JP2012076949A - ガラスチップの製造方法 - Google Patents
ガラスチップの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012076949A JP2012076949A JP2010221823A JP2010221823A JP2012076949A JP 2012076949 A JP2012076949 A JP 2012076949A JP 2010221823 A JP2010221823 A JP 2010221823A JP 2010221823 A JP2010221823 A JP 2010221823A JP 2012076949 A JP2012076949 A JP 2012076949A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- glass
- cutting groove
- chip
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
【課題】ガラス基板を使用して化学強化されたガラスチップを得る場合に、ガラスチップへの分割が容易な上に、その分割後の強度の確保が可能であるガラスチップの製造方法の提供。
【解決手段】本発明は、ガラス基板を使用して化学強化されたガラスチップを得るものである。第1のステップでは、ガラス基板1に切断溝5を形成する。第2のステップでは、ガラス基板1に対してイオン交換による化学的処理を行い、切断溝5の底部の表側と裏側に圧縮応力層20を形成する。第3のステップでは、ガラス基板1の切断溝5に外力を加えてガラスチップ30に分割する。
【選択図】図1
【解決手段】本発明は、ガラス基板を使用して化学強化されたガラスチップを得るものである。第1のステップでは、ガラス基板1に切断溝5を形成する。第2のステップでは、ガラス基板1に対してイオン交換による化学的処理を行い、切断溝5の底部の表側と裏側に圧縮応力層20を形成する。第3のステップでは、ガラス基板1の切断溝5に外力を加えてガラスチップ30に分割する。
【選択図】図1
Description
本発明は、ガラス基板を使用して強化されたガラスチップを製造するガラスチップの製造方法に関する。
水晶振動子のような圧電デバイスなどのパッケージの材料としては、低コスト化が図れるガラスが有効であるが、機械的な強度の不足が懸念される。この解決策としては、例えばガラスに対して化学的な処理を施すことにより強化することが有効である。
しかし、強化ガラスは、ガラスの表面に圧縮応力層を形成することにより全体の強度を高めている。このため、強化ガラス板から所定の大きさのガラスチップを得るために、ダイサー(切断装置)などで強化ガラス板に切り込みを入れると、表面の圧縮応力層と内部の引張層との応力バランスが崩れ、破砕やクラックの発生を引き起こしてしまう。
しかし、強化ガラスは、ガラスの表面に圧縮応力層を形成することにより全体の強度を高めている。このため、強化ガラス板から所定の大きさのガラスチップを得るために、ダイサー(切断装置)などで強化ガラス板に切り込みを入れると、表面の圧縮応力層と内部の引張層との応力バランスが崩れ、破砕やクラックの発生を引き起こしてしまう。
このような背景の下で、強化ガラスの切断にレーザーを使用する技術が知られている(特許文献1など参照)。
この従来技術によれば、レーザー光による照射、あるいは同照射と冷却液噴射による冷却の併用によって強化ガラスに熱応力による亀裂(レーザースクライブ)を発生させ、その亀裂のみにより強化ガラスの割断を行ない、ガラスチップを得ることができる。
この従来技術によれば、レーザー光による照射、あるいは同照射と冷却液噴射による冷却の併用によって強化ガラスに熱応力による亀裂(レーザースクライブ)を発生させ、その亀裂のみにより強化ガラスの割断を行ない、ガラスチップを得ることができる。
しかし、割断後のガラスチップの端面の中央部には非圧縮応力層(非強化層)が露出する。このため、割断後のガラスチップは、チッピングの発生の原因になったり、ガラスチップの全面が強化された場合に比較して強度が低下するという不具合がある。
そこで、本発明の幾つかの態様の目的は、ガラス基板を使用して化学強化されたガラスチップを得る場合に、ガラスチップへの分割が容易な上に、その分割後の強度の確保が可能であるガラスチップの製造方法を提供することにある。
そこで、本発明の幾つかの態様の目的は、ガラス基板を使用して化学強化されたガラスチップを得る場合に、ガラスチップへの分割が容易な上に、その分割後の強度の確保が可能であるガラスチップの製造方法を提供することにある。
