JP2012104852A - 負荷の下で基板を検査する装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】装置が、基板が熱的な,機械的な,電気的な若しくはその他の物理的な又は化学的な負荷にさらされ、この基板の特性がプローバーの手段によって測定される、負荷の下で基板を検査する方法であって、この基板が、負荷手段2に操作連結され、この負荷手段2内で負荷にさらされ、次いでこの負荷手段2から取り出され、その機能が検査され、負荷プログラムが、負荷をかける間に実行され、この負荷プログラムでは、負荷変数が、負荷時間周期の間に変化し、および、基板は、負荷時間周期の間に負荷手段2から繰り返し取り出され、負荷時間の間に時間間隔で検査される方法の為の装置である。
【選択図】図1
Description
2 第1温度制御ステーション
3 ハンドリングシステム
4 ロボットアーム
5 ロボットドライブ
6 ウェハーホルダー
7 ウェハーマガジンステーション
8 入力ウェハーマガジン
9 出力ウェハーマガジン
10 整合ステーション
11 前面
12 ドア
13 温度制御室
14 半導体ウェハー
15 不活性ガス連結部
16 第2温度制御ステーション
17 第3温度制御ステーション
18 中央自由空間
19 第4温度制御ステーション
20 第2プローバー
21 拡張モジュール
22 ハウジング
23 ハウジングドア
24 オペレータ通路
25 自由領域
Claims (8)
- プローバーおよび熱的な、機械的な、電気的な若しくはその他の物理的な又は化学的な負荷を基板に与える負荷手段を有する、負荷の下で基板を検査する装置であって、負荷手段(2)が、プローバー(1)から独立した別のサブアセンブリとして配置され、ハンドリングシステム(3)を介してこのプローバーに接合されており、この装置は、基板を所定に整合する整合ステーション(10)を有している前記装置において、
この装置が、基板が熱的な,機械的な,電気的な若しくはその他の物理的な又は化学的な負荷にさらされ、この基板の特性がプローバーの手段によって測定される、負荷の下で基板を検査する方法であって、この基板(14)が、負荷手段(2)に操作連結され、この負荷手段(2;16;17;19)内で負荷にさらされ、次いでこの負荷手段(2;16;17;19)から取り出され、その機能が検査され、負荷プログラムが、負荷をかける間に実行され、この負荷プログラムでは、負荷変数が、負荷時間周期の間に変化し、および、基板は、負荷時間周期の間に負荷手段(2;16;17;19)から繰り返し取り出され、負荷時間の間に時間間隔で検査される方法の為の装置であることを特徴とする前記装置。 - 負荷手段が、温度制御ステーション(2)として構成されており、温度制御ステーション(2)が、温度制御室(13)から構成され、複数の基板(14)を掴む手段が、この温度制御ステーション(13)内に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 温度制御室(13)は、実質的に気密に密閉され得、不活性ガス源に連結され得ることを特徴とする請求項2に記載の装置。
- プローバー(1)及び負荷手段(2)はそれぞれ、1つのモジュール内に配置されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の装置。
- 各モジュールは、同じ基本格子寸法を有し、各モジュールは、その他のモジュールに接合され得ることを特徴とする請求項4に記載の装置。
- 負荷手段(2;16;17;19)及びプローバー(1;20)、又は負荷手段(2;16;17;19)若しくはプローバー(1;20)のどちらか一方は、繰り返し設けられていて、1つの同じハンドリングシステム(3)を介して互いに操作可能に接合されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の装置。
- 各モジュールは、振動絶縁部、または位置制御されるプラットフォーム上に配置されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の装置。
- この装置は、基板としての半導体ウェハー(14)を検査するために設計されていることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の装置。
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US20090153875A1 (en) * | 2007-12-12 | 2009-06-18 | Vistec Semiconductor Systems Gmbh | Coordinate measuring machine with temperature adapting station |
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Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61168236A (ja) * | 1985-01-21 | 1986-07-29 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | ウエハ検査装置 |
JPS63193079A (ja) * | 1987-02-06 | 1988-08-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の加速試験方法 |
JPH04315067A (ja) * | 1991-04-15 | 1992-11-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 電気部品の信頼性試験装置 |
JPH0555328A (ja) * | 1991-08-28 | 1993-03-05 | Nippon Steel Corp | 半導体デバイスの信頼性評価試験装置 |
JPH06342837A (ja) * | 1993-05-31 | 1994-12-13 | Tokyo Electron Ltd | 半導体ウエハの検査・リペア装置及びバーンイン検査装置 |
JPH06342836A (ja) * | 1993-05-31 | 1994-12-13 | Tokyo Electron Ltd | 半導体ウエハの検査・リペア装置及びバーンイン検査装置 |
JPH0894707A (ja) * | 1994-09-22 | 1996-04-12 | Advantest Corp | Icハンドラ装置 |
JPH11512231A (ja) * | 1995-06-07 | 1999-10-19 | リーディ,グレン | 閉鎖された環境において、単一機器を用いて集積回路のプロービング、検証、バーンイン、修理、プログラミングを行う為の方法および装置 |
JP2001228203A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-08-24 | Trw Inc | 製品のインライン試験装置及び方法 |
WO2002065544A1 (en) * | 2001-02-16 | 2002-08-22 | Syuji Miyazaki | User interface of semiconductor evaluator |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3182158B2 (ja) * | 1991-02-25 | 2001-07-03 | キヤノン株式会社 | 露光装置用のステージ支持装置 |
JPH0529259A (ja) * | 1991-07-22 | 1993-02-05 | Hitachi Ltd | 高融点金属もしくは高融点金属シリサイド膜の形成方法 |
US5307011A (en) * | 1991-12-04 | 1994-04-26 | Advantest Corporation | Loader and unloader for test handler |
JP3222532B2 (ja) * | 1992-03-27 | 2001-10-29 | 株式会社東芝 | 基板処理装置 |
JP3312748B2 (ja) * | 1992-06-05 | 2002-08-12 | 株式会社東京精密 | ウエハ検査装置及びウエハ検査方法 |
US5510724A (en) * | 1993-05-31 | 1996-04-23 | Tokyo Electron Limited | Probe apparatus and burn-in apparatus |
JPH07130817A (ja) * | 1993-10-30 | 1995-05-19 | Sony Corp | 金属配線の信頼性評価方法及び金属配線の信頼性評価装置 |
JPH10163280A (ja) * | 1996-12-02 | 1998-06-19 | Tokyo Electron Ltd | 検査方法及び検査装置 |
JP3639887B2 (ja) * | 1997-01-30 | 2005-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査方法及び検査装置 |
JP3231668B2 (ja) * | 1997-08-27 | 2001-11-26 | 九州日本電気株式会社 | プローブ装置 |
US6111421A (en) * | 1997-10-20 | 2000-08-29 | Tokyo Electron Limited | Probe method and apparatus for inspecting an object |
JPH11163066A (ja) * | 1997-11-29 | 1999-06-18 | Tokyo Electron Ltd | ウエハ試験装置 |
US6137303A (en) * | 1998-12-14 | 2000-10-24 | Sony Corporation | Integrated testing method and apparatus for semiconductor test operations processing |
US6373268B1 (en) * | 1999-05-10 | 2002-04-16 | Intel Corporation | Test handling method and equipment for conjoined integrated circuit dice |
US6420864B1 (en) * | 2000-04-13 | 2002-07-16 | Nanophotonics Ag | Modular substrate measurement system |
JP3783075B2 (ja) * | 2001-12-13 | 2006-06-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブ装置及びローダ装置 |
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61168236A (ja) * | 1985-01-21 | 1986-07-29 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | ウエハ検査装置 |
JPS63193079A (ja) * | 1987-02-06 | 1988-08-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の加速試験方法 |
JPH04315067A (ja) * | 1991-04-15 | 1992-11-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 電気部品の信頼性試験装置 |
JPH0555328A (ja) * | 1991-08-28 | 1993-03-05 | Nippon Steel Corp | 半導体デバイスの信頼性評価試験装置 |
JPH06342837A (ja) * | 1993-05-31 | 1994-12-13 | Tokyo Electron Ltd | 半導体ウエハの検査・リペア装置及びバーンイン検査装置 |
JPH06342836A (ja) * | 1993-05-31 | 1994-12-13 | Tokyo Electron Ltd | 半導体ウエハの検査・リペア装置及びバーンイン検査装置 |
JPH0894707A (ja) * | 1994-09-22 | 1996-04-12 | Advantest Corp | Icハンドラ装置 |
JPH11512231A (ja) * | 1995-06-07 | 1999-10-19 | リーディ,グレン | 閉鎖された環境において、単一機器を用いて集積回路のプロービング、検証、バーンイン、修理、プログラミングを行う為の方法および装置 |
JP2001228203A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-08-24 | Trw Inc | 製品のインライン試験装置及び方法 |
WO2002065544A1 (en) * | 2001-02-16 | 2002-08-22 | Syuji Miyazaki | User interface of semiconductor evaluator |
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