JP2012505307A5 - - Google Patents
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- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 100
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 99
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 99
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 48
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 38
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 38
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 37
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M sodium hydroxide Chemical group [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxyl anion Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 10
- 230000002708 enhancing Effects 0.000 claims description 9
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 9
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 8
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N ammonium hydroxide Chemical class [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 claims description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 5
- 229910001860 alkaline earth metal hydroxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001420 alkaline earth metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 claims 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 35
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 16
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 7
- 235000002017 Zea mays subsp mays Nutrition 0.000 description 7
- 244000150668 Zea mays subsp mays Species 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 7
- -1 copper Chemical class 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 4
- 108060005081 MSL1 Proteins 0.000 description 3
- 102100002014 MSL1 Human genes 0.000 description 3
- 229920001299 Polypropylene fumarate Polymers 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atoms Chemical group C* 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000004059 degradation Effects 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 150000003891 oxalate salts Chemical class 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N Antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000004544 DC2 Anatomy 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N chromium Chemical group [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- JOPOVCBBYLSVDA-UHFFFAOYSA-N chromium(6+) Chemical compound [Cr+6] JOPOVCBBYLSVDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 2
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000002530 ischemic preconditioning Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N silicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-Butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940063953 AMMONIUM LAURYL SULFATE Drugs 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BTBJBAZGXNKLQC-UHFFFAOYSA-N Ammonium lauryl sulfate Chemical compound [NH4+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O BTBJBAZGXNKLQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000686 Benzalkonium Chloride Drugs 0.000 description 1
- 210000001736 Capillaries Anatomy 0.000 description 1
- LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M Cetrimonium bromide Chemical compound [Br-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BXWNKGSJHAJOGX-UHFFFAOYSA-N Cetyl alcohol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCO BXWNKGSJHAJOGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001927 Cetylpyridinium Chloride Drugs 0.000 description 1
- YMKDRGPMQRFJGP-UHFFFAOYSA-M Cetylpyridinium chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+]1=CC=CC=C1 YMKDRGPMQRFJGP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 210000000474 Heel Anatomy 0.000 description 1
- 101700024250 MSL5 Proteins 0.000 description 1