上記の課題を解決し本発明の目的を達成するために、本発明は、以下のように構成される。
本発明の態様の1つは、ガラス基板に溝を形成する第1のステップと、前記ガラス基板に対してイオン交換による化学的処理を行い、前記溝の底部の表側と裏側に圧縮応力層を形成する第2のステップと、前記溝に外力を加えて前記ガラス基板を分割する第3のステップと、を含むことを特徴とする。
この方法によれば、ガラス基板を使用して化学強化されたガラスチップを得る場合に、ガラス基板からガラスチップへの分割が容易な上に、その分割後の強度の確保が可能である。
本発明の態様の1つは、ガラス基板に溝を形成する第1のステップと、前記ガラス基板に対してイオン交換による化学的処理を行い、前記溝の底部の表側と裏側に圧縮応力層を形成する第2のステップと、前記溝に外力を加えて前記ガラス基板を分割する第3のステップと、を含むことを特徴とする。
この方法によれば、ガラス基板を使用して化学強化されたガラスチップを得る場合に、ガラス基板からガラスチップへの分割が容易な上に、その分割後の強度の確保が可能である。
また、前記溝の底部の厚さtは、前記圧縮応力層の厚さをdとすると、t≦2dであることを特徴とする。
この方法によれば、ガラスチップへの分割後に、ガラスチップは十分な強度を確保することができる。
さらに、前記第1のステップにおいて、前記溝の下部にレーザー光の照射により変質領域を形成するようにしたことを特徴とする。
この方法によれば、第2のステップにおいてイオン交換による化学的処理を促進でき、その処理時間の短縮を図ることができる。
この方法によれば、ガラスチップへの分割後に、ガラスチップは十分な強度を確保することができる。
さらに、前記第1のステップにおいて、前記溝の下部にレーザー光の照射により変質領域を形成するようにしたことを特徴とする。
この方法によれば、第2のステップにおいてイオン交換による化学的処理を促進でき、その処理時間の短縮を図ることができる。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
(第1実施形態)
本発明のガラスチップの製造方法に係る第1実施形態について、図1を参照して説明する。
この第1実施形態は、水晶振動子のような圧電デバイスなどのパッケージの製造に適用したものである。そして、そのパッケージは、ガラス基板を使用して製造され、最終的にガラス基板が分割されたガラスチップからなり、ガラスチップは化学強化された強化ガラスからなる。
(第1実施形態)
本発明のガラスチップの製造方法に係る第1実施形態について、図1を参照して説明する。
この第1実施形態は、水晶振動子のような圧電デバイスなどのパッケージの製造に適用したものである。そして、そのパッケージは、ガラス基板を使用して製造され、最終的にガラス基板が分割されたガラスチップからなり、ガラスチップは化学強化された強化ガラスからなる。
まず、図1(A)に示すように、表面と裏面にエッチング保護膜2、3が形成された所定の厚さのガラス基板1を用意する。エッチング保護膜2、3の所定の位置には、図1(C)に示す貫通孔4を形成するための孔6、7が形成されている。また、エッチング保護膜2の所定位置には、図1(C)に示す切断溝5を形成するための開口部8が形成されている。
ここで、切断溝5は、後述のガラスチップ30を得るときに切断溝5の底部の部分を2つに割って切り離すためのものであり、ガラス基板1上の縦横方向の一方またはその双方に形成されている。このため、上記の開口部8は、その切断溝5の形状に合わせて形成されている。
ここで、切断溝5は、後述のガラスチップ30を得るときに切断溝5の底部の部分を2つに割って切り離すためのものであり、ガラス基板1上の縦横方向の一方またはその双方に形成されている。このため、上記の開口部8は、その切断溝5の形状に合わせて形成されている。
また、エッチング保護膜2、3は、ガラス基板1のエッチングのときに溶出せず、レーザー光の透過性を有するものであれば良い。エッチング保護膜2、3としては、酸化シリコン(SiO2 )、窒化シリコン(SiN)などを使用する。
次に、ガラス基板1の貫通孔4が形成される位置に、ガラス基板1の貫通孔4を形成する経路(厚さ方向)に沿ってレーザー光を照射する(図1(A)参照)。レーザー光の照射は、レーザー光をレンズを用いて集光し、集光点が厚さ方向に沿って走査(移動)することにより行う。その後、レーザー光による照射(走査)が終了すると、図1(A)に示すように、ガラス基板1の貫通孔4が形成される部分に変質領域(改質領域)9が形成される。
