JP2012074512A - Die-bonding material for optical semiconductor device and optical semiconductor device using the same - Google Patents

Die-bonding material for optical semiconductor device and optical semiconductor device using the same Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a die-bonding material for optical semiconductor device whose thickness can become uniform in an application of the same onto a member to be applied.SOLUTION: The die-bonding material for optical semiconductor device contains a first silicon resin having a hydrogen atom bonded to a silicon atom, a second silicon resin not having a hydrogen atom bonded to a silicon but having an alkenyl group, a catalyst for hydrosilylation reaction, and spherical silica. Refractive indices of the first and second silicon resins are 1.42 or higher and 1.46 or lower, respectively. Volume average particle size of the spherical silica is 0.5-10 μm, and the CV value of the spherical silica is 10% or less.

Description

本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）素子などの光半導体素子をダイボンディングするために用いられる光半導体装置用ダイボンド材、並びに該光半導体装置用ダイボンド材を用いた光半導体装置に関する。   The present invention relates to a die bond material for an optical semiconductor device used for die bonding of an optical semiconductor element such as a light emitting diode (LED) element, and an optical semiconductor device using the die bond material for an optical semiconductor device.

発光ダイオード（ＬＥＤ）素子などの光半導体素子が、表示装置の光源等に広く用いられている。光半導体素子を用いた光半導体装置の消費電力は低く、かつ寿命は長い。また、光半導体装置は、過酷な環境下でも使用され得る。従って、光半導体装置は、携帯電話用バックライト、液晶テレビ用バックライト、自動車用ランプ、照明器具及び看板などの幅広い用途で使用されている。   Optical semiconductor elements such as light emitting diode (LED) elements are widely used as light sources for display devices. An optical semiconductor device using an optical semiconductor element has low power consumption and long life. Moreover, the optical semiconductor device can be used even in a harsh environment. Accordingly, optical semiconductor devices are used in a wide range of applications such as mobile phone backlights, liquid crystal television backlights, automobile lamps, lighting fixtures, and signboards.

下記の特許文献１には、ＬＥＤ素子が基板上に実装された光半導体装置が開示されている。この光半導体装置では、ＬＥＤ素子は、基板の上面にダイボンド材を用いて接合されている。このダイボンド材は、アルケニル基含有ポリオルガノシロキサンと、珪素原子に結合した水素原子を３個以上有するポリオルガノハイドロジェンシロキサンと、白金触媒と、接着性付与剤とを含む。上記アルケニル基含有ポリオルガノシロキサンは、珪素原子に結合する水酸基量が５０〜３０００ｐｐｍであり、珪素原子に結合したアルケニル基を平均１個以上有し、かつＳｉＯ４／２単位を有するポリオルガノシロキサンを含む。 Patent Document 1 below discloses an optical semiconductor device in which an LED element is mounted on a substrate. In this optical semiconductor device, the LED element is bonded to the upper surface of the substrate using a die bond material. This die bond material includes an alkenyl group-containing polyorganosiloxane, a polyorganohydrogensiloxane having three or more hydrogen atoms bonded to silicon atoms, a platinum catalyst, and an adhesion promoter. The alkenyl group-containing polyorganosiloxane is a polyorganosiloxane having a hydroxyl group amount of 50 to 3000 ppm bonded to a silicon atom, an average of one or more alkenyl groups bonded to a silicon atom, and SiO 4/2 units. Including.

特開２００９−１１４３６５号公報JP 2009-114365 A

上記光半導体装置を得る際には、先ずダイボンダーと呼ばれる塗布装置を用いて、基板上にペースト状のダイボンド材を塗布し、ダイボンド層を形成する。次に、ダイボンド層上に、光半導体素子を積層する。その後、ダイボンド層を硬化させ、光半導体装置を得る。   When obtaining the above optical semiconductor device, first, a paste-like die-bonding material is applied on a substrate using a coating device called a die bonder to form a die-bonding layer. Next, an optical semiconductor element is laminated on the die bond layer. Thereafter, the die bond layer is cured to obtain an optical semiconductor device.

上記塗布装置を用いて、特許文献１に記載のような従来のダイボンド材を塗布すると、塗布されたダイボンド層（ペースト層）の厚みが均一にならないことがある。ダイボンド層の厚みが不均一であると、ダイボンド層上に積層された光半導体素子が傾いたり、ダイボンド層に光半導体素子が部分的に接着されなかったりすることがある。このため、光半導体装置において不良が発生することがある。   When a conventional die bond material as described in Patent Document 1 is applied using the above-described coating apparatus, the thickness of the applied die bond layer (paste layer) may not be uniform. If the thickness of the die bond layer is not uniform, the optical semiconductor element laminated on the die bond layer may be inclined, or the optical semiconductor element may not be partially bonded to the die bond layer. For this reason, defects may occur in the optical semiconductor device.

近年、高輝度化のために、大きなＬＥＤ素子が用いられることがある。大型のＬＥＤ素子を用いる場合には、ダイボンド材の塗布面積も大きくなる。塗布面積が大きいと、塗布されたダイボンド層の厚みばらつきがより一層生じやすくなるという問題がある。   In recent years, a large LED element may be used for high brightness. When a large LED element is used, the application area of the die bond material is also increased. When the coating area is large, there is a problem that thickness variation of the applied die bond layer is more likely to occur.

本発明の目的は、塗布対象部材上に塗布されたときに、厚みを均一にすることができる光半導体装置用ダイボンド材、並びに該光半導体装置用ダイボンド材を用いた光半導体装置を提供することである。   An object of the present invention is to provide a die bond material for an optical semiconductor device capable of making the thickness uniform when applied onto a member to be applied, and an optical semiconductor device using the die bond material for an optical semiconductor device. It is.

本発明の広い局面によれば、珪素原子に結合した水素原子を有する第１のシリコーン樹
脂と、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアルケニル基を有する第２のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒と、球状シリカとを含み、上記第１のシリコーン樹脂の屈折率が１．４２以上、１．４６以下であり、上記第２のシリコーン樹脂の屈折率が１．４２以上、１．４６以下であり、上記球状シリカの体積平均粒径が０．５μｍ以上、１０μｍ以下であり、かつ上記球状シリカのＣＶ値が１０％以下である、光半導体装置用ダイボンド材が提供される。 According to a broad aspect of the present invention, a first silicone resin having a hydrogen atom bonded to a silicon atom, a second silicone resin not having a hydrogen atom bonded to a silicon atom and having an alkenyl group, and hydrosilyl The first silicone resin has a refractive index of 1.42 or more and 1.46 or less, and the second silicone resin has a refractive index of 1.42 or more, 1 There is provided a die bond material for an optical semiconductor device having a volume average particle size of 0.5 to 10 μm and a CV value of the spherical silica of 10% or less.

本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材のある特定の局面では、上記第１のシリコーン樹脂は、下記式（１Ａ）又は下記式（１Ｂ）で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子を有する第１のシリコーン樹脂であり、上記第２のシリコーン樹脂は、下記式（５１Ａ）又は下記式（５１Ｂ）で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアルケニル基を有する第２のシリコーン樹脂である。   In a specific aspect of the die bond material for an optical semiconductor device according to the present invention, the first silicone resin has a hydrogen atom represented by the following formula (1A) or the following formula (1B) and bonded to a silicon atom. The second silicone resin is a first silicone resin represented by the following formula (51A) or the following formula (51B), which does not have a hydrogen atom bonded to a silicon atom and has an alkenyl group. 2 silicone resin.

Figure 2012074512
Figure 2012074512

上記式（１Ａ）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．０５〜０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．４０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．３０〜０．８０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個が水素原子を表し、水素原子以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。   In the above formula (1A), a, b and c are a / (a + b + c) = 0.05 to 0.50, b / (a + b + c) = 0 to 0.40 and c / (a + b + c) = 0.30. 0.81 is satisfied, at least one of R1 to R6 represents a hydrogen atom, and R1 to R6 other than a hydrogen atom represent a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms.

Figure 2012074512
Figure 2012074512

上記式（１Ｂ）中、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．０５〜０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０〜０．４０、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．３０〜０．８０及びｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．０１〜０．４０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個が水素原子を表し、水素原子以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ７〜Ｒ１０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ１１は、炭素数１〜８の２価の炭化水素基を表す。   In the formula (1B), a, b, c and d are a / (a + b + c + d) = 0.05 to 0.50, b / (a + b + c + d) = 0 to 0.40, c / (a + b + c + d) = 0. 30 to 0.80 and d / (a + b + c + d) = 0.01 to 0.40, at least one of R1 to R6 represents a hydrogen atom, and R1 to R6 other than a hydrogen atom have 1 to 8 carbon atoms. R7 to R10 each represents a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, and R11 represents a divalent hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms.

Figure 2012074512
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上記式（５１Ａ）中、ｐ、ｑ及びｒは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０５〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０〜０．４０及びｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．３０〜０．８０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、アルケニル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。   In the above formula (51A), p, q and r are p / (p + q + r) = 0.05 to 0.50, q / (p + q + r) = 0 to 0.40 and r / (p + q + r) = 0.30. 0.85 is satisfied, and at least one of R51 to R56 represents an alkenyl group, and R51 to R56 other than the alkenyl group represent a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms.

Figure 2012074512
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上記式（５１Ｂ）中、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０５〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０〜０．４０、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．３０〜０．８０及びｓ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０１〜０．４０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、
少なくとも１個がアルケニル基を表し、アルケニル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ５７〜６０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ６１は、炭素数１〜８の２価の炭化水素基を表す。 In the above formula (51B), p, q, r and s are p / (p + q + r + s) = 0.05 to 0.50, q / (p + q + r + s) = 0 to 0.40, r / (p + q + r + s) = 0. 30-0.80 and s / (p + q + r + s) = 0.01-0.40 are satisfied, R51-R56 are
At least one represents an alkenyl group, R51 to R56 other than the alkenyl group represent a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, R57 to 60 each represents a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, and R61 represents Represents a divalent hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms.

本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材の他の特定の局面では、上記第１のシリコーン樹脂は、珪素原子に結合した水素原子と、アルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂である。   In another specific aspect of the die bond material for an optical semiconductor device according to the present invention, the first silicone resin is a first silicone resin having a hydrogen atom bonded to a silicon atom and an alkenyl group.

本発明に係る光半導体装置は、本発明に従って構成された光半導体装置用ダイボンド材と、接続対象部材と、上記光半導体装置用ダイボンド材を用いて上記接続対象部材に接続された光半導体素子とを備える。   An optical semiconductor device according to the present invention includes an optical semiconductor device die-bonding material configured according to the present invention, a connection target member, and an optical semiconductor element connected to the connection target member using the optical semiconductor device die-bonding material. Is provided.

本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、珪素原子に結合した水素原子を有する第１のシリコーン樹脂と、珪素原子に結合した水素原子を有さずかつアルケニル基を有する第２のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒と、球状シリカとを含み、更に上記第１，第２のシリコーン樹脂の屈折率がそれぞれ１．４２以上、１．４６以下であり、上記球状シリカの体積平均粒径が０．５μｍ以上、１０μｍ以下であり、かつ上記球状シリカのＣＶ値が１０％以下であるので、ダイボンド材を基板などの塗布対象部材に塗布したときに、塗布されたダイボンド材の厚みを均一にすることができる。   A die bond material for an optical semiconductor device according to the present invention includes a first silicone resin having a hydrogen atom bonded to a silicon atom, and a second silicone resin not having a hydrogen atom bonded to a silicon atom and having an alkenyl group. And the hydrosilation reaction catalyst and spherical silica, and the refractive indexes of the first and second silicone resins are 1.42 and 1.46, respectively, and the volume average particle diameter of the spherical silica is Since the spherical silica has a CV value of 10% or less from 0.5 μm to 10 μm, the thickness of the applied die bond material is made uniform when the die bond material is applied to a member to be applied such as a substrate. can do.

図１は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置を示す正面断面図である。FIG. 1 is a front sectional view showing an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

以下、本発明の詳細を説明する。   Details of the present invention will be described below.

本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、第１のシリコーン樹脂と、第２のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒と、球状シリカとを含む。上記第１のシリコーン樹脂は、珪素原子に結合した水素原子を有する。上記第２のシリコーン樹脂は、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアルケニル基を有する。   The die bond material for optical semiconductor devices according to the present invention includes a first silicone resin, a second silicone resin, a hydrosilylation catalyst, and spherical silica. The first silicone resin has a hydrogen atom bonded to a silicon atom. The second silicone resin does not have a hydrogen atom bonded to a silicon atom and has an alkenyl group.

上記第１のシリコーン樹脂の屈折率は、１．４２以上、１．４６以下である。上記第２のシリコーン樹脂の屈折率は、１．４２以上、１．４６以下である。上記球状シリカの体積平均粒径は、０．５μｍ以上、１０μｍ以下である。さらに、上記球状シリカのＣＶ値は１０％以下である。   The refractive index of the first silicone resin is 1.42 or more and 1.46 or less. The refractive index of the second silicone resin is 1.42 or more and 1.46 or less. The volume average particle diameter of the spherical silica is 0.5 μm or more and 10 μm or less. Furthermore, the CV value of the spherical silica is 10% or less.

