JP2012227334A - Plasma processing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、マイクロ波プラズマエッチングにおけるシリコントレンチを形成するプラズマエッチング方法に関する。 The present invention relates to a plasma etching method for forming a silicon trench in microwave plasma etching.
本技術分野の背景技術として、特開2007−103876号公報(特許文献1)には、シリコン基板に対してSF6、O2、SiF4からなる混合ガスに、Hを含有するガスを添加した混合ガスプラズマでシリコントレンチを形成することにより、トレンチ側壁面にえぐれや面荒れのないトレンチエッチングを実現できることが記載されている。 As background art of this technical field, in JP 2007-103876 A (Patent Document 1), a gas containing H is added to a mixed gas composed of SF 6 , O 2 , and SiF 4 with respect to a silicon substrate. It is described that trench etching can be realized with no etching or roughening on the side wall surface of the trench by forming a silicon trench with mixed gas plasma.
また、特開2007−129260号公報(特許文献2)には、シリコンの異方性エッチングにおいて、分かれたそれぞれ交互に連続するエッチングおよび重合工程を実施することにより、非常に高いエッチング速度でシリコン基板の深堀りエッチングができることが記載されている。 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-129260 (Patent Document 2) discloses that a silicon substrate is etched at a very high etching rate by performing separate and alternately continuous etching and polymerization processes in anisotropic etching of silicon. It is described that deep etching can be performed.
特許文献1に記載された従来技術において、例えばマイクロ波プラズマエッチング装置により、アスペクト比5程度のシリコントレンチエッチングを高速で実現できる点についての開示がある。しかしながら、上記従来技術では、エッチング速度を更に向上するために圧力を増加しても逆にエッチレートが低下する場合があり、また、より高いマイクロ波パワーを印加しても放電状態の遷移領域が存在することに起因して放電不安定となり使用できない場合があるという問題点について配慮されていなかった。
In the prior art described in
一方、特許文献2に記載された従来技術では、エッチングおよび重合工程を繰り返し実施することにより、非常に高いエッチング速度でシリコン基板の深堀りエッチングができる点について開示されている。しかしながら、上記従来技術では、例えば重合工程によって処理室内に重合膜が堆積し続けることに起因して異物の発生やエッチング特性の再現性の低下が起きることや、前記問題点を解決するためには枚葉クリーニングを行う必要があり、スループットの低下という問題点について配慮されていなかった。
On the other hand, the prior art described in
本発明の目的は、マイクロ波プラズマエッチングによるシリコントレンチまたは穴の高速エッチングを実現することによる生産性の高いプラズマエッチング方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a plasma etching method with high productivity by realizing high-speed etching of silicon trenches or holes by microwave plasma etching.
上記課題を解決するために、本発明のプラズマエッチング方法は、内部を減圧可能な処理室と、該処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内にマイクロ波を供給してプラズマを生成するマイクロ波供給手段と、前記マイクロ波の偏波面を回転させて前記処理室に供給するマイクロ波回転発生器と、前記マイクロ波回転発生器を介して前記マイクロ波を前記処理室へ導入するマイクロ波導入部と、前記処理室内に設けられ試料を載置する試料載置電極と、前記試料載置電極に高周波電力を印加する高周波電源と、前記ガス供給手段により供給されたガスを排気する排気手段とを備えるプラズマ処理装置を用いて、シリコン基板またはSOI基板にシリコントレンチを形成するプラズマエッチング方法であって、フッ素を含むガスと酸素ガスを用い、処理圧力を60Pa以下、前記マイクロ波の電力を1000〜5000Wにして前記マイクロ波の偏波面を回転させてエッチング処理を行うことを特徴とする。
In order to solve the above problems, a plasma etching method according to the present invention includes a processing chamber capable of reducing the pressure inside thereof, a gas supply means for supplying a processing gas into the processing chamber, and a plasma by supplying a microwave into the processing chamber. A microwave supply means for generating a microwave, a microwave rotation generator for rotating the polarization plane of the microwave and supplying it to the processing chamber, and introducing the microwave into the processing chamber via the microwave rotation generator A microwave introduction section, a sample placement electrode provided in the processing chamber for placing a sample, a high frequency power source for applying high frequency power to the sample placement electrode, and a gas supplied by the gas supply means are exhausted A plasma etching method for forming a silicon trench in a silicon substrate or an SOI substrate using a plasma processing apparatus including an exhaust means for performing fluorine etching, including fluorine Using the scan and oxygen gas, a process pressure 60Pa or less, said to the power of the
本発明によれば、シリコントレンチ形状を悪化させることなく、エッチング時間を短縮しスループットを向上することのできるプラズマエッチング方法を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a plasma etching method capable of reducing the etching time and improving the throughput without deteriorating the shape of the silicon trench.
以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
図1は、本発明の実施例1において使用するプラズマを形成する手段にマイクロ波と磁界を利用した、マイクロ波プラズマエッチング装置を示している。
FIG. 1 shows a microwave plasma etching apparatus using a microwave and a magnetic field as means for forming plasma used in
この装置では、エッチング処理室101にガス導入手段107から多孔構造の例えば、石英からなる透過窓108を介してエッチングガスが供給される。また、マイクロ波発生器102で発振されたマイクロ波を整合器103及び導波管104を通し、導波管104の途中に設けたマイクロ波回転発生器105を通過させ、マイクロ波導入窓106よりエッチング処理室101にマイクロ波を輸送して前記エッチングガスをプラズマ化する。
In this apparatus, an etching gas is supplied to the
高効率放電のための磁場発生用のソレノイドコイル109をエッチング処理室101の周辺に配置し、0.0875テスラの磁場をつくり電子サイクロトロン共鳴を用いて高密度プラズマを発生させる。エッチング処理室101には試料台110があり、この上に被処理基板111を設置して、マイクロ波により生成されたガスプラズマによりエッチングする。被処理基板111を設置する試料台110には高周波電源112が接続され、400kHzから13.56MHzの高周波バイアスを印加できる構造となっている。
A
また、高周波電源112は、パルス発生器(図示せず)を備えており、時間変調された間欠的な高周波電力、あるいは、連続的な高周波電力を選択的に試料台110に印加することができる。試料台110表面には、静電吸着電源113より直流電圧を印加することにより静電吸着力が発生し、被処理基板111が静電チャックにより、試料台110に吸着される。
The high
また、試料台110の表面には溝が形成され、固定された被処理基板111裏面との間で形成される流路(図示しない)に、冷却ガス供給口114からHe、Ar、O2等の冷却ガスを供給し、流路内を所定圧力に維持できる構造となっている。被処理基板111の表面の温度上昇は、流路におけるガス伝熱と接触面からの熱伝導にて、試料台110表面へ熱伝達され、一定温度に維持される。被処理基板111を0℃以下の低温に冷却するため、試料台110内部に埋設された冷媒循環流路には、チラーユニット115により指定の低温に温度制御された冷媒が循環される。
Further, a groove is formed on the front surface of the
被処理基板111の周囲には、セラミックスや石英製の絶縁カバー(図示しない)が配置されている。なお、エッチング処理室101に導入されたエッチングガスは、エッチング処理中、排気ポンプ116及び排気配管(図示しない)によりエッチング処理室101の外に排気される。
An insulating cover (not shown) made of ceramic or quartz is disposed around the substrate to be processed 111. Note that the etching gas introduced into the
次に、本実施例1における溝からなる深いシリコントレンチエッチング方法の具体的な例を説明する。ここでは、前述のプラズマエッチング装置を使用し、SF6,O2,SiF4の混合ガスプラズマを主体としたプロセスにおける一例を示す。 Next, a specific example of the deep silicon trench etching method including the groove in the first embodiment will be described. Here, an example in a process mainly using a mixed gas plasma of SF 6 , O 2 , and SiF 4 using the above-described plasma etching apparatus will be described.
