装着ステップ７５で行われる。連結ステップ８７は、融着又は共晶接合として構成することができる。スペーサ４１は、ここでアクチュエータ４３に連結することができる。

露出ステップ８８において、これまで反射面３４を保護していたキャリア基板をディープエッチング法でエッチング除去する。このとき、エッチングプロセスは、反射面３４に被着した二酸化ケイ素層で停止する。

さらなる露出ステップ８９において、二酸化ケイ素層を、例えば気相のフッ化水素酸によりエッチング除去する。このさらなる露出ステップ８９は、反射面３４のケイ素の再酸化を防止するために非酸化性雰囲気中で行うことができる。

コーティングステップ８３は省くこともできる。二酸化ケイ素薄層でのコーティングの代わりに、複数の凹凸をディープエッチング法によりキャリア基板にエッチングしてもよい。これらの凹凸は、キャリア基板を予備研磨したミラー本体３５に接合するときに予定反射面３４がキャリア基板と接触しないような寸法及び配置にする。その場合、ミラー基板とキャリア基板との間の接触面は、凹凸を包囲するキャリア基板のフレーム面の経路により専ら予め決定する。これらのフレーム面は、その後の個別ミラー２７のミラー限度に対応する。キャリア基板をミラー基板に接合する前に、予備構造化したキャリア基板、換言すれば凹凸を有するキャリア基板を熱酸化させる。こうして被着した二酸化ケイ素層は、その後のキャリア基板のエッチング除去時にエッチングストップとして用いる。コーティングステップ８３を伴わないこの変形形態は、非水平反射面３４を有する個別ミラー２７、例えば凹凸反射面３４を有する個別ミラー２７でも用いることができる。

熱伝導ストリップ５６〜５８の構成を説明するために、図１８は、熱伝導部３７の領域を再び示す。内側連結部６０でもある中央保持体４０と、それを包囲する熱伝導ストリップ５６〜５８とを示す。

図１９は、図示しない支持構造と図示しないミラー本体との間における熱伝導部３７用の熱伝導ストリップ９０の設計における変更形態を示す。特に図１４、図１５、及び図１８による個別ミラーの熱伝導部の設計を参照してすでに説明したものに対応するコンポーネントは、同じ参照符号を有しており、再度詳述はしない。

内側連結部６０と外側連結部６１との間に、Ｃ字状に曲がった２４個の熱伝導ストリップ９０が存在する。隣接する熱伝導ストリップ９０相互は、同じくＣ字状の溝孔９１により互いに離間させる。図１５及び図１８による構成のように、図１９による構成でも、熱伝導部３７は膜として存在し、ここに熱伝導ストリップ、換言すれば、図１９による構成の場合は熱伝導ストリップ９０を溝孔９１の組み込みにより形成する。

熱伝導部３７に関する２つの別の設計可能性を、図２０及び図２１を用いて以下で説明する。特に図１４、図１５、及び図１８による個別ミラーの熱伝導部の設計を参照してすでに説明したものに対応するコンポーネントは、同じ参照符号を有しており、再度詳述はしない。

図２０による構成では、内側連結部６０と外側連結部６１との間に合計２５個の熱伝導ストリップ９２が存在し、これらは車輪のスポークのようにほぼ半径方向に配置する。内側連結部６０と外側連結部６１との間で、熱伝導ストリップ９２のそれぞれをＳ字状に湾曲させる。隣接する熱伝導ストリップ９２相互は、溝孔９３により互いに離間させる。

図２１による構成は、熱伝導ストリップの曲がり形状が図２０による構成と異なり、熱伝導ストリップは、図２１による構成では参照符号９４を有する。図２１による構成では、熱伝導ストリップ９４も、熱伝導部３７の平面内でＣ字状に曲げる。隣接する熱伝導ストリップ９４相互も、同じくＣ字状に曲がっている溝孔９５により離間させる。

図１４、図１５、図１８、図２０、及び図２１による個別ミラーの上述の実施形態による熱伝導ストリップの構成により、また熱伝導ストリップの形状、幅、数に対する隣接する熱伝導ストリップ間に配置した溝孔の設計と、溝孔の形状、幅、及び数とにより、内側連結部６０と外側連結部６１との間でそれに応じてそれぞれ構成した膜ばねの剛性及び熱伝導性を、所定の値に適合させることができる。

熱伝導部３７の中央保持体４０又は内側連結部６０に対するスペーサ４１の熱的結合に関する２つの異なる設計可能性を、図２２及び図２３を用いて説明する。特に図１４を参照してすでに説明したものに対応するコンポーネントは、同じ参照符号を有しており、再度詳述はしない。

図２２による構成では、熱伝導部３７の中央保持体４０をスペーサ４１とアクチュエータピン４３との間に配置するため、スペーサ４１を、熱伝導部３７に対して中央保持体４０における一方の側に取り付け、アクチュエータピン４３を、中央保持体４０における他方の側に取り付ける。したがって、スペーサ４１は、中央保持体４０によりアクチュエータピン４３に連結する。