上記組成の採用により、ダイボンダー等の塗布装置を用いて、本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材が基板等の塗布対象部材に塗布されたときに、塗布されたダイボンド材の厚みを均一にすることができる。特に第１，第２のシリコーン樹脂の各屈折率と球状シリカの体積平均粒径とＣＶ値が上記範囲をいずれも満たすことで、塗布されたダイボンド材の厚みの均一性が顕著に高くなる。塗布されたダイボンド材の厚みが均一であると、ダイボンド材上に積層された光半導体素子が傾き難くなり、更にダイボンド材と光半導体素子との接着界面にボイド等が生じ難くなる。このため、光半導体装置の信頼性を高めることができる。   By adopting the above composition, when the die bonding material for an optical semiconductor device according to the present invention is applied to a coating target member such as a substrate using a coating device such as a die bonder, the thickness of the applied die bonding material is made uniform. be able to. In particular, when the refractive indexes of the first and second silicone resins, the volume average particle diameter of the spherical silica, and the CV value satisfy all of the above ranges, the uniformity of the thickness of the applied die bond material is remarkably increased. If the thickness of the applied die bond material is uniform, the optical semiconductor element stacked on the die bond material is difficult to tilt, and voids and the like are less likely to occur at the bonding interface between the die bond material and the optical semiconductor element. For this reason, the reliability of the optical semiconductor device can be improved.

また、上記組成の採用により、光半導体装置用ダイボンド材の透明性を高めることができる。このため、本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材を用いた光半導体装置において銀電極が設けられている場合に、光半導体素子から発せられた光が銀電極に効率的に導かれ、銀電極において光が効率的に反射される。このため、光半導体装置における光の取
り出し効率を高めることができる。 Moreover, the transparency of the die-bonding material for optical semiconductor devices can be improved by adopting the above composition. For this reason, when the silver electrode is provided in the optical semiconductor device using the die bond material for an optical semiconductor device according to the present invention, the light emitted from the optical semiconductor element is efficiently guided to the silver electrode. The light is efficiently reflected at. For this reason, the light extraction efficiency in the optical semiconductor device can be increased.

（第１のシリコーン樹脂）
本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材に含まれている第１のシリコーン樹脂は、珪素原子に結合した水素原子を有する。該水素原子は、珪素原子に直接結合している。ダイボンド材のガスバリア性をより一層高める観点からは、第１のシリコーン樹脂は、珪素原子に結合した水素原子と、アリール基とを有することが好ましい。該アリール基としては、無置換のフェニル基、置換フェニル基、無置換のフェニレン基、及び置換フェニレン基が挙げられる。 (First silicone resin)
The 1st silicone resin contained in the die-bonding material for optical semiconductor devices which concerns on this invention has the hydrogen atom couple | bonded with the silicon atom. The hydrogen atom is directly bonded to the silicon atom. From the viewpoint of further improving the gas barrier property of the die bond material, the first silicone resin preferably has a hydrogen atom bonded to a silicon atom and an aryl group. Examples of the aryl group include an unsubstituted phenyl group, a substituted phenyl group, an unsubstituted phenylene group, and a substituted phenylene group.

ガスバリア性により一層優れたダイボンド材を得る観点からは、上記第１のシリコーン樹脂は、珪素原子に結合した水素原子と、アルケニル基とを有することが好ましい。   From the viewpoint of obtaining a die bond material that is more excellent in gas barrier properties, the first silicone resin preferably has a hydrogen atom bonded to a silicon atom and an alkenyl group.

ガスバリア性により一層優れたダイボンド材を得る観点からは、上記第１のシリコーン樹脂は、下記式（１Ａ）又は下記式（１Ｂ）で表される第１のシリコーン樹脂であることが好ましい。ただし、第１のシリコーン樹脂として、下記式（１Ａ）又は下記式（１Ｂ）で表される第１のシリコーン樹脂以外の第１のシリコーン樹脂を用いてもよい。下記式（１Ｂ）で表される第１のシリコーン樹脂は、フェニレン基を有していてもよく、フェニレン基を有していなくてもよい。上記第１のシリコーン樹脂は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。   From the viewpoint of obtaining a die bond material that is more excellent in gas barrier properties, the first silicone resin is preferably a first silicone resin represented by the following formula (1A) or the following formula (1B). However, as the first silicone resin, a first silicone resin other than the first silicone resin represented by the following formula (1A) or the following formula (1B) may be used. The first silicone resin represented by the following formula (1B) may have a phenylene group or may not have a phenylene group. As for the said 1st silicone resin, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

Figure 2012074512
Figure 2012074512

上記式（１Ａ）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．０５〜０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．４０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．３０〜０．８０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個が水素原子を表し、水素原子以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。なお、上記式（１Ａ）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位及び（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。 In the above formula (1A), a, b and c are a / (a + b + c) = 0.05 to 0.50, b / (a + b + c) = 0 to 0.40 and c / (a + b + c) = 0.30. 0.81 is satisfied, at least one of R1 to R6 represents a hydrogen atom, and R1 to R6 other than a hydrogen atom represent a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms. In the above formula (1A), the structural unit represented by (R4R5SiO 2/2 ) and the structural unit represented by (R6SiO 3/2 ) may each have an alkoxy group, and have a hydroxy group. You may have.

Figure 2012074512
Figure 2012074512

上記式（１Ｂ）中、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．０５〜０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０〜０．４０、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．３０〜０．８０及びｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．０１〜０．４０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個が水素原子を表し、水素原子以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ７〜Ｒ１０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ１１は、炭素数１〜８の２価の炭化水素基を表す。なお、上記式（１Ｂ）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位、（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ２Ｒ１１Ｏ２／２）で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。 In the formula (1B), a, b, c and d are a / (a + b + c + d) = 0.05 to 0.50, b / (a + b + c + d) = 0 to 0.40, c / (a + b + c + d) = 0. 30 to 0.80 and d / (a + b + c + d) = 0.01 to 0.40, at least one of R1 to R6 represents a hydrogen atom, and R1 to R6 other than a hydrogen atom have 1 to 8 carbon atoms. R7 to R10 each represents a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, and R11 represents a divalent hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms. In the above formula (1B), the structural unit represented by (R4R5SiO 2/2 ), the structural unit represented by (R6SiO 3/2 ), and the structural unit represented by (R7R8R9R10Si 2 R11O 2/2 ) are Each may have an alkoxy group and may have a hydroxy group.

ガスバリア性にさらに一層優れたダイボンド材を得る観点からは、上記式（１Ａ）中、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がフェニル基を表し、少なくとも１個が水素原子を表し、フェニル基及び水素原子以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表すことが好ましい。   From the viewpoint of obtaining a die bond material that is further excellent in gas barrier properties, in the above formula (1A), at least one of R1 to R6 represents a phenyl group, at least one represents a hydrogen atom, a phenyl group, and a hydrogen atom. It is preferable that R1-R6 other than represents a C1-C8 hydrocarbon group.

ガスバリア性にさらに一層優れたダイボンド材を得る観点からは、上記式（１Ｂ）中、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がフェニル基を表し、少なくとも１個が水素原子を表し、フェニル基及び水素原子以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表すことが好ましい。   From the viewpoint of obtaining a die bond material that is further excellent in gas barrier properties, in the formula (1B), at least one of R1 to R6 represents a phenyl group, at least one represents a hydrogen atom, a phenyl group, and a hydrogen atom. It is preferable that R1-R6 other than represents a C1-C8 hydrocarbon group.

ガスバリア性にさらに一層優れたダイボンド材を得る観点からは、上記式（１Ａ）中、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個が水素原子を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、水素原子及びアルケニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表すことが好ましい。   From the viewpoint of obtaining a die bond material that is further excellent in gas barrier properties, in the formula (1A), at least one of R1 to R6 represents a hydrogen atom, at least one represents an alkenyl group, and a hydrogen atom and an alkenyl group. It is preferable that R1-R6 other than represents a C1-C8 hydrocarbon group.

ガスバリア性にさらに一層優れたダイボンド材を得る観点からは、上記式（１Ｂ）中、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個が水素原子を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、水素原子及びアルケニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表すことが好ましい。   From the viewpoint of obtaining a die bond material that is further excellent in gas barrier properties, in the above formula (1B), R1 to R6 represent at least one hydrogen atom, at least one alkenyl group, and a hydrogen atom and an alkenyl group. It is preferable that R1-R6 other than represents a C1-C8 hydrocarbon group.

ガスバリア性にさらに一層優れたダイボンド材を得る観点からは、上記式（１Ａ）中、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がフェニル基を表し、少なくとも１個が水素原子を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基、水素原子及びアルケニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表すことが好ましい。   From the viewpoint of obtaining a die bond material that is further excellent in gas barrier properties, in the formula (1A), at least one of R1 to R6 represents a phenyl group, at least one represents a hydrogen atom, and at least one represents alkenyl. R1 to R6 other than a phenyl group, a hydrogen atom and an alkenyl group preferably represent a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms.

ガスバリア性にさらに一層優れたダイボンド材を得る観点からは、上記式（１Ｂ）中、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がフェニル基を表し、少なくとも１個が水素原子を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基、水素原子及びアルケニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表すことが好ましい。   From the viewpoint of obtaining a die bond material that is further excellent in gas barrier properties, in the above formula (1B), at least one of R1 to R6 represents a phenyl group, at least one represents a hydrogen atom, and at least one represents alkenyl. R1 to R6 other than a phenyl group, a hydrogen atom and an alkenyl group preferably represent a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms.

上記式（１Ａ）及び式（１Ｂ）は平均組成式を示す。上記式（１Ａ）及び式（１Ｂ）における炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。上記式（１Ａ）及び（１Ｂ）中のＲ１〜Ｒ６は同一であってもよく、異なっていてもよい。上記式（１Ｂ）中のＲ７〜Ｒ１０は同一であってもよく、異なっていてもよい。   The above formulas (1A) and (1B) represent average composition formulas. The hydrocarbon group in the above formula (1A) and formula (1B) may be linear or branched. R1 to R6 in the above formulas (1A) and (1B) may be the same or different. R7 to R10 in the above formula (1B) may be the same or different.

上記式（１Ａ）及び（１Ｂ）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位における酸素原子部分、（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位における酸素原子部分、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ２Ｒ１１Ｏ２／２）で表される構造単位における酸素原子部分はそれぞれ、シロキサン結合を形成している酸素原子部分、アルコキシ基の酸素原子部分、又はヒドロキシ基の酸素原子部分を示す。 In the above formulas (1A) and (1B), an oxygen atom part in the structural unit represented by (R4R5SiO 2/2 ), an oxygen atom part in the structural unit represented by (R6SiO 3/2 ), (R7R8R9R10Si 2 R11O 2 The oxygen atom part in the structural unit represented by / 2 ) represents an oxygen atom part forming a siloxane bond, an oxygen atom part of an alkoxy group, or an oxygen atom part of a hydroxy group.

なお、一般に、上記式（１Ａ）及び式（１Ｂ）の各構造単位において、アルコキシ基の含有量は少なく、更にヒドロキシ基の含有量も少ない。これは、一般に、第１のシリコーン樹脂を得るために、アルコキシシラン化合物などの有機珪素化合物を加水分解し、重縮合させると、アルコキシ基及びヒドロキシ基の多くは、シロキサン結合の部分骨格に変換されるためである。すなわち、アルコキシ基の酸素原子及びヒドロキシ基の酸素原子の多くは、シロキサン結合を形成している酸素原子に変換される。上記式（１Ａ）及び式（１Ｂ）の各構造単位がアルコキシ基又はヒドロキシ基を有する場合には、シロキサン結合の部分骨格に変換されなかった未反応のアルコキシ基又はヒドロキシ基がわずかに残存していることを示す。後述の式（５１Ａ）及び（５１Ｂ）の各構造単位がアルコキシ基又はヒドロキシ基を有する場合に関しても、同様のことがいえる。   In general, in each structural unit of the above formulas (1A) and (1B), the content of alkoxy groups is small, and the content of hydroxy groups is also small. In general, when an organosilicon compound such as an alkoxysilane compound is hydrolyzed and polycondensed in order to obtain a first silicone resin, most of the alkoxy groups and hydroxy groups are converted into partial skeletons of siloxane bonds. Because. That is, most of oxygen atoms of the alkoxy group and oxygen atoms of the hydroxy group are converted into oxygen atoms forming a siloxane bond. When each structural unit of the above formula (1A) and formula (1B) has an alkoxy group or a hydroxy group, a slight amount of unreacted alkoxy group or hydroxy group that has not been converted into a partial skeleton of a siloxane bond remains. Indicates that The same applies to the case where each structural unit of formulas (51A) and (51B) described later has an alkoxy group or a hydroxy group.

上記式（１Ａ）及び式（１Ｂ）における炭素数１〜８の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、
ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔ−ペンチル基、イソへキシル基、シクロヘキシル基、ビニル基、アリル基及びフェニル基等が挙げられる。 It does not specifically limit as a C1-C8 hydrocarbon group in the said Formula (1A) and Formula (1B), For example, a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group,
n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, isopropyl group, isobutyl group, sec-butyl group, t-butyl group, isopentyl group, neopentyl group, t-pentyl group, isohexyl group, cyclohexyl group, A vinyl group, an allyl group, a phenyl group, etc. are mentioned.

上記式（１Ｂ）における炭素数１〜８の２価の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、シクロヘキシレン基及びフェニレン基等が挙げられる。   The divalent hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms in the formula (1B) is not particularly limited, and examples thereof include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a pentylene group, a hexylene group, a cyclohexylene group, and phenylene. Groups and the like.

