JP2012221141A - 画像取得装置、生体認証装置、電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本適用例の画像取得装置1は、複数の受光素子38を備える撮像部23と、受光素子38へ入射する光を集光する受光素子38と一対一に平面配置された複数の微小レンズ32を備える集光部21と、撮像部23と集光部21との間に配置され、互いに隣り合う微小レンズ32間での光線クロストークを防ぐ遮光部22と、を備える画像取得装置であって、被写体からの光が受光素子38に入射する経路上に、アモルファスシリコンを含むバンドパスフィルター33を備える。
【選択図】図2
Description
この種の指静脈認証装置の従来例として、例えば特許文献1に記載の認証装置が挙げられる。特許文献1の認証装置は、ガイドに沿って置かれた指の左右から近赤外光を照射することにより、指の静脈パターンを撮影するものである。
以下、図面を参照し、第1実施形態に係る画像取得装置について説明する。なお、以下の全ての図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
図2に示すように、画像取得部12は、透明支持体34、遮光層35、開口部36からなる遮光部22と、複数の受光素子38を備える撮像部23と、透明支持体31、バンドパスフィルター33、複数の微小レンズ32からなる集光部21とから構成され、接着層37により一体化されている。集光部21と遮光部22とは所定の間隔を持って配置されており、接着層37は複数の微小レンズ32が形成されている領域の外周部に設けられている。同様に、遮光部22と撮像部23とは所定の間隔を持って配置されており、接着層37は双方の基板間に充填されている。
次に、第2実施形態の画像取得装置について説明する。第2実施形態の画像取得装置は、第1実施形態に係る画像取得装置1と同様の基本構成を備えており、画像取得装置1との違いは、画像取得部12のバンドパスフィルター33を構成するa−Si薄膜41とSiO2薄膜42の膜厚が異なることである。したがって、画像取得装置1の斜視図、および画像取得部12の断面図は図1、図2と同様であり、バンドパスフィルター33の構成を示す模式図は図3と同様である。本実施形態において第1実施形態と共通する構成要素については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
次に、第3実施形態の画像取得装置について説明する。第3実施形態の画像取得装置は、第1実施形態に係る画像取得装置1と同様の基本構成を備えており、画像取得装置1との違いは、画像取得部12のバンドパスフィルター33を構成するa−Si薄膜41とSiO2薄膜42の膜厚が異なることである。したがって、画像取得装置1の斜視図、および画像取得部12の断面図は図1、図2と同様であり、バンドパスフィルター33の構成を示す模式図は図3と同様である。本実施形態において第1実施形態と共通する構成要素については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
<生体認証装置>
次に、本実施形態の生体認証装置について説明する。図7(a)は生体認証装置としての静脈認証装置のブロック図である。図7(a)に示すように、生体認証装置としての静脈認証装置80は、記憶部81、撮像部82、発光部83、認証実行部84、及び制御部85を有する。なお、静脈認証装置80は画像取得装置1を備える。すなわち、撮像部82、発光部83は画像取得装置1に相当し、撮像部82は画像取得部12に、発光部83は光源13に相当する。
<電子機器>
次に、上述の実施形態にかかる静脈認証装置80を電子機器に適用した例について説明する。図8(a)は、電子機器としての携帯電話きの斜視図である。本実施形態の電子機器としての携帯電話機100は、表示部101、操作ボタン102及び静脈認証装置80を備えている。静脈認証装置80は、内部に組み込まれた画像取得装置1によって取得された静脈パターンで個人認証を行い、携帯電話機100のロック状態を解除したり、金融決済の際の個人認証を行うことができる。
Claims (9)
- 複数の受光素子を備える撮像部と、
前記受光素子へ入射する光を集光する、前記受光素子と一対一に平面配置された複数の微小レンズを備える集光部と、
被写体からの光が前記受光素子に入射する経路上に、アモルファスシリコンを含むバンドパスフィルターと、を備えることを特徴とする画像取得装置。 - 請求項1に記載の画像取得装置であって、
前記撮像部と前記集光部との間に配置され、互いに隣り合う前記微小レンズ間での光線クロストークを防ぐ遮光部を備え、
前記撮像部、前記集光部、前記遮光部の少なくとも一つに前記バンドパスフィルターが内蔵されていることを特徴とする画像取得装置。 - 請求項1又は2に記載の画像取得装置であって、
前記被写体に光を照射する光源を備えることを特徴とする画像取得装置。 - 請求項3に記載の画像取得装置であって、
前記光源の発光ピーク波長と前記バンドパスフィルターの透過ピーク波長とが、一致していることを特徴とする画像取得装置。 - 請求項4に記載の画像取得装置であって、
前記バンドパスフィルターは、二つのミラー層と前記二つのミラー層に挟まれたスペーサー層とで構成され、
前記ミラー層は、前記光源の発光ピーク波長(λ)において、互いに略λ/4の光学路長を有する、前記アモルファスシリコン薄膜と、前記アモルファスシリコンと屈折率の異なる材料からなる薄膜と、が交互に積層された構造であり、
前記スペーサー層は、前記光源の発光ピーク波長(λ)において、略λ/2の光学路長を有する、前記アモルファスシリコン薄膜、あるいは、前記アモルファスシリコンと屈折率の異なる材料からなる薄膜であることを特徴とする画像取得装置。 - 請求項4に記載の画像取得装置であって、
前記バンドパスフィルターは、二つのミラー層と前記二つのミラー層に挟まれたスペーサー層とで構成され、
前記ミラー層は、前記光源の発光ピーク波長(λ)よりも短い波長(λ2)において、互いに略(λ2)/4の光学路長を有する、前記アモルファスシリコン薄膜と、前記アモルファスシリコンと屈折率の異なる材料からなる薄膜と、が交互に積層された構造であり、
前記スペーサー層は、前記光源の発光ピーク波長(λ)よりも長い波長(λ3)において、略(λ3)/2の光学路長を有する、前記アモルファスシリコン薄膜、あるいは、前記アモルファスシリコンと屈折率の異なる材料からなる薄膜であることを特徴とする画像取得装置。 - 請求項4に記載の画像取得装置であって、
前記バンドパスフィルターは、前記アモルファスシリコン薄膜と、前記アモルファスシリコンと屈折率の異なる材料からなる薄膜と、が交互に奇数(2n+1 n=2、3、・・・)層積層された構造であり、
前記バンドパスフィルターのn+1層目以外の光学路長は、前記光源の発光ピーク波長(λ)よりも短い波長(λ5)において略(λ5)/4であり、
n+1層目の光学路長は、前記光源の発光ピーク波長(λ)よりも短い波長(λ5)において略(λ5)/4よりも小さいことを特徴とする画像取得装置。 - 人体の生体情報を取得し、個人認証を行う生体認証装置であって、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の画像取得装置を備えたことを特徴とする生体認証装置。
- 請求項8に記載の生体認証装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015038859A (ja) * | 2013-07-17 | 2015-02-26 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法、受発光装置、電子機器 |
US9064768B2 (en) | 2012-10-01 | 2015-06-23 | Seiko Epson Corporation | Imaging apparatus and medical equipment |
JP2019213851A (ja) * | 2018-05-30 | 2019-12-19 | ヴァイアヴィ・ソリューションズ・インコーポレイテッドViavi Solutions Inc. | マルチセンシングセンサデバイスを組み込んだユーザデバイス |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5742348B2 (ja) | 2011-03-23 | 2015-07-01 | セイコーエプソン株式会社 | 撮像装置 |
CN103685881B (zh) * | 2012-09-19 | 2018-09-21 | Lg伊诺特有限公司 | 照相机模块 |
WO2014160448A1 (en) * | 2013-03-13 | 2014-10-02 | Soloinsight, Inc. | Integrated workforce management and access control |
WO2014162388A1 (ja) * | 2013-04-01 | 2014-10-09 | 富士通フロンテック株式会社 | 手のひら静脈撮像装置 |
JP2016112279A (ja) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | セイコーエプソン株式会社 | 画像取得装置、生体情報取得装置、電子機器 |
JP2016115862A (ja) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | セイコーエプソン株式会社 | 画像取得装置、生体情報取得装置、電子機器 |
JP2016225814A (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | セイコーエプソン株式会社 | 撮像装置、撮像装置の制御方法 |
US10056439B2 (en) * | 2015-12-11 | 2018-08-21 | Gingy Technologies Inc. | Image capturing apparatus |
US10331932B2 (en) * | 2016-06-08 | 2019-06-25 | Novatek Microelectronics Corp. | Optical sensor device and a fingerprint sensor apparatus |
TWI652626B (zh) | 2017-08-11 | 2019-03-01 | 財團法人工業技術研究院 | 生物辨識裝置 |
US10613256B2 (en) * | 2017-08-11 | 2020-04-07 | Industrial Technology Research Institute | Biometric device |
CN108742529B (zh) * | 2018-05-29 | 2022-05-17 | 苏州佳世达电通有限公司 | 用于辅助检测的薄膜及静脉辨识*** |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006088155A1 (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 誘電体多層周期構造体 |
JP2007279534A (ja) * | 2006-04-11 | 2007-10-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学素子 |
JP2009043138A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Hitachi Maxell Ltd | 生体情報取得装置 |
JP2009238205A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-10-15 | Ricoh Co Ltd | 個人認証装置及び電子機器 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4007716B2 (ja) * | 1999-04-20 | 2007-11-14 | オリンパス株式会社 | 撮像装置 |
JP3770241B2 (ja) | 2003-03-04 | 2006-04-26 | 株式会社日立製作所 | 個人認証装置及び個人認証方法 |
JP4574417B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2010-11-04 | シャープ株式会社 | 光源モジュール、バックライトユニット、液晶表示装置 |
JP2006088155A (ja) | 2005-10-17 | 2006-04-06 | Tekku Kogyo Kk | 気液混合用インペラー |
JP5312774B2 (ja) | 2006-12-15 | 2013-10-09 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 薄型認証センサ |
JP2009172263A (ja) | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Hitachi Maxell Ltd | 生体情報取得装置及び撮像装置 |
KR20110061677A (ko) * | 2009-12-02 | 2011-06-10 | 삼성전자주식회사 | 영상 센서 및 이의 제조 방법. |
JP2011199798A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-06 | Sony Corp | 物理情報取得装置、固体撮像装置、物理情報取得方法 |
-
2011
- 2011-04-07 JP JP2011085162A patent/JP5828371B2/ja active Active
-
2012
- 2012-04-02 US US13/437,228 patent/US9379157B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006088155A1 (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 誘電体多層周期構造体 |
JP2007279534A (ja) * | 2006-04-11 | 2007-10-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学素子 |
JP2009043138A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Hitachi Maxell Ltd | 生体情報取得装置 |
JP2009238205A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-10-15 | Ricoh Co Ltd | 個人認証装置及び電子機器 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9064768B2 (en) | 2012-10-01 | 2015-06-23 | Seiko Epson Corporation | Imaging apparatus and medical equipment |
US9405954B2 (en) | 2012-10-01 | 2016-08-02 | Seiko Epson Corporation | Imaging apparatus and medical equipment |
JP2015038859A (ja) * | 2013-07-17 | 2015-02-26 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法、受発光装置、電子機器 |
JP2019213851A (ja) * | 2018-05-30 | 2019-12-19 | ヴァイアヴィ・ソリューションズ・インコーポレイテッドViavi Solutions Inc. | マルチセンシングセンサデバイスを組み込んだユーザデバイス |
JP7332334B2 (ja) | 2018-05-30 | 2023-08-23 | ヴァイアヴィ・ソリューションズ・インコーポレイテッド | マルチセンシングセンサデバイスを組み込んだユーザデバイス |
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