次に、ガラス基板1の貫通孔4が形成される位置に、ガラス基板1の貫通孔4を形成する経路(厚さ方向)に沿ってレーザー光を照射する(図1(A)参照)。レーザー光の照射は、レーザー光をレンズを用いて集光し、集光点が厚さ方向に沿って走査(移動)することにより行う。その後、レーザー光による照射(走査)が終了すると、図1(A)に示すように、ガラス基板1の貫通孔4が形成される部分に変質領域(改質領域)9が形成される。
そして、ガラス基板1の複数の貫通孔4が形成される各位置において、上記のレーザー光の照射を繰り返すと、その各位置において変質領域9が形成される。
次に、ガラス基板1の切断溝5が形成される位置に、ガラス基板1の厚さ方法に沿ってレーザー光を照射し、切断溝5の深さに相当する長さの変質領域10を形成する(図1(A)参照)。切断溝5は、その幅が図1(C)に示す程度であるが、その長さは幅に比べて相当に長いものである。このため、切断溝5の形成位置に形成される変質領域10は、切断部5の長さ方向において所定の間隔で複数形成する。
そして、ガラス基板1の複数の切断溝5が形成される各位置において、上記のレーザー光の照射を繰り返すと、その各位置において変質領域10が形成される。
次に、ガラス基板1の切断溝5が形成される位置に、ガラス基板1の厚さ方法に沿ってレーザー光を照射し、切断溝5の深さに相当する長さの変質領域10を形成する(図1(A)参照)。切断溝5は、その幅が図1(C)に示す程度であるが、その長さは幅に比べて相当に長いものである。このため、切断溝5の形成位置に形成される変質領域10は、切断部5の長さ方向において所定の間隔で複数形成する。
そして、ガラス基板1の複数の切断溝5が形成される各位置において、上記のレーザー光の照射を繰り返すと、その各位置において変質領域10が形成される。
ここで、ガラス基板1に形成される変質領域9、10は、例えばガラス基板1の密度、屈折率、機械的強度、その他の物理的特性が周囲とは異なって変質が生じた部分をいい、エッチングで他の部分より容易に除去できる部分をいう。
次に、ガラス基板1に対して、所定のエッチング液を使用して所定のエッチング条件で異方性エッチングを行うと、複数の変質領域9はそれに係る部位が除去されていくとともに、複数の変質領域10はそれに係る部位が除去されていく。そして、エッチングが終了すると、ガラス基板1に複数の貫通孔4が形成されるとともに、複数の切断溝5が形成される(図1(B)参照)。
次に、ガラス基板1に対して、所定のエッチング液を使用して所定のエッチング条件で異方性エッチングを行うと、複数の変質領域9はそれに係る部位が除去されていくとともに、複数の変質領域10はそれに係る部位が除去されていく。そして、エッチングが終了すると、ガラス基板1に複数の貫通孔4が形成されるとともに、複数の切断溝5が形成される(図1(B)参照)。
その後、ガラス基板1からエッチング保護膜2、3をそれぞれ除去すると、図1(C)の状態のガラス基板1が得られる。次に、このエッチング保護膜2、3が除去されたガラス基板1に対してイオン交換による化学的処理を行い、ガラス基板1の表面に所定の厚さの圧縮応力層20を形成させる(図1(D)参照)。
この化学的処理は、そのガラス基板1を溶融塩の中に浸漬することにより、ガラス基板1中のナトリウム(Na)と溶融塩中のカリウム(K)とのイオン交換を行う。これにより、図1(D)に示すように、ガラス基板1の表面に圧縮応力層20が形成され、ガラス基板1は強化ガラスとなる。このとき、切断溝5の底部の表側と裏側に圧縮応力層20が形成される(図1(D)参照)。
この化学的処理は、そのガラス基板1を溶融塩の中に浸漬することにより、ガラス基板1中のナトリウム(Na)と溶融塩中のカリウム(K)とのイオン交換を行う。これにより、図1(D)に示すように、ガラス基板1の表面に圧縮応力層20が形成され、ガラス基板1は強化ガラスとなる。このとき、切断溝5の底部の表側と裏側に圧縮応力層20が形成される(図1(D)参照)。
ここで、ガラス基板1の切断溝5の底部の厚さtは(図1(C)参照)、圧縮応力層20の厚さをdとすると(図1(D)参照)、t≦2dの関係を満たすことが必要である。
これは、図1(D)に示すように、圧縮応力層20は、切断溝5の底部の表側と裏側にそれぞれ形成されるが、その形成される圧縮応力層20が一連につながることを意味する。これにより、後述のように得られるガラスチップ30は、その表面全体に圧縮応力層20が形成され(図1(F)参照)、強化ガラスの状態となる。
次に、貫通孔4の内周面と、ガラス基板1の表裏面上であって配線パターン11、12を形成する部分とに、Cr−Auなどのスパッタにより導電性の薄膜(図示せず)をそれぞれ形成させる。
