CN110911357A - 智能功率模块及空调器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种智能功率模块及空调器,该智能功率模块包括:安装基板,安装基板一侧表面设置有多个安装区,安装基板在任一相邻两安装区之间设置有多个隔离槽及多个隔离槽形成的安装区;多个驱动功率模组,设置于对应的安装区内,多个驱动功率模组之间通过隔离槽进行隔离。本发明降低了高压侧的电杂讯或脉冲从上桥功率器件和下桥功率器件回窜至低压侧的低压驱动模组的可能性。
Description
技术领域
本发明涉及电子电路技术领域,特别涉及一种智能功率模块及空调器。
背景技术
智能功率模块内设置有高压驱动电路、低压驱动电路,以及上桥臂开关管和下桥臂开关管。开关管的栅极与驱动电路连接,开关管的集电极耦接至高电压,开关管的发射极耦接至负载。智能功率模块通常是将低压侧的驱动电路与高压侧的驱动电路集成于一个芯片中,上桥臂开关管和下桥臂开关管则以锡焊接合方式组装于同一个载体,例如基板上。然而,当高电压VH大于1200V时,这种组装方式不符合高压侧与低压侧之间的隔离要求。
发明内容
本发明的主要目的是提出一种智能功率模块及空调器,旨在实现高压侧驱动和低压侧之间相互隔离。
为实现上述目的,本发明提出一种智能功率模块,所述智能功率模块包括:
安装基板,所述安装基板一侧表面设置有多个安装区,所述安装基板在任一相邻两安装区之间设置有隔离槽;
多个驱动功率模组,设置于对应的安装区内,多个所述驱动功率模组之间通过所述隔离槽进行隔离。
可选地,每一相所述驱动功率模组包括:
安装载体;
驱动芯片及功率开关管,所述功率开关管设置于所述安装载体的基岛上,所述驱动芯片叠设于所述功率开关管上;以及,
塑封件,所述安装载体、驱动芯片及功率开关管封装于所述塑封件内。
可选地,每一所述功率开关管包括受控端焊垫,每一所述驱动芯片包括驱动端焊垫;
所述驱动芯片的驱动端焊垫与所述功率开关管的受控端焊垫通过金属绑线连接;
所述功率开关管与所述驱动芯片之间通过绝缘粘合剂固定连接。
可选地,所述智能功率模块还包括绝缘介质,所述绝缘介质通过封装模具填充于各所述驱动功率模组之间,以形成封装壳体。
可选地,所述驱动功率模组的塑封件部分凸设于所述封装壳体外,形成有凸台;
所述智能功率模块还设置有散热器,所述散热器设置于所述凸台上。
可选地,所述智能功率模块还包括外壳,所述安装基板和多个驱动功率模组设于所述外壳内,所述外壳内充设有绝缘介质。
可选地,各所述隔离槽之间相互连通。
可选地,所述驱动功率模组的数量为四个,四个所述驱动功率模组构成单相三电平智能功率模块;
或者,所述驱动功率模组的数量为十二个,十二个所述驱动功率模组构成三相三电平智能功率模块。
可选地,每一相所述三电平智能功率模块包括上桥臂驱动功率模组、下桥臂驱动功率模组及中桥臂驱动功率模组,所述上桥臂驱动功率模组与所述下桥臂驱动功率模组串联设置;所述中桥臂驱动功率模组与所述上桥臂驱动功率模组和所述下桥臂驱动功率模组的公共端连接。
本发明还提出一种空调器,包括如上所述的智能功率模块。
本发明智能功率模块通过在安装基板的一侧表面设置有多个安装区,并且安装基板在任一相邻两安装区之间设置有隔离槽;将多个驱动功率模组设置于对应的安装区内,从而使多个驱动功率模组之间通过所述隔离槽进行隔离。本发明降低了高压侧的电杂讯或脉冲从上桥功率器件和下桥功率器件回窜至低压侧的低压驱动模组的可能性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明智能功率模块一实施例的结构示意图;
图2为智能功率模块中一驱动功率模块的结构示意图;
图3为本发明智能功率模块一实施例的截面示意图;
