TW201322479A - 光元件層之轉移裝置及雷射加工機 - Google Patents

光元件層之轉移裝置及雷射加工機 Download PDF

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Abstract

本發明之課題係提供從磊晶基板之背面側將雷射光線照射於緩衝層而破壞緩衝層後可確實地剝離磊晶基板之光元件層之轉移裝置及雷射加工機。本發明之光元件層之轉移裝置係將於磊晶基板之表面隔著緩衝層而積層有光元件層的光元件晶圓之光元件層，隔著接合金屬層接合於移設基板而形成複合基板，從磊晶基板之背面側將雷射光線照射於緩衝層而破壞緩衝層後，將磊晶基板剝離，藉此，將光元件層移設至移設基板，其特徵在於包含有第1保持機構、第2保持機構及分離機構，該第1保持機構係具有保持複合基板之移設基板側的第1保持面者；該第2保持機構係具有第2保持面者，該第2保持面係與該第1保持面對向，保持複合基板之磊晶基板側；該分離機構係使第1保持機構與第2保持機構於相對地靠近及背離之方向移動者。

Description

光元件層之轉移裝置及雷射加工機 發明領域
本發明係有關於光元件層之轉移裝置及雷射加工機，該光元件層之轉移裝置係將於藍寶石基板等磊晶基板之表面隔著緩衝層而積層有光元件層之光元件晶圓之光元件層藉由接合金屬層接合於移設基板，從磊晶基板之背面側將雷射光線照射於緩衝層而破壞緩衝層後，將磊晶基板剝離，藉此，將光元件層移設至移設基板者。
發明背景
在光元件製程中，於為約圓板狀之藍寶石基板等磊晶基板之表面隔著緩衝層積層由n型半導體層及p型半導體層構成之光元件層，於以形成格子狀之複數切割道劃分之複數區域形成發光二極體、雷射二極體等元件而構成光元件晶圓。然後，藉將光元件晶圓沿著切割道分割，而製造了諸個光元件(例如參照專利文獻1)。
又，使光元件之亮度提高之技術於下述專利文獻2揭示有一種稱為剝離(lift-off)之製造方法，該製造方法係將於構成光元件晶圓之藍寶石基板等磊晶基板表面隔著緩衝層積層之由n型半導體層及p型半導體層構成的光元件層藉由金(Au)、白金(Pt)、鉻(Cr)、銦(In)、鈀(Pd)等接合金屬層接合鉬(Mo)、銅(Cu)、矽(Si)等移設基板，接著，從磊晶基板之背面側將雷射光線照射於緩衝層，破壞緩衝層，藉 此，將磊晶基板剝離，將光元件層移轉至移設基板。
先行技術文獻 專利文獻
專利文獻1日本專利公開公報平10-305420號
專利文獻2 日本專利公表公報2005-516415號
發明概要
而於緩衝層照射雷射光線，破壞緩衝層後，需用以藉剝離磊晶基板而將光元件層移設至移設基板之移設裝置，但不存在可確實地剝離磊晶基板之移設裝置。
本發明係鑑於上述情況而發明者，其主要的技術課題係提供從磊晶基板之背面側將雷射光線照射於緩衝層而破壞緩衝層後可確實地剝離磊晶基板之光元件層之轉移裝置及雷射加工機。
為解決上述主要之技術課題，根據本發明，提供一種光元件層之轉移裝置，該光元件層之轉移裝置係將於磊晶基板之表面隔著緩衝層而積層有光元件層的光元件晶圓之光元件層，隔著接合金屬層接合於移設基板而形成複合基板，從磊晶基板之背面側將雷射光線照射於緩衝層而破壞緩衝層後，將磊晶基板剝離，藉此，將光元件層移設至移設基板，其特徵在於包含有第1保持機構、第2保持機構及分離機構，該第1保持機構係具有保持複合基板之移設 基板側的第1保持面者；該第2保持機構係具有第2保持面者，該第2保持面係與該第1保持面對向，保持複合基板之磊晶基板側；該分離機構係使該第1保持機構與該第2保持機構於相對地靠近及背離之方向移動者。
其宜包含有剝離輔助機構，該剝離輔助機構係使上述第1保持機構與該第2保持機構在與該第1保持面及第2保持面平行之面內相對地變位者。