これは、図1(D)に示すように、圧縮応力層20は、切断溝5の底部の表側と裏側にそれぞれ形成されるが、その形成される圧縮応力層20が一連につながることを意味する。これにより、後述のように得られるガラスチップ30は、その表面全体に圧縮応力層20が形成され(図1(F)参照)、強化ガラスの状態となる。
次に、貫通孔4の内周面と、ガラス基板1の表裏面上であって配線パターン11、12を形成する部分とに、Cr−Auなどのスパッタにより導電性の薄膜(図示せず)をそれぞれ形成させる。
その後、その導電性の薄膜上に、導電率を高めるために銅メッキなどのメッキ処理を行う。これにより、ガラス基板1に配線パターン11、12が形成されると同時に、貫通孔4の内周面に導電性膜13が形成される(図1(E)参照)。
このとき、銅メッキは同時に貫通孔4の内周面に析出されるので、最終的に貫通孔4の孔径の最小部は、銅メッキにより閉塞状態となる(図1(E)参照)。
次に、ガラス基板1の切断溝5の両側に外力を加え、例えばその切断溝5の長さ方向を幅方向に向けて折り曲げると、切断溝5の底部の部分が2つに割れて切り離される。このような処理を繰り返すことにより、ガラス基板1は複数のガラスチップ30に分割される(図1(F)参照)。
このとき、銅メッキは同時に貫通孔4の内周面に析出されるので、最終的に貫通孔4の孔径の最小部は、銅メッキにより閉塞状態となる(図1(E)参照)。
次に、ガラス基板1の切断溝5の両側に外力を加え、例えばその切断溝5の長さ方向を幅方向に向けて折り曲げると、切断溝5の底部の部分が2つに割れて切り離される。このような処理を繰り返すことにより、ガラス基板1は複数のガラスチップ30に分割される(図1(F)参照)。
このとき、複数に分割された各ガラスチップ30の表面全体は、圧縮応力層20が形成された状態になっている。このため、各ガラスチップ30は、強化ガラスから構成されることになる。
以上のように、この第1実施形態によれば、ガラス基板を使用して化学強化されたガラスチップを得る場合に、ガラス基板からガラスチップへの分割(割断)が容易である上に、分割後のガラスチップは十分な強度が得られる。
以上のように、この第1実施形態によれば、ガラス基板を使用して化学強化されたガラスチップを得る場合に、ガラス基板からガラスチップへの分割(割断)が容易である上に、分割後のガラスチップは十分な強度が得られる。
(実施例)
次に、第1実施形態を適用した実施例について説明する。
この実施例は、ガラス基板1の材料には、NEC SCHOTT コンポーネンツ株式会社の製造するホウケイ酸塩ガラスD263(商品名)を使用した。貫通孔4と切断溝5の形成には、ガラス基板1に対してYAGレーザーの第3高調波等を用いて変質領域9、10を形成し、バッファードフッ酸を用いてエッチングを行うことで形成するようにした。ガラス基板1の厚さは230μm とし、エッチング後の切断溝5は、その幅が20μmで深さは130μmであった。
ガラス基板1の化学的強化は、KNO3 塩浴中に浸漬し、ガラス基板1中のNaと、塩浴中のKをイオン交換し、表面に圧縮応力層20を形成するようにした。塩浴の温度は410℃とした。その処理時間は16時間とした。
次に、第1実施形態を適用した実施例について説明する。
この実施例は、ガラス基板1の材料には、NEC SCHOTT コンポーネンツ株式会社の製造するホウケイ酸塩ガラスD263(商品名)を使用した。貫通孔4と切断溝5の形成には、ガラス基板1に対してYAGレーザーの第3高調波等を用いて変質領域9、10を形成し、バッファードフッ酸を用いてエッチングを行うことで形成するようにした。ガラス基板1の厚さは230μm とし、エッチング後の切断溝5は、その幅が20μmで深さは130μmであった。
ガラス基板1の化学的強化は、KNO3 塩浴中に浸漬し、ガラス基板1中のNaと、塩浴中のKをイオン交換し、表面に圧縮応力層20を形成するようにした。塩浴の温度は410℃とした。その処理時間は16時間とした。
このようにして形成されたガラス基板1の切断溝5の両端に外力(圧力)を加えることによって、切断溝5に沿ってガラス基板1を個片化してガラスチップ30を得ることができた。この得られたガラスチップ30には、クラック等は発生していなかった。
また、その得られたガラスチップ30の割断面を成分分析計(EDX)によって成分分析した結果、割断面全域において、圧縮応力層20が形成されていることが分かった。また、そのガラスチップ30の断面についても同様な分析を行った。その結果、60μm程度の圧縮応力層20が形成されていることが分かった。