图4为智能功率模块中一相驱动功率模块的结构示意图。
附图标号说明:
标号 | 名称 | 标号 | 名称 |
10 | 安装基板 | 25 | 引脚 |
11 | 隔离槽 | 261 | 上桥臂驱动功率模组 |
20 | 驱动功率模组 | 262 | 下桥臂驱动功率模组 |
21 | 安装载体 | 263、264 | 中桥臂驱动功率模组 |
22 | 驱动芯片 | 30 | 封装壳体 |
23 | 功率开关管 | 40 | 散热器 |
24 | 塑封件 | 50 | 外壳 |
241 | 凸台 |
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明提出一种智能功率模块。
智能功率模块,即IPM(Intelligent Power Module),是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类产品。智能功率模块把功率开关器件和高压驱动电路集成在一起,并内藏有过电压、过电流和过热等故障检测电路。智能功率模块一方面接收MCU的控制信号,驱动后续电路工作,另一方面将***的状态检测信号送回MCU。与传统分立方案相比,智能功率模块以其高集成度、高可靠性等优势赢得越来越大的市场,尤其适合于驱动电机的变频器及各种逆变电源,是变频调速,冶金机械,电力牵引,伺服驱动,变频家电的一种理想电力电子器件。
智能功率模块内设置有高压驱动电路、低压驱动电路,以及上桥臂开关管和下桥臂开关管。开关管的栅极与驱动电路连接。开关管的集电极C耦接至高电压。开关管的发射极耦接至负载。依据低电压的控制信号Sc,驱动电路可以对应控制开关管的导通状态。当开关管导通时,高电压VH可以经由开关供电给负载(例如电机)。开关管需耐高电压以及耐大电流。一般而言,驱动电路的工作电压为低电压,而开关管的工作电压为高电压。在实际应用过程中,高压侧的电杂讯或脉冲会经由上桥臂开关管和下桥臂开关管之间的电流回路而从下桥臂开关管回窜至低压驱动电路。此电杂讯或脉冲可能会影响控制低压驱动电路的正常工作,甚至会烧毁驱动电路。再者,智能功率模块通常是将低压侧的驱动电路与高压侧的驱动电路集成于一个芯片中,上桥臂开关管和下桥臂开关管则以锡焊接合方式组装于同一个载体,例如基板上。然而,当高电压VH大于1200V时,则容易使低压侧电路与高压侧电路配置于同一个电路板而可能造成开关管生电性回冲现象,造成驱动芯片损坏。
为了解决上述问题,参照图1,在本发明一实施例中,该智能功率模块包括:
安装基板10,所述安装基板10一侧表面设置有多个安装区,所述安装基板10在任一相邻两安装区之间设置有隔离槽11;
多个驱动功率模组20,设置于对应的安装区内,多个所述驱动功率模组20之间通过所述隔离槽11进行隔离。
本实施例中,安装基板10可以采用DBC板,PCB板、半玻纤板、玻纤板等材料所制成的电路基板实现,还可以采用铝基板、铝合金基板、铜基板或者铜合金基板中的任意一种来实现。安装基板10的形状可以根据驱动功率模组20的具***置、数量及大小确定,可以为方形,但不限于方形。该安装基板10在采用陶瓷覆铜板来实现,所述陶瓷覆铜板包括电路布线层及绝缘散热层,所述电路布线层设置于所述绝缘散热层上;所述驱动功率模组20设置于所述电路布线层形成的焊盘上。