又，根據本發明，提供一種雷射加工機，該雷射加工機係將雷射光線照射於複合基板之緩衝層，以破壞緩衝層者，該複合基板係將於磊晶基板之表面隔著緩衝層而積層有光元件層的光元件晶圓之光元件層，隔著接合金屬層接合於移設基板，該雷射加工機之特徵在於包含有第1保持機構、雷射光線照射機構、第2保持機構、及分離機構，該第1保持機構係具有保持複合基板之移設基板側的第1保持面者；該雷射光線照射機構係將雷射光線照射於保持在該第1保持機構的複合基板之緩衝層者；該第2保持機構係具有第2保持面者，該第2保持面係於該第1保持機構與該第1保持面對向，保持該複合基板之磊晶基板側；該分離機構係使該第1保持機構與該第2保持機構於相對地靠近及背離之方向移動者。
上述雷射加工機宜包含有複合基板卡匣台、搬送機構及安置機構，該複合基板卡匣台係可載置收容有複合基板之複合基板卡匣者；該搬送機構係將收容於載置在該複合基板卡匣台之複合基板卡匣之複合基板搬送至該第1 保持機構者；該安置機構係將該第2保持機構安置於該第1保持機構之被加工物搬入搬出位置與可載置磊晶基板卡匣之磊晶基板卡匣載置部者。
由於本發明之光元件層之轉移裝置由第1保持機構、第2保持機構及分離機構構成，將形成緩衝層受到破壞之複合基板之移設基板吸引保持於第1保持機構，同時，以第2保持機構吸引保持磊晶基板，使分離機構作動，而使第1保持機構與第2保持機構於相對地背離之方向移動，藉此，喪失緩衝層所作之磊晶基板與光元件層之結合功能，故可易剝離磊晶基板，並且，可將光元件層移設至移設基板。
1‧‧‧雷射加工機
2‧‧‧裝置殼體
3‧‧‧第1保持機構
3a，X，X1，Y，Z‧‧‧箭號
4‧‧‧雷射光線照射機構
5‧‧‧拍攝機構
6a‧‧‧複合基板卡匣載置部
7‧‧‧對位機構
7a‧‧‧暫時放置部
8‧‧‧第2保持機構
9‧‧‧磊晶基板卡匣
9a‧‧‧磊晶基板卡匣載置部
10‧‧‧光元件晶圓
11‧‧‧磊晶基板
11a‧‧‧表面
11b‧‧‧背面
12‧‧‧光元件層
12a‧‧‧表面
13‧‧‧緩衝層
15‧‧‧移設基板
15a‧‧‧表面
16‧‧‧接合金屬層
31‧‧‧支撐台
32‧‧‧吸附吸盤
34‧‧‧夾
41‧‧‧雷射光線振盪機構
42‧‧‧聚光器
60‧‧‧複合基板卡匣
61‧‧‧複合基板卡匣台
70‧‧‧搬出搬入機構
71‧‧‧搬送機構
81‧‧‧吸引保持墊
82‧‧‧支撐軸部
82a‧‧‧吸引通路
83‧‧‧分離機構
84‧‧‧安置機構
100‧‧‧複合基板
121‧‧‧n型氮化鎵半導體層
122‧‧‧p型氮化鎵半導體層
123‧‧‧複數切割道
124‧‧‧有光元件
811‧‧‧基台
811a‧‧‧凹部
812‧‧‧墊
830‧‧‧氣缸設備
831‧‧‧活塞桿
841‧‧‧支撐臂
F‧‧‧環狀框架
S‧‧‧點
T‧‧‧切割帶
圖1係根據本發明構成之雷射加工機之立體圖。
圖2係構成裝備於圖1所示之雷射加工機之光元件層之轉移裝置的第2保持機構之截面圖。
圖3(a)、圖3(b)係以圖1所示之雷射加工機加工之光元件晶圓的立體圖及放大主要部份而顯示之截面圖。
圖4(a)、圖4(b)係將移設基板接合於圖3所示之光元件晶圓之光元件層之表面的移設基板接合步驟之說明圖。
圖5係顯示將接合於光元件晶圓之複合基板之移設基板側貼附於裝設在環狀框架之切割帶之表面的狀態之立體圖。
圖6(a)~圖6(c)係從磊晶基板之背面側將雷射光線照射於緩衝層之剝離用雷射光線照射步驟的說明圖。
圖7(a)、圖7(b)係將磊晶基板從光元件層剝離而將光元 件層移設至移設基板之光元件層轉移步驟的說明圖。
用以實施發明之形態
以下，就根據本發明構成之光元件層之轉移裝置及雷射加工機之較佳實施形態，參照附加圖式，詳細地說明。
於圖1顯示根據本發明構成之雷射加工機1之立體圖。
