JP2012105191A - 弾性波デバイス - Google Patents
弾性波デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012105191A JP2012105191A JP2010253860A JP2010253860A JP2012105191A JP 2012105191 A JP2012105191 A JP 2012105191A JP 2010253860 A JP2010253860 A JP 2010253860A JP 2010253860 A JP2010253860 A JP 2010253860A JP 2012105191 A JP2012105191 A JP 2012105191A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- support substrate
- axis
- element substrate
- acoustic wave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 245
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
- H03H9/0028—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
- H03H9/0047—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks
- H03H9/0052—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically cascaded
- H03H9/0057—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically cascaded the balanced terminals being on the same side of the tracks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02913—Measures for shielding against electromagnetic fields
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
- H03H9/14588—Horizontally-split transducers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
【解決手段】タンタル酸リチウムからなる支持基板10と、前記支持基板の上面に配置され、下面が前記支持基板10の上面と接合されたタンタル酸リチウムからなる素子基板12と、前記素子基板の上面に形成された櫛型電極とを具備し、前記素子基板の弾性波における伝搬方向はX軸であり、前記支持基板の上面の法線方向はX軸であり、前記弾性波の伝搬方向は前記支持基板のZ軸と平行ではない弾性波デバイス。
【選択図】図2
Description
一方、特許文献2には、支持基板および素子基板をタンタル酸リチウム基板から構成し、弾性表面波素子の弾性波が伝搬する方向を素子基板のX軸方向とし、弾性波が伝搬する方向と平行な支持基板の軸方向をZ軸とする技術が記載されている。
一方、特許文献2に開示される技術においても、弾性波が伝搬する方向の支持基板と素子基板との線熱膨張係数の差が大きいため、熱応力に起因して基板が変形してしまう。その0008段落の記載のように、ファンデルワース力により支持基板と素子基板12とを結合させた場合、支持基板と素子基板との結合が弱い。よって、支持基板の影響により、素子基板上に形成された表面弾性波素子の温度依存性を抑制することが難しい。さらに、支持基板と素子基板との結合を強固にするために、その0009段落に記載のように、250℃において熱処理すると、X軸とZ軸の線熱膨張係数との差により、基板が大きく変形してしまう。
また、当該特許文献2のように、支持基板のZ軸を弾性波の伝搬方向と平行とすると、線熱膨張係数の差が大きくなってしまう。このため、素子基板上に弾性表面波素子を形成する際の熱処理に起因して基板が変形し、基板に反りを生じてしまう。当該基板が変形した状態で弾性表面波素子を形成すると、基板面内の複数の弾性表面波素子の特性を均一なものとすることができない。
本発明によれば、スプリアス応答の発生がなく、また基板の変形を抑制することができる。
支持基板10の上面と素子基板12の下面との間にアモルファス層14が形成されている。
当該アモルファス層14の厚さは非常に薄いため、基板の厚さT1およびT2に対して無視することができるが、当該図1にあっては、当該アモルファス層14の厚さを含めて基板の厚さT1およびT2を表示している。
当該一端子対共振子18は、素子基板12上に形成されたアルミニウム(Al)等の金属層16からなるIDT(Interdigital Transducer)17aと反射電極17bとを有している。IDT17aは、2つの櫛型電極から形成されている。一方、反射電極17bは、IDT17aの両側に配設されている。
IDT17aの櫛型電極は弾性波を励振する。励振された弾性波は、反射電極17bにより反射される。当該弾性波の伝搬方向は、素子基板12のX軸方向である。
尚、櫛型電極を有する弾性波素子として、一端子対共振子18を例示したが、弾性波素子は、共振子を複数含むラダー型フィルタまたは多重モード型フィルタなどが該当する。
先ず、所謂ウエハ状を呈するタンタル酸リチウム(LiTaO3)支持基板10の下面に金属膜20を、また同様にウエハ状を呈するタンタル酸リチウム(LiTaO3)素子基板12の上面に金属膜22を形成する(図3(a)参照)。
