CN108964480B - 电力转换器 - Google Patents

电力转换器 Download PDF

Info

Publication number
CN108964480B
CN108964480B CN201810410270.8A CN201810410270A CN108964480B CN 108964480 B CN108964480 B CN 108964480B CN 201810410270 A CN201810410270 A CN 201810410270A CN 108964480 B CN108964480 B CN 108964480B
Authority
CN
China
Prior art keywords
heat sink
conductive plate
midpoint
power converter
electrode conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201810410270.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108964480A (zh
Inventor
木田喜启
鸟居薰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyota Motor Corp
Original Assignee
Toyota Motor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyota Motor Corp filed Critical Toyota Motor Corp
Publication of CN108964480A publication Critical patent/CN108964480A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108964480B publication Critical patent/CN108964480B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3677—Wire-like or pin-like cooling fins or heat sinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/10—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M3/125—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means
    • H02M3/135—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means using semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
    • H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/11—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/115—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02K—DYNAMO-ELECTRIC MACHINES
    • H02K7/00—Arrangements for handling mechanical energy structurally associated with dynamo-electric machines, e.g. structural association with mechanical driving motors or auxiliary dynamo-electric machines
    • H02K7/003—Couplings; Details of shafts
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/003—Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
    • H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/2089—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating for power electronics, e.g. for inverters for controlling motor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/2089—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating for power electronics, e.g. for inverters for controlling motor
    • H05K7/20909—Forced ventilation, e.g. on heat dissipaters coupled to components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/12—Arrangements for reducing harmonics from ac input or output
    • H02M1/123—Suppression of common mode voltage or current

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

一种电力转换器，包括：两个开关元件、正电极传导板、负电极传导板、中点传导板、第一散热器和第二散热器。正电极传导板连接至两个开关元件的串联连接的高电位端子，并且负电极传导板连接至串联连接的低电位端子。中点传导板连接至串联连接的中点。第一散热器面向与其之间***有第一隔离层的正电极传导板和负电极传导板，并且连接至接地端子。第二散热器面向与其之间***有第二隔离层的中点传导板，并且与接地端子隔离。