圖1所示之雷射加工機1包含有約長方體之裝置殼體2。保持作為被加工物之後述複合基板之第1保持機構3以可於與以箭號X所示之加工進給方向(X軸方向)垂直相交之箭號所示之(Y軸方向)移動的方式配設於此裝置殼體2內。第1保持機構3具有吸附吸盤支撐台31、裝設於該吸附吸盤支撐台31上之吸附吸盤32，而可以圖中未示之吸引機構將作為被加工物之後述複合基板保持於為該吸附吸盤32之上面之第1保持面上。又，第1保持機構3構造成可以圖中未示之旋轉設備旋動。於如此構成之第1保持機構3之吸附吸盤支撐台31配設有用以固定後述環狀框架之夾34。可以圖中未示之旋轉驅動設備使如此構成之第1保持機構3旋動。此外，雷射加工機1包含有使上述第1保持機構3於X軸方向加工進給之圖中未示之加工進給機構、及於Y軸方向分度進給之圖中未示之分度進給機構。
圖中所示之雷射加工機1具有對保持於上述第1保持機構3之作為被加工物之後述複合基板施行雷射加工之雷射光線照射機構4。雷射光線照射機構4具有雷射光線 振盪機構41、將業經以該雷射光線振盪機構41振盪之雷射光線聚光的聚光器42。此外，雷射加工機1具有圖中未示之聚光點位置調整機構，該聚光點位置調整機構係使雷射光線振盪機構41於垂直於為第1保持機構3之上面之第1保持面的方向之以箭號Z所示的聚光點位置調整方向移動。
圖中所示之雷射加工機1具有拍攝機構5，該拍攝機構係拍攝保持於上述第1保持機構3之吸附吸盤32上之作為被加工物的後述複合基板之表面，檢測應以從上述雷射光線照射機構4之聚光器42照射之雷射光線加工的區域。此拍攝機構5具有照明被加工物之照明機構、捕捉以該照明機構照明之區域之光學系統、拍攝以該光學系統所捕捉之像之拍攝器件(CCD)等，將所拍攝之圖像信號送至後述控制機構。
圖中所示之雷射加工機1具有可載置用以收容作為被加工物之後述複合基板100之複合基板卡匣的複合基板卡匣載置部6a。於複合基板卡匣載置部6a可以圖中未示之升降機構上下移動之方式配設有複合基板卡匣台61，可於此複合基板卡匣台61上載置複合基板卡匣60。在此，收容於複合基板卡匣60之複合基板100貼附於裝設在環狀框架F之切割帶T的表面，以藉由切割帶T支撐於環狀框架F之狀態收容於上述複合基板卡匣60。此外，關於複合基板100，之後詳細地說明。
圖中所示之雷射加工機1具有將收納於上述複合基板卡匣60之加工前之複合基板100搬出至配設於暫時放置部7a之對位機構7並且將加工後之複合基板100搬入至複 合基板卡匣60之搬出搬入機構70、將搬出至對位機構7之加工前之複合基板100搬送至第1保持機構3之搬送機構71。
又，圖中所示之雷射加工機1具有保持已在上述第1保持機構3上雷射加工之複合基板100的後述磊晶基板側之第2保持機構8。就此第2保持機構8，參照圖2來說明。圖2所示之第2保持機構8具有吸引保持墊81、支撐該吸引保持墊81之支撐軸部82。吸引保持墊81由圓盤狀基台811及墊812構成。基台811可以適宜之金屬材構成，支撐軸部82突出形成於其上面中央部。構成吸引保持墊81之基台811具有下方開放之圓形凹部811a。於此凹部811嵌合有以多孔之陶瓷構件形成圓盤狀之墊812。如此進行嵌合於為基台811之凹部811a之墊812之下面的第2保持面配設成與為構成上述第1保持機構3之吸附吸盤32之上面的第1保持面對向。形成於構成吸引保持墊81之基台811之圓形凹部811a藉由設於支撐軸部82之吸引通路82a而連通於圖中未示之吸引機構。因而，當圖中未示之吸引機構作動時，藉由吸引通路82a、基台811之凹部811a，使負壓作用於為墊812之下面之第2保持面，而可將複合基板100之後述磊晶基板吸引保持於該墊812之下面之第2保持面。
如以上構成之第2保持機構8連結於在圖2中可於上下方向移動之分離機構83。此分離機構83在圖中所示之實施形態中，由氣缸設備830構成，其活塞桿831連結於構成第2保持機構8之支撐軸部82。如此構成之分離機構83係藉將第2保持機構8安置於第1保持機構3之上側來下降及上 升，而使第2保持機構8與第1保持機構3於相對地靠近及背離之方向移動。
如圖1所示，如上述連結有第2保持機構8之分離機構83安裝於構成安置機構84之支撐臂841。此安置機構84以圖中未示之移動機構使支撐臂841於Y軸方向移動，而可將藉由分離機構83安裝於支撐臂841之第2保持機構8安置於在圖1中安置有第1保持機構3之被加工物搬入搬出位置與可載置後述磊晶基板卡匣9之磊晶基板卡匣載置部9a。可於此磊晶基板卡匣載置部9a載置空磊晶基板卡匣9。
圖中所示之實施形態之雷射加工機1如以上構成，以下就其作動作說明。
於圖3(a)及圖3(b)顯示以上述雷射加工機1加工之光元件晶圓之立體圖及主要部份放大截面圖。
圖3(a)圖及圖3(b)圖所示之光元件晶圓10係於由直徑50mm、厚度600μm之圓板形藍寶石基板構成之磊晶基板11的表面11a以磊晶成長法形成有由n型氮化鎵半導體層121及p型氮化鎵半導體層122構成之光元件層12。此外，於磊晶基板11之表面以磊晶成長法積層由n型氮化鎵半導體層121及p型氮化鎵半導體層122構成之光元件層12之際，於磊晶基板11之表面11a與形成光元件層12之n型氮化鎵半導體層121間形成由氮化鎵(GaN)構成之厚度1μm的緩衝層13。如此構成之光元件晶圓10在圖中所示之實施形態中，光元件層12之厚度形成為10μm。此外，如圖3(a)所示，光元件層12係於以形成格子狀之複數切割道123劃分之複數區域 形成有光元件124。
為如上述將光元件晶圓10之磊晶基板11從光元件層12剝離而轉移至移設基板，乃實施將移設基板接合於光元件層12之表面12a之移設基板接合步驟。即，如圖4(a)及圖4(b)所示，藉由由錫構成之接合金屬層16將由厚度1mm之銅基板構成之移設基板15接合於形成在構成光元件晶圓10之磊晶基板11之表面11a的光元件層12之表面12a。此外，移設基板15可使用鉬(Mo)、矽(Si)等，又，形成接合金屬層16之接合金屬可使用金(Au)、白金(Pt)、鉻(Cr)、銦(In)、鈀(Pd)等。此移設基板接合步驟係於形成在磊晶基板11之表面11a之光元件層12之表面12a或移設基板15之表面15a形成蒸鍍沉積上述接合金屬，形成厚度3μm左右之接合金屬層16，使此接合金屬層16與移設基板15之表面15a或光元件層12之表面12a面對面而壓著，藉此，藉由接合金屬層16將移設基板15之表面15a接合於構成光元件晶圓10之光元件層12之表面12a而形成複合基板100。
如上述於構成光元件晶圓10之光元件層12之表面12a接合有移設基板15之表面15a的複合基板100如圖5所示係將接合於光元件晶圓10之移設基板15側貼附於裝設在環狀框架F之切割帶T的表面(複合基板支撐步驟)。因而，接合有貼附於切割帶T之表面之移設基板15的光元件晶圓10之磊晶基板11之背面11b形成為上側。如此進行，貼附於裝設在環狀框架F之切割膠帶T之表面的複合基板100收容在上述複合基板匣60而可載置於複合基板卡匣台61上。
如上述，收容於載置在複合基板卡匣台61上之複合基板卡匣60之加工前的複合基板100係藉複合基板卡匣台61以圖中未示之升降機構上下移動而安置於搬出位置。接著，被加工物搬出搬入機構70進退作動而將安置於搬出位置之複合基板100搬出至對位機構7。搬出至對位機構7之複合基板100以對位機構7對位於預定位置。然後，業經以對位機構7對位之加工前之複合基板100以搬送機構71之旋繞動作搬送至為構成第1保持機構3之吸附吸盤32之上面的第1保持面上，而被吸引保持於該吸附吸盤32(複合基板保持步驟)。然後，裝設有貼附了複合基板100之切割帶T之環狀框架F可以裝設於第1保持機構3之夾34固定。