一方で、塩浴の浸漬時間を4時間としたガラス基板1は、個片化の際に、ガラス基板1の内部へもクラックが侵入してしまう場合があった。未強化のガラス基板については、個片化の際にクラックが入ることは無かった。
また、その得られたガラスチップ30の割断面を成分分析計(EDX)によって成分分析した結果、割断面全域において、圧縮応力層20が形成されていることが分かった。また、そのガラスチップ30の断面についても同様な分析を行った。その結果、60μm程度の圧縮応力層20が形成されていることが分かった。
一方で、塩浴の浸漬時間を4時間としたガラス基板1は、個片化の際に、ガラス基板1の内部へもクラックが侵入してしまう場合があった。未強化のガラス基板については、個片化の際にクラックが入ることは無かった。
以上の検討により、化学強化ガラスをブレイク(割断)するためには、ガラス基板1のブレイク箇所が深さ方向に対して完全にイオン交換されていることが重要であるといえる。これは、例えば図1(F)に示すようにブレイクして個片化した後も、ガラスチップ30表面の圧縮応力層の応力バランスが崩れることが無いため、チップ内部へのクラックの進展も無くなるためである。
一方、切断溝5に未強化部分が残っている場合は、ブレイクを行った際に、割断面の未強化部分が露出し、ガラスチップ30表面の応力バランスが崩れ、ガラスチップ30の内部にクラックを発生させてしまう。
一方、切断溝5に未強化部分が残っている場合は、ブレイクを行った際に、割断面の未強化部分が露出し、ガラスチップ30表面の応力バランスが崩れ、ガラスチップ30の内部にクラックを発生させてしまう。
(第2実施形態)
本発明のガラスチップの製造方法に係る第2実施形態について、図1および図2を参照して説明する。
ここで、図2(A)は図1(A)に相当し、切断溝5を形成する部分の長さ方向の断面図である。図2(B)は図1(B)に相当し、切断部5の長さ方向の断面図である。図2(C)は第2実施形態の切断溝5の長さ方向の断面図、図2(D)はその幅方向の断面図である。
この第2実施形態は、図1に示す第1実施形態を基本にしているが、図2(C)および(D)に示すように、切断溝5の底部の長さ方向に所定の間隔で複数の穴40を形成するようにした点が異なる。
本発明のガラスチップの製造方法に係る第2実施形態について、図1および図2を参照して説明する。
ここで、図2(A)は図1(A)に相当し、切断溝5を形成する部分の長さ方向の断面図である。図2(B)は図1(B)に相当し、切断部5の長さ方向の断面図である。図2(C)は第2実施形態の切断溝5の長さ方向の断面図、図2(D)はその幅方向の断面図である。
この第2実施形態は、図1に示す第1実施形態を基本にしているが、図2(C)および(D)に示すように、切断溝5の底部の長さ方向に所定の間隔で複数の穴40を形成するようにした点が異なる。
このため、第2実施形態では、第1実施形態と同様に、ガラス基板1の切断溝5が形成される位置に、ガラス基板1の厚さ方法に沿ってレーザー光を照射し、切断溝5の深さに相当する長さの変質領域10を形成する(図1(B)参照)。また、その変質領域10は、切断溝5の形成位置において、切断溝5の長さ方向に所定の間隔で複数形成する。
しかし、第2の実施形態では、切断溝5の底部の長さ方向に所定の間隔で複数の穴40を形成する必要がある。そこで、図2(A)に示すように、切断溝5を形成すべき位置に形成される複数の変質領域10のうち、所定の変質領域10aについては他の変質領域10よりも深い位置まで形成するようにした。
しかし、第2の実施形態では、切断溝5の底部の長さ方向に所定の間隔で複数の穴40を形成する必要がある。そこで、図2(A)に示すように、切断溝5を形成すべき位置に形成される複数の変質領域10のうち、所定の変質領域10aについては他の変質領域10よりも深い位置まで形成するようにした。
このため、このように処理したガラス基板1に対して、所定のエッチング液を使用して所定のエッチング条件で異方性エッチングを行うと、図2(B)に示すように、切断溝5の他に、切断溝5の底部に複数の穴40を形成できる。
以上のように、第2実施形態では、切断溝5の他に、切断溝5の底部に複数の穴40を形成するようにした。
このため、第2実施形態では、化学処理により切断溝5の底部の表側と裏側に圧縮応力層20が形成される際に、その複数の穴40によってイオン交換が促進され、その処理時間の短縮を図ることができる。
以上のように、第2実施形態では、切断溝5の他に、切断溝5の底部に複数の穴40を形成するようにした。
このため、第2実施形態では、化学処理により切断溝5の底部の表側と裏側に圧縮応力層20が形成される際に、その複数の穴40によってイオン交換が促進され、その処理時間の短縮を図ることができる。
(第3実施形態)
本発明のガラスチップの製造方法に係る第3実施形態について、図1および図3を参照して説明する。
ここで、図3(A)は図1(A)に相当し、切断溝5を形成する部分の長さ方向の断面図である。図3(B)は図1(B)に相当し、切断部5の長さ方向の断面図である。図3(C)は第3実施形態の切断溝5の長さ方向の断面図である。
この第3実施形態は、図1に示す第1実施形態を基本にしているが、図3(C)に示すように、切断溝5の下部であって、切断溝5の長さ方向に所定の間隔で、複数の変質領域50を形成するようにした点が異なる。そして、複数の変質領域50は、レーザー光の照射により形成した。
本発明のガラスチップの製造方法に係る第3実施形態について、図1および図3を参照して説明する。
ここで、図3(A)は図1(A)に相当し、切断溝5を形成する部分の長さ方向の断面図である。図3(B)は図1(B)に相当し、切断部5の長さ方向の断面図である。図3(C)は第3実施形態の切断溝5の長さ方向の断面図である。
この第3実施形態は、図1に示す第1実施形態を基本にしているが、図3(C)に示すように、切断溝5の下部であって、切断溝5の長さ方向に所定の間隔で、複数の変質領域50を形成するようにした点が異なる。そして、複数の変質領域50は、レーザー光の照射により形成した。
このため、第3実施形態では、第1実施形態と同様に、ガラス基板1の切断溝5が形成される位置に、ガラス基板1の厚さ方法に沿ってレーザー光を照射し、切断溝5の深さに相当する長さの変質領域10を形成する(図1(B)参照)。また、その変質領域10は、切断溝5の形成位置において、切断溝5の長さ方向に所定の間隔で複数形成する(図3(A)参照)。
しかし、第3の実施形態では、切断溝5の下部に複数の変質領域50を形成する必要がある。そこで、図3(A)に示すように、切断溝5を形成すべき位置に形成される複数の変質領域10のうち、所定の変質領域10を形成する際に、その変質領域10から所定距離だけ離れた位置に変質領域50を形成するようにした。
しかし、第3の実施形態では、切断溝5の下部に複数の変質領域50を形成する必要がある。そこで、図3(A)に示すように、切断溝5を形成すべき位置に形成される複数の変質領域10のうち、所定の変質領域10を形成する際に、その変質領域10から所定距離だけ離れた位置に変質領域50を形成するようにした。
このため、このように処理したガラス基板1に対して、所定のエッチング液を使用して所定のエッチング条件で異方性エッチングを行うと、図3(C)に示すように、切断溝5の他に、切断溝5の下部に複数の変質領域50を形成できる。
以上のように、第3実施形態では、切断溝5の他に、切断溝5の下部に複数の変質領域50を形成するようにした。
このため、第3実施形態では、化学処理により切断溝5の底部の表側と裏側に圧縮応力層20が形成される際に、その複数の変質領域50によってイオン交換が促進され、その処理時間の短縮を図ることができる。
以上のように、第3実施形態では、切断溝5の他に、切断溝5の下部に複数の変質領域50を形成するようにした。
このため、第3実施形態では、化学処理により切断溝5の底部の表側と裏側に圧縮応力層20が形成される際に、その複数の変質領域50によってイオン交換が促進され、その処理時間の短縮を図ることができる。
(その他の実施形態)
上記の実施形態では、レーザー光の照射により変質領域10を形成し、その変質領域10をエッチングにより除去することにより、ガラス基板1に複数の切断溝5を形成する場合について説明した。
しかし、複数の切断溝5は、そのような形成に代えて、ダイサー(切断装置)などを用いて形成するようにしても良い。
上記の実施形態では、レーザー光の照射により変質領域10を形成し、その変質領域10をエッチングにより除去することにより、ガラス基板1に複数の切断溝5を形成する場合について説明した。
しかし、複数の切断溝5は、そのような形成に代えて、ダイサー(切断装置)などを用いて形成するようにしても良い。
1・・・ガラス基板、2、3・・・エッチング保護膜、4・・・貫通孔、5・・・切断溝、6、7・・・孔、9、10、10a・・・変質領域、20・・・圧縮応力層、30・・・ガラスチップ、40・・・穴、50・・・変質領域
Claims (3)
- ガラス基板に溝を形成する第1のステップと、
前記ガラス基板に対してイオン交換による化学的処理を行い、前記溝の底部の表側と裏側に圧縮応力層を形成する第2のステップと、