在采用PCB板来实现时,安装基板10包括绝缘层及形成于绝缘层上的电路布线层,本实施例中,安装基板10可选为单面布线板。该绝缘层用于实现电路布线层与金属安装基板10之间的电气隔离以及电磁屏蔽,以及对外部电磁干扰进行反射,从而避免外部电磁辐射干扰功率器件正常工作,降低周围环境中的电磁辐射对智能功率模块中的电子元件的干扰影响。该绝缘层可选采用热塑性胶或者热固性胶等材料制成,以实现安装基板10与电路布线层之间的固定连接且绝缘。绝缘层可以采用环氧树脂、氧化铝、高导热填充材料一种或多种材质混合实现的高导热绝缘层来实现。在制作安装基板10的过程中,可以将铜箔铺设在绝缘层上,并按照智能功率模块预设的电路设计蚀刻所述铜箔,从而形成电路布线层。安装基板10上还可以设置有主控MCU、电容以及电阻等元器件,主控MCU、电容以及电阻与驱动功率模组20,以及驱动功率模组20之间通过电路布线层形成电连接。
每个驱动功率模组20均为独立的封装单体,并且高压侧驱动功率模组20和低压侧驱动功率模组20均是分开设置的,也即高压侧驱动功率模组20和低压侧驱动功率模组20中各自的驱动芯片22均是独立封装于各自的驱动功率模组20中,形成了封装隔离。由于高压驱动模组与低压驱动模组之间减少了电气连接,因此可以降低高压侧的电杂讯或脉冲从上桥功率器件和下桥功率器件回窜至低压侧的低压驱动模组的可能性。
多个驱动功率模组20中,包括高压侧驱动功率模组20和低压侧驱动功率模组20,高压侧驱动功率模组20和低压侧驱动功率模组20之间设置有隔离槽11,以及在高压侧与高压侧之间也设置有隔离槽11。低压侧驱动功率模组20之间可以根据实际应用需求选择设置隔离槽11。
在另一实施例中,多个驱动功率模组20中也可以包括高压侧驱动功率模组20和低压侧驱动功率模组20以及中点驱动功率模组20。其中,智能功率模块可选为三电平智能功率模快,在三电平智能功率模快中,四个驱动功率模组20组成一相桥臂电路。四个驱动功率模组20之间均设置有隔离槽11,以实现高压侧与低压侧之间的隔离。
安装基板10上形成的隔离槽11的深度、宽度及长度可以根据高低压之间的隔离需求进行设置,智能功率模块驱动的负载电压越高,隔离槽11的深度、宽度及长度则越大。通过隔离槽11的设置可以增加高压侧驱动功率模组20和低压侧驱动功率模组20之间的爬电距离,从而增加低压侧驱动功率模组20的电气安全距离。各驱动功率模组20之间通过隔离槽11来实现相互之间的间隔设置,该隔离槽11可以实现各驱动功率模组20之间的电气隔离,从而避免高压驱动对低压驱动因为压差过大而损坏低压驱动,影响低压驱动的正常工作,降低内部高压驱动低压驱动的干扰影响。进一步地,各所述隔离槽11之间相互连通,可以增大各个驱动功率模组20之间的爬电距离。如此设置,有利于增加各个驱动功率模组20之间的隔离效果,从而实现高压侧驱动功率模组20和低压侧驱动功率模组20之间相互隔离,以避免高压侧的信号对低压侧产生噪声干扰。
本发明智能功率模块通过在安装基板10的一侧表面设置有多个安装区,并且安装基板10在任一相邻两安装区之间设置有隔离槽11;将多个驱动功率模组20设置于对应的安装区内,从而使多个驱动功率模组20之间通过所述隔离槽11进行隔离。本发明降低了高压侧的电杂讯或脉冲从上桥功率器件和下桥功率器件回窜至低压侧的低压驱动模组的可能性。
参照图2,在一实施例中,每一相所述驱动功率模组20包括:
安装载体21;
驱动芯片22及功率开关管23;所述功率开关管23设置于所述安装载体21的基岛上,所述驱动芯片22叠设于所述功率开关管23上;以及,
塑封件24,所述安装载体21、驱动芯片22及功率开关管23封装于所述塑封件24内。
本实施例中,安装载体21可选为引线框架来实现,引线框架上根据驱动芯片22及功率开关管23的电路设计,形成对应的线路以及对应供驱动芯片22及功率开关管23固定安装的基岛和线路,功率开关管23上设置有金属层。金属层通过引线键合连接至安装载体21的线路上,以实现电连接。引线框架还设置有引脚25,功率开关管23和驱动芯片22的电源端、信号端、输入端等通过引线和引脚25接入外部工作信号而工作,驱动芯片22基于外部信号的控制,并根据接收到的控制信号产生对应的功率驱动信号,从而驱动各自的功率开关管23工作。当然在其他实施例中,安装载体还可以采用陶瓷覆铜基板等载体来实现,此处不做限定。
