JP2012240869A5 - - Google Patents
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本発明は、炭化珪素結晶成長用の炭化珪素粉末であって、シリコン小片と炭素粉末との混合物を加熱した後に粉砕することによって形成されており、実質的に炭化珪素で構成されており、炭化珪素粉末の９９質量％以上が炭化珪素から形成され、炭化珪素粉末におけるホウ素の含有量が０．５ｐｐｍ以下であって、アルミニウムの含有量が１ｐｐｍ以下であり、炭化珪素粉末の平均粒径が１０μｍ以上２ｍｍ以下である炭化珪素粉末である。
さらに、本発明は、炭化珪素結晶成長用の炭化珪素粉末を製造する方法であって、シリコン小片と炭素粉末とを混合して混合物を作製する工程と、混合物を２０００℃以上２５００℃以下の温度で１時間以上１００時間以下加熱した後に雰囲気の圧力を低下して炭化珪素粉末前駆体を作製する工程と、炭化珪素粉末前駆体を粉砕して炭化珪素粉末を作製する工程とを含む、炭化珪素粉末の製造方法である。
その結果、炭化珪素粉末を構成するすべての成分にそれぞれ対応するＸ線回折ピークの積分値の和に対するＣの存在を示すＸ線回折ピークの積分値の比率は５０％よりも大きいことが確認された。そのため、比較例２の炭化珪素粉末の内部は、ほとんど炭素から形成されており、単体炭素の含有量が５０質量％よりも大きいと考えられる。これは、黒鉛坩堝の加熱温度が低すぎて、シリコンと炭素との反応が内部まで進行しなかったことによるものと考えられる。
その結果、炭化珪素粉末を構成するすべての成分にそれぞれ対応するＸ線回折ピークの積分値の和に対するＣの存在を示すＸ線回折ピークの積分値の比率は５０％よりも大きいことが確認された。そのため、比較例３の炭化珪素粉末の内部も、ほとんど炭素から形成されており、単体炭素の含有量が５０質量％よりも大きいと考えられる。これは、黒鉛坩堝の加熱温度が高すぎて、シリコンと炭素との反応により生成した炭化珪素からシリコンが脱離したことによるものと考えられる。
Claims (3)
- 炭化珪素結晶成長用の炭化珪素粉末であって、
シリコン小片と炭素粉末との混合物を加熱した後に粉砕することによって形成されており、実質的に炭化珪素で構成されており、
前記炭化珪素粉末の９９質量％以上が前記炭化珪素から形成され、
前記炭化珪素粉末におけるホウ素の含有量が０．５ｐｐｍ以下であって、アルミニウムの含有量が１ｐｐｍ以下であり、
前記炭化珪素粉末の平均粒径が１０μｍ以上２ｍｍ以下である、炭化珪素粉末。 - 炭化珪素結晶成長用の炭化珪素粉末を製造する方法であって、
シリコン小片と炭素粉末とを混合して混合物を作製する工程と、
前記混合物を２０００℃以上２５００℃以下の温度で１時間以上１００時間以下加熱した後に雰囲気の圧力を低下して炭化珪素粉末前駆体を作製する工程と、
前記炭化珪素粉末前駆体を粉砕して前記炭化珪素粉末を作製する工程とを含む、炭化珪素粉末の製造方法。 - 前記炭素粉末の平均粒径が１０μｍ以上２００μｍ以下である、請求項２に記載の炭化珪素粉末の製造方法。
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