上記式（１Ａ）及び式（１Ｂ）中、アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基及びヘキセニル基等が挙げられる。ガスバリア性をより一層高める観点からは、第１のシリコーン樹脂におけるアルケニル基及び上記式（１Ａ）及び式（１Ｂ）中のアルケニル基は、ビニル基又はアリル基であることが好ましく、ビニル基であることがより好ましい。   In the above formula (1A) and formula (1B), examples of the alkenyl group include a vinyl group, an allyl group, a butenyl group, a pentenyl group, and a hexenyl group. From the viewpoint of further enhancing gas barrier properties, the alkenyl group in the first silicone resin and the alkenyl group in the above formulas (1A) and (1B) are preferably vinyl groups or allyl groups, and are vinyl groups. It is more preferable.

上記第１のシリコーン樹脂の屈折率は、１．４２以上、１．４６以下である。屈折率が同程度である第１，第２のシリコーン樹脂を用いることにより、塗布対象部材上に塗布されたダイボンド材の厚みを均一にすることができる。   The refractive index of the first silicone resin is 1.42 or more and 1.46 or less. By using the first and second silicone resins having the same refractive index, the thickness of the die bond material applied onto the application target member can be made uniform.

なお、第１のシリコーン樹脂の屈折率は、波長５８９ｎｍでの屈折率を示す。上記屈折率は、アッベ屈折計（エルマ製）等を用いて測定可能である。   The refractive index of the first silicone resin indicates the refractive index at a wavelength of 589 nm. The refractive index can be measured using an Abbe refractometer (manufactured by Elma) or the like.

上記第１のシリコーン樹脂における下記式（Ｘ１）より求められるアリール基の含有比率は１０モル％以上、５０モル％以下であることが好ましい。このアリール基の含有比率が１０モル％以上であると、ガスバリア性がより一層高くなる。アリール基の含有比率が５０モル％以下であると、ダイボンド材の剥離が生じ難くなる。ガスバリア性を更に一層高める観点からは、アリール基の含有比率は２０モル％以上であることがより好ましい。ダイボンド材の剥離をより一層生じ難くする観点からは、アリール基の含有比率は、４０モル％以下であることがより好ましい。   It is preferable that the content ratio of the aryl group calculated | required from the following formula (X1) in the said 1st silicone resin is 10 mol% or more and 50 mol% or less. When the content ratio of the aryl group is 10 mol% or more, the gas barrier property is further enhanced. When the content ratio of the aryl group is 50 mol% or less, the die bond material is hardly peeled off. From the viewpoint of further enhancing the gas barrier properties, the content ratio of the aryl group is more preferably 20 mol% or more. From the viewpoint of making the peeling of the die bond material more difficult to occur, the content ratio of the aryl group is more preferably 40 mol% or less.

アリール基の含有比率（モル％）＝（上記第１のシリコーン樹脂の１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／上記第１のシリコーン樹脂の数平均分子量）×１００ ・・・式（Ｘ１）   Aryl group content ratio (mol%) = (average number of aryl groups contained in one molecule of the first silicone resin × molecular weight of aryl group / number average molecular weight of the first silicone resin) × 100・ Formula (X1)

上記第１のシリコーン樹脂として、上記式（１Ａ）又は上記式（１Ｂ）で表される第１のシリコーン樹脂を用いる場合には、上記式（Ｘ１）中、「第１のシリコーン樹脂」は、「平均組成式が上記式（１Ａ）又は上記式（１Ｂ）で表される第１のシリコーン樹脂」を示す。   When the first silicone resin represented by the above formula (1A) or the above formula (1B) is used as the first silicone resin, in the above formula (X1), the “first silicone resin” "The 1st silicone resin whose average composition formula is represented by the said Formula (1A) or the said Formula (1B)" is shown.

上記式（１Ａ）で表され、フェニル基を有する第１のシリコーン樹脂を用いる場合には、上記式（Ｘ１）におけるアリール基はフェニル基を示し、アリール基の含有比率はフェニル基の含有比率を示す。   When the first silicone resin represented by the above formula (1A) and having a phenyl group is used, the aryl group in the above formula (X1) represents a phenyl group, and the content ratio of the aryl group is the content ratio of the phenyl group. Show.

上記式（１Ｂ）で表され、フェニル基とフェニレン基とを有する第１のシリコーン樹脂を用いる場合には、上記式（Ｘ１）におけるアリール基はフェニル基とフェニレン基とを示し、アリール基の含有比率はフェニル基とフェニレン基との合計の含有比率を示す。   When the first silicone resin represented by the above formula (1B) and having a phenyl group and a phenylene group is used, the aryl group in the above formula (X1) represents a phenyl group and a phenylene group, and contains an aryl group The ratio indicates the total content ratio of the phenyl group and the phenylene group.

上記式（１Ｂ）で表され、フェニル基を有し、かつフェニレン基を有さない第１のシリコーン樹脂を用いる場合には、上記式（Ｘ１）におけるアリール基はフェニル基を示し、アリール基の含有比率はフェニル基の含有比率を示す。   When the first silicone resin represented by the above formula (1B) and having a phenyl group and not having a phenylene group is used, the aryl group in the above formula (X1) represents a phenyl group, The content ratio indicates the content ratio of the phenyl group.

ガスバリア性をより一層高める観点からは、上記式（１Ｂ）中、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０
Ｓｉ２Ｒ１１Ｏ２／２）の構造単位は、下記式（１ｂ−１）で表される構造単位であることが好ましい。下記式（１ｂ−１）で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は置換又は無置換のフェニレン基である。本明細書において、「フェニレン基」の用語には、炭素数１〜８の炭化水素基がベンゼン環に置換した置換フェニレン基も含まれる。なお、下記式（１ｂ−１）で表される構造単位において、末端の酸素原子は、一般に隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、末端の１つの酸素原子を「Ｏ１／２」とする。 From the viewpoint of further enhancing the gas barrier properties, in the above formula (1B), (R7R8R9R10)
The structural unit of Si 2 R11O 2/2 ) is preferably a structural unit represented by the following formula (1b-1). The structural unit represented by the following formula (1b-1) has a phenylene group, and the phenylene group is a substituted or unsubstituted phenylene group. In the present specification, the term “phenylene group” includes a substituted phenylene group in which a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms is substituted on a benzene ring. In the structural unit represented by the following formula (1b-1), the terminal oxygen atom generally forms a siloxane bond with an adjacent silicon atom, and shares an oxygen atom with the adjacent structural unit. Therefore, one oxygen atom at the terminal is defined as “O 1/2 ”.

Figure 2012074512
Figure 2012074512

上記式（１ｂ−１）中、Ｒａは、水素原子又は炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ７〜Ｒ１０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。上記炭化水素基は直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。なお、上記式（１ｂ−１）中のベンゼン環に結合している３つの基の結合部位は特に限定されない。   In the formula (1b-1), Ra represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, and R7 to R10 each represents a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms. The hydrocarbon group may be linear or branched. In addition, the coupling | bonding site | part of three groups couple | bonded with the benzene ring in the said Formula (1b-1) is not specifically limited.

上記式（１Ｂ）中、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ２Ｒ１１Ｏ２／２）の構造単位は、下記式（１ｂ−２）で表される構造単位であることが好ましい。下記式（１ｂ−２）で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は置換又は無置換のフェニレン基である。下記式（１ｂ−２）中のベンゼン環に結合しているＲａの結合部位は特に限定されない。 In the above formula (1B), the structural unit of (R7R8R9R10Si 2 R11O 2/2 ) is preferably a structural unit represented by the following formula (1b-2). The structural unit represented by the following formula (1b-2) has a phenylene group, and the phenylene group is a substituted or unsubstituted phenylene group. The bonding site of Ra bonded to the benzene ring in the following formula (1b-2) is not particularly limited.

Figure 2012074512
Figure 2012074512

上記式（１ｂ−２）中、Ｒａは、水素原子又は炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ７〜Ｒ１０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。   In said formula (1b-2), Ra represents a hydrogen atom or a C1-C8 hydrocarbon group, R7-R10 represents a C1-C8 hydrocarbon group, respectively.

上記式（１Ｂ）中、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ２Ｒ１１Ｏ２／２）の構造単位は、下記式（１ｂ−３）で表される構造単位であることがより好ましい。下記式（１ｂ−３）で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は無置換のフェニレン基である。 In the above formula (1B), the structural unit represented by (R7R8R9R10Si 2 R11O 2/2 ) is more preferably a structural unit represented by the following formula (1b-3). The structural unit represented by the following formula (1b-3) has a phenylene group, and the phenylene group is an unsubstituted phenylene group.

Figure 2012074512
Figure 2012074512

上記式（１ｂ−３）中、Ｒ７〜Ｒ１０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。   In said formula (1b-3), R7-R10 represents a C1-C8 hydrocarbon group, respectively.

上記式（１Ａ）又は式（１Ｂ）で表される第１のシリコーン樹脂において、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位（以下、二官能構造単位ともいう）は、下記式（１−２）で表される構造、すなわち、二官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。 In the first silicone resin represented by the above formula (1A) or formula (1B), the structural unit represented by (R4R5SiO 2/2 ) (hereinafter also referred to as a bifunctional structural unit) has the following formula (1- The structure represented by 2), that is, a structure in which one of oxygen atoms bonded to a silicon atom in the bifunctional structural unit constitutes a hydroxy group or an alkoxy group may be included.

（Ｒ４Ｒ５ＳｉＸＯ１／２） ・・・式（１−２） (R4R5SiXO 1/2 ) (Formula (1-2))

（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、下記式（１−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（１−２−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ４及びＲ５で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位に含まれる。具体的には、アルコキシ基がシロキサン結合の部分骨格に変換された場合には、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、下記式（１−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を示す。未反応のアルコキシ基が残存している場合、又はアルコキシ基がヒドロキシ基に変換された場合には、残存アルコキシ基又はヒドロキシ基を有する（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、下記式（１−２−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を示す。 The structural unit represented by (R4R5SiO 2/2 ) includes a portion surrounded by a broken line of the structural unit represented by the following formula (1-b), and is further represented by the following formula (1-2b). A portion surrounded by a broken line of the structural unit may be included. That is, a structural unit having a group represented by R4 and R5 and having an alkoxy group or a hydroxy group remaining at the terminal is also included in the structural unit represented by (R4R5SiO 2/2 ). Specifically, when the alkoxy group is converted into a partial skeleton of a siloxane bond, the structural unit represented by (R4R5SiO 2/2 ) is a broken line of the structural unit represented by the following formula (1-b) The part enclosed by is shown. When an unreacted alkoxy group remains, or when the alkoxy group is converted to a hydroxy group, the structural unit represented by (R4R5SiO 2/2 ) having the remaining alkoxy group or hydroxy group has the following formula: The part enclosed with the broken line of the structural unit represented by (1-2-b) is shown.

Figure 2012074512
Figure 2012074512

上記式（１−２）及び（１−２−ｂ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（１−ｂ）、（１−２）及び（１−２−ｂ）中のＲ４及びＲ５は、上記式（１Ａ）又は式（１Ｂ）中のＲ４及びＲ５と同様の基である。   In the above formulas (1-2) and (1-2-b), X represents OH or OR, and OR represents a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. R4 and R5 in the above formulas (1-b), (1-2) and (1-2b) are the same groups as R4 and R5 in the above formula (1A) or formula (1B).

上記式（１Ａ）又は式（１Ｂ）で表される第１のシリコーン樹脂において、（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位（以下、三官能構造単位ともいう）は、下記式（１−３）又は（１−４）で表される構造、すなわち、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の２つがそれぞれヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造、又は、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。 In the first silicone resin represented by the above formula (1A) or formula (1B), the structural unit represented by (R6SiO 3/2 ) (hereinafter also referred to as trifunctional structural unit) is represented by the following formula (1- 3) or a structure represented by (1-4), that is, a structure in which two oxygen atoms bonded to a silicon atom in a trifunctional structural unit each constitute a hydroxy group or an alkoxy group, or in a trifunctional structural unit One of the oxygen atoms bonded to the silicon atom may include a structure constituting a hydroxy group or an alkoxy group.

（Ｒ６ＳｉＸ２Ｏ１／２） ・・・式（１−３）
（Ｒ６ＳｉＸＯ２／２） ・・・式（１−４） (R6SiX 2 O 1/2 ) Formula (1-3)
(R6SiXO 2/2 ) Formula (1-4)

（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位は、下記式（１−ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（１−３−ｃ）又は（１−４−ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ６で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位に含まれる。 The structural unit represented by (R6SiO 3/2 ) includes a portion surrounded by a broken line of the structural unit represented by the following formula (1-c), and further includes the following formula (1-3-c) or (1 The part enclosed with the broken line of the structural unit represented by -4-c) may be included. That is, a structural unit having a group represented by R6 and having an alkoxy group or a hydroxy group remaining at the terminal is also included in the structural unit represented by (R6SiO 3/2 ).

Figure 2012074512
Figure 2012074512

上記式（１−３）、（１−３−ｃ）、（１−４）及び（１−４−ｃ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（１−ｃ）、（１−３）、（１−３−ｃ）、（１−４）及び（１−４−ｃ）中のＲ６は、上記式（１Ａ）又は（１Ｂ）中のＲ６と同様の基である。   In the above formulas (1-3), (1-3-c), (1-4) and (1-4-c), X represents OH or OR, and OR represents a linear or branched group. An alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms is represented. R6 in the above formula (1-c), (1-3), (1-3-c), (1-4) and (1-4-c) is in the above formula (1A) or (1B). R6 is the same group as R6.

