JP2012115128A - スイッチングモジュール - Google Patents
スイッチングモジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012115128A JP2012115128A JP2011173686A JP2011173686A JP2012115128A JP 2012115128 A JP2012115128 A JP 2012115128A JP 2011173686 A JP2011173686 A JP 2011173686A JP 2011173686 A JP2011173686 A JP 2011173686A JP 2012115128 A JP2012115128 A JP 2012115128A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- snubber circuit
- switching module
- restriction element
- module according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 105
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 96
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 32
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 29
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 25
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims description 24
- 239000012778 molding material Substances 0.000 claims description 9
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 72
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 22
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 8
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 8
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 2
- HEZMWWAKWCSUCB-PHDIDXHHSA-N (3R,4R)-3,4-dihydroxycyclohexa-1,5-diene-1-carboxylic acid Chemical compound O[C@@H]1C=CC(C(O)=O)=C[C@H]1O HEZMWWAKWCSUCB-PHDIDXHHSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
- H05K7/2089—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating for power electronics, e.g. for inverters for controlling motor
- H05K7/209—Heat transfer by conduction from internal heat source to heat radiating structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
- H01L2224/331—Disposition
- H01L2224/3318—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
- H01L2224/33181—On opposite sides of the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/074—Stacked arrangements of non-apertured devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/003—Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
【解決手段】多層基板20には、スイッチング素子Swpを備える半導体チップ22pと、スイッチング素子Swnを備える半導体チップ22nとが埋め込まれている。半導体チップ22pは、ビア導体24p、配線層26pおよびビア導体32pを介してスナバ回路SCに接続され、半導体チップ22nは、ビア導体24n、配線層26nおよびビア導体32nを介してスナバ回路SCに接続される。また、半導体チップ22p,22nは、ビア導体34p,34nを介して配線層36に接続される。これにより、スイッチング素子Swp,Swnの直列接続体とスナバ回路SCとによって構成されるループ回路を小さくすることができる。
【選択図】 図2
Description
以下、本発明にかかるスイッチングモジュールを車載主機としての回転機に接続されたインバータのスイッチングモジュールに適用した第1の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
<第2の実施形態>
以下、第2の実施形態について、先の第1の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。
<第3の実施形態>
以下、第3の実施形態について、先の第1の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。
<第4の実施形態>
以下、第4の実施形態について、先の第1の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。
<第5の実施形態>
以下、第5の実施形態について、先の第3の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。
<第6の実施形態>
以下、第6の実施形態について、先の第1の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。
<第7の実施形態>
以下、第7の実施形態について、先の第6の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。
<第8の実施形態>
