JP2012190017A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 複数の画素がマトリクス状に設けられた表示パネルと、
   前記表示パネルの短軸または長軸方向に平行に第１の電極、及び当該第１の電極に接続され、半導体層に酸化物半導体を有するトランジスタ、が設けられた第１の基板と、
   第２の電極が設けられた第２の基板と、
   前記第１の電極及び前記第２の電極に挟持された液晶層と、を有し、
   前記第１の電極に印加する第１の電圧及び前記第２の電極に印加する第２の電圧により前記液晶層の配向状態を変化させることで透光状態または遮光状態を選択的に切り替えて複数の光学シャッター領域とするシャッターパネルと、を有し、
   前記シャッターパネルは、前記光学シャッター領域のそれぞれを透光状態または遮光状態で保持する第１の保持状態、若しくは前記第１の保持状態とは異なり、且つ前記光学シャッター領域のそれぞれを透光状態または遮光状態で保持する第２の保持状態を有し、
   前記第１の保持状態及び前記第２の保持状態における、前記第１の電圧の保持は前記トランジスタを非導通状態とすることで行われる表示装置。
2. 複数の画素がマトリクス状に設けられた表示パネルと、
   前記表示パネルの短軸または長軸方向に平行に第１の電極、及び当該第１の電極に接続され、半導体層に酸化物半導体を有するトランジスタ、が設けられた第１の基板と、
   一面に第２の電極が設けられた第２の基板と、
   前記第１の電極及び前記第２の電極に挟持された液晶層と、を有し、
   前記第１の電極に印加する第１の電圧及び前記第２の電極に印加する第２の電圧により前記液晶層の配向状態を変化させることで透光状態または遮光状態を選択的に切り替えて複数の光学シャッター領域とするシャッターパネルと、を有し、
   前記シャッターパネルは、前記光学シャッター領域のそれぞれを透光状態または遮光状態で保持する第１の保持状態、若しくは前記第１の保持状態とは異なり、且つ前記光学シャッター領域のそれぞれを透光状態または遮光状態で保持する第２の保持状態を有し、
   前記第１の保持状態及び前記第２の保持状態における、前記第１の電圧の保持は前記トランジスタを非導通状態とすることで行われる表示装置。
3. 複数の画素がマトリクス状に設けられた表示パネルと、
   前記表示パネルの長軸方向に平行に第１の電極、及び当該第１の電極に接続され、半導体層に酸化物半導体を有する第１のトランジスタ、が設けられた第１の基板と、
   前記表示パネルの短軸方向に平行に第２の電極、及び当該第２の電極に接続され、半導体層に酸化物半導体を有する第２のトランジスタ、が設けられた第２の基板と、
   前記第１の電極及び前記第２の電極に挟持された液晶層と、を有し、
   前記第１の電極に印加する第１の電圧及び前記第２の電極に印加する第２の電圧により前記液晶層の配向状態を変化させることで透光状態または遮光状態を選択的に切り替えて複数の光学シャッター領域とするシャッターパネルと、を有し、
   前記シャッターパネルは、前記光学シャッター領域のそれぞれを透光状態または遮光状態で保持する第１の保持状態、若しくは前記第１の保持状態とは異なり、且つ前記光学シャッター領域のそれぞれを透光状態または遮光状態で保持する第２の保持状態を有し、
   前記第１の保持状態及び前記第２の保持状態における、前記第１の電圧及び前記第２の電圧の保持は前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタを非導通状態とすることで行われる表示装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第１の保持状態は、前記表示パネルが複数の前記画素のそれぞれを表示素子単位として表示を行い、
   前記第２の保持状態は、前記表示パネルが複数の前記画素の少なくとも２つを表示素子単位として表示を行う、表示装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記表示パネルから光が放出される方向に前記シャッターパネルが設けられる表示装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   前記第１の電圧は、前記表示パネルと視認者との距離に応じて書き換えられる表示装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   視認者と前記表示装置の距離を測定するセンサを有し、
   前記センサで測定された距離に応じて、前記光学シャッター領域毎の透光状態または遮光状態を選択し、前記第１の電圧を書き換える表示装置。