Description

电力转换器
技术领域
本说明书公开了电力转换器。具体地，本说明书公开了包括散热器以冷却两个开关元件的串联连接和这些开关元件的电力转换器。
背景技术
大多数电力转换器例如双向DC-DC转换器和逆变器包括串联连接，串联连接中的每一个包括两个开关元件。例如，三相AC逆变器设置有包括并联连接的三组串联连接的电路，每组包括两个开关元件。开关元件的示例通常可以包括晶体管，例如绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。
由于开关元件的开关操作而生成噪声。由于开关操作引起的电压波动在串联连接的中点处变得比在其高电位端子和低电位端子处更大。由于串联连接的中点处的电压转换而生成的噪声可能影响其他设备。
共模噪声来源于由于中点处的电压波动而生成、传播通过包括电力转换器的***的接地端子并且然后返回至开关元件的噪声；并且如果共模噪声的传播路径长，则共模噪声变成辐射噪声，并且影响其他设备。为了便于说明，在下文中，表述“共模噪声”用于表示由于串联连接的中点处的电压波动而生成并且经由接地传播的噪声。
同时，由于电力转换器的开关元件发出大量热量，因此许多电力转换器包括散热器。连接至开关元件的传导板具有优异的导热性，并且因此散热器可以被布置成面向与其之间***有隔离层的传导板。具有高导热性的材料例如铜被用于散热器，并且这样的材料通常是导电材料。因此，被布置成其间***有隔离层的传导板和散热器构成电容器。这样的电容器被称为杂散电容(stray capacitance)。通过将导电散热器连接至接地端子，共模噪声可以传播通过电力转换器的外壳和上面的杂散电容以返回到开关元件。作为结果，共模噪声的路径变得较小，以从而减小辐射噪声。
日本专利申请公布第2008-294216号还公开了一种减小共模噪声的技术。该技术如下。三个传导板(铜图案)面向与其之间***有隔离板的由铜制成的散热器(冷却板)。散热器连接至接地端子。两个开关元件的串联连接的高电位端子连接至第一传导板，并且串联连接的低电位端子连接至第二传导板。串联连接的中点连接至第三传导板。隔离层仅在与第三传导板相对应的位置处具有较大的厚度。因此，第三传导板与散热器之间的杂散电容，即中点与接地之间的杂散电容变得较小。作为结果，抑制了传送至接地端子的共模噪声。
发明内容
在JP2008-294216A的电力转换器中，第三传导板与散热器之间的距离变大并且牺牲了冷却性能。在本说明书中，提供了与JP2008-294216A 的技术相比降低了共模噪声而不牺牲冷却性能的技术。
本发明的方面提供了一种电力转换器，该电力转换器包括串联连接的两个开关元件、正电极传导板、负电极传导板、中点传导板、第一散热器和第二散热器。正电极传导板连接至两个开关元件的串联连接的高电位端子。负电极传导板连接至两个开关元件的串联连接的低电位端子。中点传导板连接至两个开关元件的串联连接的中点。第一散热器具有导电性。第一散热器面向正电极传导板，其中第一隔离层***在第一散热器与正电极传导板之间。第一散热器面向负电极传导板，其中第一隔离层***在第一散热器与负电极传导板之间。第一散热器连接至保持在接地电位的接地端子。第二散热器具有导电性。第二散热器面向中点传导板，其中第二隔离层***在第二散热器与中点传导板之间。第二散热器与接地端子隔离。在电力转换器中，面向中点传导板的第二散热器与接地端子隔离，以从而减小从中点传导板传播至接地端子的共模噪声。因此，不需要增加布置在中点传导板与第二散热器之间的第二隔离层的厚度，并且因此抑制了冷却性能极大劣化。此处，第一隔离层和第二隔离层可以是共用的单个隔离层。
在以上电力转换器中，第一散热器和第二散热器可以彼此耦接，其中隔离构件***在第一散热器与第二散热器之间。此时，在其间***有隔离构件的第一散热器与第二散热器之间生成杂散电容。同时，还在其间***有第二隔离层的中点传导板与第二散热器之间生成杂散电容。还在其间***有第一隔离层的正电极传导板与第一散热器之间生成杂散电容，并且还在其间***有第一隔离层的负电极传导板与第一散热器之间生成杂散电容。从中点传导板生成的噪声传播通过第二散热器、第一散热器和正电极传导板(或负电极传导板)，并且然后返回至开关元件。在此期间，噪声传播通过三个杂散电容，并且噪声因此衰减。
在以上电力转换器中，可以在第一散热器与第二散热器之间布置制冷剂流动通道。
在以上电力转换器中，第一散热器可以被布置成围绕两个开关元件、第一隔离层、正电极传导板、负电极传导板、中点传导板、第二隔离层、第二散热器以及隔离构件。第二散热器可以面向第一散热器，其中隔离构件***在第二散热器与第一散热器之间。
附图说明
下面将参照附图来描述本发明的示例性实施方式的特征、优点以及技术和工业意义，其中，相同的附图标记表示相同的要素，并且在附图中：
图1是第一实施方式的电力转换器的等效电路图；
图2是第一实施方式的电力转换器的剖视图；
图3是第二实施方式的电力转换器的剖视图；
图4是第三实施方式的电力转换器的剖视图；
图5是第四实施方式的电力转换器的剖视图；以及
图6是第五实施方式的电力转换器的剖视图。
具体实施方式
第一实施方式
参照图1和图2，将描述第一实施方式的电力转换器。图1是包括***设备的电力转换器2的等效电路图。图2是电力转换器2的剖面图。电力转换器2是将直流(DC)电力转换成交流(AC)电力的逆变器。电力转换器2输出三相交流电流，但是图1和图2仅示出用于通过一相的交流电流的结构(电路)，并且省略了用于通过另外两相的交流电流的结构(电路)的图示。用于通过另外两相的交流电流的结构中的每个结构具有与用于通过图1和图2所示的一相的交流电流的结构(电路)相同的结构。