前記溝に外力を加えて前記ガラス基板を分割する第3のステップと、
を含むことを特徴とするガラスチップの製造方法。 - 前記溝の底部の厚さtは、前記圧縮応力層の厚さをdとすると、t≦2dであることを特徴とする請求項1に記載のガラスチップの製造方法。
- 前記第1のステップにおいて、前記溝の下部にレーザー光の照射により変質領域を形成するようにしたことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のガラスチップの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010221823A JP2012076949A (ja) | 2010-09-30 | 2010-09-30 | ガラスチップの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010221823A JP2012076949A (ja) | 2010-09-30 | 2010-09-30 | ガラスチップの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012076949A true JP2012076949A (ja) | 2012-04-19 |
Family
ID=46237625
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010221823A Pending JP2012076949A (ja) | 2010-09-30 | 2010-09-30 | ガラスチップの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012076949A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103043891A (zh) * | 2012-12-26 | 2013-04-17 | 东莞宇龙通信科技有限公司 | 玻璃制作工艺 |
JP2014001101A (ja) * | 2012-06-18 | 2014-01-09 | Dainippon Printing Co Ltd | カバーガラスの形成方法 |
JP2014069995A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Kiso Micro Kk | ガラス基板の製造方法 |
CN104045227A (zh) * | 2013-03-13 | 2014-09-17 | 得八益十意恩至股份有限公司 | 制造用于显示装置的强化玻璃板的方法及强化玻璃板 |
JP2015067471A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | Hoya株式会社 | 電子機器用カバーガラスのガラス基板の製造方法 |
CN104867881A (zh) * | 2014-02-20 | 2015-08-26 | 爱信精机株式会社 | 玻璃加工部件及其制造方法、电子装置及其制造方法 |
JP2016011219A (ja) * | 2014-06-27 | 2016-01-21 | 旭硝子株式会社 | ガラス基板の切断方法 |
KR20160113694A (ko) * | 2014-01-27 | 2016-09-30 | 코닝 인코포레이티드 | 레이저 컷팅 유리를 기계적으로 처리하여 챔퍼링된 에지 |
JP2021512839A (ja) * | 2018-02-06 | 2021-05-20 | エージーシー グラス ユーロップAgc Glass Europe | 被覆化学強化ガラス物品の製造方法 |
-
2010
- 2010-09-30 JP JP2010221823A patent/JP2012076949A/ja active Pending
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014001101A (ja) * | 2012-06-18 | 2014-01-09 | Dainippon Printing Co Ltd | カバーガラスの形成方法 |
JP2014069995A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Kiso Micro Kk | ガラス基板の製造方法 |
CN103043891A (zh) * | 2012-12-26 | 2013-04-17 | 东莞宇龙通信科技有限公司 | 玻璃制作工艺 |