図２３による構成では、スペーサ４１をアクチュエータピン４３に直接連結する。熱伝導部３７の中央保持体４０は、アクチュエータピン４３に面するスペーサ４１の端部が貫通する中央開口９６を有する。スペーサ４１のこの端部領域を包囲する中央保持体４０は、スペーサ４１に面するアクチュエータピン４３の端壁に載り、それによりアクチュエータピン４３に連結される。熱伝導部３７に対するスペーサ４１の、したがってミラー本体３５の熱的結合は、図２３による構成では直接行わずにアクチュエータピン４３により行わせる。

図２４は、視野ファセットミラー１３の例を用いて、行列状に、換言すればアレイ状に配置した個別ミラーを備える光学モジュールを、個別ミラーの反射面３４が互いに補完し合って形成するミラー反射面全体に対して直交する断面で示す。図１〜図２３を参照してすでに説明したものに対応するコンポーネント及び機能は、同じ参照符号を有しており、再度詳述はしない。

アレイ状に配置した個別ミラー２７は、図２４では概略的に組み合わせてミラープレート９７を形成している。図２４に１つだけ示されている熱伝導性のミラープレート固定ピン９８を用いて、ミラープレート９７をセラミックキャリア９９に固定し、セラミックキャリア９９は同時に、例えば残留吸収又は電力により導入された熱をミラープレート９７から案内して取り込むヒートシンクの機能を有する。

セラミックキャリア９９は、ミラープレート９７のうち反射面３４、換言すれば個別ミラー２７側とは反対の側に配置した変位駆動回路板１００の一部である。１層のセラミック基板１０１を、最初に、駆動回路板１００のヒートシンク９９のうちミラープレート９７に面する側に被着する。セラミック基板１０１は、代替的にシリコン材料から製造することもできる。セラミック基板１０１はさらに、コイルプレート１０２及び集積電子変位回路（ＡＳＩＣ）１０３を担持する。ＡＳＩＣ１０３の１つは、視野ファセットミラー１３の変位可能な個別ミラー２７のそれぞれに空間的に関連付ける。後述するように、各ＡＳＩＣ１０３は、ここでは、１群の個別ミラー２７、すなわち厳密には以下に説明する４つの個別ミラー２７にそれぞれ関連付ける。セラミック基板１０１は、複数の弾性基板固定ピン１０４によりヒートシンク９９に締結する。

接続クランプ１０５を用いて、駆動回路板１００を、図２４には示さない中央制御装置に接続する。駆動回路板１００のアースライン１０６も、接続クランプ１０５に接続する。

図２５は、ミラープレート９７及び駆動回路板１００を備える視野ファセットミラー１３の構造を異なる図で再び示しており、ミラープレート９７をより詳細に示し、駆動回路板１００をより概略的に示している。

個別ミラー２７の構造は、細部の相違以外は、図１１及び図１４に関連してすでに上述した個別ミラーの構造に対応する。図２５による個別ミラー２７におけるアクチュエータピン４３の端部にある永久磁石４４は、サマリウムコバルト磁石として構成する。支持構造３６のうち駆動回路板１００に隣接する部分は、ハッチング無しの構成である。これらのハッチング無しの部分は、一方では熱伝導機能を有し、他方では個別ミラー２７のための支持フレームとして用いる。

１群の導体路４８又はコイルプレート１０２のコイルを、駆動回路板１００上の永久磁石４４の１つにそれぞれ面して関連付ける。

個別ミラー２７の反射面３４が有効放射線１０のための高反射性コーティングを有することを、図２５に概略的に示す。

平面図として、図２６は、コイルプレート１０２の１つのより詳細な構造を示す。図２６による平面図では、コイルプレート１０２は、４回対称の十字形であり、合計４つの個別コイル１０６，１０７，１０８，１０９を有し、これらは、ローレンツアクチュエータシステムのための導体路として正方形渦巻き形状に配置し、図２６では右側に示す個別コイル１０６から始めて反時計方向に連続して符号を付けてある。アクチュエータは、永久磁石４４と各コイルプレート１０２の１つの個別コイル１０６〜１０９との相互作用により変位運動が生じるもので、ローレンツアクチュエータとして構成する。個別コイル１０６〜１０９はそれぞれ、電気的な中央接点を有する。中央接点は、個別コイル１０６ではＣ１．１、個別コイル１０７ではＣ２．１、個別コイル１０８ではＣ１．４、個別コイル１０９ではＣ２．４で示す。個別コイル１０６〜１０９のそれぞれは、渦巻きの外端部に、コイルプレート１０２の中心に向かって配置した側方電気接点も有する。個別コイル１０６の側方電気接点はＣ１．２、個別コイル１０７の側方電気接点はＣ２．２、個別コイル１０８の側方電気接点はＣ１．３、個別コイル１０９の側方電気接点はＣ２．３で示す。