当該金属膜20および22は、基板接合装置に於ける静電チャックステージに前記基板を固定する為の導電膜として用いられるものであり、例えばチタン(Ti)或いはアルミニウム(Al)が適用される。
かかる常温接合法により一体化された支持基板10と素子基板12との外観を、図4に示す。
当該金属層16は、例えばアルミニウム(Al)を主体として形成され、例えば銅(Cu)を含んでもよい。また、IDT17a,反射電極17bの形成方法として、所謂リフトオフ法を適用することも可能である。
尚、当該接合処理の実施に先行して、被接合面の汚れならびにパーティクルの除去の為、前処理を行う。当該前処理として、例えばスクラブ処理(ブラシを用いた表面洗浄)およびメガソニック(超音波)洗浄が実行される。
尚、図に於いて、26はそれぞれの基板を構成する材料の分子を模式的に示している。
尚、当該図5(b)にあっては、支持基板10に対する照射状態を示しているが、素子基板12に対しても、同時に照射処理が実行される。
これにより、支持基板10の上面(被接合面)および素子基板12の下面(被接合面)に於ける表面層(酸化物層など)24を除去し、更に当該支持基板10の上面(被接合面)および素子基板12の下面(被接合面)を活性化させる。
Arガス流量:20〜30sccm
電流値: 15〜150mA
照射時間: 30〜120秒
当該アモルファス層14の膜厚は数nm以下であって、その表面には未結合の結合手28が生成される。当該未結合の結合手28の存在により、支持基板10の上面(被接合面)および素子基板12の下面(被接合面)は活性化された状態となる。
当該貼り合わせ・接合処理は、前記不活性ガスイオンの照射処理が実施された装置内において実施される。
このとき、支持基板10の上面(被接合面)と素子基板12の下面(被接合面)はそれぞれ活性化されているため、支持基板10の上面(被接合面)と素子基板12の下面(被接合面)とに於ける未結合の結合手28同士が結合する。即ち、支持基板10と素子基板12は、常温(例えば100℃以下の温度)に於いて接合される。
接合された支持基板10と素子基板12との間には、前記アモルファス層14が、一体化した状態をもって配設される。一体化されたアモルファス層14は、例えば1〜8nmの厚さを有する。
前述の如く、音響インピーダンスは、音速と基板密度に関係している。従って、支持基板10と素子基板12との音響インピーダンスの差は殆ど無い。これによりバルク波は支持基板10と素子基板12との界面に於いて反射され難く、スプリアスの発生を防止・抑制することができる。
また、当該素子基板12の弾性波の伝搬方向(X軸方向)と、支持基板10の弾性波の伝搬方向に平行な方向との線熱膨張係数の差を小さくすることができる。従って、基板の変形を抑制することができる。
かかる活性化されたアモルファス層の存在により、支持基板10と素子基板12とを比較的低温において、強固に結合せしめることができる。即ち、素子基板12の下面(被接合面)と支持基板10の上面(被接合面)とは、例えば100℃以下の温度、所謂常温接合が実現し、これにより両基板の接合面において、熱応力が生じない、強固な接合が可能となる。
図7に示す弾性波デバイスにあっては、基板30上に多重モード型の弾性波フィルタ40が形成されている。当該断線波デバイスに於いて、フィルタ40は、3IDT構造を有する入力側フィルタ32および34と、4IDT構造を有する出力側フィルタ36とを具備している。
入力側フィルタ32および34のそれぞれの中心のIDTには、それぞれ入力端子Inが設けられている。当該入力端子Inには、不平衡入力信号が入力される。フィルタ32および34のそれぞれの両端のIDTは、出力側フィルタ36の両端のIDTに接続されている。フィルタ32および34の出力は平衡信号である。フィルタ36の中央の2つのIDTにはそれぞれ出力端子OUT1およびOUT2が設けられている。当該出力端子OUT1およびOUT2からは平衡出力信号が出力される。
なお、フィルタ32および34の出力を不平衡信号とし、フィルタ36において平衡信号を生成してもよい。
即ち、サンプルAにおいては、膜厚が300μmの42°YカットX伝搬タンタル酸リチウム基板単体を基板30とした。
また、サンプルB乃至Dにおいては、前記実施例1に於いて示したところの支持基板10上に当該支持基板とは異なる材料からなる素子基板12を配置してなる基板30を用いた。
即ち、サンプルBにおいては、支持基板10を膜厚270μmのサファイア基板とし、素子基板12を膜厚が40μmの42°YカットX伝搬のタンタル酸リチウム基板とした。
一方、サンプルCにおいては、支持基板10を膜厚が300μmのXカット112°Y伝搬のタンタル酸リチウム基板とし、これに接合される素子基板12を膜厚15μmの42°YカットX伝搬のタンタル酸リチウム基板とした。
更に、サンプルDにおいては、支持基板10を膜厚300μmのXカット112°Y伝搬のタンタル酸リチウム基板とし、これに接合される素子基板12を膜厚25μmの42°YカットX伝搬のタンタル酸リチウム基板とした。
尚、サンプルCならびにサンプルDを形成する際の、常温接合処理におけるアルゴン(Ar)イオンの照射条件は、前記実施例において示した条件から選択している。
図8(a)において、−20℃のときの通過特性を破線、25℃のときの通過特性を実線、80℃における通過帯域を点線で示している。図8(b)および図8(c)においては、通過帯域の高周波数端および低周波数端は、減衰量が−20dBの周波数とした。周波数変化率は、25℃のときを0とした。後述する図9(a)から図11(c)においても同様である。
図8(a)に示されるように、サンプルAにあっては、通過帯域にスプリアスは観察されない。図8(b)および図8(c)から、高周波数端および低周波数端の温度係数は、それぞれ−37.0ppm/℃、−32.2ppm/℃である。
図9(a)に示されるように、サンプルBにあっても、通過帯域にスプリアスが観察される。図9(b)および図9(c)から、高周波数端および低周波数端の温度係数は、それぞれ−24.5ppm/℃、−17.9ppm/℃である。
