JP2012256713A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、太陽電池のテクスチャ形成工程において、アルカリ水溶液にケイ素化合物を添加することで、微細なテクスチャを均一に形成することが可能となり、基板の反射率が低減する。これにより、高効率の太陽電池を製造することが可能となった。
【選択図】図3
Description
このような必要最小限工程数といくつかの有用な効果により、民生用太陽電池は以前より高効率化及び低コスト化が図られている。
なお、本発明に関連する先行文献としては特開2007−194485号公報(特許文献1)が挙げられ、この公報では、ミクロンオーダーの凹凸の表面にサブミクロンオーダーの凹凸が形成されたシリコン基板を製造する際に、金属イオンを含有する、酸化剤とフッ化水素酸の混合水溶液で基板をエッチングすること、テクスチャ作製用のエッチング液に金属イオンとして銀、白金、パラジウム、金、銅などを用いることができることが開示されている。
請求項1:
半導体シリコン基板の表裏面にテクスチャ構造を形成する太陽電池の製造方法であって、該テクスチャを形成する際、ケイ素化合物を含有するアルカリ水溶液に該基板を浸漬させることを特徴とする太陽電池の製造方法。
請求項2:
ケイ素化合物がシリカである請求項1記載の太陽電池の製造方法。
請求項3:
ケイ素化合物の形状が球状である請求項1又は2記載の太陽電池の製造方法。
請求項4:
ケイ素化合物の平均粒径が10μm以下である請求項1〜3のいずれか1項記載の太陽電池の製造方法。
請求項5:
アルカリ水溶液中のケイ素化合物含有量が1.0〜10質量%である請求項1〜4のいずれか1項記載の太陽電池の製造方法。
上記実施形態に示した工程でn+pp+太陽電池を製造した。
このとき、用意した基板は、結晶面方位(100)、15.65cm角、アズスライス比抵抗2Ω・cm(ドーパント濃度7.2×1015cm-3)ボロンドープp型単結晶シリコン基板である。NaOH水溶液を用いて、スライスダメージのエッチングを行った。ダメージエッチング後の基板厚は200μmであった。
次に、KOH水溶液を用いてテクスチャエッチングを行った。
以下、テクスチャエッチング工程の具体的な方法を示す。
KOHが1.5質量%、IPAが5質量%となる水溶液を作製し、これに粒度分布測定装置(マルバーン社製)により測定した粒度分布が1〜10μmの球状シリカ5質量%となるように加え、80℃に加温した。このエッチング液に基板を30分浸してテクスチャエッチングを行った。エッチング液の循環圧力は0.3MPaで一定とした。
テクスチャエッチング後の基板表面にRCA洗浄を施し、基板表面を洗浄した。
次に、受光面側にn型拡散層を形成するため、POCl3を用いたリン拡散を行った。リン拡散層を形成するための熱処理は900℃,1時間で、窒素雰囲気下で熱処理を行った。
拡散層形成後のリンガラス膜の除去は、25質量%HF水溶液を用いて行った。
pn接合分離は、一般的なCF4ガス及び酸素ガスを用いたプラズマエッチング装置を用いて行い、基板をスタックして処理することで、端面のリン拡散層をエッチングした。
次に、プラズマCVD装置を用いて、反射防止膜であるシリコン窒化膜を90nmの厚みで受光面に堆積させた。
受光面側及び裏面側にそれぞれ銀ペーストを、また裏面の銀電極以外の全面にアルミニウム電極をスクリーン印刷し、それぞれ200℃で10分間乾燥させ、焼成炉において800℃で20分間焼成した。
シリカ形状が板状(主たる大きさが縦4μm、横6μm)であること以外は、実施例1と同様の処理を行って太陽電池を作製した。
シリカ形状が針状(主たる大きさが長さ6μm、底面直径約1μm)であること以外は、実施例1と同様の処理により太陽電池を作製した。
シリカの粒度分布が0〜1μmであること以外は、実施例1と同様の処理により太陽電池を作製した。
シリカの粒度分布が10〜50μmであること以外は、実施例1と同様の処理により太陽電池を作製した。
シリカの含有率が0.5質量%であること以外は、実施例1と同様の処理により太陽電池を作製した。
シリカの含有率が1.0質量%であること以外は、実施例1と同様の処理により太陽電池を作製した。
シリカの含有率が10質量%であること以外は、実施例1と同様の処理により太陽電池を作製した。
シリカの含有率が15質量%であること以外は、実施例1と同様の処理により太陽電池を作製した。
シリカを添加しないこと以外は、実施例1と同様の処理により太陽電池を作製した。
実施例1と参考例3,4の比較から、シリカの粒度分布が10μm以下の時に微細なテクスチャ構造の形成に効果があることが分かる。
シリカ添加によるテクスチャ微細化の機構は、凹部とシリカの相互作用により異方性エッチングが制御されているためである。
実施例1と参考例5〜8の比較から、シリカの含有率が1.0〜10質量%の時に微細なテクスチャ構造の形成に効果があることが分かる。
シリカの含有率が1.0質量%未満であると、シリカによるテクスチャ微細化の効果が小さくなり、また10質量%を超えてしまうと、アルカリ溶液による異方性エッチングを阻害してしまう。
2 リン拡散層
3 シリコン窒化膜(n型拡散層)
4 裏面銀電極
5 裏面アルミニウム電極
6 受光面電極
7 アルミニウムBSF層
Claims (5)
- 半導体シリコン基板の表裏面にテクスチャ構造を形成する太陽電池の製造方法であって、該テクスチャを形成する際、ケイ素化合物を含有するアルカリ水溶液に該基板を浸漬させることを特徴とする太陽電池の製造方法。
- ケイ素化合物がシリカである請求項1記載の太陽電池の製造方法。
- ケイ素化合物の形状が球状である請求項1又は2記載の太陽電池の製造方法。
- ケイ素化合物の平均粒径が10μm以下である請求項1〜3のいずれか1項記載の太陽電池の製造方法。
- アルカリ水溶液中のケイ素化合物含有量が1.0〜10質量%である請求項1〜4のいずれか1項記載の太陽電池の製造方法。
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CN111799339A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-10-20 | 韩华新能源(启东)有限公司 | 适用于太阳能电池的硅片的表面处理方法 |
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