JP2012169504A - 液処理装置及び液処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】開示される液処理装置は、基板を裏面から支持する基板支持部材と、前記基板支持部材を回転する回転機構と、前記基板支持部材に支持される前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板支持部材に支持される前記基板に対して気体を噴出し、前記基板を前記基板支持部材に押圧する気体噴出部であって、前記基板支持部材を介して前記回転機構により回転される前記基板の回転方向における前記処理液供給部の上流側に配置される当該気体噴出部とを備える。
【選択図】図2
Description
しかし、基板表面のほぼ全体に対してガスが噴出される場合、基板表面を流れる処理液の流れが噴出されるガスによって阻害されるおそれがある。
また、ガス噴出吸引部20Gから噴出されるガスは、処理液の流れを阻害し難いため、噴出ガス量を増加して、ウエハWをより確実に保持することが可能となる。
また、ガス噴出吸引部20Gは図示の形状に限らない。また、ガス噴出吸引部20Gの大きさ(面積)、複数の孔2GHの数、複数の孔2EHの数、並びに複数の孔2GH及び2EHの列の数は、図示のものに限定されることなく、例えばウエハWのサイズや、ガス噴出吸引部20Gから噴出されるガスの噴出量及び噴出圧力等を考慮し、ウエハWを確実に押圧できるよう決定することが好ましい。
また、上記の実施形態及び変形例においては、ウエハ支持部材10は爪部Sを有し、爪部SによりウエハWの裏面周縁部が支持されるが、これに限らず、ウエハWの裏面周縁部より内側においてウエハWを支持しても良い。
また、図2から図4を参照しながら説明した複合部材20に、図5を参照しながら説明した複合部材21における処理液供給部21Lを設けても良い。逆に、複合部材21及び22において、処理液供給部20L及び21Lのいずれか一方を設けても良い。
また、図2に示す加熱装置LShは、処理液供給源LSから独立して設けても良く、加熱装置GShは、ガス供給源GSから独立して設けても良い。
また、ウエハWは半導体ウエハに限らず、FPD用のガラス基板であっても良い。
Claims (16)
- 基板を裏面から支持する基板支持部材と、
前記基板支持部材を回転する回転機構と、
前記基板支持部材に支持される前記基板の外縁から前記基板の中心方向に向って延び、当該基板に処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板支持部材に支持される前記基板に対して気体を噴出し、前記基板を前記基板支持部材に押圧する気体噴出部であって、前記基板支持部材を介して前記回転機構により回転される前記基板の回転方向における前記処理液供給部の上流側に配置される当該気体噴出部と
を備える液処理装置。 - 前記気体噴出部が前記処理液供給部と並置される、請求項1に記載の液処理装置。
- 前記基板の外縁から前記基板の中心方向に向かって前記処理液供給部が延びる方向と反対方向に前記気体噴出部が延びる、請求項1に記載の液処理装置。
- 前記気体噴出部と前記処理液供給部とが一の部材に配置される、請求項1から3のいずれか一項に記載の液処理装置。
- 前記気体噴出部から噴出される気体を吸引可能な気体吸引部を更に備え、
前記気体噴出部と前記気体吸引部とにより、前記基板を前記基板支持部材に押圧可能な気体噴出吸引部が構成される、請求項1に記載の液処理装置。 - 前記気体噴出吸引部が前記処理液供給部と並置される、請求項5に記載の液処理装置。
- 前記基板の外縁から前記基板の中心方向に向って前記処理液供給部が延びる方向と反対方向に前記気体噴出吸引部が延びる、請求項5に記載の液処理装置。
- 前記気体噴出吸引部と前記処理液供給部とが一の部材に配置される、請求項5から7のいずれか一項に記載の液処理装置。
- 前記基板支持部材に支持される前記基板に他の処理液を供給する他の処理液供給部を更に備える、請求項1から8のいずれか一項に記載の液処理装置。
- 前記処理液供給部及び前記他の処理液供給部の一方を、前記基板の中心から前記基板の外縁にまで延びるように配置させる移動機構を更に備える、請求項9に記載の液処理装置。
- 前記液処理供給部に対して供給される前記処理液を加熱する第1の加熱装置を更に備える、請求項1から10のいずれか一項に記載の液処理装置。
- 前記気体噴出部に対して供給される前記気体を加熱する第2の加熱部を更に備える、請求項11に記載の液処理装置。
- 基板支持部材により基板を裏面から支持するステップと、
前記基板支持部材に支持される前記基板に対して気体を噴出する気体噴出部から気体を噴出し、前記基板を前記基板支持部材に押圧するステップと、
前記基板支持部材を回転することにより前記基板を回転するステップと、
前記基板の回転方向における前記気体噴出部の下流側に配置される処理液供給部から、前記基板支持部材に支持され回転される前記基板に対して処理液を供給するステップと
を含む液処理方法。 - 前記押圧するステップが、前記気体噴出部から噴出される気体を吸引可能な気体吸引部により前記気体を吸引しつつ前記基板を前記基板支持部材に押圧するステップである、請求項13に記載の液処理方法。
- 前記基板支持部材に支持される前記基板に他の処理液を供給する他の処理液供給部から、前記他の処理液を供給するステップを更に含む、請求項13又は14に記載の液処理方法。
- 前記処理液供給部及び前記他の処理液供給部のいずれかを、前記基板の中心の上方に位置するよう移動させるステップを更に含む、請求項15に記載の液処理方法。
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