図10(a)に示されるように、サンプルCにあっては、通過帯域にスプリアスは観察されない。
一方、図10(b)および図10(c)から、高周波数端および低周波数端の温度係数は、それぞれ−26.9ppm/℃、−20.8ppm/℃である。
図11(a)に示されるように、サンプルDにあっては、通過帯域にスプリアスは観察されない。
一方、図11(b)および図11(c)から、高周波数端および低周波数端の温度係数は、それぞれ−28.6ppm/℃、−23.0ppm/℃である。
さらに、素子基板12を薄くすることにより、周波数の温度係数をより0(ゼロ)に近づけることができる。
尚、素子基板12は、その厚さを支持基板10よりも薄くすることができ、当該素子基板12の厚さは、支持基板10の厚さの1/20以上〜1/10以下の厚さとすることができる。
尚、図12に於いて、弾性波フィルタ40は、3IDT構造を有する入力側フィルタ38と、4IDT構造を有する出力側フィルタ36とを備えている。入力側フィルタ38の中心のIDTには、入力端子Inが設けられている。当該入力端子Inには、不平衡入力信号が入力する。入力側フィルタ38の両端のIDTは、出力側フィルタ36の両端のIDTに接続される。出力側フィルタ36の中央の2つのIDTにはそれぞれ出力端子OUT1およびOUT2が設けられている。当該出力端子OUT1およびOUT2からは平衡出力信号が出力される。
12 素子基板
14 アモルファス層
17a IDT
17b 反射電極
18 共振子
Claims (8)
- タンタル酸リチウムからなる支持基板と、
前記支持基板の上面上に配置され、下面が前記支持基板の上面と接合されたタンタル酸リチウムからなる素子基板と、
前記素子基板の上面に形成され、弾性波を励振する櫛型電極と、
を具備し、
前記素子基板の前記弾性波の伝搬方向はX軸であり、
前記支持基板の上面の法線方向はX軸又はY軸であり、前記弾性波の伝搬方向は前記支持基板のZ軸と平行ではないことを特徴とする弾性波デバイス。 - 前記支持基板の上面と前記素子基板の下面との間に形成されたアモルファス層を具備することを特徴とする請求項1記載の弾性波デバイス。
- 前記素子基板の下面は前記支持基板の上面と常温接合されていることを特徴とする請求項1または2記載の弾性波デバイス。
- 前記弾性波の伝搬方向は前記支持基板のY軸又はX軸と平行ではないことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 前記素子基板の上面の法線方向は、X軸を中心にY軸からZ軸方向に36°〜48°回転した方向であることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 前記弾性波の伝搬方向に平行な方向の前記支持基板の線熱膨張係数は、前記支持基板のX軸の線熱膨張係数より小さいことを特徴とする請求項1から5のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 前記素子基板は前記支持基板より薄いことを特徴とする請求項1から6のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 個片化されたチップにおいて、側壁に段差が無いことを特徴とする、請求項1から7のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010253860A JP5588836B2 (ja) | 2010-11-12 | 2010-11-12 | 弾性波デバイス |
SG2011080421A SG181225A1 (en) | 2010-11-12 | 2011-11-01 | Acoustic wave device |
US13/286,530 US8773000B2 (en) | 2010-11-12 | 2011-11-01 | Acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010253860A JP5588836B2 (ja) | 2010-11-12 | 2010-11-12 | 弾性波デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012105191A true JP2012105191A (ja) | 2012-05-31 |
JP5588836B2 JP5588836B2 (ja) | 2014-09-10 |
Family
ID=46047234
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010253860A Active JP5588836B2 (ja) | 2010-11-12 | 2010-11-12 | 弾性波デバイス |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8773000B2 (ja) |
JP (1) | JP5588836B2 (ja) |
SG (1) | SG181225A1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014046169A1 (ja) * | 2012-09-24 | 2014-03-27 | 日本碍子株式会社 | テラヘルツ波検出素子とその作製方法、接合体、および観察装置 |
JP2016009874A (ja) * | 2014-06-20 | 2016-01-18 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
KR20170015186A (ko) | 2015-07-29 | 2017-02-08 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 탄성파 디바이스 및 모듈 |
