JP2012124358A - 半導体発光装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】回路基板22は上面に白色メッキレジスト16と白色セラミックインク15が積層した白色反射部材25を備えている。白色メッキレジスト16の開口部31にはメッキ層23が形成される。このメッキ層23にバンプ14が接続するようにしてLED素子22がフリップチップ実装されている。白色メッキレジスト16はメッキレジストと反射層を兼ねている。
【選択図】図1
Description
板に半導体発光素子をフリップチップ実装しても、回路基板の高い反射率を維持しながら電極表面を効率よく処理できる半導体発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
前記白色反射部材は少なくとも第1の白色反射層と第2の白色反射層を備え、
該第1の白色反射層に該第2の白色反射層が積層し、
該第1の白色反射層は白色メッキレジストからなり、開口部を有し、
該開口部にメッキ層が形成され、
該メッキ層に前記半導体発光素子の電極が接続する
ことを特徴とする。
前記回路基板となる複数の領域が連結した集合基板であって、該領域には電極が形成されている該集合基板を準備する準備工程と、
該集合基板に白色メッキレジストからなり開口部を有する第1の白色反射層を形成するレジスト工程と、
該開口部にメッキ層を形成するメッキ工程と、
前記第1の白色反射層上に第2の白色反射層を印刷する印刷工程と、
前記半導体発光素子の電極と前記メッキ層が接続するようにして該半導体発光素子をフリップチップ実装する実装工程と、
前記集合基板を前記半導体発光装置に個片化する工程と
を備えることを特徴とする。
キによる電極の表面処理をしたら直ぐに上層の第2の白色反射層を形成できる。
(第1実施形態)
(第2実施形態)
11…樹脂層、
12…サファイア基板、
13…半導体層、
14…バンプ(半導体発光素子の電極)、
15…白色セラミックインク(第2の白色反射層)、
16,46…白色メッキレジスト(第1の白色反射層)、
17、19…電極、
18…スルーホール、
20…板材、
21…LED素子(半導体発光素子)、
22…回路基板、
23,24,43…メッキ層、
25,45…白色反射部材、
30…集合基板、
31…開口部。
Claims (6)
- 回路基板と反射部材と半導体発光素子とを備え、前記回路基板上に前記反射部材を配置し前記半導体発光素子をフリップチップ実装した半導体発光装置において、
前記白色反射部材は少なくとも第1の白色反射層と第2の白色反射層を備え、
該第1の白色反射層に該第2の白色反射層が積層し、
該第1の白色反射層は白色メッキレジストからなり、開口部を有し、
該開口部にメッキ層が形成され、
該メッキ層に前記半導体発光素子の電極が接続する
ことを特徴とする半導体発光装置。 - 前記第2の白色反射層は、硬化するとガラス質となる無機バインダと反射性微粒子を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記回路基板の板材は樹脂であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光装置。
- 回路基板と反射部材と半導体発光素子とを備え、前記回路基板上に前記反射部材を配置し前記半導体発光素子をフリップチップ実装する半導体発光装置の製造方法において、
前記回路基板となる複数の領域が連結した集合基板であって、該領域には電極が形成されている該集合基板を準備する準備工程と、
該集合基板に白色メッキレジストからなり開口部を有する第1の白色反射層を形成するレジスト工程と、
該開口部にメッキ層を形成するメッキ工程と、
前記第1の白色反射層上に第2の白色反射層を印刷する印刷工程と、
前記半導体発光素子の電極と前記メッキ層が接続するようにして該半導体発光素子をフリップチップ実装する実装工程と、
前記集合基板を前記半導体発光装置に個片化する工程と
を備えることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。 - 前記メッキ工程において電解メッキ法を採用することを特徴とする請求項4に記載の半導体発光装置の製造方法。
- 前記印刷工程において硬化するとガラス質となる無機バインダと反射性微粒子を含むペーストを印刷することを特徴とする請求項4又は5に記載の半導体発光装置の製造方法。
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