CN104045227A (zh) * | 2013-03-13 | 2014-09-17 | 得八益十意恩至股份有限公司 | 制造用于显示装置的强化玻璃板的方法及强化玻璃板 |
JP2015067471A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | Hoya株式会社 | 電子機器用カバーガラスのガラス基板の製造方法 |
KR20160113694A (ko) * | 2014-01-27 | 2016-09-30 | 코닝 인코포레이티드 | 레이저 컷팅 유리를 기계적으로 처리하여 챔퍼링된 에지 |
JP2017510535A (ja) * | 2014-01-27 | 2017-04-13 | コーニング インコーポレイテッド | レーザ切断済みガラスを機械的に加工することによる縁部面取り |
KR102432658B1 (ko) * | 2014-01-27 | 2022-08-16 | 코닝 인코포레이티드 | 레이저 컷팅 유리를 기계적으로 처리하여 챔퍼링된 에지 |
CN104867881A (zh) * | 2014-02-20 | 2015-08-26 | 爱信精机株式会社 | 玻璃加工部件及其制造方法、电子装置及其制造方法 |
JP2016011219A (ja) * | 2014-06-27 | 2016-01-21 | 旭硝子株式会社 | ガラス基板の切断方法 |
JP2021512839A (ja) * | 2018-02-06 | 2021-05-20 | エージーシー グラス ユーロップAgc Glass Europe | 被覆化学強化ガラス物品の製造方法 |
JP7315567B2 (ja) | 2018-02-06 | 2023-07-26 | エージーシー グラス ユーロップ | 被覆化学強化ガラス物品の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2012076949A (ja) | ガラスチップの製造方法 | |
KR102273664B1 (ko) | 광피삭성 층을 포함한 융합-인발된 유리 적층 구조부의 기계가공 방법 | |
JP5822873B2 (ja) | レーザ加工方法及び切断方法並びに多層基板を有する構造体の分割方法 | |
JP4907984B2 (ja) | レーザ加工方法及び半導体チップ | |
JP4781661B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP2013537723A (ja) | ガラスインターポーザパネル及びその作製方法 | |
TWI629249B (zh) | Method for cutting tempered glass sheets | |
JP2005219960A (ja) | ガラスの切断分離方法、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板、フラットパネルディスプレイ | |
JP5756237B2 (ja) | 強化ガラスの曲線切断方法 | |
CN110770640A (zh) | 带透明薄膜的玻璃面板的制造方法、带透明薄膜的液晶面板的制造方法、玻璃面板制造方法以及液晶面板制造方法 | |
JPWO2018043016A1 (ja) | ガラス物品の製造方法およびガラス物品 | |
JP3895287B2 (ja) | サファイア基板の分割方法及び分割装置 | |
JP5330731B2 (ja) | 貼り合わせガラス基板の加工方法 | |
JP2010221573A (ja) | 多層基板の製造方法 | |
JP5833968B2 (ja) | ガラス基板の分断方法 | |
JP6578533B1 (ja) | 液晶パネル製造方法 | |
JP5971474B2 (ja) | 化学強化ガラスの割断方法 | |
JP2016084275A (ja) | ガラス基板の分断方法 | |
WO2018135565A1 (ja) | 液晶パネル製造方法 | |
KR102056360B1 (ko) | 강화 유리 및 그 제조 방법 | |
JP2010143770A (ja) | 加工対象物の分割方法 | |
KR102512078B1 (ko) | 셀단위 유리기판 제조방법 | |
JP2013245122A (ja) | ガラス基板の分断方法 | |
JP2018116235A (ja) | 液晶パネル製造方法 | |
JP6534105B2 (ja) | 液晶パネル製造方法 |