JP2012084625A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】メインTr2のゲート電極およびセンスTrのゲート電極をゲート電圧を印加する共通のゲート端子と接続する。そして、センスTr3にはゲート端子からそのままゲート電位が印加されると共に、メインTr2にはセンスTr3に印加されるゲート電位が第1、第2抵抗31、32によって抵抗分割された電位が印加され、メインTr2のゲート−ソース間電圧と、センスTr3のゲート−ソース間電圧とが等しくなるようにする。
【選択図】図1
Description
本発明の第1実施形態について説明する。図1は、本実施形態における半導体装置の回路構成を示す図である。
上記第1実施形態では、メインTr2およびセンスTr3をそれぞれNチャネル型トランジスタとした例について説明したが、例えば、メインTr2およびセンスTr3をそれぞれPチャネル型トランジスタとすることもできる。
2 メインTr
3 センスTr
5 調整抵抗
10 負荷
20 電流検出回路
21 検出抵抗
22 オペアンプ
31 第1抵抗
32 第2抵抗
Claims (3)
- 負荷に負荷電流を供給する電流供給用トランジスタ(2)と、
前記電流供給用トランジスタ(2)に並列接続されて前記電流供給用トランジスタ(2)と共にカレントミラー回路を構成し、前記負荷電流より小さい検出電流を流す電流検出用トランジスタ(3)と、を有し、
前記電流検出用トランジスタ(3)のソース側の配線抵抗が前記電流供給用トランジスタ(2)のソース側の配線抵抗より大きくされ、
前記検出電流が電流検出回路(20)にて検出される半導体装置において、
前記電流供給用トランジスタ(2)のゲート電極および前記電流検出用トランジスタのゲート電極はゲート電圧を印加する共通のゲート端子と接続され、
前記電流検出用トランジスタ(3)には前記ゲート端子からそのままゲート電位が印加されると共に、前記電流供給用トランジスタ(2)には前記電流検出用トランジスタ(3)に印加されるゲート電位が第1、第2抵抗(31、32)によって抵抗分割された電位が印加され、
前記電流供給用トランジスタ(2)のゲート−ソース間電圧と、前記電流検出用トランジスタ(3)のゲート−ソース間電圧とが等しくされていることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1、第2抵抗(31、32)の抵抗値は前記電流検出用トランジスタ(3)に流れる前記検出電流に基づいた値とされることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1、第2抵抗(31、32)がクロムシリコンを用いて構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
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