JP2012229158A - シリコンウェーハの製造方法 - Google Patents
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 188
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 188
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 186
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 281
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 63
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 42
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 2
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【解決手段】CZ法により育成されたシリコン単結晶からシリコンウェーハを切り出すシリコンウェーハの製造方法であって、中心軸が[110]結晶軸に対して0.6°〜10°傾斜したシリコン種結晶をシリコン融液に浸漬させ、中心軸が[110]結晶軸に対して0.6°〜10°傾斜したシリコン単結晶を育成し、育成されたシリコン単結晶から、表面が(110)面に対して0.46°〜0.48°傾斜したシリコンウェーハを切り出すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法である。
【選択図】図1
Description
以下に示す結晶育成条件でシリコン単結晶を育成し、単結晶の有転位化の有無を調査した。なお、シリコン結晶中のボロン濃度および種結晶の傾斜角度におけるいずれの水準についても、シリコン単結晶の引き上げ本数は3本とした。
抵抗率 100〜20mΩcm
p++:ボロン濃度 7×1018〜2×1020atoms/cm3
抵抗率 20〜0.8mΩcm
なお、P+やP++の単結晶を育成するためには、偏析現象を考慮して融液中のドーパント濃度は1/偏析係数倍(1/0.8=1.25倍:ボロンの場合)の濃度にする必要がある。
<結晶育成条件>
結晶軸方位:<110>
単結晶直径:300mm
育成結晶のボロン濃度:p−、p、p+、p++
種結晶のボロン濃度:p
種結晶の傾斜角度:0°、0.7°、1°、5°、10°
ネック部長さ:300mm
調査結果を表5に示す。表5において、3本全てのシリコン単結晶を無転位で育成できた場合を○とし、一部のシリコン単結晶が有転位化した場合を△とし、全ての単結晶が有転位化した場合を×として評価した。実施例2〜実施例4においても同様である。
ネック長さを400mmに変更した以外は実施例1と同一の条件でシリコン単結晶を育成した。シリコン単結晶の有転位化の有無の調査結果を表6に示す。
ネック長さを600mmに変更した以外は実施例1と同一の条件でシリコン単結晶を育成した。調査結果を表7に示す。
種結晶のボロン濃度を育成結晶のボロン濃度に合わせた以外は、全て実施例1と同条件でシリコン単結晶を引き上げた。調査結果を表8に示す。
種結晶の傾斜角度を5°とし、実施例1と同一の条件で、ボロン濃度がp++の種結晶を用いてp++のシリコン単結晶を育成し、(110)面に対する傾斜角度を種々変更してシリコンウェーハを切り出した。各ウェーハに対してエピタキシャル成長処理を施してウェーハ表面にエピタキシャル層を形成した後、エピタキシャル層表面の表面粗さを測定した。
7:シリコン結晶、 8:{111}面稜線方向、 9:種結晶軸方向(結晶引上げ方向)、
10:<110>方位
Claims (2)
- チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶からシリコンウェーハを切り出すシリコンウェーハの製造方法であって、
中心軸が[110]結晶軸に対して0.6°〜10°傾斜したシリコン種結晶をシリコン融液に浸漬させ、中心軸が[110]結晶軸に対して0.6°〜10°傾斜したシリコン単結晶を育成し、
育成されたシリコン単結晶から、表面が(110)面に対して0.46°〜0.48°傾斜したシリコンウェーハを切り出すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 請求項1に記載の方法により得られたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012147115A JP5445631B2 (ja) | 2006-09-05 | 2012-06-29 | シリコンウェーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006240855 | 2006-09-05 | ||
JP2006240855 | 2006-09-05 | ||
JP2012147115A JP5445631B2 (ja) | 2006-09-05 | 2012-06-29 | シリコンウェーハの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007056130A Division JP2008088045A (ja) | 2006-09-05 | 2007-03-06 | シリコン単結晶の製造方法およびシリコンウェーハの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012229158A true JP2012229158A (ja) | 2012-11-22 |
JP5445631B2 JP5445631B2 (ja) | 2014-03-19 |
Family
ID=47431065
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012147115A Active JP5445631B2 (ja) | 2006-09-05 | 2012-06-29 | シリコンウェーハの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5445631B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09255490A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-09-30 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の製造方法および種結晶 |
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JP2003313089A (ja) * | 2002-04-19 | 2003-11-06 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 単結晶シリコンの製造方法、単結晶シリコンウェーハの製造方法、単結晶シリコン製造用種結晶、単結晶シリコンインゴットおよび単結晶シリコンウェーハ |
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-
2012
- 2012-06-29 JP JP2012147115A patent/JP5445631B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09255490A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-09-30 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の製造方法および種結晶 |
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WO2005075714A1 (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Komatsu Denshi Kinzoku Kabushiki Kaisha | 単結晶半導体の製造装置および製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JP5445631B2 (ja) | 2014-03-19 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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