上記式（１Ｂ）で表される第１のシリコーン樹脂において、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ２Ｒ１１Ｏ２／２）で表される構造単位は、下記式（１−５）で表される構造、すなわち、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ２Ｒ１１Ｏ２／２）の構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。 In the first silicone resin represented by the above formula (1B), the structural unit represented by (R7R8R9R10Si 2 R11O 2/2 ) is a structure represented by the following formula (1-5), that is, (R7R8R9R10Si 2 One of the oxygen atoms bonded to the silicon atom in the structural unit of R 11 O 2/2 ) may contain a structure constituting a hydroxy group or an alkoxy group.

（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ２Ｒ１１ＸＯ１／２） ・・・式（１−５） (R7R8R9R10Si 2 R11XO 1/2) ··· formula (1-5)

（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ２Ｒ１１Ｏ２／２）で表される構造単位は、下記式（１−ｄ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（１−５−ｄ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ２Ｒ１１Ｏ２／２）で表される構造単位に含まれる。 Structural unit represented by (R7R8R9R10Si 2 R11O 2/2) includes a portion which is surrounded by dashed lines of a unit represented by the following formula (1-d), further by the following formula (1-5-d) The part enclosed by the broken line of the structural unit represented may be included. That is, a structural unit having a group represented by R7, R8, R9, R10 and R11 and having an alkoxy group or a hydroxy group remaining at the terminal is also a structure represented by (R7R8R9R10Si 2 R11O 2/2 ). Included in the unit.

Figure 2012074512
Figure 2012074512

上記式（１−５）及び（１−５−ｄ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（１−ｄ）、（１−５）及び（１−５−ｄ）中のＲ７〜Ｒ１１は、上記式（１Ｂ）中のＲ７〜Ｒ１１と同様の基である。   In the above formulas (1-5) and (1-5-d), X represents OH or OR, and OR represents a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. R7 to R11 in the above formulas (1-d), (1-5) and (1-5-d) are the same groups as R7 to R11 in the above formula (1B).

上記式（１−ｂ）〜（１−ｄ）、式（１−２）〜（１−５）、並びに式（１−２−ｂ）、（１−３−ｃ）、（１−４−ｃ）、及び（１−５−ｄ）において、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基としては特に限定されず、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基及びｔ−ブトキシ基が挙げられる。   The above formulas (1-b) to (1-d), formulas (1-2) to (1-5), and formulas (1-2-b), (1-3-c), (1-4- In (c) and (1-5-d), the linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms is not particularly limited, and examples thereof include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, and n- Examples include butoxy group, isopropoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group and t-butoxy group.

上記式（１Ａ）中、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の下限は０．０５、上限は０．５０である。ａ
／（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記下限以上及び上記上限以下であると、ダイボンド材の耐熱性をより一層高めることができ、かつダイボンド材の剥離をより一層抑制できる。上記式（１Ａ）中、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の好ましい下限は０．１０、より好ましい下限は０．１５であり、好ましい上限は０．４５、より好ましい上限は０．４０である。 In the above formula (1A), the lower limit of a / (a + b + c) is 0.05, and the upper limit is 0.50. a
When / (a + b + c) is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the heat resistance of the die bond material can be further improved, and peeling of the die bond material can be further suppressed. In the above formula (1A), a preferable lower limit of a / (a + b + c) is 0.10, a more preferable lower limit is 0.15, a preferable upper limit is 0.45, and a more preferable upper limit is 0.40.

上記式（１Ａ）中、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の下限は０、上限は０．４０である。ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記上限を満たすと、ダイボンド材の高温での貯蔵弾性率を高くすることができる。なお、ｂが０であり、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が０である場合、上記式（１Ａ）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）の構造単位は存在しない。 In the above formula (1A), the lower limit of b / (a + b + c) is 0, and the upper limit is 0.40. When b / (a + b + c) satisfies the above upper limit, the storage elastic modulus at a high temperature of the die-bonding material can be increased. In addition, when b is 0 and b / (a + b + c) is 0, the structural unit of (R4R5SiO 2/2 ) does not exist in the above formula (1A).

上記式（１Ａ）中、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の下限は０．３０、上限は０．８０である。ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記下限を満たすと、ダイボンド材の高温での貯蔵弾性率を高くすることができる。ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記上限を満たすと、ダイボンド材の耐熱性が高くなり、かつ高温環境下でダイボンド材の硬化物の厚みが減少し難くなる。上記式（１Ａ）中、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の好ましい下限は０．３５、より好ましい下限は０．４０、好ましい上限は０．７５である。   In the above formula (1A), the lower limit of c / (a + b + c) is 0.30, and the upper limit is 0.80. When c / (a + b + c) satisfies the above lower limit, the storage elastic modulus at a high temperature of the die-bonding material can be increased. When c / (a + b + c) satisfies the above upper limit, the heat resistance of the die bond material becomes high, and the thickness of the cured product of the die bond material is difficult to decrease under a high temperature environment. In said formula (1A), the preferable minimum of c / (a + b + c) is 0.35, the more preferable minimum is 0.40, and a preferable upper limit is 0.75.

上記式（１Ｂ）中、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）の下限は０．０５、上限は０．５０である。ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が上記下限及び上限を満たすと、ダイボンド材の耐熱性をより一層高めることができ、かつダイボンド材の剥離をより一層抑制できる。上記式（１Ａ）中、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）の好ましい下限は０．１０、より好ましい下限は０．１５であり、好ましい上限は０．４５、より好ましい上限は０．４０である。   In the above formula (1B), the lower limit of a / (a + b + c + d) is 0.05, and the upper limit is 0.50. When a / (a + b + c + d) satisfies the above lower limit and upper limit, the heat resistance of the die bond material can be further increased, and peeling of the die bond material can be further suppressed. In the above formula (1A), a preferable lower limit of a / (a + b + c + d) is 0.10, a more preferable lower limit is 0.15, a preferable upper limit is 0.45, and a more preferable upper limit is 0.40.

上記式（１Ｂ）中、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）の下限は０、上限は０．４０である。ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記上限を満たすと、ダイボンド材の高温での貯蔵弾性率を高くすることができる。なお、ｂが０であり、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が０である場合、上記式（１Ｂ）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）の構造単位は存在しない。 In the above formula (1B), the lower limit of b / (a + b + c + d) is 0, and the upper limit is 0.40. When b / (a + b + c) satisfies the above upper limit, the storage elastic modulus at a high temperature of the die-bonding material can be increased. In addition, when b is 0 and b / (a + b + c + d) is 0, the structural unit of (R4R5SiO 2/2 ) does not exist in the above formula (1B).

上記式（１Ｂ）中、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）の下限は０．３０、上限は０．８０である。ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が上記下限を満たすと、ダイボンド材の高温での貯蔵弾性率を高くすることができる。ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が上記上限を満たすと、ダイボンド材の耐熱性が高くなり、かつ高温環境下でダイボンド材の硬化物の厚みが減少し難くなる。ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）の好ましい下限は０．３５、より好ましい下限は０．４０、好ましい上限は０．７５である。   In the above formula (1B), the lower limit of c / (a + b + c + d) is 0.30, and the upper limit is 0.80. When c / (a + b + c + d) satisfies the above lower limit, the storage elastic modulus at a high temperature of the die bond material can be increased. When c / (a + b + c + d) satisfies the above upper limit, the heat resistance of the die bond material becomes high, and the thickness of the cured product of the die bond material is difficult to decrease under a high temperature environment. The preferable lower limit of c / (a + b + c + d) is 0.35, the more preferable lower limit is 0.40, and the preferable upper limit is 0.75.

上記式（１Ｂ）中、ｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）の下限は０．０１、上限は０．４０である。ｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が上記下限及び上限を満たすと、腐食性ガスに対して高いガスバリア性を有し、過酷な環境下で使用されてもクラック又は剥離が生じ難い光半導体装置用ダイボンド材を得ることができる。腐食性ガスに対してより一層高いガスバリア性を有し、過酷な環境下で使用されてもクラック又は剥離がより一層生じ難い光半導体装置用ダイボンド材を得る観点からは、上記式（１Ｂ）中、ｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）の好ましい下限は０．０３、より好ましい下限は０．０５、好ましい上限は０．３５、より好ましい上限は０．３０である。   In the above formula (1B), the lower limit of d / (a + b + c + d) is 0.01, and the upper limit is 0.40. When d / (a + b + c + d) satisfies the above lower limit and upper limit, a die bond material for an optical semiconductor device that has a high gas barrier property against corrosive gas and hardly cracks or peels even when used in a harsh environment is obtained. be able to. From the viewpoint of obtaining a die bond material for an optical semiconductor device that has a higher gas barrier property against corrosive gas and is less likely to cause cracking or peeling even when used in a harsh environment, in the above formula (1B) The preferable lower limit of d / (a + b + c + d) is 0.03, the more preferable lower limit is 0.05, the preferable upper limit is 0.35, and the more preferable upper limit is 0.30.

上記第１のシリコーン樹脂について、テトラメチルシラン（以下、ＴＭＳ）を基準に２９Ｓｉ−核磁気共鳴分析（以下、ＮＭＲ）を行うと、置換基の種類によって若干の変動は見られるものの、上記式（１Ａ）及び式（１Ｂ）中の（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）ａで表される構造単位に相当するピークは＋１０〜−５ｐｐｍ付近に現れ、上記式（１Ａ）及び式（１Ｂ）中の（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）ｂ及び（１−２）の二官能構造単位に相当する各ピークは−１０〜−５０ｐｐｍ付近に現れ、上記式（１Ａ）及び式（１Ｂ）中の（Ｒ
６ＳｉＯ３／２）ｃ、並びに（１−３）及び（１−４）の三官能構造単位に相当する各ピークは−５０〜−８０ｐｐｍ付近に現れ、上記式（１Ｂ）中の（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ２Ｒ１１Ｏ２／２）ｄに相当するピークは０〜−５ｐｐｍ付近に現れる。 When the first silicone resin is subjected to 29 Si-nuclear magnetic resonance analysis (hereinafter referred to as NMR) based on tetramethylsilane (hereinafter referred to as TMS), although the above formula shows a slight variation depending on the type of substituent. The peak corresponding to the structural unit represented by (R1R2R3SiO 1/2 ) a in (1A) and formula (1B) appears in the vicinity of +10 to −5 ppm, and (R4R5SiO in formula (1A) and formula (1B) above 2/2 ) Each peak corresponding to the bifunctional structural unit of b and (1-2) appears in the vicinity of −10 to −50 ppm, and (R) in the above formulas (1A) and (1B)
6SiO 3/2 ) c , and peaks corresponding to the trifunctional structural units of (1-3) and (1-4) appear in the vicinity of −50 to −80 ppm, and (R7R8R9R10Si 2 R11O in the above formula (1B) 2/2 ) A peak corresponding to d appears in the vicinity of 0 to -5 ppm.

従って、２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定し、それぞれのシグナルのピーク面積を比較することによって上記式（１Ａ）及び式（１Ｂ）中の各構造単位の比率を測定できる。 Therefore, 29 Si-NMR is measured, and the ratio of each structural unit in the above formulas (1A) and (1B) can be measured by comparing the peak areas of the respective signals.

但し、上記ＴＭＳを基準にした２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定で上記式（１Ａ）及び式（１Ｂ）中の構造単位の見分けがつかない場合は、２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定結果だけではなく、１Ｈ−ＮＭＲの測定結果を必要に応じて用いることにより、上記式（１Ａ）及び式（１Ｂ）中の各構造単位の比率を見分けることができる。 However, in the case where the structural unit in the formula (1A) and the formula (1B) cannot be distinguished from the 29 Si-NMR measurement based on the TMS, not only the 29 Si-NMR measurement result but also 1 H The ratio of each structural unit in the above formula (1A) and formula (1B) can be distinguished by using the measurement result of -NMR as necessary.

（第２のシリコーン樹脂）
本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材に含まれている第２のシリコーン樹脂は、アルケニル基を有する。該アルケニル基は、珪素原子に直接結合している。上記アルケニル基の炭素−炭素二重結合における炭素原子が、珪素原子に結合していてもよく、上記アルケニル基の炭素−炭素二重結合における炭素原子とは異なる炭素原子が、珪素原子に結合していてもよい。 (Second silicone resin)
The second silicone resin contained in the die bond material for optical semiconductor devices according to the present invention has an alkenyl group. The alkenyl group is directly bonded to the silicon atom. The carbon atom in the carbon-carbon double bond of the alkenyl group may be bonded to the silicon atom, and the carbon atom different from the carbon atom in the carbon-carbon double bond of the alkenyl group is bonded to the silicon atom. It may be.

ダイボンド材のガスバリア性をより一層高める観点からは、第２のシリコーン樹脂は、アルケニル基と、アリール基とを有することが好ましい。該アリール基としては、無置換のフェニル基、置換フェニル基、無置換のフェニレン基、及び置換フェニレン基が挙げられる。   From the viewpoint of further enhancing the gas barrier property of the die bond material, the second silicone resin preferably has an alkenyl group and an aryl group. Examples of the aryl group include an unsubstituted phenyl group, a substituted phenyl group, an unsubstituted phenylene group, and a substituted phenylene group.

