JP2012503783A - 低反射レベルの光の抽出用導波管 - Google Patents

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Abstract

本発明は、光を素子上の電子工学部品から素子の面に抽出するために案内するように配置された、低レベル反射の光を抽出する導波管に関する。本発明の導波管は、第1部分と第2部分を有し、該第1部分(4)は、延長されており、該第2部分(5)は、光が導波管(1)から出る面(JK)を有しており、非断熱的な縦断面(GHLM)が第1部分(4)の後で光の伝播方向の前記面(JK)の前に配置され、該面(JK)が素子の面に、第1部分(4)の光軸(A)に対して、5〜80度の第1角度(V1)を形成していることを特徴とする。
【選択図】図1

Description

本発明は、低反射レベルの光の抽出用導波管に関する。
レーザやアンプや変調器のような導波管を備えた電気光学部品には、光が発光結晶の後で導波管から抽出される点において、非常に低いレベルの反射を達成することが必要である。結晶の内側から見ると、反射は、例えば、突然遮断されるリン化インジウムの導波管では一般的に約30%である。0.001%より低い反射レベルが、必要とされることもある。
厚みと屈折率が低レベルの反射を与えるようにされた誘電体を備えた断面出口面の被覆剤は公知である。しかし、追加措置が必要である。導波管と切断面のなす角度が90度でなければ、光のほんの少しの部分だけが、導波管に反射される。残りの部分は、異なる方向に反射され、失われてしまう。
もちろん、導波管が部品の長さの一部に亘って部品の面に直角で、部品の面との角度が直角ではないように曲げることも可能である。これは、例えば、半導体光増幅器において可能である。
他の方法は、導波管が面に到達する前に、部品や素子内に終端する導波管に関わる、窓構造の使用である。この方法では、光は、面に到達する前に回折によって広げられる。光ビームの広がりによって、光のほんの少しの部分が、面での反射の後、導波管に戻る。窓の領域、すなわち、導波管の端部と部品の面の間の領域は、例えば、リン化インジウムに対して、5〜50マイクロメータの長さを有することができる。光は、ローブにおいて数度の角度でこのようにして広がる。
低レベルの反射は、導波管を面に直交しないように斜めに配置することと、窓領域との組合せによって得ることができる。導波管の傾斜が回折ローブの幅よりも大きいと、導波管に戻る光の割合は、非常に小さい。
この場合の素子は、広くなるので、非常に高い傾斜をもって導波管を配置すると、問題が生じる。工程の技術的特性の問題は、例えば、異方性エッチングが、傾斜の方向にメサ形の不利な形状をなすということになる。
本発明は、反射の非常に低いレベルの問題を解消する。
本発明は、従って、光を素子上の電子工学部品から素子の面に抽出するために案内するように配置された、低レベル反射の光を抽出する導波管に係り、該導波管は、第1部分と第2部分を有し、該第1部分は、延長されており、該第2部分は、光が導波管から出る面を有しており、非断熱的な縦断面が第1部分の後で光の伝播方向の面の前に配置され、該面が素子の面に、第1部分の光軸に対して、5〜80度の第1角度を形成していることを特徴とする。
本発明は、添付の図面に示した実施例に関連して、以下により詳細に説明される。
本発明の部品を示す図。 面JKへの入射角の関数としての屈折角を示す図。
低レベル反射の光を抽出するための、本発明による導波管1が、図1に示される。導波管1は、例えば、別の導波管への抽出のために、素子2上のレーザのような電気光学部品から素子上の面3に光を導くように配置されている。
本発明による導波管は、第1部分4と第2部分5を有している。第1部分4は、延長されている。図1の記号Aは、第1部分4の光軸である。第2部分5は、光が導波管1から出る面JKを有している。この面JKは、第1部分4の光軸Aに対して第1角度V1で要素の面に形成されており、この角度は、5〜80度である。
非断熱的な縦断面(GHLM)が第1部分4と第2部分5の間に存在する。もし、この断面(GHLM)がなければ、大きなレベルの反射が、導波管の端部で起こる。この断面の目的は、光が側面GHとLMから出るようにすることであり、或いは、側面は、真っ直ぐに続く光を送るようにする。幅広にすることが、突然でも断熱的でもなければ、光は、角部KまたはLとIまたはJにぶつかり、反射が起こり、光の一部を導波管に戻すように反射するであろう。側面間の角部HとK、Lで反射が生じるおそれがある。
図1でJKで示す面は、導波管の斜断面を構成する。図1の角度Vkは、面JKと線Aに直交する、すなわち、第1部分の光軸に直交する線6との間の角度である。角度Vkは、以下、「断面角」と呼ぶ。
好ましい実施例によれば、この面JKは、第1部分4の光軸と第1角度V1をなし、この角度は、70度より小さく、20度より大きい。
好ましい実施例によれば、この第1部分4は、素子の面に第2角度V2をなし、この角度は、面3に対して直角ではない。その理由は、面JKからの屈折が角度によって制限され、光が面3に直交しない第1部分の方向を既に有していることは有利であるからである。
好ましい実施例によれば、第2角度V2は、89度より小さく、85度より大きい。
本発明によれば、完全な導波管を斜めに配置することに関連する問題を避けることができ、傾斜面における屈折によって、直交しないように面に到達する光に導く。
屈折効果は、JKの低角度斜断面を介して得られ、この屈折効果は、光が導波管から出る時に導波管に戻る十分低いレベルの反射を得るだけの十分大きな角度で導波管1から光が出ることを保証する。
導波管から出る光ビームの角度が図2に示されており、ここで、屈折角度は、面JKへの入射角度の関数として示されている。図2は、例えば、2度をちょうど超える屈折を得るためには、60度の入射角が、必要であることを明確にしている。
しかし、大きすぎる断面角度Vkは、面JKでの反射が大きくなりすぎることにつながる。この光が導波された態様で導波管の狭い部分4に戻るおそれは小さいが、この光は、不要な角度で運ばれてしまうので、失われてしまう。
好ましい実施例によれば、この第1角度V1は、断面角度Vk=90度−V1で示される時に、50〜60度の間である。
好ましい実施例によれば、この第2角度V2は、86〜88度の間である。
更に好ましい実施例によれば、この第2部分5は、図1の断面FGMNを有し、この断面に沿って、導波管1は、断熱的に広がり、第1部分4の幅よりも大きな幅を有する導波管を形成する。
導波管1は、導波管が面3に到達する前に、素子2内に終端するのが好ましい。
図1は、光学導波管部品における、本発明による導波管の終端の設計の1実施例である。導波管は、図1の面EOの下に続いており、増幅器やレーザや変調器のような光学要素を含んでいる。部品は、複数の適切な導波材料によって製造されている。部品は、面3に終端するリン化インジウム結晶に配置されていることが好ましい。
面3は、好ましい実施例による反射防止膜で処理される。
参照記号P、Q、Rは、同一の断面角度Vkの3つの異なる概略レイパスを特定する。3つの光線は、光線の異なる部分が回折によってどのように広がるか、そしてどのように構造物を通過するかを示している。光線は、導波管の第1部分4から断熱拡張を介して、GHKLMにおける導波管のより急速な非断熱拡張を介して、斜めに切断した導波管の第2部分5を介して、面3に広められる。
GMでの急速な増加の最初に、光線は、回折の結果として分岐し始める。
光線は、傾斜断面JKで屈折されて、光線が断面角Vkによって異なる角度となるようになる。このことは、光のほとんどが、直交しないように面3に到達することに寄与し、導波管1へ戻る反射光が非常に少なくなることになる。
図1の例における断面角Vkは、60度である。更に、第1角度V1は、この例では、87度である。
断面角度が60である時、JKまでの導波管の第1部分4に従う中央光線Qは、図2で指定されるように、約2.6度、面JKで屈折され、これにより、面JKへのこの中央光線の入射角は、60度となるのである。第2角度V2は、87度であり、光は、84.4度(87−2.6)の角度で面3に到達する。
光線Pは、断面GMにおいて左に5度回折によってそれる。面JKへの入射角は、65度となる。図2は、光が78.7度(87−5−3.3)の角度で面に到達するように、3.3度屈折されることを示している。
その代わりに、光線Rは、断面GMにおいて右に5度回折によってそれる。面JKへの入射角は、55度となる。図2は、光が89.9度(87+5−2.1)の角度で面に到達するように、2.1度屈折されることを示している。
光のほとんどが、5度を大きく下回る角度で回折するので、光のほんの少しの部分だけが直交するようにして面3に到達し、導波管1に反射して戻る危険にさらされる。
このようにして、冒頭で記載した導波管への反射による戻りの問題が、本発明によって解決される。
たくさんの実施例が上記された。しかし、導波管の詳細な設計は、本発明が提供する技術的効果が失われることなく変更可能であることは自明である。
このようにして、導波管の面のいくつかは曲げることができる。例えば、面IHは、光がこの面に到達する恐れを減らすために凸状に丸くしてもよく、光線束をゆがめる能力を有してもよい。面JKは、同様に、凸状に丸くしてもよい。これにより、光線束は、面JKを通過後、より高度に平行にされるようになる。
よって、本発明は、添付の特許請求の範囲によって規定される範囲で変更することができるので、上記した実施例によって限定されるものと考えてはならない。

Claims (9)

  1. 光を素子上の電子工学部品から素子の面に抽出するために案内するように配置された、低レベル反射の光を抽出する導波管であって、該導波管は、第1部分と第2部分を有し、該第1部分(4)は、延長されており、該第2部分(5)は、光が導波管(1)から出る面(JK)を有しており、非断熱的な縦断面(GHLM)が第1部分(4)の後で光の伝播方向の前記面(JK)の前に配置され、該面(JK)が素子の面に、第1部分(4)の光軸(A)に対して、5〜80度の第1角度(V1)を形成していることを特徴とする、導波管。
  2. 前記第1部分(4)が、素子の面に、前記面(3)と第2角度(V2)を形成することを特徴とする、請求項1に記載の導波管。
  3. 前記面(JK)が、第1部分(4)の光軸と、70度よりもわずかに小さく20度よりも大きい角度(V1)を形成することを特徴とする、請求項1または2に記載の導波管。
  4. 前記第2部分(5)が、区間(FGMN)を有し、該区間に沿って、導波管(1)が、第1部分(4)の幅よりも大きな幅の導波管を形成するように、断熱的に広げられることを特徴とする、請求項1、2または3に記載の導波管。
  5. 前記導波管(1)が、面(3)に到達する前に、素子(2)内で終端することを特徴とする、請求項1から4のいずれか1項に記載の導波管。
  6. 前記第2角度(V2)が、89度よりもわずかに小さく、85度より大きいことを特徴とする、請求項1から5のいずれか1項に記載の導波管。
  7. 前記第2角度(V2)が、86度と88度の間であることを特徴とする、請求項1から6のいずれか1項に記載の導波管。
  8. 前記第1角度(V1)が、断面角度(Vk)=90度−V1で表現される時に、45度から60度の間であることを特徴とする、請求項1から7のいずれか1項に記載の導波管。
  9. 前記面(3)が、反射防止膜で処理されることを特徴とする、請求項1から8のいずれか1項に記載の導波管。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05142435A (ja) * 1991-11-26 1993-06-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 導波路形ビーム変換素子およびその製造方法
JPH05175611A (ja) * 1991-12-25 1993-07-13 Toshiba Corp 半導体光増幅器
JPH1146044A (ja) * 1997-07-28 1999-02-16 Nec Corp 半導体光増幅素子
JP2000098161A (ja) * 1998-09-24 2000-04-07 Alcatel 集積光構成部品

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5393371A (en) * 1989-12-18 1995-02-28 Litton Systems, Inc. Integrated optics chips and laser ablation methods for attachment of optical fibers thereto for LiNbO3 substrates
US5539571A (en) 1992-09-21 1996-07-23 Sdl, Inc. Differentially pumped optical amplifer and mopa device
JPH08211342A (ja) * 1995-02-03 1996-08-20 Hitachi Ltd 半導体光機能素子
GB2315595B (en) * 1997-02-07 1998-06-10 Bookham Technology Ltd Device for re-directing light fromoptical waveguide
US6283670B1 (en) * 1999-01-27 2001-09-04 3M Innovative Properties Company Splice case having a seam sealed by at least one clamping rail
USD427152S (en) * 1999-01-27 2000-06-27 3M Innovative Properties Company Cable splice enclosure
DE60043509D1 (de) 1999-10-13 2010-01-21 Nior University Biosynthese von Polyketidsynthase-Substrate
US6289147B1 (en) * 1999-11-01 2001-09-11 Bbv Design Bv Passband flattening of a phasar
US6374013B1 (en) * 1999-12-23 2002-04-16 Nortel Networks Limited Optical arrayed waveguide grating devices
TW523615B (en) * 2000-02-17 2003-03-11 L3 Optics Inc Guided wave optical switch based on an active semiconductor amplifier and a passive optical component
CN2446537Y (zh) * 2000-10-18 2001-09-05 福建华科光电有限公司 一种光纤准直器结构
US6890450B2 (en) * 2001-02-02 2005-05-10 Intel Corporation Method of providing optical quality silicon surface
JP4127975B2 (ja) 2001-02-16 2008-07-30 富士通株式会社 光導波装置
FR2825199B1 (fr) * 2001-05-23 2004-02-20 Nexans Boitier d'appareillage, notamment boitier d'epissurage
DE60206044T2 (de) * 2001-06-29 2006-07-13 CCS Technology, Inc., Wilmington Speissschutzmuffe
JP3766637B2 (ja) * 2002-03-04 2006-04-12 富士通株式会社 光結合素子及び光デバイス
KR20040101988A (ko) * 2002-05-15 2004-12-03 스미토모 덴키 고교 가부시키가이샤 광 도파로 모듈
GB0216319D0 (en) * 2002-07-13 2002-08-21 Alcatel Optronics Uk Ltd Improved optical splitter
US6985646B2 (en) * 2003-01-24 2006-01-10 Xponent Photonics Inc Etched-facet semiconductor optical component with integrated end-coupled waveguide and methods of fabrication and use thereof
US6892008B2 (en) * 2003-02-14 2005-05-10 Optovia Corporation Planar star couplers with reduced insertion loss
US7664353B2 (en) * 2003-05-16 2010-02-16 Hitachi Chemical Company, Ltd. Optical waveguide structure including at least first, second and third waveguides and coupling waveguide
EP1656573A1 (en) * 2003-08-19 2006-05-17 Ignis Technologies AS Integrated optics spot size converter and manufacturing method
US7008117B2 (en) * 2003-12-23 2006-03-07 Amphenol Corporation Optical connector assembly with features for ease of use
US7141738B2 (en) * 2004-02-02 2006-11-28 3M Innovative Properties Company Re-enterable splice enclosure
US7132605B2 (en) * 2005-04-01 2006-11-07 Adc Telecommunications, Inc. Split cable seal
US7184207B1 (en) * 2005-09-27 2007-02-27 Bookham Technology Plc Semiconductor optical device
JP5175611B2 (ja) 2008-05-15 2013-04-03 三和化工株式会社 多軸押出機
US7876983B2 (en) * 2008-11-11 2011-01-25 Alcatel-Lucent Usa Inc. Method and apparatus for a wavelength insensitive 90-degree hybrid device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05142435A (ja) * 1991-11-26 1993-06-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 導波路形ビーム変換素子およびその製造方法
JPH05175611A (ja) * 1991-12-25 1993-07-13 Toshiba Corp 半導体光増幅器
JPH1146044A (ja) * 1997-07-28 1999-02-16 Nec Corp 半導体光増幅素子
JP2000098161A (ja) * 1998-09-24 2000-04-07 Alcatel 集積光構成部品

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