功率开关管23可以是氮化镓(GaN)功率开关管23、Si基功率开关管23或SiC基功率开关管23,具体可选为IGBT管或者耐高压的MOSFET、HEMT等。其中,IGBT管可选为RC-IGBT(内部耦合反向二极管),在采用RC-IGBT来实现时,由于无需二次反并联二极管,可以简化智能功率模块的结构,进而缩小智能功率模块的体积,并且可以减少元件的使用,使得元件的贴片、封装更加简便。在智能功率模块工作时,驱动芯片22输出相应的PWM控制信号,以驱动控制功率开关管23导通/截止,从而输出驱动电能,以驱动电机等负载工作。塑封体用于将驱动芯片22、功率器件和安装载体21集成一个封装单体,从而实现封装单体与封装单体之间的隔离。将驱动芯片22、功率器件封装于一体,这样可以将高压驱动芯片22和高压功率管封装成一个单体,而低压驱动芯片22和低压功率管封装成一个单体,可以满足高压与低压之间的隔离。同时相较于高压驱动芯片22和低压驱动芯片22之间;高压功率管和低压功率管之间;高压驱动芯片22与低压功率管之间;高压驱动芯片22与高压驱动芯片22之间,以及高压功率管与高压功率管之间,都要进行隔离的隔离方案中,本实施例仅需将对各个驱动功率模组20进行隔离,从而可以减少隔离的工序,并且有利于提高隔离效果。
参照图2,在一实施例中,每一所述功率开关管23包括受控端焊垫,每一所述驱动芯片22包括驱动端焊垫;
所述驱动芯片22的驱动端焊垫与所述功率开关管23的受控端焊垫通过金属绑线连接;
所述功率开关管23与所述驱动芯片22之间通过绝缘粘合剂固定连接。
本实施例中,所述功率开关管23的受控端焊垫位于所述功率开关管23背离所述安装基板10的一侧,所述驱动芯片22的驱动端焊垫位于所述驱动芯片22背离所述安装基板10的一侧,所述驱动芯片22的驱动端焊垫与所述功率开关管23的受控端焊垫通过金属绑线连接。
功率开关管23的受控端、驱动芯片22包括驱动端焊垫在内的所有焊垫均相对安装载体21朝上设置,也即背离安装载体21设置,驱动芯片22的驱动端焊垫和功率开关管23的受控端焊垫通过金属绑线和焊锡固定连接,其中金属绑线可以是银质、金质金属线,或者为铜线。功率开关管23的输入端焊垫和输出端焊垫可以朝上设置,也可以朝下设置,本实施例可选为朝上设置功率开关管23和驱动芯片22的其他焊垫均通过金属绑线与安装基板10的电路布线层形成的安装位及焊盘连接。可以理解的是,上述驱动芯片22和功率开关管23可以采用裸晶圆来实现,也可以采用经过封装后的贴片元件来实现。引线框架还设置有引脚25,功率开关管23和驱动芯片22的电源端、信号端、输入端等通过引线和引脚25接入外部工作信号而工作,驱动芯片22基于外部信号的控制,并根据接收到的控制信号产生对应的功率驱动信号,从而驱动智能功率模块中的功率开关管23工作。
每一驱动芯片22叠设于一功率开关管23上,如此设置,使得功率开关管23与驱动芯片22形成堆叠结构而一体设置,可以缩短功率开关管23和驱动芯片22之间的空间距离。安装基板10上可以减少驱动芯片22的安装位的设置,从而增加各个驱动功率模组在安装基板上的布局面积,可以进一步地增加高压侧与低压侧之间的爬电距离,进而增大高压侧和低压侧之间的安全距离,有利于防止高压侧与低压侧之间由于距离过小而产生干扰的问题。驱动芯片22堆叠于功率开关管23上,驱动芯片22与功率开关管23之间的电路走线较短,使得驱动芯片22能够更快更有效的监控功率开关管23的工作状态,例如是否发热严重,进而及时动作,以避免智能功率模块被损坏,提高***的可靠性。缩短了功率开关管23与驱动芯片22之间焊线和引线的物理连接距离,减少了由焊线和引线引入的寄生电感。
参照图3,在一实施例中,所述智能功率模块还包括绝缘介质,所述绝缘介质通过封装模具填充于各所述驱动功率模组20之间,以形成封装壳体30。
本实施例中,封装壳体30可以采用环氧树脂、氧化铝、二氧化硅等材料制成。在制作封装壳体30时,可以将环氧树脂、氧化铝、氮化硼或者氮化铝等材料进行混料,然后将混合好的封装材料进行加热;待冷却后,粉碎所述封装材料,再以锭粒成型工艺将封装壳体30材料进行轧制成形,以形成封装壳体30,再将驱动功率模组20封装在封装壳体30内。智能功率模块可以采用全包封封装或者半包封封装的封装模式对驱动功率模组20及安装基板10进行封装。
本发明将每一驱动芯片22叠设于一功率开关管23上,并通过塑封件24进行一次封装形成驱动功率模组20,再将驱动功率模组20安装在安装基板10后,通过绝缘介质将驱动功率模组20之间进行介质绝缘,并形成二次封装的智能功率模块。如此设置,通过二次封装的绝缘隔离,可以有效地提高智能功率模块内部的抗干扰能力强,适用于高压驱动的电机驱动、变频器及各种逆变电源中,以实现变频调速、冶金机械、电力牵引、伺服驱动等功能,尤其适用于驱动空调、冰箱等压缩机和风机的电机工作。
参照图3,在一实施例中,所述驱动功率模组20的塑封件24部分凸设于所述封装壳体30外,以形成凸台241;
所述智能功率模块还设置有散热器40,所述散热器40设置于所述凸台241上。
本实施例中,为了提高智能功率模块的散热效率,可以采用半包封封装,也即将智能功率模块的驱动功率模组20部分裸露在封装壳体30外,在智能功率模块还设置有散热器40时,驱动功率模组20裸露于智能功率模块的封装壳体30之外的表面可以更好的与散热器40贴合。散热器40可以采用铝质、铝合金等散热效果较好的高导热材料制得,以使得述驱动功率模组20中的功率开关管23产生的热量通过安装基板10传导至散热器40上,进一步增大功率器件40产生的热量与空气的接触面积,提高散热速率。所述散热器40还可意设置有散热器40本体及多个散热叶片,多个所述散热叶片间隔设置于所述散热器40本体的一侧。如此设置,可以增加散热器40与空气的接触面积,也即在散热器40工作时,增加散热器40上的热量与空气的接触面积,以加快散热器40的散热速率。同时还可以减少散热器40的物料,避免散热片30因材料应用过多,造成成本过高。
参照图3,在一实施例中,所述智能功率模块还包括外壳50,所述外壳50罩设于所述封装壳体30外。
本实施例中,外壳50可选采用PPS材料、PBT材料等塑料形成的壳体来实现。在对智能功率模块进行塑封时,将安装有驱动功率模组20的安装基板10放置于外壳50内,然后在外壳50内中注入封装材料,以在成型后形成封装壳体30,将驱动功率模组20和安装基板10封装在封装壳体30内。如此,可以实现对驱动芯片22进行绝缘处理,以及提高智能功率模块的EMI性能。通过在外壳50内填充塑封胶,可以将驱动功率模组20、安装基板10等形成一个整体的智能功率模块,通过塑封胶的绝缘填充,可以实现驱动功率模组20可实现高压侧驱动功率模组20和低压侧驱动功率模组20之间的隔离。
参照图1和图4,在一实施例中,所述驱动功率模组20的数量为四个,四个所述驱动功率模组20构成单相三电平智能功率模块。
或者,所述驱动功率模组20的数量为十二个,十二个所述驱动功率模组20构成三相三电平智能功率模块。
本实施例中,智能功率模块可以包括上桥臂开关管、下桥臂开关管两个开关管组成的一路桥臂电路,在该实施例中三相桥臂电路可以包括六个功率开关管23,六个功率开关管23组成三相逆变电路,从而应用在逆变电源、变频器、制冷设备、冶金机械设备、电力牵引设备等电器设备中,特别是变频家用电器中。