JP2017220778A (ja) * | 2016-06-07 | 2017-12-14 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
JP2020043403A (ja) * | 2018-09-07 | 2020-03-19 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
WO2024063072A1 (ja) * | 2022-09-22 | 2024-03-28 | 株式会社日本製鋼所 | 接合基板、及び接合基板の製造方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5892878B2 (ja) * | 2012-06-28 | 2016-03-23 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
CN103999366B (zh) * | 2012-11-14 | 2016-07-06 | 日本碍子株式会社 | 复合基板及其制法 |
KR101511001B1 (ko) * | 2012-11-14 | 2015-04-10 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 복합 기판 |
TWD174921S (zh) | 2014-12-17 | 2016-04-11 | 日本碍子股份有限公司 | 複合基板之部分 |
USD809804S1 (en) * | 2014-12-17 | 2018-02-13 | Ngk Insulators, Ltd. | Composite substrate for acoustic wave device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002009584A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-11 | Hitachi Ltd | 弾性表面波素子 |
JP2004343359A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波素子の製造方法 |
JP2010153961A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Ngk Insulators Ltd | 複合基板の製造方法及び複合基板 |
JP2010232725A (ja) * | 2009-03-25 | 2010-10-14 | Ngk Insulators Ltd | 複合基板、それを用いた弾性波デバイス及び複合基板の製法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004186868A (ja) | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波素子、それを有する送信フィルタ及び受信フィルタ、並びにそれらを有するデュプレクサ |
AU2003292607A1 (en) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic component and electronic apparatus using this electronic component |
JP3929983B2 (ja) * | 2004-03-03 | 2007-06-13 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 接合基板、弾性表面波素子および弾性表面波デバイス並びにその製造方法 |
WO2007138840A1 (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置 |
JP4886485B2 (ja) * | 2006-11-28 | 2012-02-29 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
JP4316632B2 (ja) * | 2007-04-16 | 2009-08-19 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波装置及び分波器 |
-
2010
- 2010-11-12 JP JP2010253860A patent/JP5588836B2/ja active Active
-
2011
- 2011-11-01 US US13/286,530 patent/US8773000B2/en active Active
- 2011-11-01 SG SG2011080421A patent/SG181225A1/en unknown
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002009584A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-11 | Hitachi Ltd | 弾性表面波素子 |
JP2004343359A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波素子の製造方法 |
JP2010153961A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Ngk Insulators Ltd | 複合基板の製造方法及び複合基板 |
JP2010232725A (ja) * | 2009-03-25 | 2010-10-14 | Ngk Insulators Ltd | 複合基板、それを用いた弾性波デバイス及び複合基板の製法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014046169A1 (ja) * | 2012-09-24 | 2014-03-27 | 日本碍子株式会社 | テラヘルツ波検出素子とその作製方法、接合体、および観察装置 |