以下、第8の実施形態について、先の第1の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。
<第9の実施形態>
以下、第9の実施形態について、先の第8の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。
<第10の実施形態>
以下、第10の実施形態について、先の第8の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。
<その他の実施形態>
なお、上記各実施形態は、以下のように変更して実施してもよい。
これらのなす角としては、上記第1、2の実施形態において例示したように直交するものに限らない。これらが平行となる場合と比較して平行とならない場合の方が、高周波電流による磁束が低周波電流による磁束に及ぼす影響が小さくなるため、ノイズ放射を低減する効果が期待できる。
これらについては、上記第1の実施形態において例示したように、多層基板20の互いに対向する面側に伸びるようにするものに限らない(互いに伸びる方向が180°をなすものに限らない)。例えば、互いに直交する面側に伸びるようにしてもよい。これによっても、これらを多層基板20の同一面側に伸びるようにする場合と比較して、配線Lp,Lnと中間配線Loとの間を流れる電流による磁界の影響を開閉制御端子が受けにくい設定とはなる。
同一層とするものに限らない。ただし、互いに相違する層とする場合、先の図4に示した高周波電流によって生じる磁束がこれら一対の配線間を鎖交し、これら一対の配線の一方から他方へと電流を流そうとする起電力が生じるおそれがある。このため、こうした設定の場合には、これらの配線を、たとえば先の図4に示した配線Lp,Ln,Loに直交して且つこれらにつながる面に直交する面から外部に延ばすなどすることで、上記磁束の密度が小さい領域に配置することが望ましい。特に、この際、一対の配線を先の図4に示す平面において同一座標に配置するなら、低周波電流によって生じる磁束の影響を受けにくくすることができる。
この配線としては、配線層26pおよび導体30pや、配線層26nおよび導体30n、配線層36および導体40を備えて構成されるものに限らない。例えば、これらを一体的に構成してもよい。これは、例えば多層基板20の表面を、配線層26p,26nの表面積と同一に開口させ、ここに導体30p,30nを配置するなどすることで行うことができる。
絶縁体としては、多層基板20に限らない。例えば、図18に例示するように、モールド材等であってもよい。図18において、先の図2に示した部材に対応する部材については、便宜上同一の符号を付している。
上記第8の実施形態や上記第10の実施形態において、抵抗体18aをパワーモジュールPMに対して外付けしてもよい。ちなみに、抵抗体18bは、抵抗体18aと比較して抵抗値が小さく(たとえば10分の1以下)、そのサイズも小さいため、これのみをパワーモジュールPM内に設ける場合には、双方をパワーモジュールPM内に設ける場合と比較して、発熱体としての抵抗体を放熱性の高い場所に配置することが容易となる。
個別スナバ回路SCsとしても、コンデンサ16sおよび抵抗体18sの直列接続体に限らず、たとえばダイオードをさらに備えてもよい。また、たとえば先の図13、図15および図16に示した回路としてもよい。
これらスイッチング素子Swp,Swnとしては、フリーホイールダイオードとは別の基板上に形成されたIGBTに限らない。例えばフリーホイールダイオードが基板上に併設されたIGBTであってもよい。
これらスイッチング素子としては、車載主機と高電圧バッテリとの間で電力の授受を仲介する電力変換回路を構成するものに限らない。例えば、高電圧バッテリ12の電力を車載空調装置のコンプレッサに供給する電力変換回路を構成するものであってもよい。また、高電圧バッテリ12の電圧を降圧して低電圧バッテリに出力するDCDCコンバータを構成するものであってもよい。
・上記第6、第7の実施形態においても、上記第1の実施形態同様、導体30p,30n,40や、放熱体44,48を備えてもよい。
Claims (30)
- 電流の流通経路を開閉する機能である開閉機能を有する第1流通規制要素、ならびに電流の流通方向を規制する機能である整流機能および前記開閉機能の少なくとも一方を有する第2流通規制要素の直列接続体と、
該直列接続体に並列接続されるスナバ回路とを備え、
前記第1流通規制要素および前記スナバ回路間を接続する第1配線と、前記第2流通規制要素および前記スナバ回路間を接続する第2配線と、前記第1流通規制要素および前記第2流通規制要素間を接続する第3配線と、前記第1流通規制要素と、前記第2流通規制要素と、スナバ回路とが、絶縁体を用いて実質的に一体に形成されていることを特徴とするスイッチングモジュール。 - 電流の流通経路を開閉する機能である開閉機能を有する第1流通規制要素、ならびに電流の流通方向を規制する機能である整流機能および前記開閉機能の少なくとも一方を有する第2流通規制要素の直列接続体と、
該直列接続体に並列接続されるスナバ回路とを備え、
前記第1流通規制要素および前記スナバ回路間を接続する第1配線と、前記第2流通規制要素および前記スナバ回路間を接続する第2配線と、前記第1流通規制要素および前記第2流通規制要素間を接続する第3配線とが、前記第1流通規制要素および前記第2流通規制要素の埋め込まれた絶縁体に接触するようにして形成されていることを特徴とするスイッチングモジュール。 - 前記第1流通規制要素を構成する半導体チップと、前記第2流通規制要素を構成する半導体チップとは、互いに対向するようにして配置されており、
前記絶縁体のうちの前記半導体チップ同士の対向面に隣接した前記半導体チップの互いに対向する一対の面の一方の側には、前記第1配線および前記第2配線が形成され、前記一対の面の他方の側には、前記第3配線が形成されていることを特徴とする請求項1または2記載のスイッチングモジュール。 - 前記第1流通規制要素を構成する半導体チップと、前記第2流通規制要素を構成する半導体チップとが縦型デバイスであり、
前記半導体チップの前記互いに対向する面は、前記第1流通規制要素および前記第2流通規制要素のそれぞれの電流の流通経路の両端部であることを特徴とする請求項3記載のスイッチングモジュール。 - 前記第1流通規制要素および前記第2流通規制要素は、いずれもスイッチング素子およびこれに逆並列接続されるフリーホイールダイオードからなることを特徴とする請求項3または4記載のスイッチングモジュール。
- 前記第1配線と前記第2配線とは、前記半導体のチップ面積よりも表面積が大きいことを特徴とする請求項4または5記載のスイッチングモジュール。
- 前記第3配線は、前記第1流通規制要素を構成する半導体および前記第2流通規制要素を構成する半導体のチップ面積の合計よりも表面積が大きいことを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項に記載のスイッチングモジュール。
- 前記第1配線と前記第2配線との高さが、前記スナバ回路を構成する素子の高さ以上に設定されていることを特徴とする請求項4〜7のいずれか1項に記載のスイッチングモジュール。
- 前記第1配線と、前記第2配線とは、絶縁膜によって覆われて且つ、
該絶縁膜のうち前記配線に対向する面の裏面には、放熱体が設けられていることを特徴とする請求項4〜8のいずれか1項に記載のスイッチングモジュール。 - 前記第3配線は、絶縁膜によって覆われて且つ、
該絶縁膜のうち前記配線に対向する面の裏面には、放熱体が設けられていることを特徴とする請求項4〜9のいずれか1項に記載のスイッチングモジュール。 - 前記第1配線と、前記第2配線とが、高電位側のバスバおよび低電位側のバスバに割り振られてそれぞれ接続されて且つ、前記第3配線が接続点側のバスバに接続され、
前記スナバ回路、前記第1流通規制要素および前記第2流通規制要素によって構成されるループ回路を流れる電流によって生成される磁束と、前記第1配線および前記第3配線間を流れる電流によって生成される磁束ならびに前記第2配線および前記第3配線間を流れる電流によって生成される磁束とが、平行にならないことを特徴とする請求項4〜10のいずれか1項に記載のスイッチングモジュール。 - 前記第1流通規制要素は、前記流通経路を開閉するための指令が入力される開閉制御端子を備え、
前記第1配線、前記第2配線および前記第3配線が前記絶縁体の外側に伸びる方向と、前記開閉制御端子に接続される配線が前記絶縁体の外側に伸びる方向とが鈍角をなすことを特徴とする請求項11記載のスイッチングモジュール。 - 前記第1流通規制要素は、その動作の基準電位を定めるための基準電位端子をさらに備え、
前記開閉制御端子に接続される配線および前記基準電位端子に接続される配線が同一層に形成されていることを特徴とする請求項12記載のスイッチングモジュール。 - 前記絶縁体は、多層基板であり、
前記第1流通規制要素を構成する半導体チップと、前記第2流通規制要素を構成する半導体チップとが、前記多層基板の同一層に配置されていることを特徴とする請求項4〜13のいずれか1項に記載のスイッチングモジュール。 - 前記絶縁体は、多層基板であり、
前記第1流通規制要素は、前記流通経路を開閉するための指令が入力される開閉制御端子を備え、
前記開閉制御端子に接続される配線は、前記多層基板の配線を備えることを特徴とする請求項1〜14のいずれか1項に記載のスイッチングモジュール。 - 前記絶縁体は、多層基板であり、
前記第1配線、前記第2配線および前記第3配線は、前記多層基板の配線を備えることを特徴とする請求項1〜15のいずれか1項に記載のスイッチングモジュール。 - 前記多層基板の側面は、モールド材によって覆われていることを特徴とする請求項14〜16のいずれか1項に記載のスイッチングモジュール。
- 前記絶縁体は、前記第1流通規制要素および前記第2流通規制要素を覆うモールド材であることを特徴とする請求項1〜13のいずれか1項に記載のスイッチングモジュール。
- 前記スナバ回路は、前記直列接続体に並列接続されたコンデンサと、該コンデンサの充電経路を構成する整流手段とを備え、
前記整流手段には、前記充電経路よりもインピーダンスが大きい前記コンデンサの放電経路が並列接続されていることを特徴とする請求項1〜18のいずれか1項に記載のスイッチングモジュール。 - 前記整流手段は、前記第1配線に接続されるバスバの寄生インダクタンスと前記コンデンサの静電容量に応じた共振周波数から定まる前記コンデンサの充電速度よりも実際の充電速度を大きくするオン抵抗設定がなされていることを特徴とする請求項19記載のスイッチングモジュール。
- 前記充電経路には、抵抗体が設けられていることを特徴とする請求項19記載のスイッチングモジュール。
- 前記放電経路は、抵抗体を備え、
前記充電経路の抵抗体は、前記放電経路の抵抗体の一部となることを特徴とする請求項20記載のスイッチングモジュール。 - 前記スナバ回路は、前記直列接続体に並列接続されたコンデンサからなることを特徴とする請求項1〜18のいずれか1項に記載のスイッチングモジュール。
- 前記スナバ回路は、前記直列接続体に並列接続されたコンデンサおよび抵抗体の直列接続体からなることを特徴とする請求項1〜18のいずれか1項に記載のスイッチングモジュール。
- 前記スナバ回路は、前記直列接続体に並列接続されたコンデンサおよび抵抗体の直列接続体と、これらに並列接続されたコンデンサとからなることを特徴とする請求項1〜18のいずれか1項に記載のスイッチングモジュール。
- 前記第1流通規制要素と前記第2流通規制要素との直列接続体は、該直列接続体に並列接続されたコンデンサおよび抵抗体の直列接続体と、これらに並列接続されたコンデンサとからなるスナバ回路が並列接続されるものであり、
当該スイッチングモジュールは、前記コンデンサおよび前記抵抗体の直列接続体に並列接続されたコンデンサのみを備えることを特徴とする請求項1〜18のいずれか1項に記載のスイッチングモジュール。 - 前記スナバ回路は、互いに並列接続された複数のコンデンサを備えることを特徴とする請求項1〜26のいずれか1項に記載のスイッチングモジュール。
- 前記第1流通規制要素の両端に接続される個別スナバ回路および前記第2流通規制要素の両端に接続される個別スナバ回路の少なくとも一方を備え、
前記個別スナバ回路と前記流通規制要素とを接続する配線が前記絶縁体に接触して形成されていることを特徴とする請求項1〜27のいずれか1項に記載のスイッチングモジュール。 - 前記個別スナバ回路は、抵抗体およびコンデンサの直列接続体からなることを特徴とする請求項28記載のスイッチングモジュール。
- 前記個別スナバ回路は、互いに並列接続された複数のコンデンサを備えることを特徴とする請求項28または29記載のスイッチングモジュール。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011173686A JP5447453B2 (ja) | 2010-11-03 | 2011-08-09 | スイッチングモジュール |
US13/287,246 US8705257B2 (en) | 2010-11-03 | 2011-11-02 | Switching module including a snubber circuit connected in parallel to a series-connected unit of flowing restriction elements |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010246926 | 2010-11-03 | ||