ガスバリア性により一層優れたダイボンド材を得る観点からは、上記第２のシリコーン樹脂は、下記式（５１Ａ）又は下記式（５１Ｂ）で表される第２のシリコーン樹脂であることが好ましい。ただし、第２のシリコーン樹脂として、下記式（５１Ａ）又は下記式（５１Ｂ）で表される第２のシリコーン樹脂以外の第２のシリコーン樹脂を用いてもよい。下記式（５１Ｂ）で表される第２のシリコーン樹脂は、フェニレン基を有していてもよく、フェニレン基を有していなくてもよい。上記第２のシリコーン樹脂は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。   From the viewpoint of obtaining a die bond material that is more excellent in gas barrier properties, the second silicone resin is preferably a second silicone resin represented by the following formula (51A) or the following formula (51B). However, as the second silicone resin, a second silicone resin other than the second silicone resin represented by the following formula (51A) or the following formula (51B) may be used. The second silicone resin represented by the following formula (51B) may have a phenylene group or may not have a phenylene group. As for the said 2nd silicone resin, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

Figure 2012074512
Figure 2012074512

上記式（５１Ａ）中、ｐ、ｑ及びｒは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０５〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０〜０．４０及びｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．３０〜０．８０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、アルケニル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。なお、上記式（５１Ａ）中、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位及び（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。 In the above formula (51A), p, q and r are p / (p + q + r) = 0.05 to 0.50, q / (p + q + r) = 0 to 0.40 and r / (p + q + r) = 0.30. 0.85 is satisfied, and at least one of R51 to R56 represents an alkenyl group, and R51 to R56 other than the alkenyl group represent a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms. In the formula (51A), the structural unit represented by (R54R55SiO 2/2 ) and the structural unit represented by (R56SiO 3/2 ) may each have an alkoxy group, You may have.

Figure 2012074512
Figure 2012074512

上記式（５１Ｂ）中、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０５〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０〜０．４０、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．３０〜０．８０及びｓ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０１〜０．４０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、
少なくとも１個がアルケニル基を表し、アルケニル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ５７〜６０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ６１は、炭素数１〜８の２価の炭化水素基を表す。なお、上記式（５１Ｂ）中、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位、（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ２Ｒ６１Ｏ２／２）で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。 In the above formula (51B), p, q, r and s are p / (p + q + r + s) = 0.05 to 0.50, q / (p + q + r + s) = 0 to 0.40, r / (p + q + r + s) = 0. 30-0.80 and s / (p + q + r + s) = 0.01-0.40 are satisfied, R51-R56 are
At least one represents an alkenyl group, R51 to R56 other than the alkenyl group represent a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, R57 to 60 each represents a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, and R61 represents Represents a divalent hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms. In the above formula (51B), the structural unit represented by (R54R55SiO 2/2 ), the structural unit represented by (R56SiO 3/2 ), and the structural unit represented by (R57R58R59R60Si 2 R61O 2/2 ) are Each may have an alkoxy group and may have a hydroxy group.

上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）は平均組成式を示す。上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）における炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）中のＲ５１〜Ｒ５６は同一であってもよく、異なっていてもよい。上記式（５１Ｂ）中のＲ５７〜Ｒ６０は同一であってもよく、異なっていてもよい。   The above formula (51A) and formula (51B) show the average composition formula. The hydrocarbon group in the above formula (51A) and formula (51B) may be linear or branched. R51 to R56 in the above formula (51A) and formula (51B) may be the same or different. R57 to R60 in the above formula (51B) may be the same or different.

上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）中、アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基及びヘキセニル基等が挙げられる。ガスバリア性をより一層高める観点からは、第２のシリコーン樹脂におけるアルケニル基及び上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）中のアルケニル基は、ビニル基又はアリル基であることが好ましく、ビニル基であることがより好ましい。   In the above formula (51A) and formula (51B), examples of the alkenyl group include a vinyl group, an allyl group, a butenyl group, a pentenyl group, and a hexenyl group. From the viewpoint of further enhancing the gas barrier properties, the alkenyl group in the second silicone resin and the alkenyl group in the above formulas (51A) and (51B) are preferably vinyl groups or allyl groups, and are vinyl groups. It is more preferable.

上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）における炭素数１〜８の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔ−ペンチル基、イソへキシル基、シクロヘキシル基、ビニル基、アリル基及びフェニル基が挙げられる。上記式（５１Ｂ）における炭素数１〜８の２価の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、シクロヘキシレン基、及びフェニレン基等が挙げられる。   It does not specifically limit as a C1-C8 hydrocarbon group in the said Formula (51A) and Formula (51B), For example, a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, isopropyl group, isobutyl group, sec-butyl group, t-butyl group, isopentyl group, neopentyl group, t-pentyl group, isohexyl group, cyclohexyl group, A vinyl group, an allyl group, and a phenyl group are mentioned. The divalent hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms in the formula (51B) is not particularly limited, and examples thereof include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a pentylene group, a hexylene group, a cyclohexylene group, and Examples include a phenylene group.

ダイボンド材のガスバリア性をより一層高め、かつ剥離をより一層生じ難くする観点からは、上記第２のシリコーン樹脂が、下記式（５１Ａ）又は下記式（５１Ｂ）で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアルケニル基及びアリール基を有する第２のシリコーン樹脂であることが好ましい。   From the viewpoint of further enhancing the gas barrier property of the die bond material and further preventing the occurrence of peeling, the second silicone resin is represented by the following formula (51A) or the following formula (51B) and bonded to a silicon atom. It is preferable that the second silicone resin does not have a hydrogen atom and has an alkenyl group and an aryl group.

ガスバリア性により一層優れたダイボンド材を得る観点からは、上記式（５１Ａ）中、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個がフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表すことが好ましい。   From the viewpoint of obtaining a die bond material that is more excellent in gas barrier properties, in the above formula (51A), at least one of R51 to R56 represents a phenyl group, at least one represents an alkenyl group, and other than phenyl group and alkenyl group R51 to R56 preferably represent a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms.

ガスバリア性により一層優れたダイボンド材を得る観点からは、上記式（５１Ｂ）中、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個がフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ５７〜６０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ６１は、炭素数１〜８の２価の炭化水素基を表すことが好ましい。   From the viewpoint of obtaining a die bond material that is more excellent in gas barrier properties, in the formula (51B), at least one of R51 to R56 represents a phenyl group, at least one represents an alkenyl group, and other than the phenyl group and the alkenyl group R51 to R56 in the formula represent a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, R57 to 60 represent a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, and R61 represents a divalent hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms. Is preferably represented.

上記第２のシリコーン樹脂の屈折率は、１．４２以上、１．４６以下である。屈折率が同程度である第１，第２のシリコーン樹脂を用いることにより、塗布対象部材上に塗布されたダイボンド材の厚みを均一にすることができる。なお、第２のシリコーン樹脂の屈折率は、波長５８９ｎｍでの屈折率を示す。   The refractive index of the second silicone resin is 1.42 or more and 1.46 or less. By using the first and second silicone resins having the same refractive index, the thickness of the die bond material applied onto the application target member can be made uniform. The refractive index of the second silicone resin indicates the refractive index at a wavelength of 589 nm.

上記第２のシリコーン樹脂における下記式（Ｘ５１）より求められるアリール基の含有比率は１０モル％以上、５０モル％以下であることが好ましい。このアリール基の含有比
率が１０モル％以上であると、ガスバリア性がより一層高くなる。アリール基の含有比率が５０モル％以下であると、ダイボンド材の剥離が生じ難くなる。ガスバリア性を更に一層高める観点からは、アリール基の含有比率は２０モル％以上であることがより好ましい。剥離をより一層生じ難くする観点からは、アリール基の含有比率は、４０モル％以下であることがより好ましい。 It is preferable that the content ratio of the aryl group calculated | required from the following formula (X51) in the said 2nd silicone resin is 10 mol% or more and 50 mol% or less. When the content ratio of the aryl group is 10 mol% or more, the gas barrier property is further enhanced. When the content ratio of the aryl group is 50 mol% or less, the die bond material is hardly peeled off. From the viewpoint of further enhancing the gas barrier properties, the content ratio of the aryl group is more preferably 20 mol% or more. From the viewpoint of making peeling more difficult, the aryl group content is more preferably 40 mol% or less.

アリール基の含有比率（モル％）＝（第２のシリコーン樹脂の１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／第２のシリコーン樹脂の数平均分子量）×１００ ・・・式（Ｘ５１）   Aryl group content ratio (mol%) = (average number of aryl groups contained in one molecule of second silicone resin × molecular weight of aryl group / number average molecular weight of second silicone resin) × 100 Formula (X51)

上記式（５１Ａ）又は上記式（５１Ｂ）で表される第２のシリコーン樹脂を用いる場合には、上記式（Ｘ５１）中、「第２のシリコーン樹脂」は、「平均組成式が上記式（５１Ａ）又は上記式（５１Ｂ）で表される第２のシリコーン樹脂」を示す。   When the second silicone resin represented by the above formula (51A) or the above formula (51B) is used, in the above formula (X51), the “second silicone resin” 51A) or a second silicone resin represented by the above formula (51B) ”.

上記式（５１Ａ）で表され、フェニル基を有する第２のシリコーン樹脂を用いる場合には、上記式（Ｘ５１）におけるアリール基はフェニル基を示し、アリール基の含有比率はフェニル基の含有比率を示す。   When the second silicone resin represented by the above formula (51A) and having a phenyl group is used, the aryl group in the above formula (X51) represents a phenyl group, and the content ratio of the aryl group is the content ratio of the phenyl group. Show.

上記式（５１Ｂ）で表され、フェニル基とフェニレン基とを有する第２のシリコーン樹脂を用いる場合には、上記式（Ｘ５１）におけるアリール基はフェニル基とフェニレン基とを示し、アリール基の含有比率はフェニル基とフェニレン基との合計の含有比率を示す。   In the case of using the second silicone resin represented by the above formula (51B) and having a phenyl group and a phenylene group, the aryl group in the above formula (X51) represents a phenyl group and a phenylene group, and contains an aryl group The ratio indicates the total content ratio of the phenyl group and the phenylene group.

上記式（５１Ｂ）で表され、フェニル基を有し、かつフェニレン基を有さない第２のシリコーン樹脂を用いる場合には、上記式（Ｘ５１）におけるアリール基はフェニル基を示し、アリール基の含有比率はフェニル基の含有比率を示す。   When the second silicone resin represented by the above formula (51B) and having a phenyl group and not having a phenylene group is used, the aryl group in the above formula (X51) represents a phenyl group, The content ratio indicates the content ratio of the phenyl group.

ガスバリア性をより一層高める観点からは、上記式（５１Ｂ）中、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ２Ｒ６１Ｏ２／２）の構造単位は、下記式（５１ｂ−１）で表される構造単位であることが好ましい。下記式（５１ｂ−１）で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は置換又は無置換のフェニレン基である。 From the viewpoint of further enhancing gas barrier properties, in the above formula (51B), the structural unit of (R57R58R59R60Si 2 R61O 2/2 ) is preferably a structural unit represented by the following formula (51b-1). The structural unit represented by the following formula (51b-1) has a phenylene group, and the phenylene group is a substituted or unsubstituted phenylene group.

Figure 2012074512
Figure 2012074512

上記式（５１ｂ−１）中、Ｒｂは、水素原子又は炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ５７〜Ｒ６０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。上記炭化水素基は直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。なお、上記式（５１ｂ−１）中のベンゼン環に結合している３つの基の結合部位は特に限定されない。   In said formula (51b-1), Rb represents a hydrogen atom or a C1-C8 hydrocarbon group, R57-R60 represents a C1-C8 hydrocarbon group, respectively. The hydrocarbon group may be linear or branched. In addition, the coupling | bonding site | part of three groups couple | bonded with the benzene ring in the said Formula (51b-1) is not specifically limited.

上記式（５１Ｂ）中、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ２Ｒ６１Ｏ２／２）の構造単位は、下記式（５１ｂ−２）で表される構造単位であることが好ましい。下記式（５１ｂ−２）で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は置換又は無置換のフェニレン基である。下記式（５１ｂ−２）中のベンゼン環に結合しているＲｂの結合部位は特に限定されない。 In the above formula (51B), the structural unit represented by (R57R58R59R60Si 2 R61O 2/2 ) is preferably a structural unit represented by the following formula (51b-2). The structural unit represented by the following formula (51b-2) has a phenylene group, and the phenylene group is a substituted or unsubstituted phenylene group. The bonding site of Rb bonded to the benzene ring in the following formula (51b-2) is not particularly limited.

Figure 2012074512
Figure 2012074512

上記式（５１ｂ−２）中、Ｒｂは、水素原子又は炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ５７〜Ｒ６０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。   In said formula (51b-2), Rb represents a hydrogen atom or a C1-C8 hydrocarbon group, R57-R60 represents a C1-C8 hydrocarbon group, respectively.

上記式（５１Ｂ）中、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ２Ｒ６１Ｏ２／２）の構造単位は、下記式（５１ｂ−３）で表される構造単位であることがより好ましい。下記式（５１ｂ−３）で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は無置換のフェニレン基である。 In the above formula (51B), the structural unit represented by (R57R58R59R60Si 2 R61O 2/2 ) is more preferably a structural unit represented by the following formula (51b-3). The structural unit represented by the following formula (51b-3) has a phenylene group, and the phenylene group is an unsubstituted phenylene group.