JPWO2014046169A1 (ja) * | 2012-09-24 | 2016-08-18 | 日本碍子株式会社 | テラヘルツ波検出素子とその作製方法、接合体、および観察装置 |
JP2016009874A (ja) * | 2014-06-20 | 2016-01-18 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
KR20170015186A (ko) | 2015-07-29 | 2017-02-08 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 탄성파 디바이스 및 모듈 |
JP2017220778A (ja) * | 2016-06-07 | 2017-12-14 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
JP2020043403A (ja) * | 2018-09-07 | 2020-03-19 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
WO2024063072A1 (ja) * | 2022-09-22 | 2024-03-28 | 株式会社日本製鋼所 | 接合基板、及び接合基板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120119849A1 (en) | 2012-05-17 |
JP5588836B2 (ja) | 2014-09-10 |
SG181225A1 (en) | 2012-06-28 |
US8773000B2 (en) | 2014-07-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5588836B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
JP5856408B2 (ja) | 弾性波デバイスおよびモジュール | |
JP7169083B2 (ja) | 弾性波デバイスおよびマルチプレクサ | |
JP5648695B2 (ja) | 弾性波装置及びその製造方法 | |
WO2020130128A1 (ja) | 弾性波装置、分波器および通信装置 | |
KR102140089B1 (ko) | 탄성파 공진기, 필터 및 멀티플렉서 | |
WO2010004741A1 (ja) | 板波素子と、これを用いた電子機器 | |
CN109075770B (zh) | 复合基板以及使用其的弹性波元件 | |
JPH1174751A (ja) | 弾性表面波装置 | |
CN110710106B (zh) | 弹性波装置、分波器及通信装置 | |
JP2004186868A (ja) | 弾性表面波素子、それを有する送信フィルタ及び受信フィルタ、並びにそれらを有するデュプレクサ | |
JP6760480B2 (ja) | エクストラクタ | |
US11979139B2 (en) | Elastic wave device, elastic waves filter, duplexer, and module | |
WO2020158673A1 (ja) | 弾性波デバイスおよびマルチプレクサ | |
JP7312562B2 (ja) | 弾性波共振器およびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ | |
JP2022176790A (ja) | 弾性波デバイス、ウエハ、フィルタおよびマルチプレクサ | |
JPH09130192A (ja) | 表面波装置 | |
JP2022018424A (ja) | ウエハの製造方法、弾性波デバイスおよびその製造方法 | |
JP3945504B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
JP2022174977A (ja) | 弾性波デバイス、フィルタ、マルチプレクサ並びにウエハおよびその製造方法 | |
JP2020129787A (ja) | 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ | |
JP2005311963A (ja) | 弾性表面波装置及びそれを用いた通信用フィルタ | |
JP2001085972A (ja) | 弾性表面波デバイス用基板および弾性表面波デバイス | |
JP2009284554A (ja) | 弾性表面波装置、通信用フィルタ及び移動通信装置 | |
JP2000332567A (ja) | 圧電デバイスおよびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130906 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140320 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140415 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140520 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140715 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140728 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5588836 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |