JP2012146744A - 分割方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 114
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 102
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 102
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 36
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 6
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N aluminum indium Chemical compound [Al].[In] AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】分割予定ライン4に沿ってサファイア基板1と反射膜3を透過する波長のレーザー光線LBを裏面側からサファイア基板1の内部に集光して分割の起点となる改質層6を形成するとともに裏面に至るクラック7を形成する。クラック7は可視光を検出する撮像手段31で撮像可能であり、撮像手段31によってクラック7を撮像することにより分割予定ライン4の位置を検出する。この後、分割手段35によってサファイア基板1を分割予定ライン4に沿って分割する。
【選択図】図7
Description
(1)サファイア基板
図1の符号1は、一実施形態に係る円板状のサファイア基板を示している。このサファイア基板1は表面に発光層2が形成され、裏面に可視光(400〜700μm付近の波長)を反射する反射膜3が形成されている。サファイア基板1には発光層2のパターンに基づいて図1(a)に示すような格子状に配列された複数の直線状の分割予定ライン4が設定されており、かつこれら分割予定ライン4によって多数の矩形状のチップ領域5が区画されている。
図5および図6により、サファイア基板分割装置20を説明する。図5の符号21はベース部であり、このベース部21上には、ガイドレール22を介して移動テーブル23がX方向に移動可能に支持されている。移動テーブル23には円形状の開口部23aが形成されており、開口部23aの周縁には、環状の回転テーブル24がZ方向(鉛直方向)に延びる軸心Oを回転軸として回転可能に支持されている。移動テーブル23は図示せぬX方向移動機構によりガイドレール22に沿ってX方向に移動させられ、回転テーブル24は図示せぬ回転機構により回転させられる。
以上の構成を有するサファイア基板分割装置20を用いてサファイア基板1を分割予定ライン4に沿って分割する方法を、以下に説明する。
以上が本実施形態に係る分割方法であり、この分割方法によれば、レーザー加工工程においてサファイア基板1の内部への改質層6の形成と同時にサファイア基板1の裏面に至る可視されるクラック7を形成することにより、裏面の反射膜3を撮像手段31で撮像した際にクラック7を撮像することができ、このため撮像したクラック7から分割予定ライン4の位置を検出することができるものとなっている。
2…発光層
3…反射膜
4…分割予定ライン
6…改質層
7…クラック
20…サファイア基板分割装置
26…保持手段
31…撮像手段
33…支持刃
34…押圧刃
35…分割手段
LB…レーザー光線(反射膜を透過する波長の光)
Claims (1)
- 表面に発光層が形成され、裏面に可視光を反射する反射膜が形成されたサファイア基板を表面を上に向けて保持する保持手段と、
該保持手段に保持されたサファイア基板の下側に配設され、サファイア基板の分割予定ラインの位置を可視光により検出する撮像手段と、
前記保持手段に保持されたサファイア基板を下側から前記分割予定ラインの両側で支持する一対の支持刃と、該支持刃に支持されたサファイア基板を上側から該分割予定ラインに沿って押圧して分割する押圧刃とを有する分割手段と、
を含むサファイア基板分割装置を用いてサファイア基板を前記分割予定ラインに沿って分割する方法であって、
前記分割予定ラインに沿ってサファイア基板と前記反射膜を透過する波長の光を裏面側からサファイア基板内部に集光して、分割の起点となる改質層を形成するとともにサファイア基板の裏面に至るクラックを形成するレーザー加工工程と、
該レーザー加工工程の後にサファイア基板を前記保持手段に保持し、前記撮像手段によってサファイア基板の裏面に現れたクラックを撮像することによって前記分割予定ラインの位置を検出する撮像工程と、
該撮像工程の後に、前記分割手段によってサファイア基板を前記分割予定ラインに沿って分割する分割工程と、
を含むことを特徴とする分割方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011002254A JP5658043B2 (ja) | 2011-01-07 | 2011-01-07 | 分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011002254A JP5658043B2 (ja) | 2011-01-07 | 2011-01-07 | 分割方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012146744A true JP2012146744A (ja) | 2012-08-02 |
JP5658043B2 JP5658043B2 (ja) | 2015-01-21 |
Family
ID=46790045
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011002254A Active JP5658043B2 (ja) | 2011-01-07 | 2011-01-07 | 分割方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5658043B2 (ja) |
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JP5658043B2 (ja) | 2015-01-21 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131206 |
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