JP2012504355A - 信号増幅器、基地局及び入力信号を増幅する方法 - Google Patents
信号増幅器、基地局及び入力信号を増幅する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012504355A JP2012504355A JP2011528149A JP2011528149A JP2012504355A JP 2012504355 A JP2012504355 A JP 2012504355A JP 2011528149 A JP2011528149 A JP 2011528149A JP 2011528149 A JP2011528149 A JP 2011528149A JP 2012504355 A JP2012504355 A JP 2012504355A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- auxiliary
- main
- amplifier
- input signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 10
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 4
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000011664 signaling Effects 0.000 claims 2
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 12
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 12
- 238000013461 design Methods 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 241001125929 Trisopterus luscus Species 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/04—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in discharge-tube amplifiers
- H03F1/06—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in discharge-tube amplifiers to raise the efficiency of amplifying modulated radio frequency waves; to raise the efficiency of amplifiers acting also as modulators
- H03F1/07—Doherty-type amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0288—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers using a main and one or several auxiliary peaking amplifiers whereby the load is connected to the main amplifier using an impedance inverter, e.g. Doherty amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0261—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A
- H03F1/0266—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A by using a signal derived from the input signal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0261—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A
- H03F1/0272—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A by using a signal derived from the output signal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
- H03F1/3241—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using predistortion circuits
- H03F1/3247—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using predistortion circuits using feedback acting on predistortion circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04W—WIRELESS COMMUNICATION NETWORKS
- H04W88/00—Devices specially adapted for wireless communication networks, e.g. terminals, base stations or access point devices
- H04W88/08—Access point devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/15—Indexing scheme relating to amplifiers the supply or bias voltage or current at the drain side of a FET being continuously controlled by a controlling signal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/321—Use of a microprocessor in an amplifier circuit or its control circuit
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Transmitters (AREA)
Abstract
Description
入力信号を前記主入力信号及び前記補助入力信号に分け、前記主入力信号及び前記補助入力信号に対して信号整形を施すデュアルドライブモジュールを含む信号準備ユニットと、
前記主入力信号を受信し、増幅された主信号を出力する主増幅器と、
前記主増幅器に主バイアス電圧を供給する主バイアス電源と、
前記補助入力信号を受信し、増幅された補助信号を出力する補助増幅器と、
前記補助増幅器に補助バイアス電圧を供給する補助バイアス電源と、
前記増幅された主信号及び前記増幅された補助信号を出力信号に合成する信号合成部と、
前記主バイアス電源及び前記補助バイアス電源を独立に制御する電圧制御モジュールと
を含み、前記主バイアス電源は前記補助バイアス電源と独立している、信号増幅器である。
Claims (18)
- 入力信号を前記主入力信号及び前記補助入力信号に分け、前記主入力信号及び前記補助入力信号に対して信号整形を施すデュアルドライブモジュールを含む信号準備ユニットと、
前記主入力信号を受信し、増幅された主信号を出力する主増幅器と、
前記主増幅器に主バイアス電圧を供給する主バイアス電源と、