将参照图1利用电力转换器2的等效电路开始描述。电力转换器2包括两个开关元件6、7和两个续流二极管(freewheeling diode)8、9。开关元件6、7是例如绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。两个开关元件6、7串联连接。续流二极管8与开关元件6反向并联连接，并且续流二极管9与开关元件7反向并联连接。DC电源21连接至两个开关元件6、7的串联连接10的高电位端子3以及低电位端子4。平滑电容器22与高电位端子3 并且与低电位端子4并联连接。负载23连接至两个开关元件6、7的串联连接10的中点5并且连接至低电位端子4。负载23是通过AC电力操作的设备，例如电动马达。将负载23连接至中点5的线缆被称为输出线缆25。
通过开关元件6、7的适当的开关操作，从中点5输出交流电流。电力转换器2还包括另外两组串联连接，其各自具有与开关元件6、7的串联连接10的结构相同的结构，并且这些组与DC电源21并联连接，但是省略了其图示。交流电流从总共三组串联连接的各个中点输出。从三组串联连接分别输出的三种类型的交流电流彼此相位移动120°，并且这些交流电流作为三相交流电流被供应至负载23。
图1中的附图标记24指示接地端子。由虚线图示的电容器50a、50b、 50c、50d指示在电力转换器2中生成的杂散电容。由虚线图示的电容器 51表示在负载23与接地端子24之间生成的杂散电容，并且电容器52指示在DC电源与接地端子24之间生成的杂散电容。在下文中，将电容器 50a至50d、51、52分别称为杂散电容50a至50d、51、52。杂散电容是由于电子装备(电子部件)的物理结构而生成的电容分量，并且是电路设计者不期望的电容分量。杂散电容也被称为寄生电容。
图1中的附图标记18和19表示对半导体芯片进行散热的散热器，该半导体芯片在其中容纳开关元件6、7和续流二极管8、9。接下来，参照图2，将描述包括散热器(第一散热器18、第二散热器19)和以上描述的电容器50a至50d的电力转换器2的物理结构。等效电路图(图1)中的开关元件6和续流二极管8被并入在半导体芯片16中。在半导体芯片 16内部，开关元件6和续流二极管8彼此反向并联连接。半导体芯片16 是扁平型的，开关元件6的集电极电极6a被设置在半导体芯片16的一个表面(图2中的底表面)上，并且开关元件6的发射极电极6b被设置在半导体芯片16的另一表面(图2中的顶表面)上。等效电路图(图1) 中的开关元件7和续流二极管9被并入在半导体芯片17中。在半导体芯片17内部，开关元件7和续流二极管9彼此反向并联连接。半导体芯片 17是扁平型的，开关元件7的集电极电极7a被设置在半导体芯片17的一个表面(图2中的顶表面)上，并且开关元件7的发射极电极7b被设置在半导体芯片17的另一表面(图2中的底表面)上。在图2中，半导体芯片16、17的内部结构的图示被省略，并且它们被简单地填上阴影线。
正电极传导板13被接合至半导体芯片16的暴露其集电极电极6a的底表面。集电极电极6a和正电极传导板13彼此电连接。负电极传导板14 被接合至半导体芯片17的暴露发射极电极7b的底表面。发射极电极7b 和负电极传导板14彼此电连接。正电极传导板13和负电极传导板14由第一散热器18支承，其间***有隔离层31。换言之，正电极传导板13 和负电极传导板14面向第一散热器18，其间***有隔离层31。
第一散热器18设置有通孔18a。隔离构件32被设置在通孔18a的内周上，并且第二散热器19布置在隔离构件32的内部。第二散热器19与第一散热器18隔离。中点传导板15由第二散热器19支承，其间***有隔离层31。换言之，中点传导板15面向第二散热器19，其间***有隔离层31。半导体芯片16的发射极电极6b和半导体芯片17的集电极电极7a 经由线束(wire harness)33电连接至中点传导板15。
中点传导板15是两个半导体芯片16、17(两个开关元件6、7)的串联连接的中点5的一个示例。连接至半导体芯片16(开关元件6)的集电极电极6a的正电极传导板13是串联连接的高电位端子3的一个示例。连接至半导体芯片17(开关元件7)的发射极电极7b的负电极传导板14是串联连接的低电位端子4(参见图1)的一个示例。
尽管从DC电源21(参见图1)延伸的线缆连接至正电极传导板13 并且连接至负电极传导板14，但是省略了其图示。尽管从负载23(参见图1)延伸的另一线缆连接至中点传导板15并且连接至负电极传导板14，但是也省略了线缆的图示。
第一散热器18和第二散热器19由铜制成，使得这些散热器具有优异的导热性，并且还具有导电性。第一散热器18电连接至接地端子24。第二散热器19与第一散热器18隔离，并且因此第二散热器19也与接地端子24隔离。
接合至半导体芯片16的集电极电极6a的正电极传导板13面向第一散热器18，其间***有隔离层31。第一散热器18连接至接地端子24。其间***有隔离层31的彼此面向的正电极传导板13和第一散热器18构成图1所示的杂散电容50a。接合至半导体芯片17的发射极电极7b的负电极传导板14面向第一散热器18，其间***有隔离层31。其间***有隔离层31的彼此面向的负电极传导板14和第一散热器18构成图1所示的杂散电容50b。与两个半导体芯片16、17(两个开关元件6、7)的串联连接的中点相对应的中点传导板15面向第二散热器19，其间***有隔离层31。其间***有隔离层31的彼此面向的中点传导板15和第二散热器19构成图1所示的杂散电容50c。设置在第一散热器18中的通孔18a的内周表面与第二散热器19的外圆表面彼此面向，其间***有隔离构件32。其间***有隔离构件32的彼此面向的第一散热器18和第二散热器19构成图1所示的杂散电容50d。
图1所示的杂散电容51存在于负载23与接地端子24之间。杂散电容51例如在连接至接地端子24的外壳(负载23的外壳)与位于外壳附近的负载23的电子部件之间生成。图1所示的杂散电容52存在于DC电源21与接地端子24之间。杂散电容52例如在连接至接地端子24的外壳 (DC电源21的外壳)与位于外壳附近的DC电源21的电子部件之间生成。
再次参照图1，将描述共模噪声的传输路径。如以上所提及的，在本说明书中，共模噪声表示由于在两个开关元件的串联连接的中点处的电压波动而生成并且经由接地端子传播的噪声。作为来自中点5的共模噪声的路径，存在经由杂散电容50c、50d的路径和经由杂散电容51的路径。物理上，前一路径是经由中点传导板15、隔离层31、第二散热器19、隔离构件32和第一散热器18的路径(图1中的路径R1)。物理上，后一路径是经由输出线缆25和负载23的路径(图1中的路径R2)。经由杂散电容 50c、50d的路径还经由杂散电容50a或杂散电容50b(第一散热器18和正电极传导板13或负电极传导板14)通过，并且然后返回至开关元件6、 7(图1中的路径R3)。在以上路径(R1和R3)中，第一散热器18和第二散热器19经由隔离构件32彼此耦接，并且路径因此经由三个杂散电容 50a至50d(经由杂散电容50a、50c、50d的路径或者经由杂散电容50b、 50c、50d的路径)通过。通过传播通过许多杂散电容，共模噪声衰减(共模噪声减小)。通过路径R1、R3并且然后返回至开关元件6、7的路径不通过接地端子24本身，而是通过具有与接地端子24的电位相等的电位的第一散热器18，并且因此传播通过该路径的噪声被视为共模噪声。
同时，传播经由杂散电容51的共模噪声主要传播经由杂散电容50a、 50b而不是经由杂散电容52(图1的路径R4)，并且然后返回至开关元件 6、7(图1中的路径R3、R5)。这是因为负载23(马达)与电力转换器2 之间的接地线的距离通常短于负载23(马达)与DC电源21之间的接地线的距离。传播经由路径R5、R3的共模噪声增大，并且传播经由位于 DC电源21附近的杂散电容52的共模噪声由于该增大而减小。通过这种方式，可以增加共模噪声在较小的环路中返回的百分比，因此以减小辐射噪声。
如以上所描述的，本实施方式的电力转换器2可以抑制共模噪声。另一方面，在电力转换器2中，不需要增加中点传导板15与第二散热器19 之间的隔离层31的厚度，因此不会牺牲冷却性能。
第二实施方式
参照图3，将描述第二实施方式的电力转换器2a。图3是第二实施方式的电力转换器2a的剖面图。与第一实施方式一样，开关元件6和续流二极管8被并入在半导体芯片16中，并且它们彼此反向并联连接。开关元件7和续流二极管9被并入在半导体芯片17中，并且它们彼此反向并联连接。开关元件6的集电极电极被设置在半导体芯片16的顶表面上，并且开关元件6的发射极电极被设置在半导体芯片16的底表面上。发射极电极被设置在半导体芯片17的顶表面上，并且集电极电极被设置在半导体芯片17的底表面上。
正电极传导板113被接合至半导体芯片16的暴露集电极电极的顶表面。半导体芯片16(开关元件6)的集电极电极与正电极传导板113彼此电连接。负电极传导板114接合至半导体芯片17的暴露发射极电极的顶表面。半导体芯片17(开关元件7)的发射极电极和负电极传导板114彼此电连接。正电极传导板113和负电极传导板114由第一散热器118支承，其间***有第一隔离层131。换言之，正电极传导板113和负电极传导板 114面向第一散热器118，其间***有第一隔离层131。
第一散热器118围绕半导体芯片16、17延伸至半导体芯片16、17的相对侧，并且包括孔118a。隔离构件132被设置在孔118a的内周上，并且第二散热器119被布置在隔离构件132的内部。第二散热器119与第一散热器118隔离。第一散热器118和第二散热器119构成容纳半导体芯片 16、17、正电极传导板113、负电极传导板114以及稍后描述的第一中点传导板115a和第二中点传导板115b的容器。利用未示出的树脂充满 (charge)由第一散热器118和第二散热器119包围的空间。即，由树脂来密封半导体芯片16、17、正电极传导板113、负电极传导板114以及稍后描述的第一中点传导板115a和第二中点传导板115b。
第一中点传导板115a被接合至半导体芯片16的暴露发射极电极的底表面。半导体芯片16的发射极电极与第一中点传导板115a彼此电连接。第二中点传导板115b被接合至半导体芯片17的暴露集电极电极的底表面。半导体芯片17的集电极电极与第二中点传导板115b彼此电连接。
第一中点传导板115a和第二中点传导板115b由第二散热器119支承，其间***有第二隔离层133。换言之，第一中点传导板115a和第二中点传导板115b面向第二散热器119，其间***有第二隔离层133。第一中点传导板115a和第二中点传导板115b经由线束139彼此连接。
第一中点传导板115a和第二中点传导板115b具有相等的电位，并且对应于两个半导体芯片16、17(两个开关元件6、7)的串联连接的中点 5(参见图1)。连接至半导体芯片16(开关元件6)的集电极电极的正电极传导板113对应于串联连接的高电位端子3(参见图1)，并且连接至半导体芯片17(开关元件7)的发射极电极的负电极传导板114对应于串联连接的低电位端子4(参见图1)。尽管从DC电源21(参见图1)延伸的线缆连接至正电极传导板113并且连接至负电极传导板114，但是省略了其图示。尽管从负载23(参见图1)延伸的另一线缆连接至第一中点传导板115a或第二中点传导板115b，并且连接至负电极传导板114，但是省略了其图示。
第一散热器118和第二散热器119由铜制成，使得它们具有优异的导热性，并且还具有导电性。第一散热器118电连接至接地端子24。第二散热器119与第一散热器118隔离，并且因此第二散热器119也与接地端子 24隔离。