Figure 2012074512
Figure 2012074512

上記式（５１ｂ−３）中、Ｒ５７〜Ｒ６０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。   In said formula (51b-3), R57-R60 represents a C1-C8 hydrocarbon group, respectively.

上記式（５１Ａ）又は式（５１Ｂ）で表される第２のシリコーン樹脂において、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位（以下、二官能構造単位ともいう）は、下記式（５１−２）で表される構造、すなわち、二官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。 In the second silicone resin represented by the above formula (51A) or formula (51B), the structural unit represented by (R54R55SiO 2/2 ) (hereinafter also referred to as a bifunctional structural unit) has the following formula (51- The structure represented by 2), that is, a structure in which one of oxygen atoms bonded to a silicon atom in the bifunctional structural unit constitutes a hydroxy group or an alkoxy group may be included.

（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＸＯ１／２） ・・・式（５１−２） (R54R55SiXO 1/2 ) Formula (51-2)

（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、下記式（５１−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（５１−２−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ５４及びＲ５５で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位に含まれる。 The structural unit represented by (R54R55SiO 2/2 ) includes a portion surrounded by a broken line of the structural unit represented by the following formula (51-b), and is further represented by the following formula (51-2-b). A portion surrounded by a broken line of the structural unit may be included. That is, a structural unit having a group represented by R54 and R55 and having an alkoxy group or a hydroxy group remaining at the terminal is also included in the structural unit represented by (R54R55SiO 2/2 ).

Figure 2012074512
Figure 2012074512

上記式（５１−２）及び（５１−２−ｂ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（５１−ｂ）、（５１−２
）及び（５１−２−ｂ）中のＲ５４及びＲ５５は、上記式（５１Ａ）又は式（５１Ｂ）中のＲ５４及びＲ５５と同様の基である。 In the above formulas (51-2) and (51-2-b), X represents OH or OR, and OR represents a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. The above formulas (51-b), (51-2
) And R51 and R55 in (51-2-b) are the same groups as R54 and R55 in the above formula (51A) or formula (51B).

上記式（５１Ａ）又は式（５１Ｂ）で表される第２のシリコーン樹脂において、（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位（以下、三官能構造単位ともいう）は、下記式（５１−３）又は（５１−４）で表される構造、すなわち、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の２つがそれぞれヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造、又は、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。 In the second silicone resin represented by the above formula (51A) or formula (51B), the structural unit represented by (R56SiO 3/2 ) (hereinafter also referred to as trifunctional structural unit) is represented by the following formula (51- 3) or a structure represented by (51-4), that is, a structure in which two oxygen atoms bonded to a silicon atom in a trifunctional structural unit each constitute a hydroxy group or an alkoxy group, or in a trifunctional structural unit One of the oxygen atoms bonded to the silicon atom may include a structure constituting a hydroxy group or an alkoxy group.

（Ｒ５６ＳｉＸ２Ｏ１／２） ・・・式（５１−３）
（Ｒ５６ＳｉＸＯ２／２） ・・・式（５１−４） (R56SiX 2 O 1/2 ) (Formula (51-3)
(R56SiXO 2/2 ) Formula (51-4)

（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位は、下記式（５１−ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（５１−３−ｃ）又は（５１−４−ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ５６で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位に含まれる。 The structural unit represented by (R56SiO 3/2 ) includes a portion surrounded by a broken line of the structural unit represented by the following formula (51-c), and further includes the following formula (51-3-c) or (51 The part enclosed with the broken line of the structural unit represented by -4-c) may be included. That is, a structural unit having a group represented by R56 and having an alkoxy group or a hydroxy group remaining at the terminal is also included in the structural unit represented by (R56SiO 3/2 ).

Figure 2012074512
Figure 2012074512

上記式（５１−３）、（５１−３−ｃ）、（５１−４）及び（５１−４−ｃ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（５１−ｃ）、（５１−３）、（５１−３−ｃ）、（５１−４）及び（５１−４−ｃ）中のＲ５６は、上記式（５１Ａ）及び（５１Ｂ）中のＲ５６と同様の基である。   In the above formulas (51-3), (51-3-c), (51-4) and (51-4-c), X represents OH or OR, and OR represents a linear or branched group. An alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms is represented. R56 in the above formulas (51-c), (51-3), (51-3-c), (51-4) and (51-4-c) is in the above formulas (51A) and (51B). R56 is the same group as R56.

上記式（５１Ｂ）で表される第２のシリコーン樹脂において、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ２Ｒ６１Ｏ２／２）で表される構造単位は、下記式（５１−５）で表される構造、すなわち、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ２Ｒ６１Ｏ２／２）の構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。 In the second silicone resin represented by the above formula (51B), the structural unit represented by (R57R58R59R60Si 2 R61O 2/2 ) is a structure represented by the following formula (51-5), that is, (R57R58R59R60Si 2 R61O 2/2 ) may contain a structure in which one of oxygen atoms bonded to a silicon atom in the structural unit constitutes a hydroxy group or an alkoxy group.

（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ２ＸＲ６１Ｏ１／２） ・・・式（５１−５） (R57R58R59R60Si 2 XR61O 1/2 ) (Formula (51-5)

（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ２Ｒ６１Ｏ２／２）で表される構造単位は、下記式（５１−ｄ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（５１−５−ｄ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ５９、Ｒ６０及びＲ６１で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ２Ｒ６１Ｏ２／２）で表される構造単位に含まれる。 The structural unit represented by (R57R58R59R60Si 2 R61O 2/2 ) includes a portion surrounded by a broken line of the structural unit represented by the following formula (51-d), and further represented by the following formula (51-5-d). The part enclosed by the broken line of the structural unit represented may be included. That is, the structural unit having a group represented by R57, R58, R59, R60 and R61 and having an alkoxy group or a hydroxy group remaining at the terminal is also a structure represented by (R57R58R59R60Si 2 R61O 2/2 ). Included in the unit.

Figure 2012074512
Figure 2012074512

上記式（５１−５）及び（５１−５−ｄ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（５１−ｄ）、（５１−５）及び（５１−５−ｄ）中のＲ５７〜Ｒ６１は、上記式（５１Ｂ）中のＲ５７〜Ｒ６１と同様の基である。   In the above formulas (51-5) and (51-5-d), X represents OH or OR, and OR represents a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. R57 to R61 in the above formulas (51-d), (51-5) and (51-5-d) are the same groups as R57 to R61 in the above formula (51B).

上記式（５１−ｂ）〜（５１−ｄ）、式（５１−２）〜（５１−５）、並びに式（５１−２−ｂ）、（５１−３−ｃ）、（５１−４−ｃ）、及び（５１−５−ｄ）において、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基としては特に限定されず、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基及びｔ−ブトキシ基が挙げられる。   The above formulas (51-b) to (51-d), formulas (51-2) to (51-5), and formulas (51-2b), (51-3-c), (51-4-) In (c) and (51-5-d), the linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms is not particularly limited, and examples thereof include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, n- Examples include butoxy group, isopropoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group and t-butoxy group.

上記式（５１Ａ）中、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）の下限は０．０５、上限は０．５０である。ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が上記下限及び上限を満たすと、ダイボンド材の耐熱性をより一層高めることができ、かつダイボンド材の剥離をより一層抑制できる。上記式（５１Ａ）中、中、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）の好ましい下限は０．１０、より好ましい下限は０．１５であり、好ましい上限は０．４５、より好ましい上限は０．４０である。   In the above formula (51A), the lower limit of p / (p + q + r) is 0.05, and the upper limit is 0.50. When p / (p + q + r) satisfies the above lower limit and upper limit, the heat resistance of the die bond material can be further increased, and peeling of the die bond material can be further suppressed. In the above formula (51A), the preferable lower limit of p / (p + q + r) is 0.10, the more preferable lower limit is 0.15, the preferable upper limit is 0.45, and the more preferable upper limit is 0.40.

上記式（５１Ａ）中、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）の下限は０、上限は０．４０である。ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）上記上限を満たすと、ダイボンド材の高温での貯蔵弾性率を高くすることができる。上記式（５１Ａ）中、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）の好ましい上限は０．３５、より好ましい上限は０．３０である。なお、ｑが０であり、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が０である場合、上記式（５１Ａ）中、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）の構造単位は存在しない。 In the above formula (51A), the lower limit of q / (p + q + r) is 0, and the upper limit is 0.40. q / (p + q + r) When the above upper limit is satisfied, the storage elastic modulus at a high temperature of the die bond material can be increased. In said formula (51A), the preferable upper limit of q / (p + q + r) is 0.35, and a more preferable upper limit is 0.30. In addition, when q is 0 and q / (p + q + r) is 0, the structural unit of (R54R55SiO 2/2 ) does not exist in the above formula (51A).

上記式（５１Ａ）中、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）の下限は０．３０、上限は０．８０である。ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が上記下限を満たすと、ダイボンド材の高温での貯蔵弾性率を高くすることができる。ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が上記上限を満たすと、ダイボンド材の耐熱性が高くなり、かつ高温環境下でダイボンド材の硬化物の厚みが減少し難くなる。   In the above formula (51A), the lower limit of r / (p + q + r) is 0.30, and the upper limit is 0.80. When r / (p + q + r) satisfies the above lower limit, the storage elastic modulus at a high temperature of the die-bonding material can be increased. When r / (p + q + r) satisfies the above upper limit, the heat resistance of the die bond material becomes high, and the thickness of the cured product of the die bond material becomes difficult to decrease under a high temperature environment.

上記式（５１Ｂ）中、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）の下限は０．０５、上限は０．５０である。ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）が上記上限を満たすと、ダイボンド材の耐熱性をより一層高めることができ、かつダイボンド材の剥離をより一層抑制できる。   In the above formula (51B), the lower limit of p / (p + q + r + s) is 0.05, and the upper limit is 0.50. When p / (p + q + r + s) satisfies the above upper limit, the heat resistance of the die bond material can be further increased, and peeling of the die bond material can be further suppressed.

上記式（５１Ｂ）中、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）の下限は０、上限は０．４０である。ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）が上記上限を満たすと、ダイボンド材の高温での貯蔵弾性率を高くすることができる。なお、ｑが０であり、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）が０である場合、上記式（５１Ｂ）中、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）の構造単位は存在しない。 In the above formula (51B), the lower limit of q / (p + q + r + s) is 0, and the upper limit is 0.40. When q / (p + q + r + s) satisfies the above upper limit, the storage elastic modulus at a high temperature of the die bond material can be increased. In addition, when q is 0 and q / (p + q + r + s) is 0, there is no structural unit of (R54R55SiO 2/2 ) in the above formula (51B).

上記式（５１Ｂ）中、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）の下限は０．３０、上限は０．８０である。ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）が上記下限を満たすと、ダイボンド材の高温での貯蔵弾性率を高くすることができる。上記上限を満たすと、ダイボンド材の耐熱性が高くなり、かつ高温環境下でダイボンド材の硬化物の厚みが減少し難くなる。   In the above formula (51B), the lower limit of r / (p + q + r + s) is 0.30, and the upper limit is 0.80. When r / (p + q + r + s) satisfies the above lower limit, the storage elastic modulus at a high temperature of the die-bonding material can be increased. When the above upper limit is satisfied, the heat resistance of the die bond material is increased, and the thickness of the cured product of the die bond material is difficult to decrease under a high temperature environment.

上記式（５１Ｂ）中、ｓ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）の下限は０．０１、上限は０．４０である。ｓ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）が上記下限及び上限を満たすと、腐食性ガスに対して高いガスバリア性を有し、過酷な環境下で使用されてもクラック又は剥離が生じ難い光半導体装置用ダイボンド材を得ることができる。腐食性ガスに対してより一層高いガスバリア性を有し、過酷な環境下で使用されてもクラック又は剥離がより一層生じ難い光半導体装置用ダイボンド材を得る観点からは、上記式（５１Ｂ）中、ｓ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）の好ましい下限は０．０３、より好ましい下限は０．０５、好ましい上限は０．３５、より好ましい上限は０．３０である。   In the above formula (51B), the lower limit of s / (p + q + r + s) is 0.01, and the upper limit is 0.40. When s / (p + q + r + s) satisfies the above lower limit and upper limit, a die bond material for optical semiconductor devices that has a high gas barrier property against corrosive gas and hardly cracks or peels even when used in harsh environments is obtained. be able to. From the viewpoint of obtaining a die-bonding material for an optical semiconductor device that has a higher gas barrier property against corrosive gas and is less prone to cracking or peeling even when used in a harsh environment, in the above formula (51B) The preferable lower limit of s / (p + q + r + s) is 0.03, the more preferable lower limit is 0.05, the preferable upper limit is 0.35, and the more preferable upper limit is 0.30.

上記第２のシリコーン樹脂について、テトラメチルシラン（以下、ＴＭＳ）を基準に２９Ｓｉ−核磁気共鳴分析（以下、ＮＭＲ）を行うと、置換基の種類によって若干の変動は見られるものの、上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）中の（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ１／２）ｐで表される構造単位に相当するピークは＋１０〜−５ｐｐｍ付近に現れ、上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）中の（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）ｑ及び（５１−２）の二官能構造単位に相当する各ピークは−１０〜−５０ｐｐｍ付近に現れ、上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）中の（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）ｒ、並びに（５１−３）及び（５１−４）の三官能構造単位に相当する各ピークは−５０〜−８０ｐｐｍ付近に現れ、上記式（５１Ｂ）中の（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ２Ｒ６１Ｏ２／２）ｄに相当するピークは０〜−５ｐｐｍ付近に現れる。 For the second silicone resin, when 29 Si-nuclear magnetic resonance analysis (hereinafter referred to as NMR) is performed with reference to tetramethylsilane (hereinafter referred to as TMS), although some variation is observed depending on the type of substituent, the above formula The peak corresponding to the structural unit represented by (R51R52R53SiO 1/2 ) p in (51A) and formula (51B) appears in the vicinity of +10 to −5 ppm, and (R54R55SiO in the above formula (51A) and formula (51B)) 2/2 ) Each peak corresponding to q and the bifunctional structural unit of (51-2) appears in the vicinity of −10 to −50 ppm, and (R56SiO 3/2 ) r in the above formulas (51A) and (51B). And peaks corresponding to the trifunctional structural units of (51-3) and (51-4) appear in the vicinity of −50 to −80 ppm, and (R57R5 in the above formula (51B) R59R60Si 2 R61O 2/2) peak corresponding to d appears in the vicinity of 0 to-5 ppm.

従って、２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定し、それぞれのシグナルのピーク面積を比較することによって上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）中の各構造単位の比率を測定できる。 Therefore, 29 Si-NMR is measured, and the ratio of each structural unit in the above formula (51A) and formula (51B) can be measured by comparing the peak areas of the respective signals.

但し、上記ＴＭＳを基準にした２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定で上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）中の構造単位の見分けがつかない場合は、２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定結果だけではなく、１Ｈ−ＮＭＲの測定結果を必要に応じて用いることにより、上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）中の各構造単位の比率を見分けることができる。 However, when the structural unit in the formula (51A) and the formula (51B) cannot be distinguished from the 29 Si-NMR measurement based on the TMS, not only the 29 Si-NMR measurement result but also 1 H The ratio of each structural unit in the above formula (51A) and formula (51B) can be distinguished by using the measurement result of -NMR as necessary.

上記第１のシリコーン樹脂１００重量部に対して、上記第２のシリコーン樹脂の含有量は１０重量部以上、４００重量部以下であることが好ましい。第１，第２のシリコーン樹脂の含有量がこの範囲内であると、高温での貯蔵弾性率がより一層高く、かつガスバリア性により一層優れたダイボンド材を得ることができる。高温での貯蔵弾性率がさらに一層高く、かつガスバリア性にさらに一層優れたダイボンド材を得る観点からは、上記第１のシリコーン樹脂１００重量部に対して、上記第２のシリコーン樹脂の含有量のより好ましい下限は３０重量部、更に好ましい下限は５０重量部、より好ましい上限は３００重量部、更に好ましい上限は２００重量部である。   The content of the second silicone resin is preferably 10 parts by weight or more and 400 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the first silicone resin. When the contents of the first and second silicone resins are within this range, it is possible to obtain a die bond material having a higher storage elastic modulus at a high temperature and a more excellent gas barrier property. From the viewpoint of obtaining a die-bonding material having an even higher storage elastic modulus at a high temperature and a further excellent gas barrier property, the content of the second silicone resin is 100% by weight of the first silicone resin. A more preferred lower limit is 30 parts by weight, a still more preferred lower limit is 50 parts by weight, a more preferred upper limit is 300 parts by weight, and a still more preferred upper limit is 200 parts by weight.

上記光半導体装置用ダイボンド材１００重量％中、第１，第２のシリコーン樹脂の合計の含有量は、好ましくは５０重量％以上、より好ましくは６０重量％以上、好ましくは９０重量％以下、より好ましくは８５重量％以下である。第１，第２のシリコーン樹脂の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、ダイボンド材の粘度を適度な範囲に容易に調整でき、かつダイボンド材の硬化性を高めることができる。   The total content of the first and second silicone resins in 100% by weight of the die bond material for an optical semiconductor device is preferably 50% by weight or more, more preferably 60% by weight or more, and preferably 90% by weight or less. Preferably it is 85 weight% or less. When the content of the first and second silicone resins is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the viscosity of the die bond material can be easily adjusted to an appropriate range, and the curability of the die bond material can be improved.

ガスバリア性により一層優れているダイボンド材を得る観点からは、本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、上記式（１Ｂ）で表される第１のシリコーン樹脂及び上記式（５１Ｂ）で表される第２のシリコーン樹脂の内の少なくとも一方を含むことが好ましい。   From the viewpoint of obtaining a die bond material that is more excellent in gas barrier properties, the die bond material for an optical semiconductor device according to the present invention is represented by the first silicone resin represented by the above formula (1B) and the above formula (51B). It is preferable that at least one of the second silicone resins is included.

（第１，第２のシリコーン樹脂の他の性質及びその合成方法）
上記第１，第２のシリコーン樹脂のアルコキシ基の含有量の好ましい下限は０．５モル
％、より好ましい下限は１モル％、好ましい上限は１０モル％、より好ましい上限は５モル％である。アルコキシル基の含有量が上記好ましい範囲内であると、ダイボンド材の密着性を高めることができる。 (Other properties of the first and second silicone resins and their synthesis methods)
The preferable lower limit of the alkoxy group content of the first and second silicone resins is 0.5 mol%, the more preferable lower limit is 1 mol%, the preferable upper limit is 10 mol%, and the more preferable upper limit is 5 mol%. When the content of the alkoxyl group is within the above preferred range, the adhesion of the die bond material can be enhanced.

アルコキシ基の含有量が上記好ましい下限を満たすと、ダイボンド材の密着性を高めることができる。アルコキシル基の含有量が上記好ましい上限を満たすと、第１，第２のシリコーン樹脂及びダイボンド材の貯蔵安定性が高くなり、ダイボンド材の耐熱性がより一層高くなる。   When the content of the alkoxy group satisfies the preferable lower limit, the adhesion of the die bond material can be improved. When the content of the alkoxyl group satisfies the above preferable upper limit, the storage stability of the first and second silicone resins and the die bond material is increased, and the heat resistance of the die bond material is further increased.

上記アルコキシ基の含有量は、第１，第２のシリコーン樹脂の平均組成式中に含まれる上記アルコキシ基の量を意味する。   The content of the alkoxy group means the amount of the alkoxy group contained in the average composition formula of the first and second silicone resins.

上記第１，第２のシリコーン樹脂はシラノール基を含有しないほうが好ましい。第１，第２のシリコーン樹脂がシラノール基を含有しないと、第１，第２のシリコーン樹脂及びダイボンド材の貯蔵安定性が高くなる。上記シラノール基は、真空下での加熱により減少させることができる。シラノール基の含有量は、赤外分光法を用いて測定できる。   The first and second silicone resins preferably do not contain silanol groups. When the first and second silicone resins do not contain silanol groups, the storage stability of the first and second silicone resins and the die bond material is increased. The silanol group can be reduced by heating under vacuum. The content of silanol groups can be measured using infrared spectroscopy.

上記第１，第２のシリコーン樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）の好ましい下限は５００、より好ましい下限は８００、更に好ましい下限は１０００、好ましい上限は５００００、より好ましい上限は１５０００である。数平均分子量が上記好ましい下限を満たすと、熱硬化時に揮発成分が少なくなり、高温環境下でダイボンド材の硬化物の厚みが減少しにくくなる。数平均分子量が上記好ましい上限を満たすと、粘度調節が容易である。   The preferable lower limit of the number average molecular weight (Mn) of the first and second silicone resins is 500, the more preferable lower limit is 800, the still more preferable lower limit is 1000, the preferable upper limit is 50000, and the more preferable upper limit is 15000. When the number average molecular weight satisfies the above preferable lower limit, the volatile components are reduced at the time of thermosetting, and the thickness of the cured product of the die bond material is hardly reduced under a high temperature environment. When the number average molecular weight satisfies the above preferable upper limit, viscosity adjustment is easy.

上記数平均分子量（Ｍｎ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて、ポリスチレンを標準物質して求めた値である。上記数平均分子量（Ｍｎ）は、Ｗａｔｅｒｓ社製の測定装置（カラム：昭和電工社製 Ｓｈｏｄｅｘ ＧＰＣ ＬＦ−８０４（長さ３００ｍｍ）を２本、測定温度：４０℃、流速：１ｍＬ／分、溶媒：テトラヒドロフラン、標準物質：ポリスチレン）を用いて測定された値を意味する。   The number average molecular weight (Mn) is a value obtained by using polystyrene as a standard substance using gel permeation chromatography (GPC). The number average molecular weight (Mn) was measured using two measuring devices manufactured by Waters (column: Shodex GPC LF-804 (length: 300 mm) manufactured by Showa Denko KK), measuring temperature: 40 ° C., flow rate: 1 mL / min, solvent: Tetrahydrofuran, standard substance: polystyrene) means a value measured.

上記第１，第２のシリコーン樹脂を合成する方法としては特に限定されず、アルコキシシラン化合物を加水分解し縮合反応させる方法、クロロシラン化合物を加水分解し縮合させる方法が挙げられる。なかでも、反応の制御の観点からアルコキシシラン化合物を加水分解する方法が好ましい。   The method for synthesizing the first and second silicone resins is not particularly limited, and examples thereof include a method in which an alkoxysilane compound is hydrolyzed and subjected to a condensation reaction, and a method in which a chlorosilane compound is hydrolyzed and condensed. Especially, the method of hydrolyzing an alkoxysilane compound from a viewpoint of control of reaction is preferable.

アルコキシシラン化合物を加水分解し縮合反応させる方法としては、例えば、アルコキシシラン化合物、水と酸性触媒又は塩基性触媒との存在下で反応させる方法が挙げられる。また、ジシロキサン化合物を加水分解して用いてもよい。   Examples of the method for hydrolyzing and condensing the alkoxysilane compound include a method of reacting in the presence of an alkoxysilane compound, water and an acidic catalyst or a basic catalyst. Further, the disiloxane compound may be hydrolyzed and used.

上記第１，第２のシリコーン樹脂にフェニル基を導入するための有機珪素化合物としては、トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、メチル（フェニル）ジメトキシシラン、及びフェニルトリメトキシシラン等が挙げられる。   Examples of the organosilicon compound for introducing a phenyl group into the first and second silicone resins include triphenylmethoxysilane, triphenylethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane, methyl (phenyl) dimethoxysilane, and Examples thereof include phenyltrimethoxysilane.

上記第１，第２のシリコーン樹脂に（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ２Ｒ６１Ｏ２／２）、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ２Ｒ１１Ｏ２／２）を導入するための有機珪素化合物としては、例えば、１，４−ビス（ジメチルメトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（ジエチルメトキシシリル）ベンゼン、１，４ービス（エトキシエチルメチルシリル）ベンゼン、１，６−ビス（ジメチルメトキシシリル）ヘキサン、１，６−ビス（ジエチルメトキシシリル）ヘキサン及び１，６−ビス（エトキシエチルメチルシリル）ヘキサン等が挙げられる。 As the organosilicon compound for introducing (R57R58R59R60Si 2 R61O 2/2 ), (R7R8R9R10Si 2 R11O 2/2 ) into the first and second silicone resins, for example, 1,4-bis (dimethylmethoxysilyl) Benzene, 1,4-bis (diethylmethoxysilyl) benzene, 1,4-bis (ethoxyethylmethylsilyl) benzene, 1,6-bis (dimethylmethoxysilyl) hexane, 1,6-bis (diethylmethoxysilyl) hexane and Examples include 1,6-bis (ethoxyethylmethylsilyl) hexane.

上記第１，第２のシリコーン樹脂にアルケニル基を導入するための有機珪素化合物としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、メトキシジメチルビニルシラン、ビニルジメチルエトキシシラン及び１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。   Examples of organosilicon compounds for introducing alkenyl groups into the first and second silicone resins include vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinylmethyldimethoxysilane, methoxydimethylvinylsilane, vinyldimethylethoxysilane, and 1,3. -Divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane and the like.

上記第１のシリコーン樹脂に珪素原子に結合した水素原子を導入するための有機珪素化合物としては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、及び１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。   Examples of the organosilicon compound for introducing a hydrogen atom bonded to a silicon atom into the first silicone resin include trimethoxysilane, triethoxysilane, methyldimethoxysilane, methyldiethoxysilane, and 1,1,3,3. -Tetramethyldisiloxane and the like.

上記第１，第２のシリコーン樹脂を得るために用いることができる他の有機珪素化合物としては、例えば、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、イソプロピル（メチル）ジメトキシシラン、シクロヘキシル（メチル）ジメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン及びオクチルトリメトキシシラン等が挙げられる。   Examples of other organosilicon compounds that can be used to obtain the first and second silicone resins include trimethylmethoxysilane, trimethylethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, and isopropyl (methyl) dimethoxysilane. Cyclohexyl (methyl) dimethoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, hexyltrimethoxysilane, and octyltrimethoxysilane.

上記酸性触媒としては、例えば、無機酸、有機酸、無機酸の酸無水物及びその誘導体、並びに有機酸の酸無水物及びその誘導体が挙げられる。   Examples of the acidic catalyst include inorganic acids, organic acids, acid anhydrides of inorganic acids and derivatives thereof, and acid anhydrides of organic acids and derivatives thereof.

