JP2012199373A - 受光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 テーパ導波路が、入力導波路とフォトダイオードとを接続する。入力導波路に接続された入力端から、フォトダイオードに接続された出力端に向かって、テーパ導波路の幅が広がる。テーパ導波路の広がり半角は、入力導波路から信号光が入力されると、高次モードを励振する大きさである。フォトダイオードの幅は一定であるか、またはテーパ導波路の出力端から遠ざかる向きに広がっており、その広がり半角は、テーパ導波路の広がり半角以下である。
【選択図】 図1
Description
基板上に形成された入力導波路と、
前記基板の上に形成されたフォトダイオードと、
前記基板の上に形成され、前記入力導波路と前記フォトダイオードとを接続し、前記入力導波路に接続された入力端から、前記フォトダイオードに接続された出力端に向かって、幅が広がるテーパ導波路と
を有し、
前記テーパ導波路の広がり半角は、前記入力導波路から信号光が入力されると、高次モードを励振する大きさであり、
前記フォトダイオードの幅は一定であるか、または前記テーパ導波路の出力端から遠ざかる向きに広がっており、その広がり半角は、前記テーパ導波路の広がり半角以下である受光装置が提供される。
基板上に形成された入力導波路と、
前記基板の上に形成されたフォトダイオードと、
前記基板の上に形成され、前記入力導波路と前記フォトダイオードとを接続し、前記入力導波路に接続された入力端から、前記フォトダイオードに接続された出力端に向かって、幅が広がるテーパ導波路と
を有し、
前記テーパ導波路と前記フォトダイオードとの接続箇所における前記テーパ導波路の幅を、Wo[μm]とし、前記テーパ導波路の広がり半角をθ[°]としたとき、広がり半角θは、
θ≧−0.08Wo2+2.37Wo−11.5、かつ
θ≦−0.04Wo2+1.16Wo+0.0145
の範囲内であり、
前記フォトダイオードの幅は、前記テーパ導波路との接続箇所において、前記テーパ導波路の出射端の幅以上であり、前記テーパ導波路の出力端から遠ざかる向きに広がっており、その広がり半角θpdは、
0≦θpd≦−0.04Wo2+1.16Wo+0.0145
の範囲内である受光装置が提供される。
基板の上に形成され、2つの入力ポートに、それぞれ位相偏移変調された信号光及びローカルオシレータ光が入力され、複数の出力ポートに、それぞれ位相偏移変調された信号光が強度変調信号光に変換されて出力されるハイブリッド導波路と、
前記基板の上に形成され、前記ハイブリッド導波路の前記出力ポートにそれぞれ接続された複数の入力導波路と、
前記基板の上に形成され、前記入力導波路に対応して配置されたフォトダイオードと、
前記基板の上に形成され、前記入力導波路と、対応する前記フォトダイオードとを接続するテーパ導波路と
を有し、
前記テーパ導波路の各々の広がり半角は、前記入力導波路から信号光が入力されると、高次モードを励振する大きさであり、
前記フォトダイオードの各々の幅は一定であるか、または前記テーパ導波路の出力端から遠ざかる向きに広がっており、その広がり半角は、前記テーパ導波路の広がり半角以下である受光装置が提供される。
図1Aに、実施例1による受光装置の平面図を示す。半絶縁性の基板30の上に、入力導波路20、テーパ導波路21、及びフォトダイオード22が形成されている。基板30として半絶縁性のものを用いるのは、寄生容量低減のためである。入力導波路20は、例えば波長1.55μmの光を伝播させるシングルモード光導波路である。
θ=−0.0832Wo2+2.3667Wo−11.453
と表される。出射端の幅Woごとに算出された広がり半角上限値を連ねる曲線を近似する2次曲線は、
θ=−0.0392Wo2+1.1611Wo+0.0145
と表される。広がり半角θを、
θ≧−0.08Wo2+2.37Wo−11.5、かつ
θ≦−0.04Wo2+1.16Wo+0.0145
の範囲内とすることにより、最大ピーク強度を、参照ピーク強度の1.1倍以下とすることができる。
θ=−0.025Wo2+1.1573o−3.6994
と表される。
0≦θpd≦−0.04Wo2+1.16Wo+0.0145
の範囲内とすることが好ましい。
図8に、実施例2による受光装置の一部の平面図を示す。以下、図3Dに示した実施例1の変形例2と比較し、異なる構成について説明する。図3Dに示した変形例2では、フォトダイオード22の幅が、テーパ導波路21の出射端の幅Woと等しい。実施例2においては、フォトダイオード22の幅Wpが、テーパ導波路21の出射端の幅Woよりも広い。幅方向に関して、フォトダイオード22の中心は、テーパ導波路21の中心と一致している。テーパ導波路21の出射端の幅Woに対するフォトダイオード22の幅Wpの片側の拡幅量Dは、
D=(Wp−Wo)/2
と表される。
図9に、実施例3による光コヒーレントレシーバの平面図を示す。実施例3による光コヒーレントレシーバは、QPSK方式に適用される。
図10に、実施例4による光コヒーレントレシーバモジュールの平面図を示す。実施例4による光コヒーレントレシーバモジュールは、二偏波四位相偏移変調(DP−QPSK)方式に適用される。
21 テーパ導波路
22 フォトダイオード
24 MMI導波路
25 p側電極
26 n側電極
27 p側引出電極
28 n側引出電極
30 基板
31 n型クラッド層
32 コア層
33 上部クラッド層
35 埋込半導体層
37 光吸収層
38 p型クラッド層
39 コンタクト層
40 保護膜
50 基板
51 ハイブリッド導波路
52 変調信号光導波路
53 ローカルオシレータ光導波路
60A 入力導波路
61A テーパ導波路
62A フォトダイオード
63A n型クラッド層
65A p側電極パッド
66A n側電極パッド
70A 第1の受光素子
70B 第2の受光素子
70C 第3の受光素子
70D 第4の受光素子
80 実装基板
81 第1の光コヒーレントレシーバ
82 第2の光コヒーレントレシーバ
85 信号光用光ファイバ
86 ローカルオシレータ光用光ファイバ
87 第1のビームスプリッタ
88 第2のビームスプリッタ
91、93 変調信号光導波路
92、94 ローカルオシレータ光導波路
95 第1のトランスインピーダンス増幅器
96 第2のトランスインピーダンス増幅器
97 第3のトランスインピーダンス増幅器
98 第4のトランスインピーダンス増幅器
101、103 Iチャネル用受光素子
102、104 Qチャネル用受光素子
θ=−0.025Wo2+1.1573Wo−3.6994
と表される。
Claims (10)
- 基板上に形成された入力導波路と、
前記基板の上に形成されたフォトダイオードと、
前記基板の上に形成され、前記入力導波路と前記フォトダイオードとを接続し、前記入力導波路に接続された入力端から、前記フォトダイオードに接続された出力端に向かって、幅が広がるテーパ導波路と
を有し、
前記テーパ導波路の広がり半角は、前記入力導波路から信号光が入力されると、高次モードを励振する大きさであり、
前記フォトダイオードの幅は一定であるか、または前記テーパ導波路の出力端から遠ざかる向きに広がっており、その広がり半角は、前記テーパ導波路の広がり半角以下である受光装置。 - 基板上に形成された入力導波路と、
前記基板の上に形成されたフォトダイオードと、
前記基板の上に形成され、前記入力導波路と前記フォトダイオードとを接続し、前記入力導波路に接続された入力端から、前記フォトダイオードに接続された出力端に向かって、幅が広がるテーパ導波路と
を有し、
前記テーパ導波路と前記フォトダイオードとの接続箇所における前記テーパ導波路の幅を、Wo[μm]とし、前記テーパ導波路の広がり半角をθ[°]としたとき、広がり半角θは、
θ≧−0.08Wo2+2.37Wo−11.5、かつ
θ≦−0.04Wo2+1.16Wo+0.0145
の範囲内であり、
前記フォトダイオードの幅は、前記テーパ導波路との接続箇所において、前記テーパ導波路の出射端の幅以上であり、前記テーパ導波路の出力端から遠ざかる向きに広がっており、その広がり半角θpdは、
0≦θpd≦−0.04Wo2+1.16Wo+0.0145
の範囲内である受光装置。 - 前記テーパ導波路と前記フォトダイオードとの接続箇所において、前記フォトダイオードの幅が、前記テーパ導波路の前記出力端の幅よりも両側に広がっており、片側の広がり幅が、0.1μm〜0.3μmの範囲内である請求項1または2に記載の受光装置。
- 前記テーパ導波路と前記フォトダイオードとの接続箇所において、前記フォトダイオードの幅が、前記テーパ導波路の前記出力端の幅と同一である請求項1または2に記載の受光装置。
- 前記入力導波路と前記テーパ導波路との接続箇所において、前記テーパ導波路の幅が前記入力導波路の幅よりも広い請求項1乃至4のいずれか1項に記載の受光装置。
- 前記テーパ導波路の前記入力端において、前記入力導波路の中心と前記テーパ導波路の中心とが一致し、前記テーパ導波路の幅が、前記入力導波路の幅の1.4倍〜2.2倍の範囲内である請求項5に記載の受光装置。
- 前記テーパ導波路の前記出力端における幅が、前記入力導波路の幅の2倍〜6倍の範囲内である請求項1乃至6のいずれか1項に記載の受光装置。
- 前記テーパ導波路の前記出力端において、前記フォトダイオードの幅が、前記テーパ導波路の幅と等しいか、または前記テーパ導波路の幅よりも広い請求項1乃至7のいずれか1項に記載の受光装置。
- 基板の上に形成され、2つの入力ポートに、それぞれ位相偏移変調された信号光及びローカルオシレータ光が入力され、複数の出力ポートに、それぞれ位相偏移変調された信号光が強度変調信号光に変換されて出力されるハイブリッド導波路と、
前記基板の上に形成され、前記ハイブリッド導波路の前記出力ポートにそれぞれ接続された複数の入力導波路と、
前記基板の上に形成され、前記入力導波路に対応して配置されたフォトダイオードと、
前記基板の上に形成され、前記入力導波路と、対応する前記フォトダイオードとを接続するテーパ導波路と
を有し、
前記テーパ導波路の各々の広がり半角は、前記入力導波路から信号光が入力されると、高次モードを励振する大きさであり、
前記フォトダイオードの各々の幅は一定であるか、または前記テーパ導波路の出力端から遠ざかる向きに広がっており、その広がり半角は、前記テーパ導波路の広がり半角以下である受光装置。 - さらに、前記フォトダイオードから電気信号が入力されるトランスインピーダンス増幅器を有する請求項9に記載の受光装置。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014039021A (ja) * | 2012-07-18 | 2014-02-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子 |
WO2016016915A1 (ja) * | 2014-07-31 | 2016-02-04 | Nttエレクトロニクス株式会社 | 光モジュール及びその製造方法 |
JP2017017102A (ja) * | 2015-06-29 | 2017-01-19 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光素子を作製する方法及び半導体光素子 |
JP2018148210A (ja) * | 2017-03-03 | 2018-09-20 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | コヒーレント光通信用受光デバイス |
JP2019054029A (ja) * | 2017-09-13 | 2019-04-04 | 富士通株式会社 | 受光器、バランス型受光器、受光器の製造方法 |