図２６による平面図では、コイルプレート１０２は、辺長が数ｍｍ、例えば典型的な辺長が５ｍｍである正方形に内接させることができる。

コイルプレート１０２は、フリップチップ技法を用いて実装及び接触させることができる。この技法の説明は、「エレクトロニクスアセンブリのモジュール技術（Baugruppentechnologie der Elektronik-Montage）」(出版社: Wolfgang Scheel、第２版、Verlag Technik、ベルリン、１９９９年)という書籍で見られる。フリップチップ技法の詳細は、http://www.hmt.ch/techdetail.jsp?ID_Page=10000H_10000F&ID_Group=100001のリンクから入手可能な、スイスのバイエル所在のHMT Microelectronic AGによる案内書「フリップチップテクノロジー（Flipchiptechnologie）」に、またRao Tummala著「マイクロシステムパッケージングの基礎（FUNDAMENTALS OF MICROSYSTEMS PACKAGING）」、McGraw-Hill、２００１年、ＩＳＢＮ ０−０７−１３７１６９−９に開示されている。

図３４は、ＡＳＩＣ１０３の、それに関連する４つのコイルプレート１０２からなる群１１０に対する特殊な配列を示す。各ＡＳＩＣ１０３に４つの個別ミラー２７からなる群を関連付け、これには４つのコイルプレート１０２が属する。群１１０の４つのコイルプレート１０２は、図３４の平面図において、ＡＳＩＣ１０３を配置する正方形の形態の自由設置空間を画定する。

図２７は、ＡＳＩＣ１０３とそれに関連するコイルプレート１０２の群１１０との電気的相互接続を示す。群１１０のコイルプレート１０２の各個別コイル１０６〜１０９を、２つの主制御ライン１１１及び１１２により駆動する。主制御ライン１１１及び１１２の経路は、個別ミラー２７のアレイの列方向を予め決定する。ミラープレート９７のミラー列と平行に延びる主制御ライン１１１には、アース電位に対する電圧−１Ｖを印加する。ミラー対称面でもあり図２７の図平面に対して直交して延びる列中心平面１１３に関して、主制御ライン１１２は、主制御ライン１１１に対して鏡面対称に配置する。アース電位に対する制御電圧＋１Ｖを主制御ライン１１２に印加する。したがって、主制御ライン１１１，１１２を介した駆動は、安全超低電圧を用いて行う。

主制御ライン１１１は、接点ピン１１４によりＡＳＩＣ１０３に接続する。主制御ライン１１２は、接点ピン１１５によりＡＳＩＣ１０３に接続される。ＡＳＩＣ１０３は、接点ピンＬ１〜Ｌ８により群１１０のコイルプレート１０２の２つの個別コイルにおける接点ピンに各個に接続する。接点ピンＬ１は、図２７の左上に示すコイルプレート１０２の個別コイル１０６における接点ピンＣ１．1に接続する。接点ピンＬ２は、同じコイルプレート１０２の個別コイル１０９における接点ピンＣ２．４に接続する。接点ピンＬ３は、図２７の右上に示すコイルプレート１０２の個別コイル１０８における接点ピンＣ１．４に接続する。接点ピンＬ４は、同じコイルプレート１０２の個別コイル１０９における接点ピンＣ２．４に接続する。接点ピンＬ５は、図２７の左下に示すコイルプレート１０２の個別コイル１０６における接点ピンＣ１．１に接続する。接点ピンＬ６は、同じコイルプレート１０２の個別コイル１０７における接点ピンＣ２．１に接続する。接点ピンＬ７は、図２７の右下に示すコイルプレート１０２の個別コイル１０８における接点ピンＣ１．４に接続する。接点ピンＬ８は、同じコイルプレートの個別コイル１０７における接点ピンＣ２．１に接続する。

各同じコイルプレート１０２の個別コイル１０６における接点ピンＣ１．２及び個別コイル１０８の接点ピンＣ１．３は、互いに直接接続する。したがって、個別コイル１０６，１０８は、個別コイル対を形成する。これに対応して、各同じコイルプレート１０２の個別コイル１０９における接点ピンＣ２．３及び個別コイル１０７の接点ピンＣ２．２は、互いに直接接続する。したがって、個別コイル１０７，１０９は、個別コイル対を形成する。

したがって、列方向を横断する方向に配置した各個別コイル対１０６，１０８は、駆動接点ピンＬ１，Ｌ３，Ｌ５及びＬ７により駆動することができる。列方向と平行に配置した個別コイル対１０７，１０９は、駆動接点ピンＬ２，Ｌ４，Ｌ６及びＬ８により駆動することができる。

アースライン１１５の同じく列方向に沿って延びる部分は、主制御ライン１１１、１１２にそれぞれ隣接して配置する。対応の接点により、アースラインのこれらの部分は、図２７の右側に配置した２つのベースプレート１０２の個別コイル１０６における接点ピンＣ１．１、図２７の右上に配置したベースプレート１０２の個別コイル１０７における接点ピン２．１、及び図２７の右下に配置したベースプレート１０２の個別コイル１０９における接点ピンＣ２．４に接続する。他の接点ピンにより、アースライン１１５のこれら部分は、図２７の左側に配置した２つのベースプレート１０２の個別コイル１０８における接点ピンＣ１．４、図２７の左上に配置したベースプレート１０２の個別コイル１０７における接点ピンＣ２．１、及び図２７の左下に配置したベースプレート１０２の個別コイル１０９における接点ピンＣ２．４に接続する。