JP2010246926 | 2010-11-03 | ||
JP2011173686A JP5447453B2 (ja) | 2010-11-03 | 2011-08-09 | スイッチングモジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012115128A true JP2012115128A (ja) | 2012-06-14 |
JP5447453B2 JP5447453B2 (ja) | 2014-03-19 |
Family
ID=45996609
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011173686A Active JP5447453B2 (ja) | 2010-11-03 | 2011-08-09 | スイッチングモジュール |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8705257B2 (ja) |
JP (1) | JP5447453B2 (ja) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013162019A (ja) * | 2012-02-07 | 2013-08-19 | Toyota Motor Corp | 半導体モジュール |
JP2014068428A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | 電力変換装置 |
JP2014067897A (ja) * | 2012-09-26 | 2014-04-17 | Hitachi Automotive Systems Ltd | パワー半導体モジュール |
JP2014072385A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
JP2014176225A (ja) * | 2013-03-11 | 2014-09-22 | Jtekt Corp | 駆動回路装置 |
JP2014176237A (ja) * | 2013-03-11 | 2014-09-22 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 電力変換装置 |
JP2014187145A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Toyota Motor Corp | 半導体モジュール及びその製造方法 |
US9214459B2 (en) | 2013-11-29 | 2015-12-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
WO2016067835A1 (ja) * | 2014-10-30 | 2016-05-06 | ローム株式会社 | パワーモジュールおよびパワー回路 |
JP2017055614A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置、インバータ回路、及び、駆動装置 |
JPWO2018012122A1 (ja) * | 2016-07-11 | 2018-10-18 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及び振動抑制装置 |
JP2020004929A (ja) * | 2018-07-02 | 2020-01-09 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2020167748A (ja) * | 2018-02-25 | 2020-10-08 | 新電元工業株式会社 | パワーモジュール、スイッチング電源及びパワーコントロールユニット |
JP2021163817A (ja) * | 2020-03-31 | 2021-10-11 | 愛三工業株式会社 | 電子基板 |
JP7509078B2 (ja) | 2021-04-23 | 2024-07-02 | 株式会社デンソー | 半導体モジュール |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5168603B2 (ja) * | 2010-01-26 | 2013-03-21 | 株式会社デンソー | スイッチング装置 |
JP5853368B2 (ja) * | 2011-01-13 | 2016-02-09 | 富士通株式会社 | Dc−dcコンバータ、電源装置、及び情報処理装置 |
JP5298152B2 (ja) * | 2011-03-07 | 2013-09-25 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置及び鉄道車両用の電力変換装置 |
US20140118954A1 (en) * | 2011-06-28 | 2014-05-01 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | Electronic device with heat-dissipating structure |
CN104054245B (zh) * | 2012-03-05 | 2017-10-03 | 富士电机株式会社 | 功率转换装置 |
US9655265B2 (en) * | 2014-05-26 | 2017-05-16 | Infineon Technologies Ag | Electronic module |
CN106489203B (zh) | 2014-07-03 | 2018-09-18 | 日产自动车株式会社 | 半桥式功率半导体模块及其制造方法 |
CN107155372B (zh) * | 2014-11-28 | 2019-10-01 | 日产自动车株式会社 | 半桥功率半导体模块及其制造方法 |
JP6480856B2 (ja) * | 2015-12-14 | 2019-03-13 | 株式会社東芝 | 半導体モジュール |
US10403601B2 (en) * | 2016-06-17 | 2019-09-03 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor package and related methods |
JP6604926B2 (ja) * | 2016-09-27 | 2019-11-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュール |
US11476179B2 (en) | 2016-10-25 | 2022-10-18 | Tesla, Inc. | Inverter |
DE102016224472A1 (de) * | 2016-12-08 | 2018-06-14 | Audi Ag | Stromrichtereinrichtung für ein Kraftfahrzeug und Kraftfahrzeug |
US10652997B2 (en) * | 2018-02-23 | 2020-05-12 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Switching power supply device |
JP7215194B2 (ja) * | 2019-01-30 | 2023-01-31 | 富士電機株式会社 | スナバ装置および電力変換装置 |
DE112019006795T5 (de) * | 2019-02-01 | 2021-11-11 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleiterbauelement und leistungswandlervorrichtung |
US10741313B1 (en) | 2019-02-06 | 2020-08-11 | Eaton Intelligent Power Limited | Bus bar assembly with integrated surge arrestor |
DE112020003000T5 (de) * | 2019-07-24 | 2022-03-10 | Hitachi Astemo, Ltd. | Elektrische Schaltungsvorrichtung |
EP3800659A1 (en) | 2019-10-02 | 2021-04-07 | Infineon Technologies Austria AG | Multiphase inverter apparatus |
US11533012B2 (en) * | 2019-10-07 | 2022-12-20 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | High-density integrated power control assemblies having shared cooling system with a motor |
US11350519B2 (en) | 2020-01-22 | 2022-05-31 | Delta Electronics (Shanghai) Co., Ltd. | Power module |
EP3855872A1 (en) | 2020-01-22 | 2021-07-28 | Delta Electronics (Shanghai) Co., Ltd. | Carrier board comprising a metal block |
DE102020127640B4 (de) | 2020-07-10 | 2024-05-08 | X-FAB Global Services GmbH | Halbleiterbauelement für Leistungselektronikanwendungen und Verfahren zum Betrieb eines Leistungsmoduls |
WO2022073717A1 (en) * | 2020-10-05 | 2022-04-14 | Valeo Siemens Eautomotive Germany Gmbh | Electrical system with an electrical power module and a dc link capacitor and method for manufacturing such an electrical system |
DE102021203996A1 (de) * | 2021-04-21 | 2022-10-27 | Siemens Mobility GmbH | Schaltungsanordnung für einen Stromrichter |
US20240227581A1 (en) * | 2023-01-11 | 2024-07-11 | Ford Global Technologies, Llc | Contained package for automotive inverter and y-snubber components |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03253265A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-12 | Matsushita Electric Works Ltd | インバータ装置 |
JPH077924A (ja) * | 1993-04-22 | 1995-01-10 | Fuji Electric Co Ltd | スナバユニット |
JP2001308263A (ja) * | 2000-04-19 | 2001-11-02 | Denso Corp | 半導体スイッチングモジュ−ル及びそれを用いた半導体装置 |
JP2002119055A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-19 | Sanken Electric Co Ltd | Dc−dcコンバータ |
JP2003017859A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Denso Corp | プリント基板の製造方法およびその製造方法によって形成されるプリント基板 |
JP2004193476A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2004524796A (ja) * | 2001-04-11 | 2004-08-12 | エービービー エービー | コンバータ |
JP2010205960A (ja) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Denso Corp | 半導体モジュール |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3366192B2 (ja) | 1995-09-08 | 2003-01-14 | 株式会社日立製作所 | 配線基板及びそれを用いた電力変換装置 |
US6232151B1 (en) | 1999-11-01 | 2001-05-15 | General Electric Company | Power electronic module packaging |
US6272024B2 (en) | 1999-12-27 | 2001-08-07 | Sanken Electric Co., Ltd. | D.c.-to-d.c. converter having an improved surge suppressor |
EP2234154B1 (en) | 2000-04-19 | 2016-03-30 | Denso Corporation | Coolant cooled type semiconductor device |
JP2002141464A (ja) | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Meidensha Corp | モジュール |
MXPA02005829A (es) | 2001-06-13 | 2004-12-13 | Denso Corp | Tablero de cableados impresos con dispositivo electrico incrustado y metodo para la manufactura de tablero de cableados impresos con dispositivo electrico incrustado. |
JP4009901B2 (ja) | 2002-05-31 | 2007-11-21 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 電力変換回路 |
US7361844B2 (en) | 2002-11-25 | 2008-04-22 | Vlt, Inc. | Power converter package and thermal management |
JP3747931B2 (ja) | 2003-11-04 | 2006-02-22 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 半導体装置 |
JP4491244B2 (ja) | 2004-01-07 | 2010-06-30 | 三菱電機株式会社 | 電力半導体装置 |
JP4455914B2 (ja) | 2004-03-31 | 2010-04-21 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
EP1805880A2 (en) * | 2004-10-20 | 2007-07-11 | Ballard Power Systems Corporation | Power system method and apparatus |
DE102006017487A1 (de) * | 2006-04-13 | 2007-10-18 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Integriertes Beschaltungsbauelement auf Halbleiterbasis zur Schaltentlastung, Spannungsbegrenzung bzw. Schwingungsdämpfung |
WO2008018332A1 (fr) * | 2006-08-09 | 2008-02-14 | Honda Motor Co., Ltd. | Dispositif à semi-conducteurs |
JP5407667B2 (ja) | 2008-11-05 | 2014-02-05 | 株式会社村田製作所 | 半導体装置 |
JP5200975B2 (ja) | 2009-02-06 | 2013-06-05 | 株式会社デンソー | 電力変換回路の電流検出装置 |
JP5168603B2 (ja) | 2010-01-26 | 2013-03-21 | 株式会社デンソー | スイッチング装置 |
-
2011
- 2011-08-09 JP JP2011173686A patent/JP5447453B2/ja active Active
- 2011-11-02 US US13/287,246 patent/US8705257B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03253265A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-12 | Matsushita Electric Works Ltd | インバータ装置 |
JPH077924A (ja) * | 1993-04-22 | 1995-01-10 | Fuji Electric Co Ltd | スナバユニット |
JP2001308263A (ja) * | 2000-04-19 | 2001-11-02 | Denso Corp | 半導体スイッチングモジュ−ル及びそれを用いた半導体装置 |
JP2002119055A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-19 | Sanken Electric Co Ltd | Dc−dcコンバータ |
JP2004524796A (ja) * | 2001-04-11 | 2004-08-12 | エービービー エービー | コンバータ |
JP2003017859A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Denso Corp | プリント基板の製造方法およびその製造方法によって形成されるプリント基板 |
JP2004193476A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2010205960A (ja) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Denso Corp | 半導体モジュール |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013162019A (ja) * | 2012-02-07 | 2013-08-19 | Toyota Motor Corp | 半導体モジュール |
JP2014068428A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | 電力変換装置 |
JP2014067897A (ja) * | 2012-09-26 | 2014-04-17 | Hitachi Automotive Systems Ltd | パワー半導体モジュール |
JP2014072385A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
JP2014176225A (ja) * | 2013-03-11 | 2014-09-22 | Jtekt Corp | 駆動回路装置 |
JP2014176237A (ja) * | 2013-03-11 | 2014-09-22 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 電力変換装置 |
JP2014187145A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Toyota Motor Corp | 半導体モジュール及びその製造方法 |
US9214459B2 (en) | 2013-11-29 | 2015-12-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
JPWO2016067835A1 (ja) * | 2014-10-30 | 2017-09-14 | ローム株式会社 | パワーモジュールおよびパワー回路 |
WO2016067835A1 (ja) * | 2014-10-30 | 2016-05-06 | ローム株式会社 | パワーモジュールおよびパワー回路 |
US10418895B2 (en) | 2014-10-30 | 2019-09-17 | Rohm Co., Ltd. | Power module and power circuit |
JP2017055614A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置、インバータ回路、及び、駆動装置 |
JPWO2018012122A1 (ja) * | 2016-07-11 | 2018-10-18 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及び振動抑制装置 |
JP2020167748A (ja) * | 2018-02-25 | 2020-10-08 | 新電元工業株式会社 | パワーモジュール、スイッチング電源及びパワーコントロールユニット |
JP7312561B2 (ja) | 2018-02-25 | 2023-07-21 | 新電元工業株式会社 | パワーモジュール、スイッチング電源及びパワーコントロールユニット |
JP2020004929A (ja) * | 2018-07-02 | 2020-01-09 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP7183591B2 (ja) | 2018-07-02 | 2022-12-06 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2021163817A (ja) * | 2020-03-31 | 2021-10-11 | 愛三工業株式会社 | 電子基板 |
JP7475925B2 (ja) | 2020-03-31 | 2024-04-30 | 愛三工業株式会社 | 電子基板 |
JP7509078B2 (ja) | 2021-04-23 | 2024-07-02 | 株式会社デンソー | 半導体モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120106220A1 (en) | 2012-05-03 |
JP5447453B2 (ja) | 2014-03-19 |
US8705257B2 (en) | 2014-04-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5447453B2 (ja) | スイッチングモジュール | |
JP5218541B2 (ja) | スイッチングモジュール | |
US10778113B2 (en) | Intelligent power module, electric vehicle, and hybrid car | |
CN103782380B (zh) | 半导体模块 | |
US10283488B2 (en) | Semiconductor module | |
JP5269259B2 (ja) | 電力変換装置 | |
US10084388B2 (en) | Power conversion device | |
US20200288562A1 (en) | Electronic circuit device | |
US10811958B2 (en) | Water-cooling power supply module | |
US20140077354A1 (en) | Semiconductor module and an inverter mounting said semiconductor module | |
CN108964480B (zh) | 电力转换器 | |
WO2015072060A1 (ja) | バスバー、およびそれを用いた電力変換装置 | |
JP2012105419A (ja) | 電力変換装置 | |
CN116325135A (zh) | 半导体封装、半导体装置以及电力变换装置 | |
US10454385B2 (en) | Power conversion device | |
JP6498370B2 (ja) | 電力変換装置 | |
CN110911357A (zh) | 智能功率模块及空调器 | |
JP5851666B1 (ja) | 電力変換装置 | |
CN221127134U (zh) | 半桥功率单元、全桥功率单元、电子设备及车辆 | |
WO2022107439A1 (ja) | パワー半導体モジュール | |
JP2023183298A (ja) | 電力変換装置 | |
JP2024101332A (ja) | 電力変換装置 | |
JP2024101333A (ja) | 電力変換装置 | |
CN114144965A (zh) | 电路装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130515 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130521 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130716 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131216 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5447453 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |