JP2012124168A5

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Publication number: JP2012124168A5
Application number: JP2012005596A
Authority: JP
Filing date: 2012-01-13
Publication date: 2013-03-14
Anticipated expiration: 2023-09-19

Claims

プラズマによって増強された化学気相蒸着法（ＰＥＣＶＤ）のための装置であって、
プロセスチャンバと、プラズマビーム源（２４）と、モノマーガス（４３）の供給源と、基板（２３）と、を具備し、
前記プラズマビーム源（２４）が、
第１幅（１１０）を有しているとともに、頂部（５）と壁部（１６）とを備えて構成された、放電キャビティ（２６）と；
第１電源（１７）と；
この第１電源（１７）に対して接続された少なくとも１つのカソード電極であるとともに、前記放電キャビティ（２６）内における少なくとも１つのマグネトロン放電領域を支持し得る、少なくとも１つのカソード電極と；
前記放電キャビティ（２６）内にイオン化可能ガス（２７）を導入し得るよう前記放電キャビティ内に配置された導管と；
前記頂部（５）に配置され、かつ、前記コンジットとは異なる開口（１０１）を有して形成された、ノズル（６）であり、前記開口（１０１）が、前記第１幅（１１０）よりも小さな第２幅（１１５）を有し、前記放電キャビティ（２６）からのプラズマ（９）が、前記開口を通して前記プロセスチャンバ内へと進入するようになっている、ノズル（６）と；
を備え、
前記モノマーガス（４３）が、前記プロセスチャンバ内において解放され、
ＰＥＣＶＤコーティングが、前記基板（２３）上に成膜されるようになっていることを特徴とする装置。
請求項１記載の装置において、
前記プラズマビーム源（２４）が、前記基板（２３）の上方に直線状のプラズマ（９）を形成し得るよう長尺形状とされ、
前記基板（２３）が、一様なコーティングを得るために、前記プラズマビーム源（２４）に対して移動されることを特徴とする装置。
請求項１記載の装置において、
前記イオン化可能ガス（２７）が、前記放電キャビティ（２６）内において、前記カソードと前記ノズル（６）との間に注入されることを特徴とする装置。
請求項１記載の装置において、
無磁界ポイント（２５）に隣接した３つの軸方向磁界領域のうちの２つが、前記カソードの表面を通過し、
残りの軸方向磁界領域が、前記ノズル（６）を通過する磁気ミラーを備えていることを特徴とする装置。
請求項１記載の装置において、
前記ノズル（６）が、このノズル（６）がアノードを構成するようにして、前記第１電源（１７）に対して接続されていることを特徴とする装置。
請求項１記載の装置において、
前記ノズル（６）が、電気的に浮遊状態とされていることを特徴とする装置。
請求項１記載の装置において、
前記ノズル（６）が、グラウンドに対して電気的に接続されていることを特徴とする装置。
請求項１記載の装置において、
さらに、第２電源を具備し、
この第２電源が、前記ノズル（６）がアノードを構成するようにして、前記ノズル（６）に対して接続されていることを特徴とする装置。