JP2019197794A (ja) * | 2018-05-09 | 2019-11-14 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 光導波路型受光素子 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6089953B2 (ja) * | 2013-05-17 | 2017-03-08 | 住友電気工業株式会社 | Iii−v化合物半導体素子を作製する方法 |
JP6984360B2 (ja) * | 2017-12-01 | 2021-12-17 | 住友電気工業株式会社 | 多モード干渉器デバイス、マッハツェンダ変調装置 |
JP7361490B2 (ja) * | 2019-05-07 | 2023-10-16 | 日本ルメンタム株式会社 | 半導体受光素子及び半導体受光素子の製造方法 |
GB2593864B (en) * | 2020-02-28 | 2023-01-04 | X Fab France Sas | Improved transfer printing for RF applications |
US11588062B2 (en) * | 2020-10-08 | 2023-02-21 | Globalfoundries U.S. Inc. | Photodetectors including a coupling region with multiple tapers |
US20220173258A1 (en) * | 2020-11-30 | 2022-06-02 | Infinera Corporation | Waveguide dual-depletion region (ddr) photodiodes |
WO2024138217A1 (en) * | 2022-12-23 | 2024-06-27 | The University Of Massachusetts | Photoacoustic devices and methods of manufacture thereof |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06160658A (ja) * | 1992-08-14 | 1994-06-07 | Siemens Ag | 小断面の光波を大断面の光波へ変換する装置 |
JPH09223805A (ja) * | 1996-02-16 | 1997-08-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体導波路型受光器 |
JP2002107681A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Fujitsu Quantum Devices Ltd | 光半導体装置 |
JP2002217446A (ja) * | 2001-01-15 | 2002-08-02 | Fujitsu Ltd | 光半導体集積素子及びその製造方法 |
JP2003533896A (ja) * | 2000-05-12 | 2003-11-11 | ザ トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシテイ | 複数の非対称導波路を有する光子集積検出器 |
JP2006251212A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Toshiba Corp | 光伝送路保持部材と光モジュール及び光モジュールの製造方法 |
US20070077017A1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | The Trustees Of Princeton University | Photonic integrated devices having reduced absorption loss |
JP2007270468A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 埋込型標識灯装置 |
WO2008080428A1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-10 | Pgt Photonics S.P.A. | Waveguide photodetector in germanium on silicon |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100333900B1 (ko) * | 1999-01-21 | 2002-04-24 | 윤종용 | 모드모양 변환기, 그 제작 방법 및 이를 구비한 집적광학 소자 |
JP4284634B2 (ja) | 1999-10-29 | 2009-06-24 | 富士通株式会社 | 半導体受光装置 |
US6826220B2 (en) * | 1999-12-27 | 2004-11-30 | Corning O.T.I. S.R.L. | Semiconductor laser element having a diverging region |
JP2002162527A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-07 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光デバイスおよびその光デバイス用半製品 |
JP4127975B2 (ja) | 2001-02-16 | 2008-07-30 | 富士通株式会社 | 光導波装置 |
JP3791394B2 (ja) * | 2001-11-01 | 2006-06-28 | 日本電気株式会社 | 光導波路基板 |
JP3920164B2 (ja) * | 2002-07-23 | 2007-05-30 | 富士通株式会社 | 半導体受光装置及びその製造方法 |
-
2011
- 2011-03-22 JP JP2011062291A patent/JP5747592B2/ja active Active
-
2012
- 2012-01-26 US US13/358,595 patent/US8724938B2/en active Active
- 2012-01-31 CN CN201210024972.5A patent/CN102694050B/zh active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06160658A (ja) * | 1992-08-14 | 1994-06-07 | Siemens Ag | 小断面の光波を大断面の光波へ変換する装置 |
JPH09223805A (ja) * | 1996-02-16 | 1997-08-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体導波路型受光器 |
JP2003533896A (ja) * | 2000-05-12 | 2003-11-11 | ザ トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシテイ | 複数の非対称導波路を有する光子集積検出器 |
JP2002107681A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Fujitsu Quantum Devices Ltd | 光半導体装置 |
JP2002217446A (ja) * | 2001-01-15 | 2002-08-02 | Fujitsu Ltd | 光半導体集積素子及びその製造方法 |
JP2006251212A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Toshiba Corp | 光伝送路保持部材と光モジュール及び光モジュールの製造方法 |
US20070077017A1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | The Trustees Of Princeton University | Photonic integrated devices having reduced absorption loss |
JP2007270468A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 埋込型標識灯装置 |
WO2008080428A1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-10 | Pgt Photonics S.P.A. | Waveguide photodetector in germanium on silicon |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
K.S.HYUN: ""Multimode Interferometer-Fed InGaAs Waveguide Photodiode for High Power Detection"", JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. Vol.47, No.11 (2008), JPN6015013914, pages 8426 - 8429, ISSN: 0003048047 * |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014039021A (ja) * | 2012-07-18 | 2014-02-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子 |
WO2016016915A1 (ja) * | 2014-07-31 | 2016-02-04 | Nttエレクトロニクス株式会社 | 光モジュール及びその製造方法 |
JP2017017102A (ja) * | 2015-06-29 | 2017-01-19 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光素子を作製する方法及び半導体光素子 |
JP2018148210A (ja) * | 2017-03-03 | 2018-09-20 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | コヒーレント光通信用受光デバイス |
JP2019054029A (ja) * | 2017-09-13 | 2019-04-04 | 富士通株式会社 | 受光器、バランス型受光器、受光器の製造方法 |
JP7087308B2 (ja) | 2017-09-13 | 2022-06-21 | 富士通株式会社 | 受光器、バランス型受光器、受光器の製造方法 |
JP2019197794A (ja) * | 2018-05-09 | 2019-11-14 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 光導波路型受光素子 |
JP7056827B2 (ja) | 2018-05-09 | 2022-04-19 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 光導波路型受光素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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