JP2012198482A - 光学走査装置及びその光量制御方法、並びに画像形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、回路構成を簡素化しつつ、マルチビームの半導体レーザに対して電流−光量特性の非線形性を補正することができる光学走査装置を提供する。
【解決手段】光学走査装置２は、ＰＤユニット１４により検出される光強度を制御して半導体レーザ１１の光量が所定光量となるようにするレーザ制御装置１２を備える。レーザ制御装置１２は、定電流生成回路４６にて生成される複数の定電流により半導体レーザ１１のＬＤ１〜ＬＤ４の内、所定のレーザビームを発光させて得られる光量値に基づいて電流−光量特性のｎ次近似式（ｎ≧２）を算出し、該ｎ次近似式から半導体レーザ１１の発光開始電流を算出する近似式算出回路４８と、所定のレーザビーム以外の光量制御から得られる電流値と近似式算出回路４８から得られるｎ次近似式からバイアス電流を生成するバイアス電流算出回路ａ５５〜ｄ８５を有する。
【選択図】図１０Ａ

Description

本発明は、画像データに応じて半導体レーザの発光を制御し、半導体レーザから出射されたレーザビームを感光体上へ走査する光学走査装置その光量制御方法、並びに画像形成装置に関する。

従来の光学走査装置では、半導体レーザの駆動電流対光出力特性が非直線性を有すると正確な光出力が得られないという課題に対して特許文献１が提案されている。

特許文献１では、半導体レーザの微分量子効率と、駆動電流設定用ＤＡＣ（Digital Analog Converter）及びフルスケール設定用ＤＡＣによって決定される半導体レーザの駆動電流対光出力の傾きを任意の区間で分割する。そして、その一区間ごとに算出した微分量子効率と傾きの積から得られる近似光出力分解能により半導体レーザの光出力を制御する。この近似光出力分解能は、レーザの実際の微分量子効率と直線近似の差分を表す。分割した任意の区間の各々で直線近似をすることにより分解能を上げることができる。具体的には、微分量子効率は直線で結んだ値で、傾きとはＤＡＣ設定値に対するレーザ駆動電流を示し、その積がレーザ光量になる。分割数を増やすと、レーザの実際の微分量子効率により近似され、結果、分解能が上がることになる。

特許文献１では、演算・制御回路が、微分量子効率検出手段で検出された微分量子効率から半導体レーザのしきい値電流とほぼ等しいバイアス電流を算出し、駆動電流設定用ＤＡＣに、レーザのしきい値電流とほぼ等しいバイアス電流を出力するように制御する。これにより、レーザから安定した光出力を得ることが可能となる。

特開２００５−３４７４７７号公報

しかしながら、上記従来例が分割近似を行っていることから、分割されたものの境界部での精度劣化の解消や精度向上のための分割数のアップが望まれている。更に、アナログ回路への転用には、構成が複雑化するために回路の簡素化が望まれている。また、マルチビーム化が可能な半導体レーザのＡＰＣ（Automatic Power Control）に対する精度向上が望まれている。

本発明は、回路構成を簡素化しつつ、マルチビームの半導体レーザに対して電流−光量特性の非線形性を補正することができる光学走査装置及びその光量制御方法、画像形成装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の光学走査装置は、画像信号に基づいて変調される複数の半導体レーザから出射されるレーザビームで像担持体上を走査する光学走査装置であって、前記半導体レーザにバイアス電流、又は前記バイアス電流と画像データに基づくパルス電流とを供給する電流供給手段と、前記半導体レーザから出射されるレーザビームの光量を検出する検出手段と、前記光量検出手段で検出される光量に基づいて前記半導体レーザの光量が所定光量となるように前記半導体レーザに供給する電流値を制御する制御手段とを備え、前記制御手段は、複数の定電流を生成する定電流生成手段と、前記定電流生成手段で生成される複数の定電流により前記複数の半導体レーザの内の所定の半導体レーザを発光させることによって前記検出手段によって検出される光量に基づいて電流−光量特性のｎ次近似式（ｎ≧２）を算出し、該ｎ次近似式から前記半導体レーザの発光開始電流を算出する近似式算出手段と、前記所定のレーザビーム以外の光量制御を行った結果から得られる電流値と前記近似式算出手段から得られるｎ次近似式からバイアス電流を生成するバイアス電流生成手段とを有することを特徴とする。

本発明によれば、マルチビームの半導体レーザに対して電流−光量特性の非線形性を補正でき、かつ全ビーム数より少ない数ｎのｎ次近似式でレーザビームのバイアス電流を設定することで、ＡＰＣ時間を短縮することができる。

本発明の実施形態に係る画像形成装置の概略構成を示す図である。 図１における光学走査装置の概略構成を示す図である。 （ａ）は感光ドラム上を走査する半導体レーザのビーム位置を示す配置図、（ｂ）は半導体レーザの電流−光量のＩ−Ｌ特性の一例を示す図である。 画像制御装置における印字動作の流れを示すフローチャートである。 半導体レーザのＩ−Ｌ特性／近似式算出方法をグラフ化して説明するための図である。 （ａ）は高次式近似による閾値電流算出方法をグラフ化して説明するための図、（ｂ）は近似式から半導体レーザの各ビームの閾値電流を算出する方法をグラフ化して説明するための図である。 （ａ）は本実施形態において得られる近似式をグラフ化して説明するための図、（ｂ）は近似式の誤差特性をグラフに示した図である。 本実施形態におけるレーザ制御装置の動作状態を示すモード遷移図である。 レーザ制御装置の動作状態を示すタイムチャートである。 レーザ制御装置の動作状態を示すタイムチャートである。 本実施形態におけるレーザ制御装置の概略構成を示すブロック図である。 本実施形態におけるレーザ制御装置の概略構成を示すブロック図である。 レーザ制御装置の各動作におけるスイッチ３６及びデータセレクタａ５３〜ｄ８３の出力状態を示す状態図である。 レーザ制御装置の各動作におけるスイッチ３６及びデータセレクタａ５３〜ｄ８３の出力状態を示す状態図である。 レーザ制御装置の近似式算出制御（ＣＡＬ）及び初期光量制御（ＩＮＴ−ＡＰＣ）を含む光量制御を示すタイムチャートである。 レーザ制御装置の近似式算出制御（ＣＡＬ）及び初期光量制御（ＩＮＴ−ＡＰＣ）を含む光量制御を示すタイムチャートである。 レーザ制御装置の近似式算出制御（ＣＡＬ）及び初期光量制御（ＩＮＴ−ＡＰＣ）を含む光量制御を示すタイムチャートである。 レーザ制御装置の近似式算出制御（ＣＡＬ）及び初期光量制御（ＩＮＴ−ＡＰＣ）を含む光量制御を示すタイムチャートである。 レーザ制御装置のライン間光量制御（ＬＩＮＥ−ＡＰＣ）を含む光量制御を示すタイムチャートである。 レーザ制御装置のライン間光量制御（ＬＩＮＥ−ＡＰＣ）を含む光量制御を示すタイムチャートである。 レーザ制御装置のライン間光量制御（ＬＩＮＥ−ＡＰＣ）を含む光量制御を示すタイムチャートである。 レーザ制御装置のライン間光量制御（ＬＩＮＥ−ＡＰＣ）を含む光量制御を示すタイムチャートである。

以下、本発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。

図１は、本発明の実施形態に係る画像形成装置の概略構成を示す図である。

図１において、画像形成装置１は、原稿等から画像を読み取る機能を備える画像読取装置３００に接続されている。なお、画像読取装置３００は、画像形成装置と一体であっても、別体であってもよい。別体の場合、ケーブルやネットワークを介して互いに接続されていてもよい。

画像形成装置１における画像形成部には、像担持体としての感光ドラム４を備える。画像形成部では、画像読取装置３００から読取画像信号２３０として送信される画像情報に基づいて、現像剤により像担持体上に現像像（トナー像）が形成されるまでの帯電工程、潜像形成工程、現像工程、及び転写工程を含む画像形成工程が実施される。次に、転写材Ｐにトナー像を定着させる定着工程が実施される。これらの画像形成工程を実施する画像形成手段として、画像形成装置１は、帯電工程にて帯電バイアスを印加して感光ドラム４の表面を所定の電位に一様に帯電する帯電手段としての帯電ローラ５を有する。そして、潜像形成工程にて画像読取装置３００のイエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、ブラック（Ｂｋ）の各色の画像情報を画像制御装置３にて画像データに変換し、順次レーザビームＬ１を出射するレーザ書き込み手段である光学走査装置２を有する。帯電工程にて一様に所定電位に帯電された感光ドラム４に対して、潜像形成工程即ちここでは露光工程にてレーザビームＬ１を照射することにより、照射部分の感光ドラム４の表面電位が変更され、その部分が静電潜像となる。

また、画像形成装置１は、現像手段として、トナーとキャリアを所定比率で混合した現像剤をそれぞれの現像剤色毎に収容した複数の現像器を備える現像ユニット６を有する。現像ユニット６は、イエロー現像剤を内包したイエロー現像器６Ｙ、マゼンタ現像剤を内包したマゼンタ現像器６Ｍ、シアン現像剤を内包したシアン現像器６Ｃ、ブラック現像剤を内包したブラック現像器６Ｂｋを有する。現像工程においては、これらの現像器６Ｙ，６Ｍ，６Ｃ，６Ｂｋが順に感光ドラム４上に形成された潜像部分に現像剤を転移させて、感光ドラム４にトナー像を形成する。例えば、イエロー現像器６Ｙによって感光ドラム４上にトナー像が形成されると、転写工程にて、転写手段である転写ローラ７Ｂによって、顕在化されたトナー像が中間転写体である中間転写体ベルト７Ａに転写される。続いて、マゼンタ現像器６Ｍによって形成されたトナー像が先のトナー像に重ねて転写され、中間転写体ベルト７Ａ上には、４台の現像器６Ｙ，６Ｍ，６Ｃ，６Ｂｋによって形成された４色のトナー像が重ねられる。転写工程では、更に、転写ローラ８によって、中間転写体ベルト７Ａ上に感光ドラム４から転写されたトナー像が所望の転写材Ｐに転写される。転写材Ｐ上に形成された未定着のトナー像は、定着工程にて定着手段である定着装置１０によって定着される。中間転写体ベルト７Ａは、ローラ７Ｃ、ローラ７Ｄ、及びローラ７Ｅにより支持されている。

以上の画像形成工程において、感光ドラム４上に残留したトナー等はクリーナ９Ａによって清掃される。中間転写体ベルト７Ａ上に残留したトナー等はクリーナ９Ｂによって清掃され、前に形成されたトナー像を除去した後に次の画像形成が実施される。

本体制御装置２００は、画像読取装置３００に接続され、画像読取制御信号２２０により画像読取装置３００を制御する。また、本体制御装置２００は、画像制御装置３と接続され、画像制御信号２１０により画像制御装置３を制御する。画像制御装置３は、光学走査装置２に接続され、後述するビーム検出信号２１、レーザ制御信号２２、画像データ２３、モータ制御信号２４、及びバイアス設定信号２５のやり取りを行う。

次に、光学走査装置２の概略構成について説明する。

図２は、図１における光学走査装置２の概略構成を示す図である。図３（ａ）は、感光ドラム４上を走査する半導体レーザのビーム位置を示す配置図である。

図２において、本実施例における半導体レーザ１１は、複数のレーザビームを同時に出射可能な面発光構造のレーザユニットであり、図３（ａ）に示すように、ＬＤ１〜ＬＤ４の４つのビームを有し、ビームＬＤ１が主走査方向、副走査方向の先頭に配置されている。ここで、主走査方向とは感光ドラム４の回転軸方向に略平行な方向であり、副走査方向は感光ドラム４の回転方向である。レーザ制御装置１２は、光量検出ユニット１４から出力されるモニタ電流信号１５に基づいて、半導体レーザ１１の光量が所定光量となるように駆動電流を制御する。

光量検出ユニット（以下、「ＰＤユニット」と略す。）１４は、内部に反射ミラー１４ａとビーム出力面にフォトディテクター（以下、「ＰＤ」と略す。）１４ｂを備える。反射ミラー１４ａは、半導体レーザ１１から出射した後、コリメートレンズ１３を透過したビームの光強度（光量）の一部を反射する。ＰＤ１４ｂは、反射ミラー１４ａにより反射された半導体レーザ１１からのビームを受光し、モニタ電流信号１５を出力する。

半導体レーザ１１のビームＬＤ１から出射したレーザビームは、コリメートレンズ１３及びシリンドリカルレンズ１６を経て、ポリゴンミラー１７ａに到達する。ポリゴンミラー１７ａは、スキャナモータを含むスキャナモータユニット１７によって等角速度で回転している。ポリゴンミラー１７ａに到達したレーザビームＬ２は、ポリゴンミラー１７ａによって偏向され、ｆ−θレンズ１８によって感光ドラム４の回転方向と直角方向（主走査方向）に等速走査となるように変換される。主走査方向の非画像領域に対応する位置にはビーム検出（以下、「ＢＤ」と略す。）センサ２０が配置されており、１走査中にレーザビームはＢＤセンサに入射する。ＢＤセンサ２０にレーザビームが入射すると、入射したレーザビームＬ２に応じて、ＢＤセンサ２０は画像領域を決定するためのビーム検出信号（以下、「ＢＤ信号」と略す。）２１を出力する。

一方、画像領域おいて、レーザビームＬ１は、ｆ−θレンズ１８を通過した後、反射ミラー１９を経由して感光ドラム４上に到達する。これにより、感光ドラム４上に静電潜像が形成される。

図４は、画像制御装置３における印字動作（印字処理）の流れを示すフローチャートである。

画像制御装置３は、本体制御装置２００から画像制御信号２１０／印字命令が入力（ステップＳ１０１）されると、光学走査装置２内のスキャナモータユニット１７にモータ制御信号２４／回転動作信号を出力して回転制御を開始させる（ステップＳ１０２）。

次に、画像制御装置３は、スキャナモータユニット１７からモータ制御信号２４／モータロック信号の入力を検知する（ステップＳ１０３でＹＥＳ）。その結果、レーザ制御装置１２にレーザ制御信号２２を出力して半導体レーザ１１の発光制御に移行する（ステップＳ１０４）。

次に、画像制御装置３は、ＢＤ信号２１が入力されたか否かを判定するＢＤ信号２１検出モードに移行する（ステップＳ１０５）。ＢＤ信号２１が所定回数入力されると（ステップＳ１０５でＹＥＳ）、画像制御装置３は、画像データ２３をレーザ制御装置１２に出力することにより、画像形成装置１では上述した画像形成工程が行われる（ステップＳ１０６，Ｓ１０７）。印字が完了した場合は（ステップＳ１０７でＹＥＳ）、画像制御装置３は、スキャナモータユニット１７の停止制御、レーザ制御装置１２による半導体レーザ１１の消灯制御を行い、光学走査装置２を停止させる（ステップＳ１０９）。

一方、画像制御装置３は、モータロック信号検知ステップ（ステップＳ１０３）またはＢＤ信号検知ステップ（ステップＳ１０５）の何れかの入力信号が検知されない場合は、光学走査装置２の動作エラーと判断する。そして、本体制御装置２００に対して画像制御信号２１０／エラー信号を出力（ステップＳ１０８）した後に光学走査装置２の停止制御を行う（ステップＳ１０９）。

図３（ｂ）は、半導体レーザ１１の電流（駆動電流Ｉｏｐ［ｍＡ］）−光量（光出力Ｐｏ［ｍＷ］）の特性（Ｉ−Ｌ特性）の一例を示す図である。図３（ｂ）に示すように、ＬＤ１は、駆動電流Ｉｏｐが１．５０ｍＡ付近までは駆動電流Ｉｏｐを増加させても光出力（光量）はほとんど上昇しない。しかしながら、駆動電流Ｉｏｐが１．５０ｍＡ付近の閾値電流Ｉｔｈを超えると、閾値電流以下の電流領域における光出力に対して駆動電流Ｉｏｐの増加に対する光出力の上昇量が増加する。なお、図示の特性の場合、ＬＤ１の閾値電流Ｉｔｈは１．５ｍＡであるが、ＬＤ２の閾値電流Ｉｔｈは１．６２５ｍＡ、ＬＤ３の閾値電流Ｉｔｈは１．７５ｍＡ、ＬＤ４の閾値電流Ｉｔｈは１．８７５ｍＡである。

レーザ制御装置１２は、半導体レーザのＬＤ１〜ＬＤ４それぞれに閾値電流近傍に設定されるバイアス電流を供給する。バイアス電流の値は感光ドラム４の電位が変位しない程度の電流値に設定される（詳しくは後述する。）。感光ドラム４に画像データに基づくドットを形成する場合、レーザ制御装置１２は上記のバイアス電流と入力画像データ（画像情報）に基づいて生成されるスイッチング電流（パルス電流）とを重畳した駆動電流を半導体レーザに供給する。即ち、レーザ制御装置１２は、画像形成中に感光ドラム４にドットを形成しないタイミングであってもＬＤ１〜ＬＤ４には待機電流としてのバイアス電流を供給している。それによって、ドットを形成するタイミングに半導体レーザにスイッチング電流をＬＤ１〜ＬＤ４に供給した際にレーザビームの光量が所定の光量になるまでの時間が低減される（発光応答性の向上）。

図３（ｂ）において、複数のビームの出射を面発光構造で実現した場合は、図３（ｂ）に示すように、閾値電流Ｉｔｈ以上の電流領域において発光効率（η）のリニアリティが確保できない。面発光構造の半導体レーザ１１については、Ｉ−Ｌ特性がほぼ４次近似で表すことができ、ビーム間偏差は発光効率がほぼ均一で閾値電流（Ｉｔｈ）のバラツキが支配的であるという実験結果が得られている。そこで、本実施形態におけるＩ−Ｌ特性／近似式算出方法について説明する。

図５は、半導体レーザ１１のＩ−Ｌ特性／近似式算出方法をグラフ化して説明するための図である。以下に説明する方法では、５つの定電流値を用いて４次近似式によりＩ−Ｌ特性を近似する設定方法である。なお、近似式の次数並びに定電流値は、記載値より多くても実現可能である。

最大駆動電流（Ｉｏｐｍａｘ）算出：
半導体レーザ１１の所定のＬＤが出力可能な最大となる光量値（最大光量）を検出し、最大光量を出射させるために所定のＬＤに供給される駆動電流を最大駆動電流（Ｉｏｐｍａｘ）とする（最大値）。最大光量とは、図３（ｂ）に示すＩ−Ｌ特性の通り、発光効率が『０』（変曲点）となる光量値を指す。

最小駆動電流（Ｉｏｐｍｉｎ）算出：
半導体レーザ１１の指定ビームが最大光量の２５％となる光量値（最小光量）を検出し、そのときの駆動電流を最小駆動電流（Ｉｏｐｍｉｎ）とする（最小値）。本実施形態では、最小光量を最大光量の２５％としているが、半導体レーザ１１の特性により最大光量が異なるため、最大光量に対する比率は２５％に限定せずに任意の値でよい（最大光量に対して０％よりも大きく１００％よりも小さい光量とする。）。

定電流（Ｉｏｐ_１，Ｉｏｐ_２，Ｉｏｐ_３）算出：
定電流（Ｉｏｐ_１，Ｉｏｐ_２，Ｉｏｐ_３）設定は、発光効率が図３（ｂ）に示すＩ−Ｌ特性のように閾値電流近傍で増加するため、図５に示すＩｏｐｍａｘ−Ｉｏｐｍｉｎ間の中央値以下に多くを設定する。以下に一例を示すが、設定比率は任意でよい。

（Ｉｏｐｍａｘ−Ｉｏｐｍｉｎ間の差分電流をΔＩｏｐとする。）
Ｉｏｐｍａｘ−Ｉｏｐｍｉｎ間の中心値をＩｏｐ_３（＝Ｉｏｐｍｉｎ＋ΔＩｏｐ×１／２）とする。

Ｉｏｐ_３−Ｉｏｐｍｉｎ間の中心値をＩｏｐ_２（＝Ｉｏｐｍｉｎ＋ΔＩｏｐ×１／４）とする。

Ｉｏｐ_２−Ｉｏｐｍｉｎ間の中心値をＩｏｐ_１（＝Ｉｏｐｍｉｎ＋ΔＩｏｐ×１／８）とする。

近似式算出：
上記５つの定電流値（Ｉｏｐｍｉｎ，Ｉｏｐ_１，Ｉｏｐ_２，Ｉｏｐ_３，Ｉｏｐｍａｘ）にて半導体レーザ１１を発光させたときのモニタ電流信号１５と上記電流値から以下の４次式の係数を算出して近似式を算出する。

Ｐｍａｘ＝Ｉｍｍａｘ＝ａ（Ｉｏｐｍａｘ）^４＋ｂ（Ｉｏｐｍａｘ）^３＋ｃ（Ｉｏｐｍａｘ）^２＋ｄ（Ｉｏｐｍａｘ）＋ｅ
Ｐ_１＝Ｉｍ_１＝ａ（Ｉｏｐ_１）^４＋ｂ（Ｉｏｐ_１）^３＋ｃ（Ｉｏｐ_１）^２＋ｄ（Ｉｏｐ_１）＋ｅ
Ｐ_２＝Ｉｍ_２＝ａ（Ｉｏｐ_２）^４＋ｂ（Ｉｏｐ_２）^３＋ｃ（Ｉｏｐ_２）^２＋ｄ（Ｉｏｐ_２）＋ｅ
Ｐ_３＝Ｉｍ_３＝ａ（Ｉｏｐ_３）^４＋ｂ（Ｉｏｐ_３）^３＋ｃ（Ｉｏｐ_３）^２＋ｄ（Ｉｏｐ_３）＋ｅ
Ｐｍｉｎ＝Ｉｍｍｉｎ＝ａ（Ｉｏｐｍｉｎ）^４＋ｂ（Ｉｏｐｍｉｎ）^３＋ｃ（Ｉｏｐｍｉｎ）^２＋ｄ（Ｉｏｐｍｉｎ）＋ｅ
（ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ：定数）
図５に示すグラフにおいて、第１象限と第２象限は縦軸が共に光量Ｐｏを表す。そして、第１象限の横軸はレーザ駆動電流Ｉｏｐ、第２象限の横軸はレーザ光を受光するＰＤ１４ｂの出力電流Ｉｍを表す。出力電流Ｉｍは、ＰＤの特性から光量Ｐｏと図示のような比例関係にある。そのため、出力電流Ｉｍを測定すると、その時の光量Ｐｏを算出できるので、出力電流Ｉｍとレーザ駆動電流Ｉｏｐとの関係を上記式で近似することができる。

図６（ａ）は、高次式近似による閾値電流算出方法をグラフ化して説明するための図である。

本実施形態では、上記近似式の光量値が『０』すなわち上述した４次式におけるＰｎ（ｎ：Ｐｍｉｎ，Ｐ_１，Ｐ_２，Ｐ_３，Ｐｍａｘ）＝０のときのＩｏｐｎの値を閾値電流Ｉｔｈとする。そして、半導体レーザ１１の設定電流Ｉｏｐに対する設定光量Ｐを上記近似式から算出して設定光量Ｐが『０』以上であれば、設定電流Ｉｏｐを１／２にして光量Ｐを算出する。以下同様の算出方法を繰り返して、設定電流Ｉｏｐに対して近似式から得られる光量値Ｐが『０』以下になった場合は前回の電流値の１／２を加算する。以上のように逐次比較の結果、光量Ｐが『０』近傍になったときの設定電流値Ｉｏｐを閾値電流Ｉｔｈとする。なお、設定光量Ｐの選定は、近似式算出時に使用する光量値の何れの値でもよい。

図６（ｂ）は、近似式から半導体レーザ１１の各ビーム（ＬＤ１〜ＬＤ４）の閾値電流を算出する方法をグラフ化して説明するための図である。

各ビームの閾値電流を算出するには、まず、光量制御により４つのうちの１つのビームの目標光量Ｐｔｇｔを決定する。そして、目標光量Ｐｔｇｔから得られた駆動電流値Ｉｏｐｔｇｔと、上記近似式で得られる同光量値での駆動電流値Ｉｏｐｔｇｔとの差分電流Ｉｏｐｎ’を算出する。この差分電流Ｉｏｐｎ’は、図６（ｂ）に示すＰ−Ｉｏｐ特性から各ビーム間の閾値電流値の差分Ｉｔｈ’と略同一であり、この差分Ｉｔｈ’を利用して全ビームのＰ−Ｉｏｐ特性の類似性から他のビームの閾値電流を求めることができる。

図７（ａ）は本実施形態において得られる近似式をグラフ化して説明するための図、図７（ｂ）は近似式の誤差特性の一例を示す図である。

図７（ａ）記載の近似式は、半導体レーザ１１／ＬＤ１特性に基づき、上記アルゴリズムに則って得られた結果である。図７（ｂ）によれば、得られる近似式と半導体レーザ１１の各ビームの実測光量値との誤差が最大光量以下で２％程度以下であることが判る。

図８は本実施形態におけるレーザ制御装置１２の動作状態を示すモード遷移図、図９Ａ及び図９Ｂはレーザ制御装置１２の動作状態を示すタイムチャートである。

レーザ制御装置１２は、レーザ制御信号２２により図８の点線内の６通りの動作モードにシーケンシャルに遷移する。すなわち、レーザ制御装置１２は、図４に示した印字動作時には以下の（１）〜（７）のシーケンスを実行する。

（１）停止
（２）近似式算出制御（ＣＡＬ）
（３）初期光量制御（ＩＮＴ−ＡＰＣ）
（４）ＢＤ検知
（５）ライン間光量制御（ＬＩＮＥ−ＡＰＣ）
（６）画像出力
（７）初期状態（ＲＥＳＥＴ）
レーザ制御信号２２は、６種類の信号群（／ＲＥＳＥＴ、ＭＯＤＥ＿ＳＥＬ０・１・２、ＣＨ＿ＳＥＬ１・０）から構成される。図８の各動作モード内に記載された数字列は、レーザ制御信号２２／ＭＯＤＥ＿ＳＥＬ２・１・０の制御信号状態を記す値で０が信号の『Ｌ』、１が信号の『Ｈ』レベルである。レーザ制御装置１２の主要仕様を下記に示す。

レーザ制御装置１２／主要仕様
電流容量：１０［ｍＡ］
出力ビーム数：４［ｂｅａｍ］
分解能：９［ｂｉｔ］
次に、上記仕様のレーザ制御装置１２が半導体レーザ１１を制御する場合の制御方法について説明する。

図１０Ａ及び図１０Ｂは本実施形態におけるレーザ制御装置１２の概略構成を示すブロック図、図１１Ａ及び図１２Ｂはレーザ制御装置１２の各動作におけるスイッチ３６及びデータセレクタａ５３〜ｄ８３の出力状態を示す状態図である。

レーザ制御装置１２は、レーザ制御信号２２、バイアス設定信号２５及び４対差動の画像データ２３が画像制御装置３から入力され、半導体レーザ１１の出力（ＬＤ１〜ＬＤ４）とＰＤユニット１４からモニタ電流信号１５の入力を配備する。状態制御部３１は、レーザ制御信号２２に基づきレーザ制御装置１２内に配備する各ブロックの設定を行う。ＰＤユニット１４から入力されるモニタ電流信号１５は、ゲイン設定３３の出力値に応じて増幅し、電流―電圧変換回路（以下、「Ｉ−Ｖ変換」と略す。）３２にて電圧信号に変換される。

アナログ−デジタル変換器（以下、「ＡＤＣ」と略す。）３４で量子化された後、一方は比較器３８、他方は光量検出回路４２に各々接続してスイッチ３６にて選択出力する。比較器３８は、ＡＤＣ３４の出力と基準電圧３５の出力と比較を行い、出力結果をＰＤセレクタ４０に入力される。ＰＤセレクタ４０は、モジュールＡ〜Ｄに接続され、状態制御部３１から入力されるＰＤ選択信号４１に基づき、比較器３８の出力を選択的に入力する。

光量検出回路４２は、ＡＤＣ３４の出力を監視し、例えば、出力値が同一或いは減少が２回連続した場合に半導体レーザ１１が最大光量に達したと判断して、光量検出信号４３を出力する。

モジュールＡ〜Ｄは、半導体レーザ１１のＬＤ１〜４の各々に対応した電流設定モジュールである。ここにＬＤ１の電流設定モジュールＡを例に以下に記す。なお、モジュールＢ〜Ｄは、モジュールＡと同一の構成なので、その説明は省略する。

アップ／ダウンカウンタａ（以下、「Ｕ／Ｄカウンタａ」と略す。）５１は、カウンタａ制御信号に応じて、カウントアップ／ダウン、停止及び初期値（『０００ｈ』）設定の３種類の動作を行う。データセレクタａ５３は、セレクタａ制御信号５４に応じて、Ｕ／Ｄカウンタａ５１の出力、定電流生成回路４６の出力及びＧＮＤの３入力から選択して出力する。データセレクタａ５３の出力は、減算器ａ５８を介してスイッチング電流デジタル−アナログ変換器ａ（以下、「Ｉｓｗ−ＤＡＣａ」と略す。）５９にてアナログ信号に変換されて、半導体レーザ１１の駆動電流となる。

一方、電流格納部４４は、Ｕ／Ｄカウンタａ５１の出力を所定タイミングで格納・読み出し（スルー）して、後段の定電流生成回路４６並びに近似式算出回路４８に伝送する。定電流生成回路４６は、以下に記す『近似式算出制御』シーケンスにおいて電流格納部４４の出力値から所定のアルゴリズムに則り、定電流値を算出してデータセレクタａ５３に出力する。

近似式算出回路４８は、電流格納部４４、光量検出回路４２と接続し、『近似式算出制御』シーケンスの電流格納部４４の出力値から所定のアルゴリズムに則り、近似式を算出して半導体レーザ１１の閾値電流に相当する電流値（発光開始電流Ｉｔｈ）を算出する。そして、当該電流値をバイアス電流算出回路ａ５５に出力する。

バイアス電流算出回路ａ５５は、近似式算出回路４８で算出された閾値電流に相当する電流値をバイアス設定信号ａ５６に基づいて生成し、得られたバイアス電流値をバイアス電流デジタル−アナログ変換器ａ（以下、「Ｉｂ−ＤＡＣａ」と略す。）６０に出力する。一方、バイアススイッチａ５７を介して減算器ａ５８に出力する。このように、バイアス電流算出回路ａ５５は、バイアス電流生成手段として機能する。

バイアススイッチａ５７は、図８に示す『ＶＩＤＥＯ発光』モード時以外では開放して、データセレクタａ５３からの出力値をＩｓｗ−ＤＡＣａ５９に出力する。『ＶＩＤＥＯ発光』モード時では短絡して、減算器ａにてＩｓｗ−ＤＡＣａ５９の入力値からバイアス電流算出回路ａ５５の出力値を減算する。これにより、半導体レーザ１１の駆動電流をスイッチング電流Ｉｓｗとバイアス電流Ｉｂに分離する。閾値電流（発光開始電流）Ｉｔｈとバイアス電流Ｉｂとの関係は、Ｉｂ＝αＩｔｈ（α≦１）の関係にある。

電流駆動回路９１は、Ｉｓｗ−ＤＡＣａ５９出力に対して、画像制御装置３からデータドライバ９２を介して入力される画像データ２３ｐ，２３ｎにより変調駆動する。加算器９３ａは、電流駆動回路９１の出力にＩｂ−ＤＡＣａ６０の出力を加算して半導体レーザ１１／ＬＤ１の駆動電流とする。

図１２Ａ〜図１２Ｄは、レーザ制御装置１２の近似式算出制御（ＣＡＬ）及び初期光量制御（ＩＮＴ−ＡＰＣ）を含む光量制御を示すタイムチャートである。

画像形成装置１に電源が投入された直後は、レーザ制御装置１２内部が初期化（『ＲＥＳＥＴ』モード）される。この状態におけるスイッチ３６及びデータセレクタａ５３〜ｄ８３の出力は、図１１Ａ及び図１１Ｂに示す初期化（『ＲＥＳＥＴ』モード）設定となり、ＲＥＳＥＴ信号解除以外の入力信号は受け付けない。また、半導体レーザ１１は、Ｕ／Ｄカウンタａ５１〜ｄ８１を初期化及びデータセレクタａ５３〜ｄ８３を全てＧＮＤ出力選択することにより、電流駆動回路９１出力電流を遮断して消灯する。
（１）［停止］シーケンス
［停止］シーケンスは、画像形成装置１に電源が投入され、印字動作が始まるまでの期間で、図１２Ａ〜図１２Ｄに示すディセーブル（『ＤＩＳＡＢＬＥ』モード）に相当する。同モードにおけるスイッチ３６及びデータセレクタａ５３〜ｄ８３の出力は図１１Ａ及び図１１Ｂに示す『ＤＩＳＡＢＬＥ』設定とする。レーザ制御装置１２の半導体レーザ１１に対する制御状態は、初期化状態と同様で、半導体レーザ１１を消灯させる。制御移行への応答性を考慮してスイッチ３６の設定は光量検出回路４２とする。
（２）［近似式算出制御（ＣＡＬ）］シーケンス
［近似式算出制御（ＣＡＬ）］シーケンスでは、以下に説明する（Ａ）光量検出、（Ｂ）電流設定及び（Ｃ）近似式算出の３つの動作が行われる。各シーケンス時のスイッチ３６及びデータセレクタａ５３〜ｄ８３の出力は図１２Ａ〜図１２Ｄに示す通りで行われる。以下、半導体レーザ１１／ＬＤ１の近似式を算出する場合を例に説明する。

（Ａ）光量検出
光量検出制御では、近似式算出時に必要な定電流設定値を求めるために、半導体レーザ１１の最大光量時の駆動電流値（Ｕ／Ｄカウンタａ５１の出力値）が決定される。同制御におけるスイッチ３６及びデータセレクタａ５３〜ｄ８３の出力は図１１Ａ及び図１１Ｂに示す『近似式算出／光量検出』設定となる。

光量検出制御が開始されると、状態制御部３１は、ＰＤ選択信号４１によりＬＤ１を指定した後、Ｕ／Ｄカウンタａ５１をカウントアップして、半導体レーザ１１／ＬＤ１に電流を供給する。半導体レーザ１１は、発光を開始してＰＤユニット１４からモニタ電流信号１５を出力する。Ｕ／Ｄカウンタａ５１／カウントアップの最小ステップ電流（ΔＩｏｐ）は、０．０２０［ｍＡ］（≒１０／５１２）で、そのカウントアップ量は一律でも可変してもよい。

Ｉ−Ｖ変換３２は、モニタ電流信号１５を状態制御部３１から入力されるゲイン設定３３の出力値に応じて増幅した電圧信号に変換する。このときのゲイン設定３３の出力値は最大光量となるため最小値とする。光量検出回路４２は、Ｕ／Ｄカウンタａ５１のカウントアップ毎にＩ−Ｖ変換３２の出力信号を監視して、最大光量に達すると光量検出信号４３を出力する。状態制御部３１は、光量検出信号４３が入力されると、Ｕ／Ｄカウンタａ５１にカウンタａ制御信号５２によりカウント動作を停止し、そのときの値を保持させる。Ｕ／Ｄカウンタａ５１に保持された値が電流格納部４４に格納された後、Ｕ／Ｄカウンタａ５１の出力値が初期化されるため、上記［停止］シーケンスと同一の制御状態となる。

（ｂ）電流設定
電流設定制御では、近似式算出時に必要な定電流設定値を求めるために、半導体レーザ１１／ＬＤ１の最大光量の２５％光量の駆動電流値（Ｕ／Ｄカウンタａ５１出力値）が決定される。同制御におけるスイッチ３６及びデータセレクタａ５３〜ｄ８３の出力は図１１Ａ及び図１１Ｂに示す『近似式算出／電流設定』の設定となる。

図１０Ａのゲイン設定３３の出力を最小値に対して４倍に設定した後、Ｕ／Ｄカウンタａ５１をカウントアップして、半導体レーザ１１／ＬＤ１を２５％光量にて発光させる。スイッチ３６は、比較器３８を選択し、比較器３８が基準電圧３５と等しくなったときに一致信号３９を状態制御部３１に出力する。状態制御部３１は、一致信号３９が入力されると、カウンタａ制御信号５２によりＵ／Ｄカウンタａ５１のカウント動作を停止させ、電流格納部４４にて格納部制御信号４５を出力することによりＵ／Ｄカウンタａ５１の出力値を格納させる。次に、Ｕ／Ｄカウンタａ５１の出力値が初期化されるため、上記［停止］シーケンスと同一の制御状態となる。一方、定電流生成回路４６に対して生成回路制御信号４７が出力され、光量検出制御及び電流設定制御にて得られたＵ／Ｄカウンタａ５１出力値を電流格納部４４から書き込み、５つの定電流値を算出させる。

（Ｃ）近似式算出
近似式算出制御では、上記電流設定制御で得られた定電流値によりを半導体レーザ１１／ＬＤ１を順次発光させて、得られたＩ−Ｖ変換３２の出力値から近似式を算出する。同制御におけるスイッチ３６及びデータセレクタａ５３〜ｄ８３の出力は図１１Ａ及び図１１Ｂに示す『近似式算出／近似式算出』の設定となる。

定電流生成回路４６は、電流設定制御で得られた定電流値を順次、データセレクタａ５３を介して、Ｉｓｗ−ＤＡＣａ５９に出力する。定電流値は、Ｉｓｗ−ＤＡＣａ５９にてアナログ信号に変換し、電流駆動回路９１から半導体レーザ１１／ＬＤ１に駆動電流として供給される。半導体レーザ１１／ＬＤ１は、駆動電流にて発光し、これに応じたモニタ電流信号１５がＰＤユニット１４から出力してＩ−Ｖ変換３２の出力値を得る。

近似式算出回路４８は、駆動電流供給後の所定時間経った後、状態制御部３１から入力される算出回路制御信号４９に応じて、Ｉ−Ｖ変換３２の出力のデジタル変換された値を格納する。駆動電流供給後の所定時間とは、ＰＤユニット１４から出力されるモニタ電流信号１５が立ち上がり、安定するまでを指す。近似式算出回路４８は、定電流生成回路４６から５つの定電流値を書き込み、各電流値に応じたＩ−Ｖ変換３２の出力からｎ次近似式（ｎ≧２）を算出して、算出された近似式を用いて半導体レーザ１１／ＬＤ１の閾値電流を算出、併せて格納する。
（３）［初期光量制御（ＩＮＴ−ＡＰＣ）］シーケンス
印字動作が開始されると初期光量制御（以下、「ＩＮＴ−ＡＰＣ」と略す。）を行う。状態制御部３１は、画像制御装置３から出力されるレーザ制御信号２２に基づいて『ＩＮＴ−ＡＰＣ』モードが選択される。同モードにおけるスイッチ３６及びデータセレクタａ５３〜ｄ８３の出力は図１１Ａ及び図１１Ｂに示す『初期光量制御』の設定となる。

最初にＰＤセレクタ４０は、状態制御部３１から入力されるＰＤ選択信号４１に基づき、比較器３８の出力をモジュールＡのＵ／Ｄカウンタａ５１を選択することにより半導体レーザ１１／ＬＤ１のＩＮＴ−ＡＰＣを実行する。Ｕ／Ｄカウンタａ５１は、カウンタａ制御信号５２に応じてカウントアップを開始する。これにより、後段のＩｓｗ−ＤＡＣａ５９の設定値が増加して、電流駆動回路９１から半導体レーザ１１／ＬＤ１に電流が供給される。半導体レーザ１１は、発光を開始してＰＤユニット１４からモニタ電流信号１５を出力する。

比較器３８は、Ｉ−Ｖ変換３２で電圧信号に変換されたモニタ電流信号１５と基準電圧３５との比較演算を行う。Ｕ／Ｄカウンタａ５１がカウントアップを継続し、比較器３８の出力が所定範囲以内となった場合、状態制御部３１に対して一致信号３９を出力する。同様に、モニタ電流信号１５を基準電圧３５の出力値と比較してモニタ電流信号１５が大きい場合は、Ｕ／Ｄカウンタａ５１をカウントダウンさせ、比較器３８の出力が所定範囲以内となった場合、状態制御部３１に対して一致信号３９を出力する。状態制御部３１は、一致信号３９が入力されると、カウンタａ制御信号５２によりＵ／Ｄカウンタａ５１のカウント動作を停止させて出力値を保持させる。

次に、ＰＤセレクタ４０は、状態制御部３１から入力されるＰＤ選択信号４１に基づき、比較器３８の出力をモジュールＢのＵ／Ｄカウンタｂ６１を選択することにより、ＬＤ１レーザビーム以外の半導体レーザ１１／ＬＤ２のＩＮＴ−ＡＰＣを実行する。以降、順次ＬＤ３及びＬＤ２のＩＮＴ−ＡＰＣを実行するが、動作状態はＬＤ１と同一なので説明は省略する。
（４）［ＢＤ検知］シーケンス
ＩＮＴ−ＡＰＣ完了後、［ＢＤ検知］シーケンスに入る。［ＢＤ検知］シーケンスは、光量安定後に画像出力時の基準となるレーザで発光させたビーム（ここではＬＤ１）でＢＤセンサが受光した結果得られる信号を周期的に検出する。よって、ＢＤセンサの受光感度による出力遅延変動を鑑みると定光量での検出が望ましい。

［ＢＤ検知］シーケンスは、図８記載のライン間光量制御（ＬＩＮＥ−ＡＰＣ）により実行される。同制御については以下に説明する。

図１３Ａ〜図１３Ｄは、レーザ制御装置１２のライン間光量制御（ＬＩＮＥ−ＡＰＣ）を含む光量制御を示すタイムチャートである。

画像制御装置３は、［ＢＤ検知］シーケンスにてＢＤ信号２１が所定周期を以って検出されると、ＢＤ信号２１を基準としてレーザ制御信号２２を出力することによりレーザ制御装置１２の制御シーケンスを形成する。
（５）［ライン間光量制御（ＬＩＮＥ−ＡＰＣ）］
印字動作時の濃度安定を目的に、ライン間光量制御（以下、「ＬＩＮＥ−ＡＰＣ」と略す。）は画像出力の直前に行う。状態制御部３１は、画像制御装置３から出力されるレーザ制御信号２２に基づいて『ＬＩＮＥ−ＡＰＣ』モードが選択される。同モードにおけるスイッチ３６及びデータセレクタａ５３〜ｄ８３の出力は図１１Ａ及び図１１Ｂに示す『ライン間光量制御』の設定となる。

最初にＰＤセレクタ４０は、状態制御部３１から入力されるＰＤ選択信号４１に基づき、比較器３８の出力をモジュールＡのＵ／Ｄカウンタａ５１を選択することにより半導体レーザ１１／ＬＤ１のＬＩＮＥ−ＡＰＣを実行する。Ｕ／Ｄカウンタａ５１はカウンタａ制御信号５２に応じて徐々にカウントアップし、電流駆動回路９１から半導体レーザ１１／ＬＤ１に電流が供給される。半導体レーザ１１は発光を開始してＰＤユニット１４からモニタ電流信号１５を出力する。

比較器３８は、Ｉ−Ｖ変換３２で電圧信号に変換されたモニタ電流信号１５と基準電圧３５との比較演算を行う。Ｕ／Ｄカウンタａ５１がカウントアップを継続し、比較器３８の出力が所定範囲以内となった場合、状態制御部３１に対して一致信号３９を出力する。同様に、モニタ電流信号１５が基準電圧３５の出力値と比較して大きい場合は、Ｕ／Ｄカウンタａ５１をカウントダウンさせ、比較器３８の出力が所定範囲以内となった場合、状態制御部３１に対して一致信号３９を出力する。状態制御部３１は、一致信号３９が入力されると、カウンタａ制御信号５２によりＵ／Ｄカウンタａ５１のカウント動作を停止させて出力値を保持させる。

近似式算出回路４８は、Ｕ／Ｄカウンタａ５１の出力値を電流格納部４４経由で書き込み、『近似式算出』シーケンスで得られた閾値電流からの差分値を算出してＬＤ１の閾値電流とする。半導体レーザ１１／ＬＤ１の閾値電流を再計算する目的は、温度変動による閾値電流シフトに対応するためである。バイアス電流算出回路ａ５５は、近似式算出回路４８で算出された閾値電流をバイアス設定信号ａ５６に基づいて算出し、Ｉｂ−ＤＡＣａ６０に出力する。

次に、ＰＤセレクタ４０は、状態制御部３１から入力されるＰＤ選択信号４１に基づき、比較器３８の出力をモジュールＢのＵ／Ｄカウンタｂ６１を選択することにより半導体レーザ１１／ＬＤ２のＬＩＮＥ−ＡＰＣを実行する。以降、順次ＬＤ３及びＬＤ２のＬＩＮＥ−ＡＰＣを実行するが、動作状態はＬＤ１と同一なので説明は省略する。このように、バイアス電流算出回路ａ５５〜ｄ８５から出力される複数の定電流により所定のレーザビームが発光された半導体レーザ１１の当該所定のレーザビームは、近似式算出回路４８によるｎ次近似式の算出毎に変更される。
（６）［画像出力］シーケンス
ＬＩＮＥ−ＡＰＣ完了後に画像出力を行う。状態制御部３１では、画像制御装置３から出力されるレーザ制御信号２２に基づいて『ＶＩＤＥＯ発光』モードが選択される。同制御におけるスイッチ３６及びデータセレクタａ５３〜ｄ８３の出力は図１１Ａ及び図１１Ｂに示す『ＶＩＤＥＯ発光』の設定となる。

『ＶＩＤＥＯ発光』モード時のＩｓｗ−ＤＡＣａ５９〜ｄ８９の出力は、バイアススイッチａ５７〜ｄ８７を短絡し、ＬＩＮＥ−ＡＰＣで得られた駆動電流からバイアス電流算出回路ａ５５〜ｄ８５を差し引いた値となる。従って、半導体レーザ１１／ＬＤ１に供給される電流は、Ｉｓｗ−ＤＡＣａ５９〜ｄ８９の出力とＩｂ−ＤＡＣａ６０の出力の加算値となる。更に、画像制御装置３からデータドライバ９２を介して入力される画像データ２３ｐ，２３ｎにより変調駆動する。

上記実施形態によれば、マルチビームの半導体レーザに対して電流−光量特性の非線形性を補正でき、かつ全ビーム数より少ない数ｎのｎ次近似式でレーザビームのバイアス電流を設定することで、ＡＰＣ時間を短縮することができる。

また、本発明は、以下の処理を実行することによっても実現される。即ち、上述した実施形態の機能を実現するソフトウェア（プログラム）を、ネットワーク又は各種記憶媒体を介してシステム或いは装置に供給し、そのシステム或いは装置のコンピュータ（またはＣＰＵやＭＰＵ等）がプログラムを読み出して実行する処理である。

１ 画像形成装置
２ 光学走査装置
３ 画像制御装置
１１ 半導体レーザ
１２ レーザ制御装置
１３ コリメートレンズ
１４ 光量検出ユニット
２０ ビーム検出センサ（ＢＤ）
４８ 近似式算出回路

Claims (6)

1. 画像信号に基づいて変調される複数の半導体レーザから出射されるレーザビームで像担持体上を走査する光学走査装置であって、
   前記半導体レーザにバイアス電流、又は前記バイアス電流と画像データに基づくパルス電流とを供給する電流供給手段と、
   前記半導体レーザから出射されるレーザビームの光量を検出する検出手段と、
   前記光量検出手段で検出される光量に基づいて前記半導体レーザの光量が所定光量となるように前記半導体レーザに供給する電流値を制御する制御手段とを備え、
   前記制御手段は、
   複数の定電流を生成する定電流生成手段と、
   前記定電流生成手段で生成される複数の定電流により前記複数の半導体レーザの内の所定の半導体レーザを発光させることによって前記検出手段によって検出される光量に基づいて電流−光量特性のｎ次近似式（ｎ≧２）を算出し、該ｎ次近似式から前記半導体レーザの発光開始電流を算出する近似式算出手段と、
   前記所定のレーザビーム以外の光量制御を行った結果から得られる電流値と前記近似式算出手段から得られるｎ次近似式からバイアス電流を生成するバイアス電流生成手段とを有することを特徴とする光学走査装置。
2. 前記定電流生成手段は、半導体レーザが出力可能な最大光量時の駆動電流を最大値とし、当該駆動電流の最大値に対して、予め設定した光量で発光したときの駆動電流を最小値として、前記駆動電流の最大と最小値との間で定電流値を決定することを特徴とする請求項１記載の光学走査装置。
3. 前記定電流生成手段から出力される複数の定電流により所定のレーザビームが発光された前記半導体レーザの当該所定のレーザビームは、前記近似式算出手段によるｎ次近似式の算出毎に変更されることを特徴とする請求項１または２記載の光学走査装置。
4. 前記発光開始電流Ｉｔｈと前記バイアス電流Ｉｂとの関係は、Ｉｂ＝αＩｔｈ（α≦１）の関係にあることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光学走査装置。
5. 画像信号に基づいて変調される複数の半導体レーザから出射されるレーザビームで像担持体上を走査する光学走査装置の光量制御方法であって、
   前記半導体レーザから出射されるレーザビームの光強度を検出する光量検出工程と、
   前記光量検出工程で検出される光強度を制御することによって前記半導体レーザの光量が所定光量となるように制御する光量制御工程とを備え、
   前記光量制御工程は、
   複数の定電流を生成する定電流生成工程と、
   前記定電流生成工程で生成される複数の定電流により前記半導体レーザの内、所定のレーザビームを発光させて得られる光量値に基づいて電流−光量特性のｎ次近似式（ｎ≧２）を算出し、該ｎ次近似式から前記半導体レーザの発光開始電流を算出する近似式算出工程と、
   前記所定のレーザビーム以外の光量制御を行った結果から得られる電流値と前記近似式算出工程で得られるｎ次近似式からバイアス電流を生成するバイアス電流生成工程とを有することを特徴とする光量制御方法。
6. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光学走査装置を備えることを特徴とする画像形成装置。

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