また、被処理基板202の詳細構造とエッチング後の状態を図2〜図3に示す。図2に示す通り、被処理基板202はSiO2などからなるマスク材201でパターニングされたシリコン基板となっている。この被処理基板202を、搬送手段(図示せず)を用いて試料台110に載置した後、SF6,O2,SiF4をそれぞれ、600、80、400ml/minの流量に調整してエッチング処理室101に供給し、処理圧力を調整バルブ(図示せず)にて5Paに調整する。
Moreover, the detailed structure of the to-
その後、マイクロ波出力3000Wを印加することによりプラズマを発生させ、試料台110にバイアス出力225Wを印加することにより、図3に示すようにトレンチ開口部203よりエッチングが進行し、深溝トレンチが形成される。表1に代表的な処理条件を示す。
上記のエッチング過程において、エッチング処理室101に導入されたSF6とO2、SiF4ガスが、それぞれSi、S、F、Oのイオン及びラジカルに解離し、被処理基板202の表面との反応とともにSiFやSiOを生成する。
In the above etching process, SF 6 , O 2 , and SiF 4 gas introduced into the
一方、トレンチ開口部203内のエッチングの進行と同時に、適度なSiOが側壁保護膜として形成され、Fラジカルによる等方的エッチングを抑制し、異方性・高速エッチングが可能となっている。また、上述の説明では混合ガスとしてSiF4の含有を必須としたが、側壁保護膜として適度なSiOが形成されればSF6とO2ガスでも本発明は達成される。 On the other hand, at the same time as the etching in the trench opening 203 progresses, moderate SiO is formed as a side wall protective film, suppressing isotropic etching due to F radicals and enabling anisotropic / high-speed etching. In the above description, the inclusion of SiF 4 as a mixed gas is essential. However, the present invention can be achieved even with SF 6 and O 2 gas if moderate SiO is formed as a sidewall protective film.
次に、本発明に用いたマイクロ波回転発生器105の効果について説明する。
Next, the effect of the
図7は、シリコン深溝トレンチのエッチングを行なった時の、シリコンエッチング速度の処理圧力依存性を示す図である。同じく、図8は、シリコンエッチング速度の面内均一性の処理圧力依存性を示す図、図9は、トレンチのテーパ角の処理圧力依存性を示す図である。ここでテーパ角は、図3に示すように、シリコントレンチの最底部から引いた水平線とシリコントレンチの側壁面との成す角で表している。 FIG. 7 is a diagram showing the processing pressure dependence of the silicon etching rate when etching a silicon deep groove trench. Similarly, FIG. 8 is a diagram showing the processing pressure dependence of in-plane uniformity of the silicon etching rate, and FIG. 9 is a diagram showing the processing pressure dependence of the taper angle of the trench. Here, as shown in FIG. 3, the taper angle is represented by an angle formed by a horizontal line drawn from the bottom of the silicon trench and a side wall surface of the silicon trench.
比較的マイクロ波出力が小さい場合、図7において、マイクロ波出力が600Wの時のように、処理圧力が2.5Paまではシリコンエッチング速度は圧力とともに増加するが、5Paより大きい圧力では、エッチング速度は低下し、図9のように、シリコントレンチのテーパ角が減少する。この時、エッチング形状としては、面荒れやささくれといった異常な形状を呈している。 When the microwave output is relatively small, in FIG. 7, as in the case of the microwave output of 600 W, the silicon etching rate increases with the pressure until the processing pressure is 2.5 Pa, but at a pressure higher than 5 Pa, the etching rate is increased. As shown in FIG. 9, the taper angle of the silicon trench decreases. At this time, the etching shape has an abnormal shape such as rough surface or rolling.
このように、比較的小さいマイクロ波出力において圧力を増加してもエッチング速度が低下することは、圧力が高くなると電子の衝突確率が増えることにより電子がマイクロ波により加速を受ける期間も減ってしまい、その結果、エッチングを進行させるのに必要なイオンの密度すなわちプラズマ密度が低下していくためと考えられる。 As described above, the etching rate decreases even when the pressure is increased at a relatively small microwave output. The higher the pressure is, the shorter the period during which electrons are accelerated by the microwave due to the increased probability of collision of electrons. As a result, it is considered that the density of ions necessary for the progress of etching, that is, the plasma density is decreased.
従って、更に高い圧力においてシリコンエッチング速度を増やそうとする場合には、プラズマ密度を増加させなければならない。このため、より高いマイクロ波出力を印加する必要がある。しかし、この時、問題になるのが放電安定性であった。 Therefore, if the silicon etch rate is to be increased at higher pressures, the plasma density must be increased. For this reason, it is necessary to apply a higher microwave output. At this time, however, the problem was discharge stability.
図10に、放電安定性のマイクロ波出力依存性の図を示す。図10に示す通り、マイクロ波回転発生器105を備えていない従来装置においては、マイクロ波出力が概ね1000W以上になると放電不安定が発生した。
FIG. 10 is a diagram showing the dependence of discharge stability on the microwave output. As shown in FIG. 10, in the conventional apparatus that does not include the
この放電不安定が発生する原因の一つとして、電子サイクロトロン共鳴で得られるプラズマ密度がプラズマの遮断周波数になるような数となる前後のマイクロ波出力において放電状態が変わるため、丁度遮断周波数となる数に近いプラズマ密度が得られるマイクロ波出力において放電状態の遷移、すなわち異常放電が発生することが挙げられる。 One of the causes of this discharge instability is that the discharge state changes in the microwave output before and after the plasma density obtained by electron cyclotron resonance becomes a number that becomes the plasma cutoff frequency. It is mentioned that discharge state transition, that is, abnormal discharge occurs in a microwave output capable of obtaining a plasma density close to the number.
これに対して、図1の通り、マイクロ波回転発生器105を装備すると、図10のように放電不安定は殆ど見られなくなる。マイクロ波回転発生器105により放電が安定する理由の一つとして、マイクロ波が回転すると定在波の谷が、異常放電の原因となるプラズマ密度の局所的に高い領域を通過することにより、プラズマ密度が平均化されることによるものと考えられる。
On the other hand, as shown in FIG. 1, when the
このようにして、比較的大きいマイクロ波出力を印加できるようになると、図7において、マイクロ波出力が3000Wの時のように、処理圧力を5Paから10Paに増加しても、シリコンエッチング速度は5Paの時の1.4倍へと増加し続けた。但し、図8、9のように、7.5Pa以上の圧力では均一性は悪化した。また、テーパ角は減少している。 Thus, when a relatively large microwave output can be applied, the silicon etching rate is 5 Pa even if the processing pressure is increased from 5 Pa to 10 Pa in FIG. 7, as in the case where the microwave output is 3000 W. It continued to increase to 1.4 times that of. However, the uniformity deteriorated at a pressure of 7.5 Pa or more as shown in FIGS. Further, the taper angle is decreased.
この場合においても、圧力を増加してもエッチング速度の低下は発生していないため、より高圧領域での最適化の余地はあると考えられる。 Even in this case, since the etching rate does not decrease even when the pressure is increased, it is considered that there is room for optimization in a higher pressure region.
図11は、試料に占めるパターン開口率が比較的小さく、パターンサイズも100μm角以上である試料のシリコンエッチングを行った時の、シリコンエッチング速度の処理圧力依存性を示す図である。図11に示す通り、マイクロ波出力が1000Wの時は、処理圧力を増加することによりシリコンエッチング速度は増加するが、30Paを超えるとシリコンエッチング速度は逆に低下していく。 FIG. 11 is a graph showing the processing pressure dependence of the silicon etching rate when silicon etching is performed on a sample having a relatively small pattern aperture ratio in the sample and a pattern size of 100 μm square or more. As shown in FIG. 11, when the microwave output is 1000 W, the silicon etching rate is increased by increasing the processing pressure, but when it exceeds 30 Pa, the silicon etching rate is decreased.
これは、実施例1で説明した通り、圧力が高くなるとプラズマ密度が低下していくためと考えられる。 This is considered because the plasma density decreases as the pressure increases, as described in the first embodiment.
従って、更に高い圧力においてシリコンエッチング速度を増やそうとする場合には、プラズマ密度を増加させなければならない。このため、より高いマイクロ波出力を印加する必要がある。 Therefore, if the silicon etch rate is to be increased at higher pressures, the plasma density must be increased. For this reason, it is necessary to apply a higher microwave output.
これをもとに、マイクロ波出力を3000Wに増加してシリコンエッチングを行うと、図11に示す通り、シリコンエッチング速度は60Paまで増加し続け。このため、本実施例の処理圧力範囲は、60Pa以下である。 Based on this, when silicon etching is performed with the microwave output increased to 3000 W, the silicon etching rate continues to increase to 60 Pa as shown in FIG. For this reason, the processing pressure range of a present Example is 60 Pa or less.
更に高いマイクロ波出力を印加することにより、高いエッチング速度と所望の形状、面内均一性の確保ができると考えられるが、1000Wから5000Wのマイクロ波出力範囲で使用するのが望ましい。 By applying a higher microwave output, it is considered that a high etching rate, a desired shape, and in-plane uniformity can be secured, but it is desirable to use in a microwave output range of 1000 W to 5000 W.
このように、マイクロ波回転発生器105を装備することにより、高いマイクロ波出力を印加することが可能となるため、従来よりも高いエッチング速度を得ることができた。
As described above, since the
次に、本発明の実施例2について説明する。ここでは、実施例1で説明したプラズマエッチング装置と同じ装置を使用し、SF6,O2,SiF4の混合ガスプラズマを主体としたプロセスにおける一例を、図12にて説明する。 Next, a second embodiment of the present invention will be described. Here, an example of a process mainly using a mixed gas plasma of SF 6 , O 2 and SiF 4 using the same apparatus as the plasma etching apparatus described in the first embodiment will be described with reference to FIG.
図12は、深いシリコントレンチのエッチングを行った時の、シリコントレンチのテーパ角のマイクロ波出力依存性を示す図である。マイクロ波出力を1900Wから3000Wに増加すると、テーパ角は90.4°から89.5°に減少した。これは、マイクロ波出力の増加に伴い、デポ性の増加、即ち、側壁保護膜の形成が多くなったことを示す。従って、これを利用して選択比の向上、ボーイング防止に必要な側壁保護膜の形成が容易になるものと考えられる。 FIG. 12 is a diagram illustrating the microwave output dependency of the taper angle of the silicon trench when the deep silicon trench is etched. As the microwave power was increased from 1900 W to 3000 W, the taper angle decreased from 90.4 ° to 89.5 °. This indicates that the deposition property increases, that is, the formation of the sidewall protective film increases as the microwave output increases. Therefore, it is considered that the use of this makes it easier to improve the selection ratio and form a sidewall protective film necessary for preventing bowing.
図4に示すように、より深く(概ねアスペクト比5以上)エッチングを行うと、深さ方向のエッチングの進行とともに側壁保護が不十分となり、ボーイング形状が発生するとともに、シリコントレンチ底部ではトレンチ幅が狭くなる先細り形状となるという問題点が発生することがある。本実施例において、このようなボーイングや先細り形状を低減するために、一例として、試料に印加するバイアス電力の時間変調のデューティー比(繰り返し周波数の1周期に対するオンの時間)を変更する方法を、図13を参照して説明する。 As shown in FIG. 4, when deeper etching is performed (generally with an aspect ratio of 5 or more), sidewall protection becomes insufficient as the etching progresses in the depth direction, a bowing shape is generated, and the trench width is reduced at the bottom of the silicon trench. There may be a problem that the taper shape becomes narrower. In this example, in order to reduce such bowing and taper shape, as an example, a method of changing the duty ratio of the time modulation of the bias power applied to the sample (on time with respect to one cycle of the repetition frequency), This will be described with reference to FIG.
図13に、試料に印加するバイアス電力の時間変調のデューティー比を変えた時のシリコントレンチのテーパ角の図を示す。デューティー比が20%と比較的小さい場合は電力がオフの期間におけるデポ量が多いため、シリコントレンチのテーパ角は小さくなる。一方、デューティー比が40%と比較的大きい場合は電力がオフの期間におけるデポ量が少なくなるため、シリコントレンチのテーパ角は大きくなる。 FIG. 13 shows a taper angle of the silicon trench when the duty ratio of the time modulation of the bias power applied to the sample is changed. When the duty ratio is relatively small, such as 20%, the amount of deposit during the period when the power is off is large, so the taper angle of the silicon trench is small. On the other hand, when the duty ratio is relatively large at 40%, the amount of deposit during the period when the power is off is reduced, and the taper angle of the silicon trench is increased.
これらを組合せてシリコントレンチを形成する場合の方法を、図5〜図6を参照して説明する。まず最初に、デューティー比が20%で処理したものが図5となる。次に、連続してデューティー比が40%で処理を行ったものが図6となる。このように、ボーイングを抑制するためにシリコントレンチのテーパ角が大きくなる条件と、先細りが少なくなる条件を組み合わせることにより、より垂直なシリコントレンチ形状を得ることができる。 A method for forming a silicon trench by combining these will be described with reference to FIGS. First, FIG. 5 shows a case where the duty ratio is 20%. Next, FIG. 6 shows a case where processing is continuously performed with a duty ratio of 40%. In this way, a more vertical silicon trench shape can be obtained by combining the condition that the taper angle of the silicon trench is increased and the condition that the taper is reduced in order to suppress bowing.
更に、シリコントレンチを形成する期間を複数に分割して、それぞれのステップのデューティー比を変えることにより、深さ方向の全域にわたって溝幅を変えることができ、より垂直なもしくは、一様なテーパ角のシリコントレンチ形状を得ることができる。 Furthermore, by dividing the period for forming the silicon trench into a plurality of parts and changing the duty ratio of each step, the groove width can be changed over the entire region in the depth direction, and a more vertical or uniform taper angle. The silicon trench shape can be obtained.
表1に示すプロセス条件は、図1の有磁場マイクロ波プラズマエッチング装置で使用される代表的なエッチング条件である。ここで示されるプロセス条件は、本発明において適正化された条件であり、ヘリコン波エッチング装置、誘導結合型エッチング装置、容量結合型エッチング装置、有磁場RIE装置など他のエッチング装置とは、個々のプロセスパラメータの最適値においては、多少異なるものである。また、本実施例では、深いシリコントレンチを形成する方法について、説明したが、本実施例はシリコントレンチ形成に限定されず、穴の形成についても適用できる。 The process conditions shown in Table 1 are typical etching conditions used in the magnetic field microwave plasma etching apparatus of FIG. The process conditions shown here are conditions optimized in the present invention, and are different from other etching apparatuses such as a helicon wave etching apparatus, an inductively coupled etching apparatus, a capacitive coupling etching apparatus, and a magnetic field RIE apparatus. The optimum values of process parameters are somewhat different. In the present embodiment, the method for forming a deep silicon trench has been described. However, the present embodiment is not limited to the formation of a silicon trench, and can also be applied to the formation of a hole.
しかし、トレンチエッチングにおけるエッチング形状の制御方法については、この装置に限定して使用されるものではなく、他のエッチング装置にも適用することが可能である。エッチングプロセスに携わるものであれば、ここに提示したプロセス条件を基に、前記他の装置を最適条件に調整し、順応させることができる。 However, the method for controlling the etching shape in trench etching is not limited to this apparatus, and can be applied to other etching apparatuses. If the person is involved in the etching process, the other apparatus can be adjusted and adapted to the optimum conditions based on the process conditions presented here.
101 エッチング処理室
102 マイクロ波発生器
103 整合器
104 導波管
105 マイクロ波回転発生器
106 マイクロ波導入窓
107 ガス導入手段
108 透過窓
109 ソレノイドコイル
110 試料台
111 被処理基板
112 高周波電源
113 静電吸着電源
114 冷却ガス供給口
115 チラーユニット
116 排気ポンプ
201 マスク材
202 被処理基板
203 トレンチ開口部
DESCRIPTION OF
Claims (3)
フッ素を含むガスと酸素ガスを用い、処理圧力を60Pa以下、前記マイクロ波の電力を1000〜5000Wにして前記マイクロ波の偏波面を回転させてエッチング処理を行うことを特徴とするプラズマエッチング方法。 A processing chamber capable of depressurizing the interior; a gas supply means for supplying a processing gas into the processing chamber; a microwave supplying means for supplying a microwave into the processing chamber to generate plasma; and a polarization plane of the microwave. A microwave rotation generator that is rotated and supplied to the processing chamber, a microwave introduction unit that introduces the microwave into the processing chamber via the microwave rotation generator, and a sample that is provided in the processing chamber A silicon substrate or a plasma processing apparatus comprising: a sample mounting electrode to be placed; a high frequency power source that applies high frequency power to the sample mounting electrode; and an exhaust unit that exhausts the gas supplied by the gas supply unit. In a plasma etching method for forming a deep silicon trench or hole in an SOI substrate,
A plasma etching method characterized in that an etching process is performed using a gas containing fluorine and an oxygen gas, a processing pressure of 60 Pa or less, a microwave power of 1000 to 5000 W, and rotating the polarization plane of the microwave.
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