前記補助入力信号を受信し、増幅された補助信号を出力する補助増幅器と、
前記補助増幅器に補助バイアス電圧を供給する補助バイアス電源と、
前記増幅された主信号及び前記増幅された補助信号を出力信号に合成する信号合成部と、
前記主バイアス電源及び前記補助バイアス電源を独立に制御する電圧制御モジュールと
を含み、前記主バイアス電源は前記補助バイアス電源と独立している、信号増幅器。 - 前記電圧制御モジュールが、前記主バイアス電圧を設定するために主制御信号を前記主バイアス電源に出力し、前記補助バイアス電圧を設定するために補助制御信号を前記補助バイアス電源に出力する、請求項1記載の信号増幅器。
- 前記主バイアス電圧が前記補助バイアス電圧と実質的に異なっている、請求項1又は2に記載の信号増幅器。
- 当該信号増幅器が、前記信号準備ユニットに前記出力信号を供給するために前記信号準備ユニットに至るフィードバック経路をさらに有し、前記信号準備ユニットは1つ以上の出力信号特性を算出する、請求項1−3の何れか1項に記載の信号増幅器。
- 前記電圧制御モジュールが、前記出力信号特性に応じて前記主バイアス電圧を調整する、請求項4記載の信号増幅器。
- 前記電圧制御モジュールが、前記出力信号特性に応じて前記補助バイアス電圧を調整する、請求項4又は5に記載の信号増幅器。
- 前記信号合成部が、前記増幅された主信号の位相を調整するメインパス位相オフセットインピーダンス部を含む、請求項1−6の何れか1項に記載の信号増幅器。
- 前記信号合成部が、プレディストーションリニアライザを含む、請求項1−7の何れか1項に記載の信号増幅器。
- 前記主増幅器及び補助増幅器がRF電力増幅器を有し、前記出力信号がRF信号を有し、前記信号準備ユニットが、前記主入力信号を主RF入力信号にアップコンバートするメインアップコンバート部と、前記補助入力信号を補助RF入力信号にアップコンバートする補助アップコンバート部とを含む、請求項1−8の何れか1項に記載の信号増幅器。
- 無線RF通信信号を送受信する基地局であって、
RFアンテナと、
前記RFアンテナに接続され、前記RFアンテナから送信する送信信号をアップコンバート及び増幅するRF送信機と、
前記RFアンテナに接続され、前記RFアンテナから受信したRF信号をダウンコンバートするRF受信機と、
ネットワークとの間で通信信号を送受信するためのネットワークポートを備えた信号コントローラと
を含み、前記信号コントローラは、前記RF受信機及び前記RF送信機に結合されかつ前記RF受信機及び前記RF送信機を制御し、前記RF送信機は改善された増幅器を含み、該改善された増幅器は、
入力信号を前記主入力信号及び前記補助入力信号に分け、前記主入力信号及び前記補助入力信号に対して信号整形を施すデュアルドライブモジュールを含む信号準備ユニットと、
前記主入力信号を受信し、増幅された主信号を出力する主増幅器と、
前記主増幅器に主バイアス電圧を供給する主バイアス電源と、
前記補助入力信号を受信し、増幅された補助信号を出力する補助増幅器と、
前記補助増幅器に補助バイアス電圧を供給する補助バイアス電源と、
前記増幅された主信号及び前記増幅された補助信号を出力信号に合成する信号合成部と、
前記主バイアス電源及び前記補助バイアス電源を独立に制御する電圧制御モジュールと
を含み、前記主バイアス電源は前記補助バイアス電源と独立している、基地局。 - 前記主バイアス電源及び前記補助バイアス電源を独立に制御する電圧制御モジュールをさらに有する、請求項10記載の基地局。
- 前記電圧制御モジュールが、前記主バイアス電圧を設定するために主制御信号を前記主バイアス電源に出力し、前記補助バイアス電圧を設定するために補助制御信号を前記補助バイアス電源に出力する、請求項11記載の基地局。
- 前記主バイアス電圧が前記補助バイアス電圧と実質的に異なっている、請求項10記載の基地局。
- 入力信号を増幅する方法であって、
入力信号を主入力信号及び補助入力信号に分割し、前記主入力信号及び前記補助入力信号に対して信号整形を施し、
主バイアス電源からの主バイアス電圧により主増幅器にバイアスを加え、
補助バイアス電源からの補助バイアス電圧により補助増幅器にバイアスを加え、
前記主増幅器を用いて前記主入力信号を増幅して増幅された主信号を生成し、
前記補助増幅器を用いて前記補助入力信号を増幅して増幅された補助信号を生成し、
前記増幅された主信号及び前記増幅された補助信号を合成して出力信号を生成し、
電圧制御モジュールを用いて前記主バイアス電源及び前記補助バイアス電源を独立に制御するステップ
を含み、前記主バイアス電源は補助バイアス電源から独立している、方法。 - 前記主バイアス電圧を設定するために、主制御信号を前記電圧制御モジュールから前記主バイアス電源に供給し、前記補助バイアス電圧を設定するために補助制御信号を前記電圧制御モジュールから前記補助バイアス電源に供給するステップをさらに有する、請求項14記載の方法。
- 前記主バイアス電圧が前記補助バイアス電圧と実質的に異なっている、請求項14又は15に記載の方法。
- 前記出力信号から1つ以上の出力信号特性を算出し、該出力信号特性に応じて前記主バイアス電圧を制御するステップをさらに有する請求項14−16の何れか1項に記載の方法。
- 前記出力信号から1つ以上の出力信号特性を算出し、該出力信号特性に応じて前記補助バイアス電圧を制御するステップをさらに有する請求項14−17の何れか1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/241,424 | 2008-09-30 | ||
US12/241,424 US7619468B1 (en) | 2008-09-30 | 2008-09-30 | Doherty amplifier with drain bias supply modulation |
PCT/CA2009/001354 WO2010037212A1 (en) | 2008-09-30 | 2009-09-28 | Enhanced doherty amplifier with bias supply modulation |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012504355A true JP2012504355A (ja) | 2012-02-16 |
Family
ID=41279646
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011528149A Pending JP2012504355A (ja) | 2008-09-30 | 2009-09-28 | 信号増幅器、基地局及び入力信号を増幅する方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7619468B1 (ja) |
EP (1) | EP2342817B1 (ja) |
JP (1) | JP2012504355A (ja) |
KR (1) | KR101349626B1 (ja) |
CN (1) | CN102165686B (ja) |
BR (1) | BRPI0919134A2 (ja) |
WO (1) | WO2010037212A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013197632A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-30 | Fujitsu Ltd | 増幅装置および制御方法 |
JP2015046795A (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-12 | 株式会社東芝 | 電力増幅装置、及び電力増幅装置の制御方法 |
JP2017528973A (ja) * | 2014-08-11 | 2017-09-28 | 華為技術有限公司Huawei Technologies Co.,Ltd. | 電力増幅器、リモート無線ユニット、及び基地局 |
US11942911B2 (en) | 2021-02-18 | 2024-03-26 | Nuvoton Technology Corporation Japan | Radio-frequency power amplifier device |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11036262B1 (en) * | 2008-01-14 | 2021-06-15 | Micro Mobio Corporation | Radio frequency power amplifier with adjacent channel leakage correction circuit |
FR2936911A1 (fr) * | 2008-10-02 | 2010-04-09 | Thomson Licensing | Reseau de commande d'alimentation d'un systeme d'elements actifs |
US8022768B1 (en) * | 2008-12-19 | 2011-09-20 | Nortel Networks Limited | Doherty amplifier and method for operation thereof |
CN102906996A (zh) * | 2010-03-12 | 2013-01-30 | 中兴通讯股份有限公司 | 用于改善效率和线性度的分解发射***及方法 |
KR101128487B1 (ko) * | 2010-10-12 | 2012-06-21 | 포항공과대학교 산학협력단 | 전력 증폭기 선형화 방법 및 장치 |
EP2482448A1 (en) * | 2011-01-31 | 2012-08-01 | Alcatel Lucent | Doherty amplifier and method of operating a Doherty amplifier |
CN102170271A (zh) | 2011-04-29 | 2011-08-31 | 中兴通讯股份有限公司 | 功率放大装置及功放电路 |
DE102011079613A1 (de) * | 2011-06-30 | 2013-01-03 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Doherty-Verstärker mit Wirkungsgradoptimierung |
US8503967B2 (en) * | 2011-08-04 | 2013-08-06 | Mediatek Inc. | Amplifier and associated receiver |
JP5800360B2 (ja) * | 2011-11-30 | 2015-10-28 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | ドハティ増幅器 |
JP5858281B2 (ja) * | 2011-12-21 | 2016-02-10 | 株式会社村田製作所 | 半導体装置 |
US8774742B2 (en) * | 2012-01-18 | 2014-07-08 | Qualcomm Incorporated | High efficiency transmitter |
US8514007B1 (en) | 2012-01-27 | 2013-08-20 | Freescale Semiconductor, Inc. | Adjustable power splitter and corresponding methods and apparatus |
EP2658116A1 (en) * | 2012-04-23 | 2013-10-30 | Alcatel-Lucent | Amplifier circuit |
CA2880734A1 (en) * | 2012-07-31 | 2014-02-06 | Fadhel Ghannouchi | Extended bandwidth digital doherty transmitter |
CN103633949B (zh) * | 2012-08-21 | 2020-04-03 | 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 | 多模功率放大器、多模切换方法及其移动终端 |
US8593219B1 (en) * | 2012-08-31 | 2013-11-26 | Motorola Solutions, Inc. | Method and apparatus for amplifying a radio frequency signal |
US8622313B1 (en) * | 2012-09-25 | 2014-01-07 | Cambridge Silicon Radio Limited | Near field communications device |
JP6175805B2 (ja) * | 2013-03-01 | 2017-08-09 | 富士通株式会社 | 受信装置 |
US9948245B2 (en) * | 2013-08-28 | 2018-04-17 | Deltanode Solutions Aktiebolag | Amplifying stage working point determination |
US9225291B2 (en) * | 2013-10-29 | 2015-12-29 | Freescale Semiconductor, Inc. | Adaptive adjustment of power splitter |
KR102073903B1 (ko) | 2013-10-31 | 2020-03-02 | 삼성전자주식회사 | 무선 송신 장치에서 신호 이득을 제어하기 위한 장치 및 방법 |
JP5833094B2 (ja) * | 2013-12-26 | 2015-12-16 | 株式会社東芝 | 電力増幅装置、及び電力増幅装置の制御方法 |
CN105900334B (zh) * | 2014-01-16 | 2018-12-04 | 瑞典爱立信有限公司 | 用于调节峰值功率能力的方法和装置 |
CN111585534B (zh) * | 2014-08-17 | 2024-03-19 | 天工方案公司 | 使用3g/4g线性路径组合进行2g放大的电路和方法 |
ITUB20153048A1 (it) * | 2015-08-10 | 2017-02-10 | Itelco Broadcast S R L | Struttura di modulo amplificatore di potenza per radiofrequenza a doppio stadio, e amplificatore modulare che utilizza tali moduli |
CN106253862A (zh) * | 2016-08-04 | 2016-12-21 | 成都博思微科技有限公司 | 一种高等效带宽和高增益线性度的放大电路 |
US12009788B2 (en) * | 2019-03-28 | 2024-06-11 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | In-transistor load modulation |
US11515617B1 (en) | 2019-04-03 | 2022-11-29 | Micro Mobio Corporation | Radio frequency active antenna system in a package |
CN111682852B (zh) * | 2020-06-23 | 2024-01-26 | 重庆嘉旦微电子有限公司 | 基于功分比和相位可调电桥的高效率三路多尔蒂功率放大器 |
CN112737530B (zh) * | 2021-04-02 | 2021-06-18 | 成都理工大学 | 一种连续f类放大器 |
WO2023178200A1 (en) * | 2022-03-15 | 2023-09-21 | Falcomm, Inc. | Dual drive doherty power amplifier and systems and methods relating to same |
KR20240098483A (ko) * | 2022-12-21 | 2024-06-28 | 삼성전자주식회사 | 증폭기의 비선형성 보상을 위한 다중 파일럿 운용 방법 및 장치 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001518731A (ja) * | 1997-09-30 | 2001-10-16 | モトローラ・インコーポレイテッド | 信号を増幅する装置および方法 |
WO2005124994A1 (ja) * | 2004-06-18 | 2005-12-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 高効率増幅器 |
JP2007053540A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Nec Corp | ドハティ型増幅器 |
US20080122542A1 (en) * | 2006-11-27 | 2008-05-29 | Gregory Bowles | Enhanced amplifier with auxiliary path bias modulation |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5568086A (en) * | 1995-05-25 | 1996-10-22 | Motorola, Inc. | Linear power amplifier for high efficiency multi-carrier performance |
JP3888603B2 (ja) | 2000-07-24 | 2007-03-07 | 株式会社ルネサステクノロジ | クロック生成回路および制御方法並びに半導体記憶装置 |
US6982593B2 (en) * | 2003-10-23 | 2006-01-03 | Northrop Grumman Corporation | Switching amplifier architecture |
AU2003277174A1 (en) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Triquint Semiconductor, Inc. | Saturated power amplifier with selectable and variable output power levels |
US7009454B2 (en) * | 2004-01-20 | 2006-03-07 | Anadigics Inc. | Method and apparatus for optimization of amplifier with adjustable output range |
WO2006006119A1 (en) * | 2004-07-08 | 2006-01-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Integrated doherty type amplifier arrangement with integrated feedback |
US7336127B2 (en) * | 2005-06-10 | 2008-02-26 | Rf Micro Devices, Inc. | Doherty amplifier configuration for a collector controlled power amplifier |
KR100756041B1 (ko) * | 2005-06-27 | 2007-09-07 | 삼성전자주식회사 | 믹서를 이용한 도허티 증폭장치 및 송신기 |
JP2008035487A (ja) * | 2006-06-19 | 2008-02-14 | Renesas Technology Corp | Rf電力増幅器 |
US7541866B2 (en) | 2006-09-29 | 2009-06-02 | Nortel Networks Limited | Enhanced doherty amplifier with asymmetrical semiconductors |
-
2008
- 2008-09-30 US US12/241,424 patent/US7619468B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-09-28 CN CN200980138079.1A patent/CN102165686B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-09-28 WO PCT/CA2009/001354 patent/WO2010037212A1/en active Application Filing
- 2009-09-28 EP EP09817132.5A patent/EP2342817B1/en not_active Not-in-force
- 2009-09-28 KR KR1020117009975A patent/KR101349626B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2009-09-28 BR BRPI0919134A patent/BRPI0919134A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2009-09-28 JP JP2011528149A patent/JP2012504355A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001518731A (ja) * | 1997-09-30 | 2001-10-16 | モトローラ・インコーポレイテッド | 信号を増幅する装置および方法 |
WO2005124994A1 (ja) * | 2004-06-18 | 2005-12-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 高効率増幅器 |
JP2007053540A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Nec Corp | ドハティ型増幅器 |
US20080122542A1 (en) * | 2006-11-27 | 2008-05-29 | Gregory Bowles | Enhanced amplifier with auxiliary path bias modulation |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013197632A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-30 | Fujitsu Ltd | 増幅装置および制御方法 |
JP2015046795A (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-12 | 株式会社東芝 | 電力増幅装置、及び電力増幅装置の制御方法 |
JP2017528973A (ja) * | 2014-08-11 | 2017-09-28 | 華為技術有限公司Huawei Technologies Co.,Ltd. | 電力増幅器、リモート無線ユニット、及び基地局 |
US10230333B2 (en) | 2014-08-11 | 2019-03-12 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Power amplifier, radio remote unit, and base station |
US10673384B2 (en) | 2014-08-11 | 2020-06-02 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Power amplifier, radio remote unit, and base station |
US11942911B2 (en) | 2021-02-18 | 2024-03-26 | Nuvoton Technology Corporation Japan | Radio-frequency power amplifier device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102165686A (zh) | 2011-08-24 |
EP2342817A4 (en) | 2012-06-13 |
WO2010037212A1 (en) | 2010-04-08 |
KR101349626B1 (ko) | 2014-01-09 |
CN102165686B (zh) | 2014-09-03 |
EP2342817A1 (en) | 2011-07-13 |
US7619468B1 (en) | 2009-11-17 |
KR20110066209A (ko) | 2011-06-16 |
EP2342817B1 (en) | 2015-01-14 |
BRPI0919134A2 (pt) | 2015-12-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2012504355A (ja) | 信号増幅器、基地局及び入力信号を増幅する方法 | |
US8457246B2 (en) | Apparatus and method for envelope tracking power amplifier in wireless communication system | |
US7541866B2 (en) | Enhanced doherty amplifier with asymmetrical semiconductors | |
Asbeck et al. | ET comes of age: Envelope tracking for higher-efficiency power amplifiers | |
US6992529B2 (en) | Apparatus, methods and articles of manufacture for a dual mode amplifier | |
CA2234335C (en) | High efficiency power amplifier | |
Wang et al. | 4.8 A highly linear super-resolution mixed-signal Doherty power amplifier for high-efficiency mm-wave 5G multi-Gb/s communications | |
US20080122542A1 (en) | Enhanced amplifier with auxiliary path bias modulation | |
WO2005124994A1 (ja) | 高効率増幅器 | |
JP2009260658A (ja) | 電力増幅器 | |
WO2004066489A1 (ja) | ドハーティ増幅器およびその歪み特性補償方法 | |
JP2008283678A (ja) | 送信回路、及び通信機器 | |
WO2007060675A1 (en) | Method and apparatus for optimizing current consumption of amplifiers with power control | |
KR101104143B1 (ko) | 무선 통신 시스템에서 신호의 송신 장치 및 방법 | |
US8145148B2 (en) | Transmitter and communication apparatus | |
Hammi et al. | A linearized Doherty amplifier using complex baseband digital predistortion driven by CDMA signals | |
KR20140074187A (ko) | 증폭회로 및 증폭회로 동작 방법 | |
US20230126040A1 (en) | Power amplifier linearity control based on power amplifier operating mode or power level | |
Wu et al. | Performance analysis of envelope tracking power amplifier's envelope shaping methods for LTE mobile terminal application | |
Boumaiza | Advanced techniques for enhancing wireless RF transmitters' power efficiency | |
Reed et al. | Performance optimization of DSP driven and dynamically biased power amplifiers for 3G handset applications | |
Helaoui et al. | Low-IF 5 GHz WLAN linearized transmitter using baseband digital predistorter | |
Iizuka et al. | High-efficiency Doherty linear amplifier with backoff control for mobile communications | |
Balteanu | Envelope tracking techniques | |
Choi et al. | Digital polar CMOS power amplifier researches in KAIST |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120615 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120626 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120801 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121016 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20130107 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130116 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130403 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20130412 |