接合至半导体芯片16的顶表面(集电极电极)的正电极传导板113 面向第一散热器118，其间***有第一隔离层131。第一散热器118连接至接地端子24。其间***有第一隔离层131的彼此面向的正电极传导板 113和第一散热器118构成图1中所示的杂散电容50a。接合至半导体芯片17的顶表面(发射极电极)的负电极传导板114面向第一散热器118，其间***有第一隔离层131。其间***有第一隔离层131的彼此面向的负电极传导板114和第一散热器118构成图1所示的杂散电容50b。第一中点传导板115a和第二中点传导板115b彼此面向，其间***有第二隔离层 133。其间***有第二隔离层133的彼此面向的第一中点传导板115a和第二中点传导板115b与第二散热器119构成图1所示的杂散电容50c。由于在将第一中点传导板115a连接至第二中点传导板115b的线束139中存在寄生电抗，因此分别存在经由第一中点传导板115a从半导体芯片16传播的共模噪声以及经由第二中点传导板115b从半导体芯片17传播的共模噪声。然而，它们在本文中都被视为一个。
设置在第一散热器118中的孔118a的内周表面和第二散热器119的外周表面彼此面向，其间***有隔离构件132。其间***有隔离构件132 的彼此面向的第一散热器118和第二散热器119构成图1所示的杂散电容 50d。
图3中的电力转换器2a也具有由图1中的等效电路图所示的电路结构。因此，图3中的电力转换器2a也减小了共模噪声。电力转换器2a被配置成使得散热器面向半导体芯片16、17的相应两个表面，并且因此电力转换器2a对于半导体芯片16、17具有优异的冷却性能。
第三实施方式
图4示出了第三实施方式的电力转换器2b的剖面图。在电力转换器 2b中，液体制冷剂流过的制冷剂流动通道201被包括在第一散热器218 和第二散热器219内部。其他结构与第二实施方式的电力转换器2a的结构相同，并且因此省略其描述。此处，在图4中，对与图3中的电力转换器2a的部件相同的部件给出相同的附图标记。电力转换器2b可以获得与第二实施方式的电力转换器2a的效果相同的效果。此外，电力转换器2b 包括制冷剂流动通道201，并且因此电力转换器2b具有半导体芯片16、 17的比第二实施方式的电力转换器2a的冷却性能更高的冷却性能。
第四实施方式
图5示出了第四实施方式的电力转换器2c的剖面图。在第四实施方式的电力转换器2c中，第二散热器319与连接至接地端子24的第一散热器318完全分开。其他结构与第二实施方式的电力转换器2a的结构相同，并且因此省略其描述。在图5中，对与图3中的电力转换器2a的部件相同的部件添加相同的附图标记。在电力转换器2c中，第二散热器319被完全电隔离。因此，在图1中的等效电路图中不存在杂散电容50d。在这种情况下，所有共模噪声传播通过输出线缆25和负载23至接地端子24。已经传播至接地端子24的共模噪声经由杂散电容50a(由正电极传导板 113和第一散热器118构成的杂散电容)和杂散电容50b(由负电极传导板114和第一散热器118构成的杂散电容)通过，并且然后返回至半导体芯片16、17。在这种情况下，也可以减小传播通过DC电源21的共模噪声。
第五实施方式
图6示出了第五实施方式的电力转换器2d。在图6中，对与图3中的电力转换器2a的部件相同的部件添加相同的附图标记。在电力转换器 2d中，第一散热器418围绕半导体芯片16、17。此外，第一散热器418 被布置成围绕半导体芯片16、17、第一隔离层131、正电极传导板113、负电极传导板114、第一中点传导板115a、第二中点传导板115b、第二隔离层133、第二散热器419和隔离构件432。如图6所示，第一散热器418 的一部分面向第二隔离层133。在电力转换器2d中，第二散热器419和隔离构件432被***在第二隔离层133与第一散热器418的面向第二隔离层133的所述一部分之间。第二隔离层133与第二散热器419的一个表面接触，并且隔离构件432与第二散热器419的另一表面接触。第二散热器 419面向第一散热器418的一部分，其间***有隔离构件432。图6中的电力转换器2d具有与图3的电力转换器2a的相应部件的连接关系相同的相应部件的连接关系。并且因此可以获得与电力转换器2a的操作效果相同的操作效果。
此处是关于实施方式中描述的技术的要注意的一点。在第一实施方式的电力转换器中，隔离层31用作其他实施方式中的第一隔离层和第二隔离层两者。
以上实施方式的电力转换器的特征总结如下。电力转换器2、2a至2d 中的每一个包括两个半导体芯片16、17、正电极传导板13(113)、负电极传导板14(114)、中点传导板15(115、115a、115b)、第一散热器18 (118)和第二散热器19(119)。半导体芯片16容纳开关元件6，并且半导体芯片17容纳开关元件7。正电极传导板13(113)在一侧被接合至半导体芯片16的高电位端子。负电极传导板14(114)在另一侧被接合至半导体芯片17的低电位端子。中点传导板15(115、115a、115b)在一侧连接至半导体芯片16的低电位端子，并且在另一侧连接至半导体芯片17的高电位端子。第一散热器18(118)具有导电性，面向与其之间***有隔离层31(131)的正电极传导板13(113)和负电极传导板14(114)，并且连接至保持在接地电位的接地端子24。第二散热器19(119)具有导电性，面向与其之间***有隔离层31(第一隔离层131或第二隔离层133) 的中点传导板15(115、115a、115b)，并且与接地端子24隔离。在图2、图3、图4、图6中的电力转换器2、2a、2b、2d中的每一个中，第二散热器19(119)耦接至第一散热器18(118)，其间***有隔离构件32(132)。
在附图1中，仅示出了一组串联连接(两个开关元件的串联连接)，但是电力转换器可以包括多组串联连接。在这种情况下，电力转换器可以包括多组半导体芯片，每组包括两个半导体芯片，每个半导体芯片容纳开关元件，并且每组可以包括图2至图6所示的结构中的任何结构。
尽管以上已经详细描述了本发明的特定示例，但是这些示例仅仅是说明性的，并且不限制权利要求的范围。在权利要求中描述的技术包括向其添加有各种修改和变化的以上图示的特定示例。在本说明书或附图中描述的技术要素独立地或以各种组合呈现技术实用性，并且不限于在提交时在权利要求中描述的组合。本说明书或附图中示出的技术可以同时实现多个目标，并且仅通过实现这些目标中的一个目标就具有技术实用性。

