JP6611511B2 - シンチレータの製造方法 - Google Patents
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Description
まず、アルミニウム反射層を有する基台105を準備し、基台105の上にシンチレータ層101を形成した。シンチレータ層101の材料としてCsI:Tlを用い、蒸着法によりシンチレータ層101を形成した。ここで、シンチレータ層101の充填率が0.8以下となるように、蒸着温度、圧力、蒸着源と基台105との距離等の蒸着パラメータを設定した。例えば、蒸着温度は80−210℃、蒸着圧力は0.001〜1.0Paの範囲で設定可能であった。
第2実施例では、第1実施例の方法に加えて、異常成長部104を研磨により除去することに加え、異常成長部104を溶解させて除去し、その後、第2保護膜103を形成し、これによりシンチレータ100を得た。
Claims (10)
- 複数の柱状結晶で構成されたシンチレータ層を基台の上に成長させる成長工程と、
前記シンチレータ層を覆うように第1保護膜を形成する第1保護膜形成工程と、
前記第1保護膜をその表面の全域にわたって研磨する研磨処理を含む、前記第1保護膜を平坦化する平坦化工程と、
前記平坦化工程を受けた前記第1保護膜を覆う第2保護膜を形成する第2保護膜形成工程と、を含み、
前記成長工程で成長される前記シンチレータ層は、正常成長部と異常成長部を有し、
前記研磨処理は、前記異常成長部の位置を特定することなく、前記第1保護膜の前記表面の側から前記第1保護膜を前記全域にわたって研磨するが、前記正常成長部の上に前記第1保護膜を残すことによって前記正常成長部を研磨することなく前記異常成長部の先端を研磨する、
ことを特徴とするシンチレータの製造方法。 - 前記研磨処理は、前記研磨処理によって研磨された前記第1保護膜の露出面と前記研磨処理によって研磨された前記異常成長部の露出面とで平面が形成されるように実施される、
ことを特徴とする請求項1に記載のシンチレータの製造方法。 - 前記複数の柱状結晶のそれぞれの先端は尖っており、前記第1保護膜形成工程では、前記複数の柱状結晶のそれぞれの先端が前記第1保護膜に突き刺さった構造となるように前記第1保護膜が形成される、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のシンチレータの製造方法。 - 前記平坦化工程の後であって前記第2保護膜形成工程の前に、前記研磨処理によって先端が研磨された前記異常成長部の一部を溶解させる溶解工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のシンチレータの製造方法。 - 前記複数の柱状結晶の主成分がヨウ化セシウムであり、前記溶解工程では、前記研磨処理によって先端が研磨された前記異常成長部の前記一部を水または極性溶媒を用いて溶解させる、
ことを特徴とする請求項4に記載のシンチレータの製造方法。 - 前記平坦化工程は、前記研磨処理で生じた削りかすをガスブローによって除去する除去処理を更に含む、
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のシンチレータの製造方法。 - 前記第1保護膜の材料と前記第2保護膜の材料とが同一である、
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のシンチレータの製造方法。 - 前記第2保護膜の表面の算術平均粗さ(Ra)は、前記研磨処理がなされた後の前記第1保護膜の表面の算術平均粗さ(Ra)より小さい、
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のシンチレータの製造方法。 - 前記シンチレータ層の密度をρ(g/cm3)とし、前記シンチレータ層の材料の単結晶状態における密度をpc(g/cm3)としたときに、0.5≦ρ/pc≦0.8である、
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載のシンチレータの製造方法。 - 複数の柱状結晶で構成された、正常成長部と異常成長部を有するシンチレータ層を基台の上に成長させる成長工程と、
前記シンチレータ層を覆うように第1保護膜を形成する第1保護膜形成工程と、
前記異常成長部の一部が露出するように、前記第1保護膜の表面の全域の他、前記異常成長部の先端が研磨され、前記正常成長部は研磨されないように、研磨を行う研磨工程と、
前記研磨工程によって露出した前記異常成長部の部分を溶解させる溶解工程と、
前記溶解工程の後に、前記第1保護膜を覆う第2保護膜を形成する第2保護膜形成工程と、を含み、
前記研磨工程は、前記異常成長部の位置を特定することなく行われる、
ことを特徴とするシンチレータの製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015156239A JP6611511B2 (ja) | 2015-08-06 | 2015-08-06 | シンチレータの製造方法 |
US15/221,857 US10067242B2 (en) | 2015-08-06 | 2016-07-28 | Scintillator, method of manufacturing the same, radiation imaging apparatus, and radiation imaging system |
CN201610615540.XA CN106443756A (zh) | 2015-08-06 | 2016-07-29 | 闪烁体及其制造方法、放射线成像装置和放射线成像*** |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015156239A JP6611511B2 (ja) | 2015-08-06 | 2015-08-06 | シンチレータの製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017036922A JP2017036922A (ja) | 2017-02-16 |
JP2017036922A5 JP2017036922A5 (ja) | 2018-09-13 |
JP6611511B2 true JP6611511B2 (ja) | 2019-11-27 |
Family
ID=58047211
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015156239A Expired - Fee Related JP6611511B2 (ja) | 2015-08-06 | 2015-08-06 | シンチレータの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10067242B2 (ja) |
JP (1) | JP6611511B2 (ja) |
CN (1) | CN106443756A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6701288B2 (ja) * | 2018-09-06 | 2020-05-27 | キヤノン株式会社 | シンチレータプレート、放射線検出装置および放射線検出システム |
JP2023077337A (ja) * | 2021-11-24 | 2023-06-05 | キヤノン株式会社 | シンチレータプレート、放射線検出器、およびシンチレータプレートの製造方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1304853C (zh) | 2000-09-11 | 2007-03-14 | 浜松光子学株式会社 | 闪烁器面板、放射线图象传感器和它们的制造方法 |
US6847041B2 (en) * | 2001-02-09 | 2005-01-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Scintillator panel, radiation detector and manufacture methods thereof |
JP2004333381A (ja) | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Canon Inc | 放射線検出装置、及びその製造方法 |
CN1809762A (zh) | 2003-10-22 | 2006-07-26 | 佳能株式会社 | 辐射探测装置、闪烁屏、及其制作方法、制作设备、以及辐射图象摄取*** |
EP1678525A1 (en) * | 2003-10-22 | 2006-07-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detection device, scintillator panel, method of making the same, making apparatus, and radiation image pick-up system |
JP2005337962A (ja) | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Canon Inc | 放射線検出装置 |
US7514686B2 (en) | 2004-08-10 | 2009-04-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detecting apparatus, scintillator panel, their manufacturing method and radiation detecting system |
JP2006335887A (ja) | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Canon Inc | 蛍光板 |
JP2010025620A (ja) | 2008-07-16 | 2010-02-04 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 放射線画像変換パネルとその製造方法 |
JP5353886B2 (ja) * | 2008-07-18 | 2013-11-27 | コニカミノルタ株式会社 | 放射線シンチレータおよび放射線画像検出器 |
WO2011125383A1 (ja) * | 2010-04-07 | 2011-10-13 | コニカミノルタエムジー株式会社 | フラットパネルディテクタの製造方法 |
JP2012154696A (ja) * | 2011-01-24 | 2012-08-16 | Canon Inc | シンチレータパネル、放射線検出装置およびそれらの製造方法 |
JP5677136B2 (ja) * | 2011-02-24 | 2015-02-25 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像検出装置及び放射線撮影用カセッテ |
JP5728250B2 (ja) | 2011-03-01 | 2015-06-03 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置、シンチレータパネル、それらの製造方法、および放射線検出システム |
KR101266554B1 (ko) | 2011-05-09 | 2013-05-27 | 주식회사 아비즈알 | 신틸레이터 패널 및 신틸레이터 패널을 제조하는 방법 |
JP2013029384A (ja) * | 2011-07-27 | 2013-02-07 | Canon Inc | 放射線検出装置、その製造方法および放射線検出システム |
JP2014122820A (ja) | 2012-12-20 | 2014-07-03 | Canon Inc | シンチレータ、放射線検出装置および放射線検出システム |
JP6171401B2 (ja) * | 2013-02-28 | 2017-08-02 | コニカミノルタ株式会社 | シンチレータパネル |
JP6512830B2 (ja) | 2015-01-09 | 2019-05-15 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線検査装置 |
-
2015
- 2015-08-06 JP JP2015156239A patent/JP6611511B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-07-28 US US15/221,857 patent/US10067242B2/en active Active
- 2016-07-29 CN CN201610615540.XA patent/CN106443756A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20170038482A1 (en) | 2017-02-09 |
JP2017036922A (ja) | 2017-02-16 |
US10067242B2 (en) | 2018-09-04 |
CN106443756A (zh) | 2017-02-22 |
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