ミラー対称面１１３に関して、ＡＳＩＣ１０３に関連するコイルプレート１０２の群１１０の個別コイル１０６〜１０９における全体的な概ね鏡面対称の駆動が得られる。

主制御ライン１１１に隣接して、同じく列方向に延びるリセットライン１１６を配置し、接点ピン１１７によりＡＳＩＣ１０３に接続する。シリアルクロック発生器ライン１１８は、接点ピン１１９によりＡＳＩＣ１０３に接続し、リセットライン１１６と平行に延ばす。同じく列方向で主制御ライン１１２に隣接して、シリアルデータ入力ライン１２０を延ばし、接点ピン１２１によりＡＳＩＣ１０３に接続する。シリアルデータ出力ライン１２２は、接点ピン１２３によりＡＳＩＣ１０３に接続し、シリアルデータ入力ライン１２０に隣接して延ばす。＋５Ｖ供給ライン１２４は、接点ピン１２５によりＡＳＩＣ１０３に接続し、同じく２つのデータライン１２０，１２２に隣接して列方向に延ばす。ＡＳＩＣ１０３の供給は、代替的に３．３Ｖで行うこともできる。

図２８及び図２９は、図２６と同様の図で、コイルプレート１０２、１０２’として２つの構成を示す。

図２８によるコイルプレート１０２は、図２６のものに対応しており、図２８によるコイルプレート１０２の個別コイル１０６〜１０９は、少数の巻線で示す。

図２８によるコイルプレート１０２とは対照的に、図２９によるコイルプレート１０２’は、平面図で見て十字形ではなく、平面図で見て正方形である。図２９によるコイルプレート１０２’の構造及び相互接続は、図２８によるコイルプレート１０２のものに対応する。図３０は、コイルプレート１０２又は１０２’の側面図を示す。個別コイル１０６〜１０９は、コイルプレート１０２、１０２’のセラミックキャリア１２６上に印刷する。プレート状のセラミックキャリア１２６の下側に、接点ピンＣＸ．Ｙを形成し、接点ピンＣ１．４，Ｃ１．３，Ｃ２．４，Ｃ１．２及びＣ２．２は、図３０の図の左から右に見えている。

図３１は、コイルプレート群１１０における図２８によるコイルプレート１０２の配置を示す。この種の配置では、図２７に関連して上述したように、中央設置空間（図３４も参照）に配置したＡＳＩＣ１０３との相互接続が可能である。

図３２は、プレート平面に対して直交する断面でコイルプレート１０２又は１０２’のスタック構造の変更形態を示す。図３２の最上部のコイル層１２７は、図３１による個別コイル１０７を形成する。絶縁基板キャリア層１２８を、コイル層１２７の下に配置する。図３１による個別コイル１０９を形成する他のコイル層１２９を、基板キャリア層１２８の下に配置する。図３１による個別コイル１０６を形成する別のコイル層１３１をさらに、他の基板キャリア層１３０によりさらに他のコイル層１２９から分離する。図３１による個別コイル１０８を形成するさらに別のコイル層１３３を、この別のコイル層１３１から、別の基板キャリア層１３２により分離する。

図３２の最上部のコイル層１２７に隣接して、その平面内に接点部１３４，１３５，１３６を配置し、これらをそれぞれ、接続材料（ビア材料）によりコイル層１２９，１３１及び１３３に導電接続する。したがって、コイル層１２７，１２９，１３０は全て、個別コイル１０６〜１０９を駆動するために図３２における上方から電気接点にアクセス可能である。接点部１３４〜１３６は、互いに且つコイル層１２７に対して電気的に絶縁させる。コイル層１２７，１２９は、基板キャリア層１２８に跨る接点路１３７により互いに電気接続する。２つのコイル層１３１及び１３３は、基板キャリア層１３２に跨る接点路１３８により互いに導電接続する。２つの接点路１３７，１３８はさらに、ビア材料から製造する。コイル層１２７，１２９，１３１，１３３又は接点部１３４〜１３６の端縁を、各平面内で充填材料１３９により包囲する。

図３３は、ＡＳＩＣ１０３の機能回路図である。

接点ピンＬ１〜Ｌ８は、各関連のドライバユニット１４０に接続する。したがって、ＡＳＩＣ１０３は、互いに独立して駆動することができる合計８個のドライバユニット１４０を有する。ドライバユニット１４０はそれぞれ、データインタフェース１４１に接続する。合計で８個のこの種のデータインタフェース１４１がＡＳＩＣ１０３に存在する。ＡＳＩＣ１０３の８個のデータインタフェース１４１はそれぞれ、１２ビットの帯域幅と、ドライバユニット１４０への接続用のシリアル入力及びパラレル出力とを有する。８個のデータインタフェース１４１は、入力側を直列に接続し、一方では接点ピン１２１を介してシリアルデータ入力ライン１２０と信号接続し、他方では接点ピン１２３を介してシリアルデータ出力ライン１２２と信号接続する。データインタフェース１４１は、接点ピン１１９を介してシリアルクロック発生器ライン１１８と信号接続する。