Claims (4)

1.一种电力转换器，其特征在于包括：
串联连接的两个开关元件；
正电极传导板，其连接至所述两个开关元件的串联连接的高电位端子；
负电极传导板，其连接至所述两个开关元件的串联连接的低电位端子；
中点传导板，其连接至所述两个开关元件的串联连接的中点；
具有导电性的第一散热器，所述第一散热器面向所述正电极传导板，其中第一隔离层***在所述第一散热器与所述正电极传导板之间，所述第一散热器面向所述负电极传导板，其中所述第一隔离层***在所述第一散热器与所述负电极传导板之间，并且所述第一散热器连接至保持在接地电位的接地端子；以及
具有导电性的第二散热器，所述第二散热器面向所述中点传导板，其中第二隔离层***在所述第二散热器与所述中点传导板之间，所述第二散热器与所述接地端子隔离。
2.根据权利要求1所述的电力转换器，其特征在于，
所述第一散热器和所述第二散热器被布置成使得隔离构件***在所述第一散热器与所述第二散热器之间。
3.根据权利要求1或2所述的电力转换器，其特征在于，
在所述第一散热器与所述第二散热器之间布置制冷剂流动通道。
4.根据权利要求1所述的电力转换器，其特征在于，
所述第一散热器被布置成围绕所述两个开关元件、所述第一隔离层、所述正电极传导板、所述负电极传导板、所述中点传导板、所述第二隔离层、所述第二散热器以及隔离构件，并且
所述第二散热器面向所述第一散热器，其中所述隔离构件***在所述第二散热器与所述第一散热器之间。
CN201810410270.8A 2017-05-17 2018-05-02 电力转换器 Expired - Fee Related CN108964480B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-098130 2017-05-17
JP2017098130A JP2018195694A (ja) 2017-05-17 2017-05-17 電力変換器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108964480A CN108964480A (zh) 2018-12-07
CN108964480B true CN108964480B (zh) 2020-08-18

Family

ID=62116351

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810410270.8A Expired - Fee Related CN108964480B (zh) 2017-05-17 2018-05-02 电力转换器

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10600716B2 (zh)
EP (1) EP3404819B1 (zh)
JP (1) JP2018195694A (zh)
KR (1) KR102039013B1 (zh)
CN (1) CN108964480B (zh)
BR (1) BR102018009838A2 (zh)
RU (1) RU2679618C1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102048478B1 (ko) * 2018-03-20 2019-11-25 엘지전자 주식회사 양면냉각형 파워 모듈 및 그의 제조 방법
DE102022207525A1 (de) * 2022-07-22 2024-01-25 Vitesco Technologies Germany Gmbh Leistungsmodul und Verfahren zur Herstellung desselben, Stromrichter mit einem Leistungsmodul
JP2024015805A (ja) 2022-07-25 2024-02-06 マツダ株式会社 スイッチングデバイスおよびスイッチングモジュール
JP2024015807A (ja) 2022-07-25 2024-02-06 マツダ株式会社 インバータ
JP2024048494A (ja) 2022-09-28 2024-04-09 マツダ株式会社 スイッチングモジュールおよびインバータ

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1356764A (zh) * 2001-12-28 2002-07-03 西安交通大学 基于分立元件的电力电子集成模块的制备
JP2013034304A (ja) * 2011-08-02 2013-02-14 Toyota Motor Corp 電力変換装置