當實施上述複合基板保持步驟後，實施雷射光線照射步驟，該雷射光線照射步驟係使圖中未示之加工進給機構作動，將第1保持機構3移動至雷射光線照射機構4之聚光器42所在之雷射光線照射區域，從上述磊晶基板11之背面11b(上面)側將對藍寶石具穿透性且對氮化鎵(GaN)具吸收性之波長之雷射光線照射於緩衝層13，破壞緩衝層13。如圖6(a)所示，此雷射光線照射步驟係將第1保持機構3移動至雷射光線照射機構4之聚光器42所在之雷射光線照射區域，將一端(在圖6(a)中為左端)安置於雷射光線照射機構4之聚光器42之正下方。接著，如圖6(b)所示，將從聚光器42照射之脈衝雷射光線之緩衝層13之上面的點S之點徑設定為30μm。此點徑可為聚光點徑，亦可為散焦之點徑。然後，一面使雷射光線振盪機構41作動，從聚光器42照射脈衝雷 射光線，一面使第1保持機構3於在圖6(a)中以箭號X1所示之方向以預定加工進給速度移動。接著，如圖6(c)所示，當磊晶基板11之另一端(在圖6(c)中為右端)到達雷射光線照射機構4之聚光器42之照射位置後，停止脈衝雷射光線之照射，同時，停止第1保持機構3之移動(雷射光線照射步驟)。對對應於緩衝層13整面之區域實施此雷射光線照射步驟。結果，破壞緩衝層13，而喪失緩衝層13所作之磊晶基板11與光元件層12之結合功能。
上述雷射光線照射步驟之加工條件設定如下。
光源：YAG脈衝雷射
波長：266nm
重複頻率：50kHz
平均輸出：0.12W
脈衝寬度：100ps
點徑：Φ30μm
加工進給速度：600mm/秒
此外，破壞緩衝層13之雷射光線照射步驟亦可一面將聚光器42安置於磊晶基板11之最外周，旋轉第1保持機構3，一面將聚光器42朝中心移動，藉此，將雷射光線照射於緩衝層13整面，破壞緩衝層13，而使緩衝層13所作之磊晶基板11與光元件層12之結合功能喪失。
如上述，當實施破壞緩衝層13之雷射光線照射步驟後，保持有複合基板100之第1保持機構3返回最初吸引保持有複合基板100之位置。接著，使上述安置機構84之圖中 未示之移動機構作動，將第2保持機構8安置於第1保持機構3之正上方，進一步，使由氣缸設備830構成之分離機構83作動，使第2保持機構8下降，如圖7(a)所示，使為構成吸引保持墊81之墊812之下面的第2保持面接觸吸引保持於第1保持機構3之形成複合基板100之磊晶基板11之背面11b的上面。然後，藉使圖中未示之吸引機構作動，將為形成複合基板100之磊晶基板11之背面11b的上面吸引保持於為構成吸引保持墊81之墊812之下面的第2保持面。因而，複合基板100係移設基板15藉由切割帶T吸引保持於第1保持機構3，並且磊晶基板11可吸引保持於第2保持機構8。接著，如圖7(a)所示，使用以將第1保持機構3旋轉驅動之圖中未示之旋轉驅動設備作動，而使第2保持機構8於以箭號3a所示之方向旋動預定角度。結果，藉實施上述雷射光線照射步驟，可進一步破壞使磊晶基板11與光元件層12之結合功能喪失之緩衝層13。因而，用以旋轉驅動第1保持機構3之圖中未示之旋轉驅動設備具有作為使第1保持機構與第2保持機構在與第1保持面及第2保持面平行之面內相對地變位之剝離輔助機構的功能。如此，當破壞緩衝層13後，如圖7(b)所示，使由氣缸設備830構成之分離機構83作動，而使第2保持機構8上升。結果，磊晶基板11在被吸引保持於構成第2保持機構8之吸引保持墊81之墊812的下面之狀態下，從光元件層12剝離，而將光元件層12移設至移設基板15(光元件層轉移步驟)。因而，第1保持機構3、第2保持機構8及分離機構83具有藉剝離形成複合基板100之磊晶基板11而將光元 件層12移設至移設基板15之光元件層之轉移裝置的功能。
如此，由於由第1保持機構3與第2保持機構8及分離機構83構成之光元件層之轉移裝置將形成已實施破壞緩衝層13之雷射光線照射步驟之複合基板100的移設基板15吸引保持於第1保持機構3，同時，以第2保持機構8吸引保持磊晶基板11，使分離機構83作動，而使第2保持機構8於對第1保持機構3背離之方向移動，藉此，喪失緩衝層13所作之磊晶基板11與光元件層12之結合功能，故可易剝離磊晶基板11。又，在圖中所示之實施形態中，由於使分離機構83作動，而使第2保持機構8於對第1保持機構3背離之方向移動前，藉將第1保持機構3旋動預定角度，而進一步破壞緩衝層13，故磊晶基板11之剝離更容易。此外，在圖中所示之實施形態中，顯示了將第1保持機構3旋動預定角度之例，而亦可設藉將第2保持機構8旋動預定角度而使第1保持機構與第2保持機構在與第1保持面及第2保持面平行之面內相對地變位之剝離輔助機構，而將第2保持機構8旋動預定角度。
當實施上述光元件層轉移步驟後，使上述安置機構84之圖中未示之移動機構作動，將第2保持機構8安置於載置於圖1所示之磊晶基板卡匣載置部9a之磊晶基板卡匣9的正上方，進一步，使由氣缸設備830構成之分離機構83作動，而使第2保持機構8下降。然後，藉解除構成第2保持機構8之吸引保持墊81所作之吸引解除，而將保持於吸引保持墊81之磊晶基板11收容於磊晶基板卡匣9。
另一方面，吸引保持有移設了光元件層12之移設基板15之第1保持機構3解除吸引保持，並且解除夾34所作之環狀框架F之固定。接著，使搬送機構71作動，將移設了光元件層12之移設基板15(貼附於裝設在環狀框架F之切割帶T之狀態)搬送至對位機構7。然後，使被加工物搬出搬入機構70作動，而將搬送至對位機構7之移設了光元件層12之移設基板15收納於複合基板卡匣60之預定位置。
3‧‧‧第1保持機構
3a‧‧‧箭號
8‧‧‧第2保持機構
10‧‧‧光元件晶圓
11‧‧‧磊晶基板
12‧‧‧光元件層
15‧‧‧移設基板
81‧‧‧吸引保持墊
82‧‧‧支撐軸部
82a‧‧‧吸引通路
83‧‧‧分離機構
100‧‧‧複合基板
811‧‧‧基台
811a‧‧‧凹部
812‧‧‧墊
831‧‧‧活塞桿
T‧‧‧切割帶

Claims (4)

  1. 一種光元件層之轉移裝置，係將於磊晶基板之表面隔著緩衝層而積層有光元件層的光元件晶圓之光元件層，隔著接合金屬層接合於移設基板而形成複合基板，從磊晶基板之背面側將雷射光線照射於緩衝層而破壞緩衝層後，將磊晶基板剝離，藉此，將光元件層移設至移設基板，其特徵在於包含有：第1保持機構，係具有保持複合基板之移設基板側的第1保持面者；第2保持機構，係具有第2保持面者，該第2保持面係與該第1保持面對向，保持複合基板之磊晶基板側；及分離機構，係使該第1保持機構與該第2保持機構於相對地靠近及背離之方向移動者。
  2. 如申請專利範圍第1項之光元件層之轉移裝置，其包含有剝離輔助機構，該剝離輔助機構係使該第1保持機構與該第2保持機構在與該第1保持面及第2保持面平行之面內相對地變位者。
  3. 一種雷射加工機，係將雷射光線照射於複合基板之緩衝層，以破壞緩衝層者，該複合基板係將於磊晶基板之表面隔著緩衝層而積層有光元件層的光元件晶圓之光元件層，隔著接合金屬層接合於移設基板者，該雷射加工機之特徵在於包含有：第1保持機構，係具有保持複合基板之移設基板側 的第1保持面者；雷射光線照射機構，係將雷射光線照射於保持在該第1保持機構的複合基板之緩衝層者；第2保持機構，係具有第2保持面者，該第2保持面係於該第1保持機構與該第1保持面對向，保持該複合基板之磊晶基板側；及分離機構，係使該第1保持機構與該第2保持機構於相對地靠近及背離之方向移動者。
  4. 如申請專利範圍第3項之雷射加工機，其包含有：複合基板卡匣台，係可載置收容有複合基板之複合基板卡匣者；搬送機構，係將收容於載置在該複合基板卡匣台之複合基板卡匣之複合基板搬送至該第1保持機構者；及安置機構，係將該第2保持機構安置於該第1保持機構之被加工物搬入搬出位置與可載置磊晶基板卡匣之磊晶基板卡匣載置部者。
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