ＡＳＩＣ１０３は、ＡＳＩＣ１０３を接地するためのアース接点ピン１４２も有する。ＡＳＩＣ１０３は、アース接点ピン１４２によりアースライン１１５ａに接続される（図２７を参照）。

図３４は、コイルプレート１０２の１つの群１１０にそれぞれ関連する駆動回路板１００のコンポーネントの機械的配置を概略的に示す。ＡＳＩＣ１０３は、群１１０の中央の設置空間に配置する。群１１０の周りには、等距離グリッドの形態とした合計８個の冷却／組立孔１４３を配置する。コイルプレート１０２及びＡＳＩＣ１０３の下側とセラミック基板１０１との間に熱伝導性の優れた接続を提供するヒートシンクフィンガ１４４を、孔１０３内に配置することができる。冷却／組立孔１４４は、代替的に、固定ピン９８又は１０４（図２４を参照）のための通路として用いることもできる。

図３６は、ＡＳＩＣ１０３のコイルプレート１０２を配置する駆動回路板１００のコンポーネント平面１４５とセラミック基板１０１との間に、絶縁体層１４７及び導電層１４８を交互にした多層構造１４６も示す。導電層１４８は、図２７に関連して説明した種々の制御ライン、データライン、及び供給ラインにそれぞれ接続する。導電層１４８は、ＣＰＣ（銅めっきセラミック）法又はスクリーン印刷法を用いて被着することができる。ＣＰＣ法の説明は、http://www.keramik-substrat.de/seite1.htm.で見られる。

ミラープレート９７に向いたコンポーネント平面１４５は、保護カバー層１４９で覆う。カバー層１４９は、酸化ケイ素のスパッタリングにより実現する。

図３２又は図３６による層構造は、ＬＴＣＣ（低温同時焼成セラミックス）技法を用いて得ることができる。ＬＴＣＣ法の適用に関する詳細は、マイクロエレクトロニクス会議ＭＥ０８の議事録、ＩＳＢＮ ９７８−３−８５１３３−０４９−６で見られる。

図３７は、ファセットミラー１３の様式、例えば、行列状に配置した個別ミラー２７からそれぞれがなる複数の部分個別ミラー組立体に分割される、光学モジュールの駆動プランを示す。このタイプにおける部分個別ミラーアレイ１５０用の駆動回路板１００の平面図を、図３５に全体的に示す。図３５による駆動回路板１００をコンポーネントとする部分個別ミラーアレイは、換言すれば、それぞれが１０個の個別ミラー２７を有する５行の個別ミラーアレイを含む。

図３７による駆動プランでは、主制御ライン１１１、１１２、データライン１２０、１２２、リセットライン１１６、及びシリアルクロック発生器ライン１１８を組み合わせて、シリアルデータバス１５１を形成する。バスインタフェース１５２により、部分個別ミラーアレイ１５０を、データバス１５１を介して中央制御装置１５３と信号接続する。中央制御装置１５３は、マイクロコントローラ又はプログラマブル集積回路（フィールドプログラマブルゲートアレイ）又は特殊プログラマブルロジスティクスモジュール（プログラマブルロジック装置、ＰＬＤ）とすることができる。中央制御装置１５３は、双方向信号ライン１５４を介してターゲットアプリケーションインタフェース１５５に信号接続する。投影露光システム１をそれにより制御し、各照明設定をそれにより予め決定することができる。ターゲットアプリケーションインタフェース１５５は、信号モジュール１５６及び供給モジュール１５７を有する。信号モジュール１５６は信号ライン１５４に接続する。ターゲットアプリケーションインタフェース１５５の供給モジュール１５７は、供給ライン１５８により、中央制御装置１５３に統合した中央供給装置１５９に接続する。中央供給装置１５９は、供給ライン１６０により部分個別ミラーアレイ１５０の供給インタフェース１６１に接続する。供給インタフェース１６１は、アレイ側を個別アレイ列の供給ライン１２４に接続する（図２７を参照）。

図３８は、部分個別ミラーアレイ１５０における個々のＡＳＩＣ１０３の駆動を示す。バスインタフェース１５２は、特に、シリアルデータ入力ライン１２０に接続する。各列のＡＳＩＣ１０３は、カスケード接続可能であるため、部分個別ミラーアレイ１５０の各列のＡＳＩＣ１０３は、直列にアドレスすることができる。

部分個別ミラーアレイ１５０の１つの駆動を用いて光学モジュールにおける個別ミラー２７の個々の位置を指定すること際の、光学モジュールの駆動を以下で説明する。

照明設定、例えば２重極照明を、ターゲットアプリケーションインタフェース１５５により最初に予め決定する。部分個別ミラーアレイ１５０における個別ミラー２７のそれぞれの規定位置を、この２重極照明に関連付ける。中央制御装置１５３は、バスインタフェース１５２を介して関連の部分個別ミラーアレイ１５０に位置情報を中継する。データバス１５１に伝送される制御ワードは、アドレスすべき部分個別ミラーアレイ１５０のアドレス、この部分個別ミラーアレイ１５０内のアドレスすべき列の列アドレス、アドレスする列内の各ＡＳＩＣ１０３により駆動可能なコイルプレート１０２のための完全制御データ、及び検査番号を含む。アドレスされたＡＳＩＣ列のＡＳＩＣ１０３は、そのシリアルデータ入力ライン１２０を介して制御データを読み込む。各ＡＳＩＣ１０３は、各自のための制御データを処理して対応の制御値を制御接点ピンＬ１〜Ｌ８に渡すため、コイルプレート１０２の個別コイル対１０６，１０８、及び／又は１０７，１０９は、偏向磁界（図１１の磁力線４５を参照）を生成するための所定の電流を供給される。コイルプレート１０２の個別コイル１０６〜１０９へのこの電流の供給に従って、永久磁石４４の偏向、したがって個別ミラー２７における関連のミラー本体３５の傾斜を行う。制御ワードで伝達したチェック値を用いて、各ＡＳＩＣは、それに割り当てられた制御ワードを正確に読み込んだか否かをチェックすることができる。不良と認識された読み込みプロセスは、データ出力ライン１２２及びデータバス１５１を介して中央制御装置１５３に報告し戻されるため、対応の障害チェックを行うことができる。

列に沿って延びる主制御ライン１１１、１１２及びアースライン１１５ａの隣接部分の隣接配置は、制御ライン１１１、１１２を流れる電流に起因して望ましくない磁界が生じるのを回避する。

各コイル電流のきめ細かい指定が高分解能深さで達成することができるのは、ＡＳＩＣ１０３ のデータインタフェース１４１及びドライバユニット１４０によってであり、ＡＳＩＣ１０３は、ブリッジ回路構成の自己調整式の大電流許容線形的コントローラ（self-regulating linear high current-capable controller）を収容する。コントローラの線形性は、パルス幅変調に基づいて得ることができる。

各コイル電流のきめ細かい指定が高分解能深さで達成することができるのは、ＡＳＩＣ１０３のデータインタフェース１４１及びドライバユニット１４０によってであり、ＡＳＩＣ１０３は、ブリッジ回路構成の自己調整式の大電流許容線形的コントローラ（self-regulating linear high current-capable controller）を収容する。コントローラの線形性は、パルス幅変調に基づいて得ることができる。

Claims (40)

1. 放射線ビームを案内するための光学モジュールであって、
   少なくとも１つのミラー（１３，１４；２６，２８）であり、
   互いに補完し合ってミラー反射面全体を形成する反射面（３４）を有する複数の個別ミラー（２７）を有し、
   熱伝導部（３７）により前記個別ミラー（２７）それぞれのミラー本体（３５）にそれぞれ機械的に連結した支持構造（３６）を有し、
   前記ミラー本体（３５）の少なくとも若干は、少なくとも１自由度での前記支持構造（３６）に対する前記ミラー本体（３５）の所定の変位を得るための関連のアクチュエータ（５０）を有し、
   集積電子変位回路（１０３）を、変位可能な前記個別ミラー（２７）のそれぞれに空間的に近接して関連付けた、
   該ミラー（１３，１４；２６，２８）と、
   中央制御装置（１５３）であり、変位可能な前記個別ミラー（２７）の前記集積電子変位回路（１０３）に接続した信号接続部（１５１，１５２，１２０）を有する、該中央制御装置（１５３）と、
   を備える、光学モジュール。
2. 請求項１に記載の光学モジュールにおいて、前記集積電子変位回路（１０３）は、カスケード接続可能で実現したことを特徴とする、光学モジュール。
3. 請求項１又は２に記載の光学モジュールにおいて、前記集積電子変位回路（１０３）は、前記個別ミラー（２７）の前記反射面（３４）側とは反対の側に配置した変位駆動回路板（１００）に収容したことを特徴とする、光学モジュール。
4. 請求項１〜３のいずれか１項に記載の光学モジュールにおいて、変位可能な前記個別ミラー（２７）の１つにそれぞれ関連付けた前記アクチュエータ（５０）は、ローレンツアクチュエータとして構成し、該ローレンツアクチュエータ（５０）の前記集積電子変位回路（１３）は、安全超低電圧により駆動することを特徴とする、光学モジュール。
5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の光学モジュールにおいて、前記集積電子変位回路（１０３）を駆動するための制御ライン（１１１，１１２）を、アースライン（１１５ａ）と平行に案内し、前記制御ライン（１１１，１１２）の一方は、前記アースライン（１５４ａ）の１つに直接隣接して配置したことを特徴とする、光学モジュール。
6. 請求項４又は５に記載の光学モジュールにおいて、前記集積電子供給回路（１０３）のそれぞれに隣接して、ローレンツアクチュエータ（５０）の一部である複数の個別コイル（１０６〜１０９）を配置し、前記集積電子変位回路（１０３）は、前記個別コイル（１０６〜１０９）と信号接続したことを特徴とする、光学モジュール。
7. 請求項３〜６のいずれか１項に記載光学モジュールにおいて、前記変位駆動回路板（１００）は、多層構造を有し、導電層（１２７，１２９，１３１，１３３；１４８）を、絶縁層（１２８，１３０，１３２；１４７）により互いに分離したことを特徴とする、光学モジュール。
8. 請求項３〜７のいずれか１項に記載の光学モジュールにおいて、前記変位駆動回路板（１００）の基板層（１０１）を、セラミック及び／又はシリコン材料から製造したことを特徴とする、光学モジュール。
9. 請求項３〜８のいずれか１項に記載の光学モジュールにおいて、前記変位駆動回路板（１００）の前記個別ミラー（２７）側とは反対の側にヒートシンク（９９）を有する構成としたことを特徴とする、光学モジュール。
10. 請求項３〜９のいずれか１項に記載の光学モジュールにおいて、前記ヒートシンク（９９）から前記変位駆動回路板（１００）を通って前記集積電子変位回路（１０３）又は前記個別コイル（１０６〜１０９）の領域へつながる、複数のヒートシンクフィンガ（１４４）を有する構成としたことを特徴とする、光学モジュール。
11. 請求項４〜１０のいずれか１項に記載の光学モジュールにおいて、前記ローレンツアクチュエータ（５０）は、永久磁石（４４）を有することを特徴とする、光学モジュール。
12. 請求項１〜１１のいずれか１項に記載の光学モジュールにおいて、各集積電子変位回路（１０３）は、１群の個別ミラー（２７）に関連付けたことを特徴とする、光学モジュール。
13. 請求項１〜１２のいずれか１項に記載の光学モジュールにおいて、それぞれ行列状に配置した個別ミラー（２７）からなる複数の部分個別アレイ（１５０）に分割したことを特徴とする、光学モジュール。
14. ＥＵＶ放射線ビームを案内するための光学モジュールであって、
    真空排気可能なチャンバ（３２）と、
    該チャンバ（３２）内に収容可能な少なくとも１つのミラー（１３，１４；２６）であり、
    互いに補完し合ってミラー反射面全体を形成する反射面（３４）を有する複数の個別ミラー（２７）を有し、
    熱伝導部（３７）により前記個別ミラー（２７）それぞれのミラー本体（３５）にそれぞれ機械的に連結した支持構造（３６）を有し、
    前記ミラー本体（３５）の少なくとも若干は、少なくとも１自由度での前記支持構造（３６）に対する前記ミラー本体（３５）の所定の変位を得るための関連のアクチュエータ（５０）を有する、該ミラー（１３，１４；２６）と、
    を備え、前記熱伝導部（３７）は、前記ミラー本体（３５）が吸収する少なくとも１ｋＷ／ｍ^２の熱パワー密度を前記支持構造（３６）に放散させるよう構成した、光学モジュール。
15. 請求項１４に記載の光学モジュールにおいて、前記アクチュエータ（５０）は、電磁作動式アクチュエータとして構成したことを特徴とする、光学モジュール。
16. 請求項１５に記載の光学モジュールにおいて、前記アクチュエータ（５０）は、ローレンツアクチュエータとして構成したことを特徴とする、光学モジュール。
17. 請求項１６に記載の光学モジュールにおいて、前記ローレンツアクチュエータ（５０）の通電アクチュエータコンポーネントを、基体（２６）上に印刷した導体路（４８）により構成したことを特徴とする、光学モジュール。
18. 請求項１７に記載の光学モジュールにおいて、印刷した導体路（４８）の互いに重なり合った複数の層（５１〜５４）を、前記基体（４６）上に配置したことを特徴とする、光学モジュール。
19. 請求項１４に記載の光学モジュールにおいて、前記アクチュエータは、リラクタンスアクチュエータとして構成したことを特徴とする、光学モジュール。
20. 請求項１４に記載の光学モジュールにおいて、前記アクチュエータは、ピエゾアクチュエータとして構成したことを特徴とする、光学モジュール。
21. 請求項１４〜２０のいずれか１項に記載の光学モジュールにおいて、各熱伝導部（３７）は、複数の熱伝導ストリップ（５５）を有し、隣接する熱伝導ストリップ（５５）は、互いに分離し、各熱伝導ストリップ（５５）は、前記ミラー本体（３５）を前記支持構造（３６）に連結することを特徴とする、光学モジュール。
22. 請求項１４〜２１のいずれか１項に記載の光学モジュールにおいて、前記支持構造（３６）は、能動冷却されることを特徴とする、光学モジュール。
23. 請求項１４〜２２のいずれか１項に記載の光学モジュールにおいて、前記ミラー本体（３５）の前記反射面（３４）の和を、前記ミラー（１３，１４；２６）が占める全面の０．５倍よりも大きくしたことを特徴とする、光学モジュール。
24. 請求項１４〜２３のいずれか１項に記載の光学モジュールにおいて、前記ミラー本体（３５）は、マトリクス状に配置したことを特徴とする、光学モジュール。
25. 請求項１４〜２４のいずれか１項に記載の光学モジュールにおいて、前記ミラー本体（３５）は、ファセットミラー（１３，１４，２６，２８）のファセット（１９；２９）であることを特徴とする、光学モジュール。
26. ＥＵＶ放射線ビームを案内するための光学モジュールであって、
    真空排気可能なチャンバ（３２）と、
    該チャンバ（３２）内に収容した少なくとも１つのミラー（１３、１４；２６）であり、
    互いに補完し合ってミラー反射面全体を形成する反射面（３４）を有する複数の個別ミラー（２７）を有し、
    熱伝導部（３７）により前記個別ミラー（２７）それぞれのミラー本体（３５）にそれぞれ機械的に連結した支持構造（３６）を有し、
    前記ミラー本体（３５）の少なくとも若干は、少なくとも１自由度での前記支持構造（３６）に対する前記ミラー本体（３５）の所定の変位を得るための関連のアクチュエータ（５０）を有する、該ミラー（１３，１４；２６）と、
    を備え、前記熱伝導部（３７）の少なくとも１つは、複数の熱伝導ストリップ（５６〜５８）を有し、前記熱伝導部（３７）の１つの隣接する熱伝導ストリップ（５６〜５８）は、互いに分離し、該熱伝導ストリップ（５６〜５８）のそれぞれは、前記ミラー本体（３５）を前記支持構造（３６）に連結する、光学モジュール。
27. 請求項２６に記載の光学モジュールにおいて、前記熱伝導ストリップ（５６〜５８）は、中心（５９）の周りで半径方向に構成し、
    前記熱伝導部（３７）の半径方向内側連結部（６０）に、前記支持構造（３６）又は前記ミラー本体（３５）に対する前記熱伝導ストリップ（５６〜５８）の連結移行部（５６ｉ〜５８ｉ）を配置し、
    半径方向外側連結部（６１）に、前記ミラー本体（３５）又は前記支持構造（３６）に対する前記熱伝導ストリップ（５６〜５８）の連結移行部（５６ａ〜５８ａ）を配置したことを特徴とする、光学モジュール。
28. 請求項２７に記載の光学モジュールにおいて、前記熱伝導ストリップ（５６〜５８）は、複数の熱伝導ストリップ（５８〜６０）が前記内側連結部（６０）と前記外側連結部（６１）との間の半径上に互いに連なり、隣接する熱伝導ストリップ（５８〜６０）間に中間空間がそれぞれ存在するように配置したことを特徴とする、光学モジュール。
29. 請求項２６〜２８のいずれか１項に記載の光学モジュールにおいて、前記熱伝導ストリップ（５６〜５８）は、渦巻き状構成を有することを特徴とする、光学モジュール。
30. 請求項２６〜２９のいずれか１項に記載の光学モジュールにおいて、前記個別ミラー（２７）の鏡面に対して直交する方向に延びる中央電極ピン（４３）を、前記ミラー本体（３５）に連結し、前記個別ミラー（２７）の駆動のために、前記支持体（３６）に接続した少なくとも１つの対向電極（６２〜６４）と協働させたことを特徴とする、光学モジュール。
31. 請求項３０に記載の光学モジュールにおいて、前記電極ピン（４３）を周方向に包囲して互いに電気的に絶縁させた複数の対向電極（６２〜６４）を特徴とする、光学モジュール。
32. 各関連の集積電子変位回路（１０３）で、行列状に配置されて制御式に変位し得る複数の個別ミラー（２７）を備える光学モジュールを制御する方法であって、
    駆動すべき個別ミラー列を指定するステップと、
    前記個別ミラー列に関連する前記電子変位回路（１０３）に制御値を伝達するステップと、
    を含む、方法。
33. 請求項３２に記載の方法において、前記光学モジュールは、行列状に配置した個別ミラー（２７）からそれぞれがなる複数の部分個別ミラーアレイ（１５０）に分割し、駆動すべき該部分個別ミラーアレイ（１５０）の選択は、駆動すべき前記個別ミラー（２７）を指定するステップの前に行うことを特徴とする、方法。
34. 請求項３２又は３３に記載の方法において、前記制御値が伝達した後に、該伝達した制御値をチェックすることを特徴とする、方法。
35. 請求項１〜３１のいずれか１項に記載の光学モジュールで用いるミラー（１３、１４；２６）。
36. 放射線源（３）からのＥＵＶ照明光（１０）で物体視野（５）を照明するための、マイクロリソグラフィ投影露光システム（１）用の照明光学系（４；２４）であって、請求項１〜３１のいずれか１項に記載の少なくとも１つの光学モジュールを備える、照明光学系。
37. 請求項３６に記載の照明光学系（４；２４）と、照明光（１０）を生成するＥＵＶ放射線源（３）とを備える、照明システム。
38. 投影露光システムであって、
    請求項３７に記載の照明システム（２）と、
    物体平面（６）内にある物体視野（５）を像平面（９）内の像視野（８）に結像する投影光学系（７）と、
    を備える、投影露光システム。
39. 構造コンポーネントを製造する方法であって、
    感光材料の層を少なくとも部分的に被着したウェーハを準備するステップと、
    結像すべき構造を有するレチクル（３０）を準備するステップと、
    請求項３８に記載の投影露光システム（１）を準備するステップと、
    該投影露光システム（１）を用いて、前記ウェーハの前記層の一領域に前記レチクル（３０）の少なくとも一部を投影するステップと、
    を含む、方法。
40. 請求項３９に記載の方法により製造される構造コンポーネント。

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