- 101700026986 MSL6 Proteins 0.000 description 1
- ALSTYHKOOCGGFT-KTKRTIGZSA-N Oleyl alcohol Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCO ALSTYHKOOCGGFT-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 229920000388 Polyphosphate Polymers 0.000 description 1
- OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L Potassium sulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S([O-])(=O)=O OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 101700071483 SF1 Proteins 0.000 description 1
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 1
- DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M Sodium laurylsulphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-L Sulphite Chemical compound [O-]S([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000001447 alkali salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000008051 alkyl sulfates Chemical class 0.000 description 1
- 125000005211 alkyl trimethyl ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical class [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-M benzenesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940077388 benzenesulfonate Drugs 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 229960000541 cetyl alcohol Drugs 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910001430 chromium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 230000001809 detectable Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental Effects 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- FFQBWYTWHOTQFS-UHFFFAOYSA-N dioxido-bis(trioxidosilyloxy)silane Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])O[Si]([O-])([O-])O[Si]([O-])([O-])[O-] FFQBWYTWHOTQFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Substances OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000002563 ionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 1
- 239000002365 multiple layer Substances 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L na2so4 Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 229940055577 oleyl alcohol Drugs 0.000 description 1
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-L oxalate Chemical compound [O-]C(=O)C([O-])=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N oxane Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- ATGAWOHQWWULNK-UHFFFAOYSA-I pentapotassium;[oxido(phosphonatooxy)phosphoryl] phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O ATGAWOHQWWULNK-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- HWGNBUXHKFFFIH-UHFFFAOYSA-I pentasodium;[oxido(phosphonatooxy)phosphoryl] phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O HWGNBUXHKFFFIH-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000001205 polyphosphate Substances 0.000 description 1
- 235000011176 polyphosphates Nutrition 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052939 potassium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011151 potassium sulphates Nutrition 0.000 description 1
- 239000002987 primer (paints) Substances 0.000 description 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000717 retained Effects 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N sodium Chemical compound [Na] KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- VQOIVBPFDDLTSX-UHFFFAOYSA-M sodium;3-dodecylbenzenesulfonate Chemical class [Na+].CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC(S([O-])(=O)=O)=C1 VQOIVBPFDDLTSX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Description
本発明は、銀表面と、エポキシ樹脂や型材料の如き樹脂材料との間の接着性を改良する方法に関する。かような方法はリードフレームや表面実装部品(SMDs)の如き電子部品の製造に有用である。
リードフレームは、印刷回路基板上に取付けられた電子部品(表面実装部品、SMDs)の製造に用いられる。SMDsの製造の1つの工程は、保護目的のために、リードフレームの頂部上に樹脂(型)材料を適用することいわゆるパッケージの形成である。リードフレームは、通常、銅と銀の表面を含んでいる。そのため、型はリードフレームの銀と銅の表面と接触する。SMD製品耐用期間中、金属と型の間の剥離が起らないことが保証されなければならず、さもないとSMD部は故障する。