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004071670A (ja) * 2002-08-02 2004-03-04 Fuji Photo Film Co Ltd Ｉｃパッケージ、接続構造、および電子機器
JP2005117009A (ja) * 2003-09-17 2005-04-28 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法
JP4702279B2 (ja) 2006-12-27 2011-06-15 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法
JP5119741B2 (ja) 2007-05-24 2013-01-16 富士電機株式会社 スイッチングモジュール
JP4452952B2 (ja) * 2007-06-20 2010-04-21 日立オートモティブシステムズ株式会社 電力変換装置
JP5352113B2 (ja) * 2008-04-22 2013-11-27 トヨタ自動車株式会社 インバータモジュール
JP2010016941A (ja) * 2008-07-02 2010-01-21 Nippon Soken Inc 電力変換装置
FR2947949B1 (fr) 2009-07-08 2012-03-02 Centre Nat Rech Scient Module electronique de puissance
US8497572B2 (en) * 2010-07-05 2013-07-30 Denso Corporation Semiconductor module and method of manufacturing the same
CN103238269B (zh) * 2010-12-01 2015-06-24 株式会社安川电机 电力变换装置
JP5460653B2 (ja) * 2011-07-14 2014-04-02 本田技研工業株式会社 半導体装置
US9240371B2 (en) * 2011-08-10 2016-01-19 Denso Corporation Semiconductor module, semiconductor device having semiconductor module, and method of manufacturing semiconductor module
JP5798412B2 (ja) * 2011-08-25 2015-10-21 日産自動車株式会社 半導体モジュール
DE112011105802B4 (de) * 2011-11-04 2022-07-21 Denso Corporation Leistungsmodul, elektrischer Leistungswandler und Elektrofahrzeug
JP6221542B2 (ja) * 2013-09-16 2017-11-01 株式会社デンソー 半導体装置
JP2015126119A (ja) * 2013-12-26 2015-07-06 トヨタ自動車株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2015149883A (ja) * 2014-01-09 2015-08-20 株式会社デンソー 電力変換装置
JP6233257B2 (ja) * 2014-04-15 2017-11-22 トヨタ自動車株式会社 電力変換器
JP6338937B2 (ja) * 2014-06-13 2018-06-06 ローム株式会社 パワーモジュールおよびその製造方法
JP6458444B2 (ja) * 2014-10-21 2019-01-30 株式会社デンソー 電力変換装置
JP6345265B2 (ja) * 2014-10-29 2018-06-20 日立オートモティブシステムズ株式会社 電子機器及び電子機器の製造方法
JP6394489B2 (ja) * 2015-05-11 2018-09-26 株式会社デンソー 半導体装置
DE112016005570T5 (de) * 2016-01-05 2018-10-25 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Leistungshalbleitervorrichtung

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1356764A (zh) * 2001-12-28 2002-07-03 西安交通大学 基于分立元件的电力电子集成模块的制备
JP2013034304A (ja) * 2011-08-02 2013-02-14 Toyota Motor Corp 電力変換装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20180337107A1 (en) 2018-11-22
EP3404819B1 (en) 2020-09-16
JP2018195694A (ja) 2018-12-06
KR102039013B1 (ko) 2019-10-31
RU2679618C1 (ru) 2019-02-12
CN108964480A (zh) 2018-12-07
KR20180126371A (ko) 2018-11-27
US10600716B2 (en) 2020-03-24
BR102018009838A2 (pt) 2018-12-04
EP3404819A1 (en) 2018-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108964480B (zh) 电力转换器
US9899283B2 (en) Power module with low stray inductance
JP5447453B2 (ja) スイッチングモジュール
US11270984B2 (en) Semiconductor module
JP5841500B2 (ja) スタック型ハーフブリッジ電力モジュール
US10811958B2 (en) Water-cooling power supply module
CN103782380A (zh) 半导体模块
US9275966B2 (en) Semiconductor device apparatus and assembly with opposite die orientations
JP2019068534A (ja) 電力変換装置
JP2015100223A (ja) 電力変換装置
CN113875006A (zh) 三电平功率模块
Dutta et al. A 3-D stacked wire bondless silicon carbide power module
JP6070581B2 (ja) 端子台、及びこの端子台を備えた電力変換装置
JP2020010561A (ja) 電力変換装置
JP6362959B2 (ja) 電力変換回路、その製造方法、および、パワーコンディショナ
US10855196B2 (en) Semiconductor device
JP2019062739A (ja) 電力変換装置
JP2016101071A (ja) 半導体装置
JP7069885B2 (ja) 半導体装置
CN221127134U (zh) 半桥功率单元、全桥功率单元、电子设备及车辆
US11404970B2 (en) Power converter
JP6363051B2 (ja) 半導体装置及びインバータ回路
KR20230095546A (ko) 전력반도체모듈 및 그 제조방법
JP2022154271A (ja) 回路基板内に電気部品を内蔵する半導体装置
JP2016059207A (ja) 電力変換器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20200818

Termination date: 20210502

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee