JP2012191083A - 半導体素子試験方法および半導体素子試験装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数の半導体素子が作成されたウエハに対し、該半導体素子の電気的特性を検査する半導体素子試験方法であって、上記複数の半導体素子のうち検査対象の半導体素子の電極を、外部端子と電気的に接続させるステップ(S11)と、上記電極と上記外部端子とが電気的に接続された状態で、上記検査対象の半導体素子の表面に、供給部から電離性の低い液体または気体を供給するステップ(S12)と、上記表面が上記液体または気体で覆われた状態で、上記検査対象の半導体素子に、電圧印加部から上記外部端子を介して試験電圧を印加するステップ(S13)とを含む。
【選択図】図2
Description
本発明の一実施形態について図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。
図1は、本実施の形態の半導体素子試験装置10の一構成例を示す図である。半導体素子試験装置10(以下、試験装置10と略記する)は、被試験ウエハ1のウエハテストに用いられる装置であり、被試験ウエハ1に形成された半導体素子の電気的特性を検査する。1枚の被試験ウエハ1には、複数の半導体素子、例えば、数百〜数千個の半導体素子が作成されている。
次に、試験装置10を用いた半導体素子試験の試験方法について説明する。
測定環境が整うと、ウエハプローバ11(またはテスタ19)は、検査対象(測定対象)の半導体素子をプローブ17と電気的に接続させる(ステップS11)。具体的には、ウエハプローバ11(またはテスタ19)は、検査対象の半導体素子の位置をセットするための位置設定信号を、プローバステージ18に出力する。位置設定信号には、検査対象の半導体素子の位置情報が含まれている。
続いて、テスタ19は、検査対象の半導体素子の測定を開始する。測定にあたって、ノズル13は、検査対象の半導体素子の表面にフロリナートを吹き付ける(ステップS12)。
続いて、検査対象の半導体素子の表面がフロリナートで覆われた状態で、検査対象の半導体素子に試験電圧を印加する(ステップS13)。
検査を終了すると、テスタ19は、検査した半導体素子が、最後の半導体素子であるか否かを判定する(ステップS14)。
以上のように、試験装置10は、複数の半導体素子が作成された被試験ウエハ1に対し、該半導体素子の電気的特性を検査するものであって、検査対象の半導体素子の表面にフロリナートを吹き付けるノズル13と、ノズル13から噴射するフロリナートの液量を調整する供給制御機15と、検査対象の半導体素子とテスタ19とを電気的に接続するプローブカード16と、ノズル13がフロリナートを噴射した後に、検査対象の半導体素子に試験電圧を印加するテスタ19とを備えている、という構成を有する。
ネオン :約21eV
窒素 :約15eV
よって、活性化エネルギーが15eVを超える物質からなるものを、電離性の低い液体または気体として用いることもできる。
本発明の他の実施の形態について図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施の形態において説明すること以外の構成は、前記実施の形態1と同じである。また、説明の便宜上、前記の実施の形態1の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
図4は、本実施の形態の半導体素子試験装置30の一構成例を示す図である。半導体素子試験装置30(以下、試験装置30と略記する)は、試験装置10と同等の機能を有するものである。試験装置30は、フロリナートの供給手段が異なる点を除いて、試験装置10と同等の構成を備えている。
次に、試験装置30を用いた半導体素子試験の試験方法について説明する。
測定環境が整うと、ウエハプローバ11(またはテスタ19)は、検査対象(測定対象)の半導体素子をプローブ17と電気的に接続させる(ステップS21)。具体的には、ウエハプローバ11(またはテスタ19)は、検査対象の半導体素子の位置をセットするための位置設定信号を、プローバステージ18に出力する。プローバステージ18は、受信した位置設定信号に基づいて移動することで、検査対象の半導体素子の電極をプローブ17と電気的に接続させる。接続が完了すると、プローバステージ18は、電圧印加の準備が完了したことを示す準備完了信号を、テスタ19に出力する。
続いて、テスタ19は、検査対象の半導体素子の測定を開始する。測定にあたって、供給管32は、検査対象の半導体素子にフロリナートを流し込む(ステップS22)。
続いて、検査対象の半導体素子の表面がフロリナートで覆われた状態で、検査対象の半導体素子に試験電圧を印加する(ステップS23)。
検査を終了すると、テスタ19は、検査した半導体素子が、最後の半導体素子であるか否かを判定する(ステップS24)。
以上のように、試験装置30は、複数の半導体素子が作成された被試験ウエハ1に対し、該半導体素子の電気的特性を検査するものであって、検査対象の半導体素子の表面にフロリナートを流し込む供給管32と、供給管32から流し出すフロリナートの液量を調整する供給制御機15と、検査対象の半導体素子とテスタ19とを電気的に接続するプローブカード16と、供給管32がフロリナートを流出した後に、検査対象の半導体素子に試験電圧を印加するテスタ19とを備えている、という構成を有する。
10 半導体素子試験装置
11 ウエハプローバ
13 ノズル(供給部)
15 供給制御機(供給部)
16 プローブカード
17 プローブ(外部端子)
18 プローバステージ
19 テスタ(電圧印加部)
25,26 フロリナート
30 半導体素子試験装置
32 供給管(供給部)
33 フロリナート
Claims (9)
- 複数の半導体素子が作成されたウエハに対し、該半導体素子の電気的特性を検査する半導体素子試験方法であって、
上記複数の半導体素子のうち検査対象の半導体素子の電極を、外部端子と電気的に接続させるステップと、
上記電極と上記外部端子とが電気的に接続された状態で、上記検査対象の半導体素子の表面に、供給部から電離性の低い液体または気体を供給するステップと、
上記表面が上記液体または気体で覆われた状態で、上記検査対象の半導体素子に、電圧印加部から上記外部端子を介して試験電圧を印加するステップとを含むことを特徴とする半導体素子試験方法。 - 上記電離性の低い液体または気体は、不活性物質、または、活性化エネルギーが15eVを超える物質からなることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子試験方法。
- 複数の半導体素子が作成されたウエハに対し、該半導体素子の電気的特性を検査する半導体素子試験装置であって、
上記複数の半導体素子のうち検査対象の半導体素子の表面に、電離性の低い液体または気体を供給する供給部と、
上記供給部が上記液体または気体を供給した後に、上記検査対象の半導体素子に試験電圧を印加する電圧印加部とを備えていることを特徴とする半導体素子試験装置。 - 上記電離性の低い液体または気体は、不活性物質、または、活性化エネルギーが15eVを超える物質からなることを特徴とする請求項3に記載の半導体素子試験装置。
- 上記供給部は、上記液体または気体を噴射するノズルを備えていることを特徴とする請求項3に記載の半導体素子試験装置。
- 上記供給部は、上記液体または気体を流し出す供給管を備えていることを特徴とする請求項3に記載の半導体素子試験装置。
- 上記電圧印加部は、上記供給部と電気的に接続され、上記試験電圧を印加する時点の所定期間前に、上記液体または気体を供給する指示を上記供給部に与えることを特徴とする請求項3に記載の半導体素子試験装置。
- 上記電圧印加部は、上記供給部と電気的に接続され、上記液体または気体の供給量を制御することを特徴とする請求項3に記載の半導体素子試験装置。
- 複数の半導体素子が作成されたウエハに対し、該半導体素子の電気的特性を検査する半導体素子試験方法であって、
上記各半導体素子の検査は、該検査を行う半導体素子の表面を、電離性の低い液体または気体で覆った状態で行うことを特徴とする半導体素子試験方法。
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