JP2012164944A - 固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明に係る固体撮像装置は、光電変換部103a、103bが配された半導体基板101を有する。半導体基板101に絶縁体104が積層される。絶縁体104には光電変換部103a、103bのそれぞれに対応した穴105a、105bが配される。穴105a、105bにはそれぞれ部材106a、106bが配される。部材106bに対して半導体基板101とは反対側に遮光部材108が配され、光電変換部103bのみが遮光される。このような固体撮像装置において、穴105a、105bが同時に形成され、部材106a、106bが同時に形成される。
【選択図】 図1
Description
101 半導体基板
103a、103b 光電変換部
104 絶縁体
105a、105b 穴
106a、106b 導波路部材
107a、107b 導波路部材の半導体とは反対側の面
108 遮光部材
112a 第1配線層
302 第2平坦膜
Claims (15)
- 半導体基板と、
前記半導体基板に配された第1光電変換部及び第2光電変換部と、
前記半導体基板の上に配された第1部材と、
前記半導体基板の上であって、前記第1光電変換部と重なる位置に配され、前記第1部材とは異なる材料で構成された第2部材と、
前記半導体基板の上であって、前記第2光電変換部と重なる位置に配され、前記第1部材とは異なる材料で構成された第3部材と、
前記半導体基板の上に配された多層配線構造と、
前記第3部材に対して前記半導体基板とは反対側に配され、前記第2光電変換部に入射する光の少なくとも一部を遮る遮光部材と、を有する固体撮像装置において、
前記第1部材は、前記第1光電変換部と重なっていない第1部分、及び前記第1部分とは別の、前記第1光電変換部と重なっていない第2部分とを含み、
前記第2部材は、前記第1部分及び前記第2部分との間に配され、
前記第1部材は、前記第2光電変換部と重なっていない第3部分、及び前記第3部分とは別の、前記第2光電変換部と重なっていない第4部分とを含み、
前記第3部材は、前記第3部分及び前記第4部分との間に配され、
前記半導体基板から前記第2部材の前記半導体基板とは反対側の面までの第1の距離、及び前記半導体基板から前記第3部材の前記半導体基板とは反対側の面までの第2の距離が、前記半導体基板から前記遮光部材の前記半導体基板の側の面までの第3の距離より小さく、
前記第1の距離及び前記第2の距離が、前記半導体基板から前記多層配線構造のうち前記半導体基板に最も近い配線層に含まれる導電部材の前記半導体基板とは反対側の面までの第4の距離よりも大きいことを特徴とする固体撮像装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板に配された第1光電変換部及び第2光電変換部と、
前記半導体基板の上に配された第1部材と、
前記半導体基板の上であって、前記第1光電変換部と重なる位置に配され、前記第1部材とは異なる材料で構成された第2部材と、
前記半導体基板の上であって、前記第2光電変換部と重なる位置に配され、前記第1部材とは異なる材料で構成された第3部材と、
前記半導体基板の上に配された多層配線構造と、
前記第3部材に対して前記半導体基板とは反対側に配され、前記第2光電変換部に入射する光の少なくとも一部を遮る遮光部材と、を有する固体撮像装置において、
前記第1部材は、第1部分及び前記第1部分とは異なる第2部分を含み、
前記第1光電変換部と前記第2部材とが配された方向と交差する方向に沿って、前記第1部分、前記第2部材、及び前記第2部分が配され、
前記第1部材は、第3部分及び前記第3部分とは異なる第4部分を含み、
前記第2光電変換部と前記第3部材とが配された方向と交差する方向に沿って、前記第3部分、前記第3部材、及び前記第4部分が配され、
前記半導体基板から前記第2部材の前記半導体基板とは反対側の面までの第1の距離、及び前記半導体基板から前記第3部材の前記半導体基板とは反対側の面までの第2の距離が、前記半導体基板から前記遮光部材の前記半導体基板の側の面までの第3の距離より小さく、
前記第1の距離及び前記第2の距離が、前記半導体基板から前記多層配線構造のうち前記半導体基板に最も近い配線層に含まれる導電部材の前記半導体基板とは反対側の面までの第4の距離よりも大きいことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記第2部材を構成する材料及び前記第3部材を構成する材料の屈折率は、前記第1部材を構成する材料の屈折率と異なり、
前記第1部材と前記第2部材との界面において、前記第2部材に入射した光を前記第1光電変換部へ向けて屈折させることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載の固体撮像装置。 - 前記第2部材を構成する材料及び前記第3部材を構成する材料の誘電率は、前記第1部材を構成する材料の誘電率よりも高いことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
- 前記第2部材及び前記第3部材に対して前記半導体基板とは反対側に配され、前記半導体基板とは反対側の面が平坦化された平坦膜と、
前記第1光電変換部に対応して配されたレンズと、をさらに有し、
前記遮光部材及び前記レンズが、前記平坦膜に接して配されたことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の固体撮像装置。 - 前記第2部材及び前記第3部材に対して前記半導体基板とは反対側に配され、前記半導体基板とは反対側の面が平坦化された平坦膜と、
前記平坦膜に対して前記半導体基板とは反対側に配された中間膜と、
前記第1光電変換部に対応して配され、前記光を集光するレンズと、をさらに有し、
前記遮光部材及び前記レンズが、前記中間膜に接して配されたことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の固体撮像装置。 - 前記レンズと前記第2部材との間に配され、前記レンズを構成する材料及び前記第2部材よりも屈折率の低い低屈折率部材をさらに有することを特徴とする請求項5または請求項6のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
- 前記レンズは、前記半導体基板に向かって凸の形状のレンズであることを特徴とする請求項5乃至請求項7のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
- 前記第1光電変換部に隣接して配された別の光電変換部と、
前記別の光電変換部と重なった領域に、前記第2部材と並んで配され、前記第1部材とは異なる材料で構成された第4部材と、
前記遮光部材とは別の遮光部材をさらに有し、
前記別の遮光部材は、前記遮光部材と同一の配線層に含まれ、前記第2部材と前記第4部材との間に配された前記第1部材の上に配されたことを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の固体撮像装置。 - 前記第2部材を構成する材料と、前記第3部材を構成する材料が同一の材料であることを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
- 固体撮像装置の製造方法であって、
第1光電変換部及び第2光電変換部が配された半導体基板の上に第1絶縁体を形成する工程と、
前記第1絶縁体の前記第1光電変換部に対応した第1部分、及び前記第1部分とは別の前記第1絶縁体の前記第2光電変換部に対応した第2部分を同時に除去する第1工程と、
前記第1部分が除去された領域に第1部材を形成すると同時に、前記第2部分が除去された領域に第2部材を形成する第2工程と、
前記第2工程の後に、前記第2光電変換部に入射する光の少なくとも一部を遮る遮光部材を形成する第3工程と、
前記第3工程の後に、第2絶縁体を形成する第4工程と、を含み、
前記第4工程の後には、前記第2絶縁体の前記第1光電変換部に対応した第3部分、及び前記第3部分とは別の前記第2絶縁体の前記第2光電変換部に対応した第4領域のいずれか一方のみを除去する工程を行わないことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記固体撮像装置は、第1配線層及び第2配線層と、前記第1絶縁体を構成する第1絶縁膜及び第2絶縁膜と、を有し、
前記半導体基板に近い側から順に、前記第1絶縁膜、前記第1配線層、前記第2絶縁膜、及び前記第2配線層が積層され、
前記第1工程は、前記第1絶縁膜、前記第2絶縁膜、前記第1配線層及び前記第2配線層が形成された後に行われ、
前記第1工程において、前記第1絶縁膜の一部及び前記第2絶縁膜の一部を除去することを特徴とする請求項11に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記固体撮像装置は、
前記第1部材と前記半導体基板との間に前記第1部材と接して配された第3部材と、
前記第2部材と前記半導体基板との間に前記第2部材と接して配された第4部材とを有し、
前記第1工程において、前記第1絶縁体はエッチングによって除去され、
前記第3部材を構成する材料及び前記第4部材を構成する材料の前記エッチングにおけるエッチングレートが、前記第1絶縁体を構成する材料の前記エッチングにおけるエッチングレートに比べて小さいことを特徴とする請求項11または請求項12のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。 - 固体撮像装置の製造方法であって、
第1光電変換部及び第2光電変換部が配された半導体基板の上に、前記第1光電変換部に重なるように第1エッチストップ部材を形成する工程と、
前記半導体基板の上に、前記第2光電変換部に重なるように第2エッチストップ部材を形成する工程と、
前記第1及び第2エッチストップ部材の上に第1絶縁体を形成する工程と、
前記絶縁体の前記第1エッチストップ部材と重なって配された第1部分、及び前記第1部分とは別の前記絶縁体の前記第2エッチストップ部材と重なって配された第2部分を同時にエッチングするエッチング工程と、
前記第1部分がエッチングによって除去された領域に第1部材を形成すると同時に、前記第2部分がエッチングによって除去された領域に第2部材を形成する第1工程と、
前記第1工程の後に、前記第2光電変換部に入射する光の少なくとも一部を遮る遮光部材を形成する第2工程と、
前記第2工程の後に、第2絶縁体を形成する第3工程と、を含み、
前記第3工程の後には、前記第2絶縁体の前記第1光電変換部に対応した第3部分、及び前記第3部分とは別の前記第2絶縁体の前記第2光電変換部に対応した第4領域のいずれか一方のみを除去する工程を行わず、
前記第1及び第2エッチストップ部材のエッチングレートが、前記絶縁体のエッチングレートよりも小さく、
前記エッチング工程において、少なくとも前記第1及び第2エッチストップ部材が露出するまで前記絶縁体をエッチングすることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記固体撮像装置は、前記第1光電変換部及び第2光電変換部が配された第1領域と、前記第1光電変換部及び第2光電変換部からの信号を処理する信号処理回路が配された第2領域と、前記半導体基板の上に配された配線層と、前記半導体基板と前記配線層に含まれる導電部材とを接続するための複数のプラグと、を有し、
前記第1領域における前記複数のプラグの密度は、前記第2領域における前記複数のプラグの密度と異なることを特徴とする請求項14に記載の固体撮像装置の製造方法。
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