也可以包括上桥臂开关管、下桥臂开关管和横桥臂开关管(或者称为中桥臂开关管)四个开关管组成的一路桥臂电路,也即每一相三电平智能功率模块包括四个功率开关管23。本实施例中,可以将单相三电平的四个驱动功率模组20与封装壳体30、外壳50封装成一个单相智能功率模块整体。也可以将十二个驱动功率模组20集成于同一个安装基板10上,再与封装壳体30、外壳50封装成一个三相桥臂电路的智能功率模块整体,具体可以根据实际应用的需求进行设置,此处不做限制。三电平智能功率模块可选为T型三电平智能功率模块。
上述实施例中,每一相所述三电平智能功率模块包括上桥臂驱动功率模组261、下桥臂驱动功率模组262及两个中桥臂驱动功率模组263,所述上桥臂驱动功率模组261与所述下桥臂驱动功率模组262串联设置;两个所述中桥臂驱动功率模组263、264与所述上桥臂驱动功率模组261和所述下桥臂驱动功率模组262的公共端连接。其中,两个中桥臂驱动功率模组中包括两个反并联设置的两个功率开关管263、264和分别驱动两个功率开关管23、24工作的驱动芯片22。其中,IGBT管芯片可以根据实际应用集成FRD管或不集成FRD管,通过叠片组装方式把驱动芯片22和IGBT管芯片组装成一个单元,单元通过塑封工艺封装成驱动功率模组20,驱动功率模组20组装在PCB板上,PCB板通过开槽增加爬电距离,PCB板组装在IPM模块外壳50套件上,内部填充介质绝缘材料,采用介质绝缘方式实现1200V以上的绝缘耐压,以组装成IPM模块。两个功率开关管23可选采用RB-IGBT(Reverse BlockingInsulated Gate Bipolar Transistor,反向阻断型绝缘栅双极型晶体管)来实现。两个直流母线电容C1和C2间的连接点,通过两个反并联的反向阻断型绝缘栅双极型晶体管连接至桥臂的中点,由于RB-IGBT的工艺结构特性,其损耗更低。为了更好的说明三电平智能功率模块的工作过程,本实施例以一相三电平智能功率模块的工作过程为例进行说明,其中,一项三电平智能功率模块包括功率开关管Q1、Q3、Q3及Q4,以及驱动芯片IC1、IC2、IC3、IC4。其工作原理是:正半周时开关管Q3、Q4打开,输出电压从0增大到U/2然后关闭开关管Q3;开关管Q1、Q4打开,输出电压从U/2增大到U然后关闭开关管Q1;开关管Q3、Q4打开,输出电压从U减小到U/2然后关闭开关管Q3;开关管Q4打开,输出电压从U/2减小到0。负半周时开关管Q3、Q4打开,输出电压从0减小到-U/2然后关闭开关管Q4;开关管Q2、Q3打开,输出电压从-U/2减小到-U然后关闭开关管Q2;开关管Q3、Q4打开,输出电压从-U增大到-U/2然后关闭开关管Q4;开关管Q3打开,输出电压从-U/2增大到0。整个过程中,不管是正半周还是负半周,都将电压分为了0、U/2、U三种电平。
本发明还提出一种空调器,包括如上所述的智能功率模块。本发明还提出一种空调器,所述空调器包括如上所述的智能功率模块。该智能功率模块的详细结构可参照上述实施例,此处不再赘述;可以理解的是,由于在本发明空调器中使用了上述智能功率模块,因此,本发明空调器的实施例包括上述智能功率模块全部实施例的全部技术方案,且所达到的技术效果也完全相同,在此不再赘述。
以上所述仅为本发明的可选实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是在本发明的发明构思下,利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换,或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种智能功率模块,其特征在于,所述智能功率模块包括:
安装基板,所述安装基板一侧表面设置有多个安装区,所述安装基板在任一相邻两安装区之间设置有隔离槽;
多个驱动功率模组,设置于对应的安装区内,多个所述驱动功率模组之间通过所述隔离槽进行隔离。
2.如权利要求1所述的智能功率模块,其特征在于,每一相所述驱动功率模组包括:
安装载体;
驱动芯片及功率开关管,所述功率开关管设置于所述安装载体的基岛上,所述驱动芯片叠设于所述功率开关管上;以及,
塑封件,所述安装载体、驱动芯片及功率开关管封装于所述塑封件内。
3.如权利要求2所述的智能功率模块,其特征在于,每一所述功率开关管包括受控端焊垫,每一所述驱动芯片包括驱动端焊垫;
所述驱动芯片的驱动端焊垫与所述功率开关管的受控端焊垫通过金属绑线连接;
所述功率开关管与所述驱动芯片之间通过绝缘粘合剂固定连接。
4.如权利要求2所述的智能功率模块,其特征在于,所述智能功率模块还包括绝缘介质,所述绝缘介质通过封装模具填充于各所述驱动功率模组之间,以形成封装壳体。
5.如权利要求4所述的智能功率模块,其特征在于,所述驱动功率模组的塑封件部分凸设于所述封装壳体外,形成有凸台;
所述智能功率模块还设置有散热器,所述散热器设置于所述凸台上。
6.如权利要求1所述的智能功率模块,其特征在于,所述智能功率模块还包括外壳,所述安装基板和多个驱动功率模组设于所述外壳内,所述外壳内充设有绝缘介质。
7.如权利要求1所述的智能功率模块,其特征在于,各所述隔离槽之间相互连通。
8.如权利要求1至7任意一项所述的智能功率模块,其特征在于,所述驱动功率模组的数量为四个,四个所述驱动功率模组构成单相三电平智能功率模块;
或者,所述驱动功率模组的数量为十二个,十二个所述驱动功率模组构成三相三电平智能功率模块。
9.如权利要求8所述的智能功率模块,其特征在于,每一相所述三电平智能功率模块包括上桥臂驱动功率模组、下桥臂驱动功率模组及中桥臂驱动功率模组,所述上桥臂驱动功率模组与所述下桥臂驱动功率模组串联设置;所述中桥臂驱动功率模组与所述上桥臂驱动功率模组和所述下桥臂驱动功率模组的公共端连接。
10.一种空调器,其特征在于,包括如权利要求1至9任意一项所述的智能功率模块。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911212350.3A CN110911357A (zh) | 2019-11-28 | 2019-11-28 | 智能功率模块及空调器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911212350.3A CN110911357A (zh) | 2019-11-28 | 2019-11-28 | 智能功率模块及空调器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110911357A true CN110911357A (zh) | 2020-03-24 |
Family
ID=69821471
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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CN201911212350.3A Pending CN110911357A (zh) | 2019-11-28 | 2019-11-28 | 智能功率模块及空调器 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN110911357A (zh) |
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