パッケージの耐用期間中、周囲湿気が型とリードフレームの境界面で吸収される。パッケージ内に湿気が吸収され、保持されることの問題は、閉じ込められた湿気が、部品が基板実装中のはんだ温度の如き急激な上昇温度に付されたとき、蒸発しそしてとても大きい内部パッケージ応力を発生し、そしてこれが剥離を引き起こす、ことである。この湿気誘発剥離は“ポップコーン作用”と呼ばれている。ポップコーン作用を避けるため、パッケージは、吸収を避けるため、はんだ付けの前に、湿気の無い条件下でパッケージあるいは再パッケージを行わなければならず、このことが組立工程を一層高価なものとし且つ品質管理を一層難しくしている。無鉛はんだ付けに用いられる比較的高いはんだ付け温度のために、ポップコーン作用が起る危険性は特に高くなり、さらに多くのパッケージ故障を生じることになる。
種々のパッケージタイプのポップコーン分解傾向の変化度合を認識する際に、IPC/JEDECは鉛付けされたICパッケージの湿気感度レベル(MSLs)の標準等級分けを定義した。この標準(J−STD−20MSL)によれば、MSLsは数字で表示され、MSL数はパッケージがポップコーン分解に弱いほど増加する。例えば、MSL1は湿気に曝露されてもポップコーン分解の影響を受けないパッケージに相当し、他方MSL5およびMSL6の部品は湿気誘発性故障を最も起し易い。目標はMSL1を達成することにある。
J−STD−20 MSL標準によれば、部品全体が特定の湿気および温度条件下で一定の時間試験に付される(表1参照)。
J−STD−20 MSL標準によれば、部品全体が特定の湿気および温度条件下で一定の時間試験に付される(表1参照)。
実際の活動条件下での充分な接着性を確保するために、鉛付けされたICパッケージはIPC/JEDEC J−STD−20 MSL標準に従ってテストされる。接着強度の他の実用的テストは認定目的の産業において汎用される、いわゆるタブプルテストである。金属表面と型の間の接着強度の表示は簡単な剥離テストからも得られる。タブプルテストおよび剥離テストのいずれも、金属表面と樹脂材料との間の接着性の改良を同定するための良好な道具として、開発と認定の段階で用いられる。タブプルテストと剥離テストは、典型的には、実際のパッケージよりもテスト試料について行われる。実際のパッケージについてのMSLテストのためには、C−モード走査型超音波顕微鏡(Acoustic Microscopy)(C−SAM)が銀と型との間の境界面での層剥離を検出するために使用できる。
達成可能な湿気感度レベルは、型とリードフレーム表面の間の接着のみならずパッケージの大きさと寸法にも依存する。一般に、SMDsはポップコーン分解し易い。その理由はそれらは薄くそれ故破損強度が比較的小さく、それらは湿気を一層容易に吸収し且つ保持し、そしてSMD基板実装は成形用コンパウンドを鉛で経験した高温度に付すことにもなる、ためである。
達成可能な湿気感度レベルは、型とリードフレーム表面の間の接着のみならずパッケージの大きさと寸法にも依存する。一般に、SMDsはポップコーン分解し易い。その理由はそれらは薄くそれ故破損強度が比較的小さく、それらは湿気を一層容易に吸収し且つ保持し、そしてSMD基板実装は成形用コンパウンドを鉛で経験した高温度に付すことにもなる、ためである。
現在製造されている大部分のリードフレームの表面は2種類の金属、すなわちリードフレームの基本材料である銅または銅合金と銀からなる。銅と銀の相対的割合は、複数の異なるリードフレーム間で変動する。基本材料はリードフレームの熱的および機械的安定性に影響する。リードフレーム表面における銀はリードフレームとその上に取付けられたチップとの間の電気的導通接続を作るために必要とされる。これは、リードフレームのさらなる加工中に、リードフレーム上のチップと銀の両方に細い線を接触させることに関係するサーモソニックボンディング(TSB)によって、通常はなされる。
ワイヤーボンディングとも云われるサーモソニックボンディングは、リードフレーム基板上の銀とジャンパー線(通常金でできているが、アルミニウムでできている場合もある)との間に安定接合を創るために、2つの清澄な金属表面(基板と線)を接触させる表面溶接法である。かくして、この方法は金属表面上の不純物の影響を受け易い。
ワイヤーボンディングとも云われるサーモソニックボンディングは、リードフレーム基板上の銀とジャンパー線(通常金でできているが、アルミニウムでできている場合もある)との間に安定接合を創るために、2つの清澄な金属表面(基板と線)を接触させる表面溶接法である。かくして、この方法は金属表面上の不純物の影響を受け易い。
リードフレームの銅または銅合金表面に関しては、銅または銅合金表面と、引き続きSMDsの製造に用いられる樹脂材料(型)との間の接着性を改良するために、銅または銅合金表面を粗面化することがリードフレーム製造では普通のことである。粗面化は通常化学エッチング法で行われるが、電気化学的に、すなわち銅材料にアノード電流を掛けることによって、行うこともできる。化学エッチング法の幾つかは銅表面上に酸化物層を生成するが、金属酸化物表面は一般に酸化物を含まない金属表面よりも樹脂に対しより良い接着性を示すため、酸化物層は接着にプラス効果を持つ。しかしながら、そのような酸化物層の効果は、恐らく、化学的粗面化の効果と比較するとむしろ小さい。
リードフレームの表面上の銅または銅合金を粗面化し、それによって銅または銅合金に対する樹脂材料(型)の接着性を改良するための標準法は、アトテック社によって開発されたモールドプレプ(MoldPrep 登録商標)法である(EP1820884A1参照)。モールドプレプ法は予め銀でメッキされたリードフレームに適用することも可能である。しかしながら、この方法は銀表面には影響を与えない。そのため、樹脂材料の銀への接着性に影響しない。
リードフレームの表面上の銅または銅合金を粗面化し、それによって銅または銅合金に対する樹脂材料(型)の接着性を改良するための標準法は、アトテック社によって開発されたモールドプレプ(MoldPrep 登録商標)法である(EP1820884A1参照)。モールドプレプ法は予め銀でメッキされたリードフレームに適用することも可能である。しかしながら、この方法は銀表面には影響を与えない。そのため、樹脂材料の銀への接着性に影響しない。
銅材料がどのようにして粗面化されたかにかかわらず、銅と樹脂材料との間の接着性のみが改良されることが明らかとなった。銅または銅合金表面を粗面化するための公知の方法はいずれも銀と樹脂材料との間の接着性を有意に改良するものではない。それ故、銀と樹脂材料の間の接触はリードフレームと樹脂材料との間で最も弱く結合され、そのためSMDsのMSL性能の更なる改良を妨げている。
このような状況のため、リードフレームとSMDsの製造業者は、システム安定性を増すために、銀表面面積を最小限にし、銅表面の相対的割合を最大限にしようと試みている。しかしながら、リードフレーム表面にチップを接触させるためには、ある程度の最小限の銀表面面積が必要とされるため、このアプローチには限度がある。
このような状況のため、リードフレームとSMDsの製造業者は、システム安定性を増すために、銀表面面積を最小限にし、銅表面の相対的割合を最大限にしようと試みている。しかしながら、リードフレーム表面にチップを接触させるためには、ある程度の最小限の銀表面面積が必要とされるため、このアプローチには限度がある。
技術水準
リードフレーム産業では樹脂材料(型)と、種々の金属例えば銅、銅合金、銀、合金42およびニッケル/パラジウム/金の複数層の組合せ(いわゆる前メッキフレーム(PPFs)で用いられている)との間の接着を改良するために長い間努力してきた。PPF法はニッケル/パラジウム/金を堆積する前に銅を粗面化することによって接着性の周縁改良を達成する。樹脂材料のPPFsへの接着性を改良するための他の可能性は、電気メッキパラメーターの適当な制御によって粗い形態でニッケルを堆積することである。粗いニッケルは、機械的固定により樹脂材料への接着性を改良する。しかしながら、この方法で達成された接着性は、今日達成され得る銅や銅合金への接着性と同じほど良好なものではない。それ故、この方法により達成される接着性改良は未だ十分ではない。
リードフレーム産業では樹脂材料(型)と、種々の金属例えば銅、銅合金、銀、合金42およびニッケル/パラジウム/金の複数層の組合せ(いわゆる前メッキフレーム(PPFs)で用いられている)との間の接着を改良するために長い間努力してきた。PPF法はニッケル/パラジウム/金を堆積する前に銅を粗面化することによって接着性の周縁改良を達成する。樹脂材料のPPFsへの接着性を改良するための他の可能性は、電気メッキパラメーターの適当な制御によって粗い形態でニッケルを堆積することである。粗いニッケルは、機械的固定により樹脂材料への接着性を改良する。しかしながら、この方法で達成された接着性は、今日達成され得る銅や銅合金への接着性と同じほど良好なものではない。それ故、この方法により達成される接着性改良は未だ十分ではない。
クイら(Cui et al.)(“Pdメッキリードフレームの接着性増進”1999 エレクトロニック コンポーネント アンド テクノロジー コンファレンス 837頁)は、鉄含有アルカリ溶液中でリードフレームにカソード電流を通じることによって粒子境界に沿って鉄が堆積されることを開示している。著者らによれば、PPF表面に鉄の堆積は、樹脂材料への改良された接着性をもたらす。しかしながら、線接合性が同時に減少する。線接合性は鉛が表面に堆積するほど悪化する。恐らく、クイらにより記載された方法が工業的に用いられていないことは、鉄が空気により酸化され易いという、理由と事実によるものと思われる。
米国特許5343073および5449951は、樹脂材料への接着性がクロムと亜鉛の電解堆積により改良されるべきであるリードフレームを記載している。これらの特許に記載された方法は、クロム(VI)の使用を包含するので、環境保護要請に関して不利益である。亜鉛の使用も、鉄と同様に且つこれらの特許に記述されていることとは反対に、亜鉛に対する金線の結合性が弱いので、やはり利益がない。
米国特許5300158は、腐蝕に対する保護と、銅または銅合金からなる基質への接着性改良とのために、クロム(VI)の使用を記載している。
米国特許6852427は、少なくとも1種の金属(例えば亜鉛)を含有する溶液が腐蝕に対して銅を保護するために用いられそして同時に、接着性の改良を達成することを開示している。この特許は主として、クロム(VI)の使用の回避に関するものである。
米国特許出願US2005/0121330A1(前記米国特許6852427の分割出願である)は、同様に、銅表面に関するだけである。銀および銀表面への金線の結合性はこの特許では考慮されていない。
米国特許5300158は、腐蝕に対する保護と、銅または銅合金からなる基質への接着性改良とのために、クロム(VI)の使用を記載している。
米国特許6852427は、少なくとも1種の金属(例えば亜鉛)を含有する溶液が腐蝕に対して銅を保護するために用いられそして同時に、接着性の改良を達成することを開示している。この特許は主として、クロム(VI)の使用の回避に関するものである。
米国特許出願US2005/0121330A1(前記米国特許6852427の分割出願である)は、同様に、銅表面に関するだけである。銀および銀表面への金線の結合性はこの特許では考慮されていない。
それ故、本発明の目的は、電子部品の製造のための成形材料として用いられるような樹脂材料の、銀表面特にリードフレームの銀表面への接着性を改良して良好な湿気感度レベルを有し、理想的には湿気感度レベルMSL1を達成する電子パッケージの製造を可能とすることである。同時に、銀表面への無傷の線結合が可能でなければならない。同様に、同時に存在する粗面化された銅または銅合金表面の良好な接着性を悪化させないものでなければならない。
銀を選択的にエッチングしてその粗さを増そうとした発明者の試みは成功しなかった。このアプローチは次の理由で諦めた。第1に、銀のエッチングは、穴が形成されるようにでこぼこであった。第2に、テストされた銀エッチング溶液の不十分な選択性のために、銅も同様に一様にエッチングされず、そのため銅表面への樹脂材料の接着の悪化を来した。
銀を選択的にエッチングしてその粗さを増そうとした発明者の試みは成功しなかった。このアプローチは次の理由で諦めた。第1に、銀のエッチングは、穴が形成されるようにでこぼこであった。第2に、テストされた銀エッチング溶液の不十分な選択性のために、銅も同様に一様にエッチングされず、そのため銅表面への樹脂材料の接着の悪化を来した。
発明者らは、同様に、銀を粗い形態で堆積させることによって銀への樹脂材料の接着を改良しようと試みた。しかしながら、達成された粗さの値は改良された接着性を得るには十分ではないかあるいは銀が粉末形態で堆積されていずれにしても改良された接着性を与えなかった。それにもかかわらず、粗い銀は接合工程のためには臨界的と思われる。
上記したPPF法に類似して、発明者らは銀堆積の前に銅を粗面化し次いで粗面化した銅の上に銀を堆積することも試みた。しかしながら、粗さが顕著に増加してさえも接着性の所望の改良が得られないことが判った。銀表面と樹脂材料、特に型材料として用いられる樹脂材料との間の弱い接着性の問題が解決されたのは、本発明者らが本発明方法を見い出した時のみであった。
上記したPPF法に類似して、発明者らは銀堆積の前に銅を粗面化し次いで粗面化した銅の上に銀を堆積することも試みた。しかしながら、粗さが顕著に増加してさえも接着性の所望の改良が得られないことが判った。銀表面と樹脂材料、特に型材料として用いられる樹脂材料との間の弱い接着性の問題が解決されたのは、本発明者らが本発明方法を見い出した時のみであった。
それ故、上記目的を達成するために、本発明は、銀表面を、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、アンモニウムハイドロキサイド類およびそれらの混合物から選ばれる水酸化物を含有する溶液で電解処理する工程、その際銀表面はカソードである、を含んでなる、銀表面と樹脂材料との間の接着性を改良する方法を提供する。
本発明方法では、樹脂材料が最終的に接着されるべきである銀表面が上記に特定された水酸化物を含有する溶液と接触せしめられる。溶液は同様に少なくとも1つのアノードと接触せしめられそして電圧はカソードとして働く銀表面と少なくとも1つのアノードとの間に掛けられ溶液中を電流が流れる。このように処理された銀表面は、樹脂材料特に表面実装部品(SMDs)の如き電子部材の製造のための型材料として用いられる樹脂材料に対し改良された接着性を示す。
上記方法の特別実施の態様では、本発明は下記工程:(i)少なくとも1つの銀表面を有するリードフレームを準備し、(ii)リードフレームの銀表面をアルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、アンモニウムハイドロキサイド類およびそれらの混合物から選ばれる水酸化物を含有する溶液で電解処理し、ここでリードフレームはカソードであり、(iii)樹脂材料を用いて電子部品をリードフレームと一緒にカプセルに包む、を含む表面実装電子部品(SMD)を製造する方法を提供する。リードフレームは同様に少なくとも1つの銅表面を有している。もし存在するならば、どの銅表面も上記少なくとも1つの銀表面と同じ処理と条件に付される。発明者が見い出したとおり、これは銅表面には検知可能な影響を与えない。
銀表面を電解処理する工程は、一般に、銀表面に鉛が結合される前に実施される。しかしながら、原則として、結合工程の後で、銀表面を電解処理する工程を実施することも可能である。
それ故、本発明は、同様に、樹脂材料が銀と接触している電子部品、この電子部品は上記方法によって得られる、を提供する。
銀表面を電解処理する工程はバッチ式または連続式で行うことができる。バッチ式では少なくとも1つの加工物がラック/バーレル型使用で一度に処理される。連続式では、加工物(特に、リードフレーム)はリール対リール型使用で処理される。すなわち、連続法では、個々の部品に分離される前に、製造された生産品の細長い一片または基材のリールをメッキすることができる。
銀表面が処理される溶液の温度は特に限定されない。一般に、この温度は15〜75℃、好ましくは20〜50℃、さらに好ましくは35〜45℃である。
それ故、本発明は、同様に、樹脂材料が銀と接触している電子部品、この電子部品は上記方法によって得られる、を提供する。
銀表面を電解処理する工程はバッチ式または連続式で行うことができる。バッチ式では少なくとも1つの加工物がラック/バーレル型使用で一度に処理される。連続式では、加工物(特に、リードフレーム)はリール対リール型使用で処理される。すなわち、連続法では、個々の部品に分離される前に、製造された生産品の細長い一片または基材のリールをメッキすることができる。
銀表面が処理される溶液の温度は特に限定されない。一般に、この温度は15〜75℃、好ましくは20〜50℃、さらに好ましくは35〜45℃である。
銀表面の電解処理の時間は特に限定されない。一般に、この時間は5〜300秒、好ましくは25〜60秒である。一般に、処理時間が長くなるほど銀表面と樹脂材料の間の接着がより大きく改善される。しかしながら、長い時間ほど不利益となるのは、特に処理される加工品が電解浴中を移動しそして長い処理時間が浴の一端から他端までの非常に長い距離を必要とされる連続式で処理を実施する際である。従って、短い処理時間は、カソード電流密度を増加させることによって達成することができる。これは過度の電圧を避けるためアノードの大きさを適度に大きくすることを要求する。
銀表面を電解的に処理する工程に適用される電流密度は、特に限定されない。一般に、カソード電流密度は2〜40A/dm2、好ましくは4〜32A/dm2である。処理溶液が水酸化物のみ(例えば水酸化ナトリウムのみ)を含有するとき、カソード電流密度は、一般に、8〜24A/dm2、好ましくは12〜16A/dm2である。処理液がさらにシリケートを含有するとき、カソード電流密度は一般に4〜16A/dm2、好ましくは8〜12A/dm2である。一般に、電流密度が高くなるほど接着はより大きく改善される。原則として、電流密度はカソードとアノードの間に掛けられる電圧によってのみ制限される。
銀表面を電解的に処理する工程に掛けられる電圧は特に限定されない。それは、とりわけ、カソード対アノードの表面積の比、電解質濃度および電流密度に依存する。一般に、電圧は7Vよりも低い。
銀表面を電解的に処理する工程に適用される電流密度は、特に限定されない。一般に、カソード電流密度は2〜40A/dm2、好ましくは4〜32A/dm2である。処理溶液が水酸化物のみ(例えば水酸化ナトリウムのみ)を含有するとき、カソード電流密度は、一般に、8〜24A/dm2、好ましくは12〜16A/dm2である。処理液がさらにシリケートを含有するとき、カソード電流密度は一般に4〜16A/dm2、好ましくは8〜12A/dm2である。一般に、電流密度が高くなるほど接着はより大きく改善される。原則として、電流密度はカソードとアノードの間に掛けられる電圧によってのみ制限される。
銀表面を電解的に処理する工程に掛けられる電圧は特に限定されない。それは、とりわけ、カソード対アノードの表面積の比、電解質濃度および電流密度に依存する。一般に、電圧は7Vよりも低い。
アノードは本質的に不活性であること、すなわちアノードは有意な度合まで溶解すべきでないことを除けば、銀表面を電解的に処理する工程で用いられる少なくとも1つのアノードの材料は特に限定されない。すなわち、アノードはV4AまたはSS316/319スチールの如きステンレススチール、または例えばプラチナメッキチタニウムで製造することができる。アノードの溶解は電圧を制御すること、すなわち過度に高い電圧を避けること、によって回避することができる。
アノードとカソードの表面積の比は特に限定されない。一般に、アノード対カソードの表面積比は少なくとも2:1、好ましくは少なくとも4:1、さらに好ましくは少なくとも8:1である。
アノードとカソードの表面積の比は特に限定されない。一般に、アノード対カソードの表面積比は少なくとも2:1、好ましくは少なくとも4:1、さらに好ましくは少なくとも8:1である。
銀表面が電解的に処理される溶液はアルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、アンモニウムハイドロキサイド類およびそれらの混合物から選ばれる水酸化物を含有する。好ましいアルカリ金属水酸化物は、水酸化ナトリウム(NaOH)および水酸化カリウム(KOH)である。好適なアンモニウムハイドロキサイド類は、式NR4−nHnOH、ここで各Rは独立に炭素数1〜12、好ましくは1〜6のアルキル基である、のアンモニウムハイドロキサイドである。好ましい水酸化物は水酸化ナトリウムと水酸化カリウムである。
処理溶液中の水酸化物の濃度は一般に、10〜500g/l、好ましくは100〜200g/l、例えば約150g/lである。処理溶液が下記する導電性増強塩または接着性改善塩を含有するなら、水酸化物の濃度は低下させても一般に十分である。
処理溶液中の水酸化物の濃度は一般に、10〜500g/l、好ましくは100〜200g/l、例えば約150g/lである。処理溶液が下記する導電性増強塩または接着性改善塩を含有するなら、水酸化物の濃度は低下させても一般に十分である。
処理溶液は、ナトリウムまたはカリウムまたはアンモニウムメタシリケートの如き硅酸塩をさらに含有することができる。Na3HSiO4・5H2Oまたは相当するアルカリもしくはアンモニウム塩の如き、いわゆるセスキシリケートも使用することができる。好ましい硅酸塩はポリシリケートであり、好ましくは可溶性アルカリ金属もしくはアンモニウムポリシリケートであり、これらは式M2O・nSiO2、ここでnは約1〜4でありそしてMはアルカリ金属または式NR4−nHn +、ここで各Rは独立に炭素数1〜12、好ましくは1〜6のアルキル基である、で表すことができる。
処理溶液中にこのような硅酸塩が存在すると処理された銀表面と樹脂の間の接着性が一層大きく改善されることが明らかとされた。用いられる場合、処理溶液中の硅酸塩の濃度は、一般に、1〜100g/l、好ましくは10〜50g/lである。
処理溶液中にこのような硅酸塩が存在すると処理された銀表面と樹脂の間の接着性が一層大きく改善されることが明らかとされた。用いられる場合、処理溶液中の硅酸塩の濃度は、一般に、1〜100g/l、好ましくは10〜50g/lである。
場合により、処理溶液は1つまたはそれ以上の導電性増強塩を含有していてもよい。好ましい導電性増強塩は硫酸塩およびポリリン酸塩であり、好ましくはアルカリ、アンモニウムもしくはアルカリ土類カチオンを有し、例えばナトリウムもしくはカリウム硫酸塩(Na2SO4またはK2SO4)、またはナトリウムもしくはカリウムトリポリリン酸塩(Na5P3O10もしくはK5P3O10)である。相当するアンモニウム塩((NH4)2SO4もしくは(NH4)5P3O10)を用いることもできる。このような導電性増強塩はカソードとアノードとの間の電圧を低下させそして電流密度を増加させるために用いることもできる。用いられる場合、処理溶液中の導電性増強塩の濃度は一般に1〜100g/l、好ましくは10〜50g/lである。そのような塩は単独で用いられても接着性増強効果を持たないことが明らかにされた。
処理溶液のpHは>7、好ましくは>10である。
処理溶液のpHは>7、好ましくは>10である。
場合により、処理溶液は1種もしくはそれ以上の界面活性剤を含有することができる。界面活性剤はイオン性でも非イオン性でもよい。好適なイオン性界面活性剤は、アニオン界面活性剤、例えばサルフェート系、スルホネート系もしくはカルボキシレート系界面活性剤(例えばナトリウムドデシルサルフェート、アンモニウムラウリルサルフェートおよび他のアルキルサルフェート、アルキルベンゼンスルホネートおよび脂肪酸塩例えばナトリウムドデシルベンゼンスルホネート)およびカチオン界面活性剤、例えばアルキルトリメチルアンモニウム塩(例えばセチルトリメチルアンモニウムブロマイド)、セチルピリジニウムクロライドおよびベンザルコニウムクロライドを包含する。好適な非イオン性界面活性剤はアルキルポリ(エチレンオキサイド)、エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドの共重合体、脂肪族アルコール(例えばセチルアルコールおよびオレイルアルコール)、ポリエチレングリコール類(例えばポリエチレングリコール 10,000)、およびエチレングリコールエーテル類(例えばエチレングリコールモノブチルエーテル)を包含する。このような界面活性剤は処理されるべき銀表面の湿潤化を促進する。
銀表面を電解的に処理する工程は銀表面上に如何なる金属も堆積することなしに実施される。それ故、処理溶液は、アルカリもしくはアルカリ土類金属イオン以外の金属イオンを本質的に含まない。特に、処理溶液は、鉄、亜鉛およびクロムイオン、特にFe2+、Fe3+、Zn2+、Cr3+およびCr(VI)イオンを本質的に含まない。この点に関し、“本質的に含まない”という表現は、溶液が、これらの特定のイオンが実際的に回避できない不純物を構成する程度までを除き特定のイオンを含有していない、ことを意味する。硅素(シリケートとして)の存在はもちろん除外されない(上記参照)。
本発明の方法は、一般に、樹脂材料特に、電子部品例えばいわゆる表面実装部品(SMDs)の製造における成形材料として用いられる樹脂材料への銀表面の接着性を改善するために用いることができる。本発明の方法は、特に、銀表面を有するリードフレームに対し適用される。本発明の方法は、リードフレーム中にも存在する銅もしくは銅合金を粗面化するための公知の方法と組合せることができる。特に、本発明の方法は、EP1820884A1に記載された、アトテックによって商業化されたMoldPrep(登録商標)と組合せることができる。この場合、銅粗面化方法が先ず通常とおりに実施され次いで本発明の方法が銀表面を処理するために適用される。
本発明により処理された銀表面は公知の方法特にサーモソニックボンディング(TSB)によって金線に接合することができる。銀表面は純粋な銀または十分高い銀濃度を持つ銀合金から実質的になることができる。
本発明により処理された銀表面は樹脂材料特に電子パッケージの製造のための成形材料として典型的に用いられる樹脂材料に対し改善された接着性を示す。特に、本発明に関しては、樹脂材料は、75〜95wt%のヒュームドシリカ、2〜8wt%のエポキシ樹脂、1〜3wt%のエポキシクレゾールノボラック、2〜8wt%のフェノール樹脂および0.1〜0.5wt%のカーボンブラックからなる商業的に入手可能な製品Sumikon EME−G600(登録商標)、または約86wt%のシリカ粉末、約1.0wt%の三酸化アンチモン、約11wt%のエポキシ樹脂、約1.0wt%の臭素化樹脂および約1.0wt%の触媒、柔軟剤、離型剤、顔料およびプライマーからなる成形コンパウンドSumikon EME7351TQ(登録商標)の如きエポキシ樹脂またはエポキシ成形コンパウンドであることができる。この成形コンパウンドは約80wt%の溶融シリカ、可撓性エポキシ樹脂および硬化剤、遷移金属酸化物/窒素難燃剤、ゴムまたは熱可塑性柔軟剤およびシラン類からなる、臭素不含(“グリーン”)成形材料であってもよい。
本発明は、さらに下記の非限定実施例を参照して説明される。
試験方法
実施例で用いられた試験法は下記のとおりである。
実施例で用いられた試験法は下記のとおりである。
ラボ剥離テスト
ラボ剥離テストは、エポキシガラス繊維基質上に積層された銀箔について、エポキシ層から箔を剥離するに必要とされる力を測定することによって実施される。さらに詳しくは、銀箔(99.97%Ag、長さ130mm、幅30mm、厚み50μm)が有機溶媒で脱脂され、次いでイソラ デュラヴァア(Isola Duraver)DE104ML(登録商標)、エポキシガラス繊維プリプレグ(ガラスタイプ 2125、Tg135℃、大きさ25×25cm)上に積層され、そしてエポキシプリプレグが加圧機(HML製;型式:MP20−2−VK)および下記表に特定された温度と圧力計画表を用いて175℃まで加圧することによって同時に硬化される。
ラボ剥離テストは、エポキシガラス繊維基質上に積層された銀箔について、エポキシ層から箔を剥離するに必要とされる力を測定することによって実施される。さらに詳しくは、銀箔(99.97%Ag、長さ130mm、幅30mm、厚み50μm)が有機溶媒で脱脂され、次いでイソラ デュラヴァア(Isola Duraver)DE104ML(登録商標)、エポキシガラス繊維プリプレグ(ガラスタイプ 2125、Tg135℃、大きさ25×25cm)上に積層され、そしてエポキシプリプレグが加圧機(HML製;型式:MP20−2−VK)および下記表に特定された温度と圧力計画表を用いて175℃まで加圧することによって同時に硬化される。
その後、銀/エポキシ積層体は室温まで冷却される。次いで、エポキシ基質から銀箔を剥離するに必要な力が、ツヴィック(Zwick)(型:Z010)製の測定装置を用いて100mmの長さに亘って90°の剥離角と50mm/minの速度で銀箔の幅に関して測定される。
タブプルテスト
タブプルテストにおいて、正三角形の銀領域(約7mm2)を持つ銅リードフレームが用いられる。型(Sumikon EME−G600(登録商標))が銀表面に適用されて硬化される。型は、次いで引張力に付される、銀表面から型を引き離すに必要な力が測定される(kgで)。
タブプルテストにおいて、正三角形の銀領域(約7mm2)を持つ銅リードフレームが用いられる。型(Sumikon EME−G600(登録商標))が銀表面に適用されて硬化される。型は、次いで引張力に付される、銀表面から型を引き離すに必要な力が測定される(kgで)。
接合テスト
接合テストが次の装置、材料およびパラメーターを用いて実施された。
ボンダー(装置):デルボテック(Delvotec)社5410(半自動ボール/ウェッジボンディング)
超音波周波数:60kHz
セット動力(a.u.):ボール接合40:ウェッジ接合140
セット時間(a.u.):ボール接合30:ウェッジ接合60
セット力(a.u.):20
ボンドワイヤー:Au HD2(ヘレウス)、直径25μm、破断荷重>7g
キャピラリー:UTS−41KJ−CM−1/16−16mm
温度:150℃
引張試験機:DAGE 4000、WP100カートリッジ、引張速度500μm/s
引張数:30
処理溶液
これらの実施例で用いられた処理溶液は第2表に特定された組成を持つ水溶液である:
接合テストが次の装置、材料およびパラメーターを用いて実施された。
ボンダー(装置):デルボテック(Delvotec)社5410(半自動ボール/ウェッジボンディング)
超音波周波数:60kHz
セット動力(a.u.):ボール接合40:ウェッジ接合140
セット時間(a.u.):ボール接合30:ウェッジ接合60
セット力(a.u.):20
ボンドワイヤー:Au HD2(ヘレウス)、直径25μm、破断荷重>7g
キャピラリー:UTS−41KJ−CM−1/16−16mm
温度:150℃
引張試験機:DAGE 4000、WP100カートリッジ、引張速度500μm/s
引張数:30
処理溶液
これらの実施例で用いられた処理溶液は第2表に特定された組成を持つ水溶液である:
実施例1
銀箔が有機溶媒で脱脂された。それは次いでそれを処理溶液A中に直流を掛けながら40℃で60秒間浸漬することによって、本発明の電解接着改善処理に付された。銀箔はカソードに接続された。アノードはスチール製であった。カソードの電流密度は9A/dm2であった。
銀箔は、次いで上記特定したとおりのラボ剥離テストに付された。比較のため、テストは脱脂されただけで本発明の電解接着改善処理に付されなかった銀箔について実施された。
ラボ剥離テストの結果は第3表に記載されている。
銀箔が有機溶媒で脱脂された。それは次いでそれを処理溶液A中に直流を掛けながら40℃で60秒間浸漬することによって、本発明の電解接着改善処理に付された。銀箔はカソードに接続された。アノードはスチール製であった。カソードの電流密度は9A/dm2であった。
銀箔は、次いで上記特定したとおりのラボ剥離テストに付された。比較のため、テストは脱脂されただけで本発明の電解接着改善処理に付されなかった銀箔について実施された。
ラボ剥離テストの結果は第3表に記載されている。
実施例2
標準リードフレーム(タブプルテストで用いられたと同じ、上記参照)が、それを第4表に特定された溶液中に第4表に特定された時間と温度で浸漬することによって、MoldPrep LF(登録商標)前処理に付された(第4表、工程1〜5参照)。
リードフレームは、次いで、それを処理溶液C中に直流を掛けながら40℃で60秒間浸漬することによって、本発明の電解接着改善処理に付された(第4表、工程6参照)。リードフレームは、カソードとして接続された。アノードはスチール製であった。カソードの電流密度は9A/dm2であった。
リードフレームは次いで脱イオン水(<2μS)で洗滌され(30秒、60℃)そして65℃で10分間乾燥された(第4表、工程7および8)。
この実施例で実施された工程を方法条件は第4表にまとめられている(工程3と5はリードフレームの表面上の銅(合金)の存在を考慮して実施されることに注目、これらの工程は銀表面への接着性を改善するためには必要とされず、本発明の方法の本質的部分ではない)。
標準リードフレーム(タブプルテストで用いられたと同じ、上記参照)が、それを第4表に特定された溶液中に第4表に特定された時間と温度で浸漬することによって、MoldPrep LF(登録商標)前処理に付された(第4表、工程1〜5参照)。
リードフレームは、次いで、それを処理溶液C中に直流を掛けながら40℃で60秒間浸漬することによって、本発明の電解接着改善処理に付された(第4表、工程6参照)。リードフレームは、カソードとして接続された。アノードはスチール製であった。カソードの電流密度は9A/dm2であった。
リードフレームは次いで脱イオン水(<2μS)で洗滌され(30秒、60℃)そして65℃で10分間乾燥された(第4表、工程7および8)。
この実施例で実施された工程を方法条件は第4表にまとめられている(工程3と5はリードフレームの表面上の銅(合金)の存在を考慮して実施されることに注目、これらの工程は銀表面への接着性を改善するためには必要とされず、本発明の方法の本質的部分ではない)。
次いで、射出成形によって型が適用され、リードフレームが種々の焼き付き条件に付された。その後、それは上で特定したタブプルテストおよびボンドテストに付された。比較のため、本発明の電解接着改善処理(第4表、工程6)を省いた以外は同様に処理を行ったリードフレームについて実施した。
タブプルテストとボンドテストの結果をそれぞれ第5表と第6表に示す。
第6表の結果は、本発明による電解接着改善処理がボンド強度に有意な(すなわち有害な)影響を与えないことを示している。さらに具体的には、ボンドテストでは、全てのボンドが線の破断すなわちネックやヒールでの破断を示したが、ボールやウェッジのリフト(すなわち線端部での引き離し)はなかった。
実施例3
実施例1が下記変更を伴って繰返された:電解接着改善処理工程において、処理液Aが処理液Bで置き換えられた、アノードはV4Aステンレススチール製であった、カソードの電流密度は16A/dm2であった、処理時間は30秒であった。このようにして得られた銀箔についてのラボ剥離テストの結果は第7表に示されている。
実施例1が下記変更を伴って繰返された:電解接着改善処理工程において、処理液Aが処理液Bで置き換えられた、アノードはV4Aステンレススチール製であった、カソードの電流密度は16A/dm2であった、処理時間は30秒であった。このようにして得られた銀箔についてのラボ剥離テストの結果は第7表に示されている。
実施例4
実施例1が下記変更を伴って繰返された:銀箔がMoldPrep LF(登録商標)方法で前処理された(第4表、工程1〜5)。電解接着改善処理工程において、処理溶液Aは処理溶液Cで置き換えられた。アノードはステンレススチール製であった。温度は45℃であった。処理時間は30秒であった。このようにして得られた銀箔についてのラボ剥離テストの結果は第8表に示されている。
実施例1が下記変更を伴って繰返された:銀箔がMoldPrep LF(登録商標)方法で前処理された(第4表、工程1〜5)。電解接着改善処理工程において、処理溶液Aは処理溶液Cで置き換えられた。アノードはステンレススチール製であった。温度は45℃であった。処理時間は30秒であった。このようにして得られた銀箔についてのラボ剥離テストの結果は第8表に示されている。
実施例5
実施例2が下記変更を伴って繰返された:電解接着改善処理工程において、処理溶液Aが処理溶液Dで置き換えられた。温度が45℃であった。処理時間が35秒であった。カソードの電流密度は12A/dm2であった。
実施例2が下記変更を伴って繰返された:電解接着改善処理工程において、処理溶液Aが処理溶液Dで置き換えられた。温度が45℃であった。処理時間が35秒であった。カソードの電流密度は12A/dm2であった。
タブプルテストとボンドテストの結果はそれぞれ第9表と第10表に示されている。
実施例6
それぞれ、22の個々の表面実装部品((クアッド フラット パッケージ(Quad Flat Packages))を備えた2つのリードフレームが検査された。リードフレームは銀で部分的にメッキされていた。すなわち、それらのフレームは基材銅の表面領域と銀の表面領域を含んでいた。1つのリードフレームが型適用の前に銀表面を何ら処理することなくテストに付された。すなわち、型と銅表面の間の接着性を強化する方法工程1〜5(第4表参照)のみが実施された。もう一方のリードフレームは、さらに、第4表に示された方法の順序にて、溶液Aで処理された(第2表参照;電流密度:9A/dm2、温度40℃、時間60s)。レベル1〜3のMSLテスト(第1表参照)の後型の層剥離がC−モード走査型超音波顕微鏡(C−SAM)で検査された。各リードフレーム上の破損部品の数が第11表にまとめられている。溶液Aで銀表面領域の処理後ではレベル1〜3MSLテストについて破損は観察されなかった。
それぞれ、22の個々の表面実装部品((クアッド フラット パッケージ(Quad Flat Packages))を備えた2つのリードフレームが検査された。リードフレームは銀で部分的にメッキされていた。すなわち、それらのフレームは基材銅の表面領域と銀の表面領域を含んでいた。1つのリードフレームが型適用の前に銀表面を何ら処理することなくテストに付された。すなわち、型と銅表面の間の接着性を強化する方法工程1〜5(第4表参照)のみが実施された。もう一方のリードフレームは、さらに、第4表に示された方法の順序にて、溶液Aで処理された(第2表参照;電流密度:9A/dm2、温度40℃、時間60s)。レベル1〜3のMSLテスト(第1表参照)の後型の層剥離がC−モード走査型超音波顕微鏡(C−SAM)で検査された。各リードフレーム上の破損部品の数が第11表にまとめられている。溶液Aで銀表面領域の処理後ではレベル1〜3MSLテストについて破損は観察されなかった。
実施例7
銀箔が有機溶媒で脱脂された。それは、次いで、それを下記第12表に記載の化学品を含む溶液に浸漬することによって本発明の電解接着改善処理に付された。浸漬時間は、直流電流を掛けつつ45℃で60秒間であった。銀箔はカソードとして接続された。アノードはスチールであった。カソードの電流密度は16A/dm2であった。
銀箔は、次いで、上記に特定したラボ剥離テストに付された。結果は第12表に示されている。比較のため、脱脂されただけで、本発明の電解接着改善処理に付されなかった銀箔についてテストが行われた。
銀箔が有機溶媒で脱脂された。それは、次いで、それを下記第12表に記載の化学品を含む溶液に浸漬することによって本発明の電解接着改善処理に付された。浸漬時間は、直流電流を掛けつつ45℃で60秒間であった。銀箔はカソードとして接続された。アノードはスチールであった。カソードの電流密度は16A/dm2であった。
銀箔は、次いで、上記に特定したラボ剥離テストに付された。結果は第12表に示されている。比較のため、脱脂されただけで、本発明の電解接着改善処理に付されなかった銀箔についてテストが行われた。
Claims (14)
- 銀表面を、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、アンモニウムハイドロキサイド類およびそれらの混合物から選ばれる水酸化物を含有する溶液で電解的に処理する工程、ここで銀表面はカソードであり、そして処理溶液中の水酸化物の濃度は10〜500g/lである、を含む、銀表面と樹脂材料との間の接着性を改良する方法。
- 下記工程を下記順序で実施することを含む、表面実装電子部品の製造方法。
(i)銅と銀の表面を有するリードフレームを準備し、
(ii)場合により銅表面を、粗面化し、
(iii)リードフレームの銀表面を、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、アンモニウムハイドロキサイド類およびそれらの混合物から選ばれる水酸化物を含有する溶液で電解的に処理し、ここでリードフレームはカソードであり、ここで処理溶液中の水酸化物の濃度は10〜500g/lである。
(iv)樹脂材料を用いるリードフレームと一緒に電子部品を封入する。 - 銀表面を電解的に処理する工程が銀表面上にいかなる金属も堆積させずに実施される請求項1または2に記載の方法。
- 溶液がアルカリもしくはアルカリ土類金属イオン以外の金属イオンを本質的に含まない、先行する請求項のいずれかに記載の方法。
- 銀表面が処理される溶液の温度が20〜50℃である、先行する請求項のいずれかに記載の方法。
- 電解処理の時間が5〜300秒である、先行する請求項のいずれかに記載の方法。
- 銀表面を電解的に処理する工程で適用されるカソード電流密度が2〜40A/dm2である、先行する請求項のいずれかに記載の方法。
- 水酸化物が水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムである、先行する請求項のいずれかに記載の方法。
- 処理溶液がシリケート塩をさらに含有する、先行する請求項のいずれかに記載の方法。
- 処理溶液中のシリケート塩の濃度が1〜100g/lである、請求項9に記載の方法。
- 処理溶液が1つまたはそれ以上の導電性増強塩を含有する、先行する請求項のいずれかに記載の方法。
- 処理溶液中の導電性増強塩の濃度が1〜100g/lである、請求項11に記載の方法。
- 処理液が1種またはそれ以上の界面活性剤を含有する、先行する請求項のいずれかに記載の方法。
- 樹脂材料が銀と接触している電子部品であって、先行する請求項のいずれかに記載の方法によって得られた上記部品。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP08166416.1 | 2008-10-13 | ||
EP08166416A EP2175049B1 (en) | 2008-10-13 | 2008-10-13 | Method for improving the adhesion between silver surfaces and resin materials |
PCT/EP2009/006580 WO2010043291A1 (en) | 2008-10-13 | 2009-09-10 | Method for improving the adhesion between silver surfaces and resin materials |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012505307A JP2012505307A (ja) | 2012-03-01 |
JP2012505307A5 true JP2012505307A5 (ja) | 2014-01-16 |
JP5441276B2 JP5441276B2 (ja) | 2014-03-12 |
Family
ID=40107432
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011530387A Active JP5441276B2 (ja) | 2008-10-13 | 2009-09-10 | 銀表面と樹脂材料間の接着の改良法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8819930B2 (ja) |
EP (1) | EP2175049B1 (ja) |
JP (1) | JP5441276B2 (ja) |
KR (1) | KR101603619B1 (ja) |
CN (1) | CN102232127B (ja) |
AT (1) | ATE513066T1 (ja) |
ES (1) | ES2365186T3 (ja) |
TW (1) | TWI447270B (ja) |
WO (1) | WO2010043291A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102140643B (zh) * | 2010-12-22 | 2014-05-28 | 宁波康强电子股份有限公司 | 提高金属及金属镀层表面附着力的方法 |
US20160204003A1 (en) * | 2015-01-08 | 2016-07-14 | Yiu Fai KWAN | Method of forming asper-silver on a lead frame |
US9640466B1 (en) | 2016-02-24 | 2017-05-02 | Nxp Usa, Inc. | Packaged semiconductor device with a lead frame and method for forming |
MY197351A (en) * | 2016-03-11 | 2023-06-14 | Atotech Deutschland Gmbh | Lead-frame structure, lead-frame, surface mount electronic device and methods of producing same |
US9679832B1 (en) * | 2016-07-20 | 2017-06-13 | Stmicroelectronics Sdn Bhd | Rough leadframe with a nanolayer of silver |
CN107960012A (zh) * | 2017-11-20 | 2018-04-24 | 珠海杰赛科技有限公司 | 一种内嵌式铝板层压模具制备方法 |
CN108155120B (zh) * | 2017-12-18 | 2020-02-18 | 广州丰江微电子有限公司 | 一种用于引线框架表面处理的装置 |
CN108389803B (zh) * | 2017-12-28 | 2020-02-14 | 天水华天机械有限公司 | 一种小塑封体集成电路的高可靠性引线框架加工工艺 |
CN110265376A (zh) | 2018-03-12 | 2019-09-20 | 意法半导体股份有限公司 | 引线框架表面精整 |
CN109267120A (zh) * | 2018-11-16 | 2019-01-25 | 中山品高电子材料有限公司 | 引线框架电镀银层的方法 |
US11735512B2 (en) | 2018-12-31 | 2023-08-22 | Stmicroelectronics International N.V. | Leadframe with a metal oxide coating and method of forming the same |
CN116635572A (zh) * | 2020-12-15 | 2023-08-22 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 水性组合物、使用其的不锈钢表面的粗糙化处理方法、以及粗糙化不锈钢的制造方法 |
JP2022099497A (ja) * | 2020-12-23 | 2022-07-05 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
US11848258B2 (en) | 2020-12-31 | 2023-12-19 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor package with nickel-silver pre-plated leadframe |
US11629426B1 (en) | 2022-06-29 | 2023-04-18 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Silver electroplating compositions and methods for electroplating rough matt silver |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP1820884B1 (en) | 2006-02-17 | 2009-10-07 | Atotech Deutschland Gmbh | Solution and process to treat surfaces of copper alloys in order to improve the adhesion between the metal surface and the bonded polymeric material |
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-
2008
- 2008-10-13 AT AT08166416T patent/ATE513066T1/de not_active IP Right Cessation
- 2008-10-13 EP EP08166416A patent/EP2175049B1/en active Active
- 2008-10-13 ES ES08166416T patent/ES2365186T3/es active Active
-
2009
- 2009-09-10 CN CN2009801373887A patent/CN102232127B/zh active Active
- 2009-09-10 US US13/123,668 patent/US8819930B2/en active Active
- 2009-09-10 KR KR1020117010337A patent/KR101603619B1/ko active IP Right Grant
- 2009-09-10 WO PCT/EP2009/006580 patent/WO2010043291A1/en active Application Filing
- 2009-09-10 JP JP2011530387A patent/JP5441276B2/ja active Active
- 2009-09-16 TW TW098131233A patent/TWI447270B/zh active
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