上記無機酸としては、例えば、塩酸、リン酸、ホウ酸及び炭酸が挙げられる。上記有機酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フマル酸、マレイン酸及びオレイン酸が挙げられる。   Examples of the inorganic acid include hydrochloric acid, phosphoric acid, boric acid, and carbonic acid. Examples of the organic acid include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, lactic acid, malic acid, tartaric acid, citric acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, fumaric acid, maleic acid and oleic acid. Is mentioned.

上記塩基性触媒としては、例えば、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属のアルコキシド及びアルカリ金属のシラノール化合物が挙げられる。   Examples of the basic catalyst include alkali metal hydroxides, alkali metal alkoxides, and alkali metal silanol compounds.

上記アルカリ金属の水酸化物としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及び水酸化セシウムが挙げられる。上記アルカリ金属のアルコキシドとしては、例えば、ナトリウム−ｔ−ブトキシド、カリウム−ｔ−ブトキシド及びセシウム−ｔ−ブトキシドが挙げられる。   Examples of the alkali metal hydroxide include sodium hydroxide, potassium hydroxide, and cesium hydroxide. Examples of the alkali metal alkoxide include sodium-t-butoxide, potassium-t-butoxide, and cesium-t-butoxide.

上記アルカリ金属のシラノール化合物としては、例えば、ナトリウムシラノレート化合物、カリウムシラノレート化合物及びセシウムシラノレート化合物が挙げられる。なかでも、カリウム系触媒又はセシウム系触媒が好適である。   Examples of the alkali metal silanol compound include a sodium silanolate compound, a potassium silanolate compound, and a cesium silanolate compound. Of these, a potassium-based catalyst or a cesium-based catalyst is preferable.

（ヒドロシリル化反応用触媒）
本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材に含まれているヒドロシリル化反応用触媒は、上記第１のシリコーン樹脂中の珪素原子に結合した水素原子と、上記第２のシリコーン樹脂中のアルケニル基とをヒドロシリル化反応させる触媒である。 (Catalyst for hydrosilylation reaction)
The hydrosilylation reaction catalyst contained in the die bond material for optical semiconductor devices according to the present invention includes a hydrogen atom bonded to a silicon atom in the first silicone resin, and an alkenyl group in the second silicone resin. Is a catalyst for hydrosilylation reaction.

上記ヒドロシリル化反応用触媒として、ヒドロシリル化反応を進行させる各種の触媒を用いることができる。上記ヒドロシリル化反応用触媒は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。   As the hydrosilylation reaction catalyst, various catalysts that cause the hydrosilylation reaction to proceed can be used. As for the said catalyst for hydrosilylation reaction, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記ヒドロシリル化反応用触媒としては、例えば、白金系触媒、ロジウム系触媒及びパラジウム系触媒等が挙げられる。ダイボンド材の透明性を高くすることができるため、白金系触媒が好ましい。   Examples of the hydrosilylation reaction catalyst include platinum-based catalysts, rhodium-based catalysts, and palladium-based catalysts. A platinum-based catalyst is preferable because the transparency of the die-bonding material can be increased.

上記白金系触媒としては、白金粉末、塩化白金酸、白金−アルケニルシロキサン錯体、白金−オレフィン錯体及び白金−カルボニル錯体が挙げられる。特に、白金−アルケニルシロキサン錯体又は白金−オレフィン錯体が好ましい。   Examples of the platinum-based catalyst include platinum powder, chloroplatinic acid, a platinum-alkenylsiloxane complex, a platinum-olefin complex, and a platinum-carbonyl complex. In particular, a platinum-alkenylsiloxane complex or a platinum-olefin complex is preferable.

上記白金−アルケニルシロキサン錯体におけるアルケニルシロキサンとしては、例えば、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、及び１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。上記白金−オレフィン錯体におけるオレフィンとしては、例えば、アリルエーテル及び１，６−ヘプタジエン等が挙げられる。   Examples of the alkenylsiloxane in the platinum-alkenylsiloxane complex include 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane and 1,3,5,7-tetramethyl-1,3,5. , 7-tetravinylcyclotetrasiloxane and the like. Examples of the olefin in the platinum-olefin complex include allyl ether and 1,6-heptadiene.

上記白金−アルケニルシロキサン錯体及び白金−オレフィン錯体の安定性を向上させることができるため、上記白金−アルケニルシロキサン錯体又は白金−オレフィン錯体に、アルケニルシロキサン、オルガノシロキサンオリゴマー、アリルエーテル又はオレフィンを添加することが好ましい。上記アルケニルシロキサンは、好ましくは１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンである。上記オルガノシロキサンオリゴマーは、好ましくはジメチルシロキサンオリゴマーである。上記オレフィンは、好ましくは１，６−ヘプタジエンである。   Since the stability of the platinum-alkenylsiloxane complex and platinum-olefin complex can be improved, alkenylsiloxane, organosiloxane oligomer, allyl ether or olefin is added to the platinum-alkenylsiloxane complex or platinum-olefin complex. Is preferred. The alkenylsiloxane is preferably 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane. The organosiloxane oligomer is preferably a dimethylsiloxane oligomer. The olefin is preferably 1,6-heptadiene.

ダイボンド材１００重量％中、上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量は、０．０１〜０．５重量％の範囲内であることが好ましい。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量が上記下限以上であると、ダイボンド材を十分に硬化させることが容易であり、ダイボンド材のガスバリア性をより一層高めることができる。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量が上記上限以下であると、ダイボンド材がより一層変色し難くなる。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量は、より好ましくは０．０２重量％以上、より好ましくは０．３重量％以下である。   In 100% by weight of the die bond material, the content of the hydrosilylation catalyst is preferably in the range of 0.01 to 0.5% by weight. When the content of the catalyst for hydrosilylation reaction is not less than the above lower limit, it is easy to sufficiently cure the die bond material, and the gas barrier property of the die bond material can be further enhanced. When the content of the catalyst for hydrosilylation reaction is not more than the above upper limit, the die bond material is more difficult to discolor. The content of the hydrosilylation reaction catalyst is more preferably 0.02% by weight or more, and more preferably 0.3% by weight or less.

（球状シリカ）
本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、球状シリカをさらに含む。該球状シリカの体積平均粒径は、０．５μｍ以上、１０μｍ以下である。該球状シリカのＣＶ値は、１０％以下である。このような球状シリカの使用により、塗布対象部材上に塗布されたダイボンド材の厚みを均一にすることができる。上記球状シリカは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 (Spherical silica)
The die bond material for optical semiconductor devices according to the present invention further includes spherical silica. The volume average particle diameter of the spherical silica is 0.5 μm or more and 10 μm or less. The spherical silica has a CV value of 10% or less. By using such spherical silica, it is possible to make the thickness of the die bond material applied on the application target member uniform. As for the said spherical silica, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記球状シリカは球状であるので、ダイボンド材中での分散性が高くなり、ダイボンド材の透明性を高めることができる。   Since the spherical silica is spherical, the dispersibility in the die bond material is increased, and the transparency of the die bond material can be increased.

上記球状シリカの体積平均粒径は、０．５μｍ以上、１０μｍ以下である。体積平均粒径が上記下限以上であると、ダイボンド材の塗布厚みがより一層良好になる。体積平均径が上記上限以下であると、塗布されたダイボンド材の厚みがより一層均一になる。   The volume average particle diameter of the spherical silica is 0.5 μm or more and 10 μm or less. When the volume average particle size is not less than the above lower limit, the coating thickness of the die bond material is further improved. When the volume average diameter is not more than the above upper limit, the thickness of the applied die-bonding material becomes even more uniform.

上記球状シリカのＣＶ値は、１０％以下であり、好ましくは８％以下、より好ましくは５％以下である。ＣＶ値が小さいほど、塗布されたダイボンド材の厚みがより一層均一になる。   The CV value of the spherical silica is 10% or less, preferably 8% or less, more preferably 5% or less. The smaller the CV value, the more uniform the thickness of the applied die bond material.

なお、上記ＣＶ値は、下記式により求められる数値を意味する。   In addition, the said CV value means the numerical value calculated | required by a following formula.

粒子径のＣＶ値（％）＝（σ２／Ｄｎ２）×１００   CV value of particle diameter (%) = (σ2 / Dn2) × 100

上記式中、σ２は粒子径の標準偏差を表し、Ｄｎ２は数平均粒子径を表す。   In the above formula, σ2 represents the standard deviation of the particle diameter, and Dn2 represents the number average particle diameter.

上記球状シリカの体積平均粒子径及びＣＶ値の測定装置としては、ＨＯＲＩＢＡ社製「レーザ回折／散乱式粒子径分布測定装置」等が挙げられる。   Examples of the measuring device for the volume average particle size and CV value of the spherical silica include “Laser diffraction / scattering particle size distribution measuring device” manufactured by HORIBA.

上記球状シリカとしては特に限定されず、例えば、フュームドシリカ及び溶融シリカ等の乾式法で製造されたシリカ、並びにコロイダルシリカ、ゾルゲルシリカ及び沈殿シリカ等の湿式法で製造されたシリカ等が挙げられる。なかでも、揮発成分が少なく、かつ透明性がより一層高いダイボンド材を得る観点からは、上記球状シリカとして、フュームドシリカが好適に用いられる。   The spherical silica is not particularly limited, and examples thereof include silica produced by a dry method such as fumed silica and fused silica, and silica produced by a wet method such as colloidal silica, sol-gel silica and precipitated silica. . Among these, fumed silica is preferably used as the spherical silica from the viewpoint of obtaining a die-bonding material with less volatile components and higher transparency.

さらに、球状シリカとしては、具体的には、天然シリカ原料を粉砕して得られる結晶性シリカ、天然シリカ原料を火炎溶融し、粉砕して得られる破砕溶融シリカ、天然シリカ原料を火炎溶融して得られる球状溶融シリカ、天然シリカ原料を粉砕及び火炎溶融して得られる球状溶融シリカ、及びゾルゲル法シリカなどの合成シリカ等が挙げられる。   Furthermore, as the spherical silica, specifically, crystalline silica obtained by pulverizing natural silica raw material, crushed fused silica obtained by flame melting and pulverizing natural silica raw material, and natural silica raw material by flame melting Examples thereof include spherical fused silica obtained, spherical fused silica obtained by pulverizing and flame-melting a natural silica raw material, and synthetic silica such as sol-gel silica.

上記球状シリカは、有機珪素化合物により表面処理されていることが好ましい。この表面処理により、球状シリカの分散性が非常に高くなり、硬化前のダイボンド材の温度上昇による粘度の低下をより一層抑制できる。   The spherical silica is preferably surface-treated with an organosilicon compound. By this surface treatment, the dispersibility of the spherical silica becomes very high, and it is possible to further suppress the decrease in the viscosity due to the temperature increase of the die bond material before curing.

上記有機珪素化合物としては特に限定されず、例えば、アルキル基を有するシラン系化合物、ジメチルシロキサン等のシロキサン骨格を有する珪素系化合物、アミノ基を有する珪素系化合物、（メタ）アクリロイル基を有する珪素系化合物、及びエポキシ基を有する珪素系化合物等が挙げられる。上記「（メタ）アクリロイル基」は、アクリロイル基とメタクリロイル基とを意味する。   The organosilicon compound is not particularly limited. For example, a silane compound having an alkyl group, a silicon compound having a siloxane skeleton such as dimethylsiloxane, a silicon compound having an amino group, and a silicon compound having a (meth) acryloyl group. Examples thereof include a compound and a silicon compound having an epoxy group. The “(meth) acryloyl group” means an acryloyl group and a methacryloyl group.

上記球状シリカの分散性をさらに一層高める観点からは、表面処理に用いられる上記有機珪素化合物は、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物及びポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物の内の少なくとも１種であることが好ましい。上記球状シリカは、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物及びポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物の内の少なくとも１種により表面処理されていることが好ましい。   From the viewpoint of further enhancing the dispersibility of the spherical silica, the organosilicon compound used for the surface treatment is at least one of an organosilicon compound having a trimethylsilyl group and an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group. It is preferable. The spherical silica is preferably surface-treated with at least one of an organosilicon compound having a trimethylsilyl group and an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group.

有機珪素化合物により表面処理する方法の一例として、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物を用いる場合には、例えば、ヘキサメチルジシラザン、トリメチルシリルクロライド及びトリメチルメトキシシラン等を用いて、球状シリカを表面処理する方法が挙げられる。ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物を用いる場合には、ポリジメチルシロキサン基の末端にシラノール基を有する化合物及び環状シロキサン等を用いて、球状シリカを表面処理する方法が挙げられる。   As an example of a method for surface treatment with an organosilicon compound, when using an organosilicon compound having a trimethylsilyl group, for example, a method for surface-treating spherical silica using hexamethyldisilazane, trimethylsilyl chloride, trimethylmethoxysilane or the like. Is mentioned. In the case of using an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, a method of surface-treating spherical silica using a compound having a silanol group at the terminal of the polydimethylsiloxane group, cyclic siloxane, or the like can be mentioned.

上記有機珪素化合物により球状シリカを表面処理する方法は特に限定されない。この方法としては、例えば、ミキサー中に球状シリカを添加し、攪拌しながら有機珪素化合物を添加する乾式法、球状シリカのスラリー中に有機珪素化合物を添加するスラリー法、並びに、球状シリカの乾燥後に有機珪素化合物をスプレー付与するスプレー法などの直接処理法等が挙げられる。上記乾式法で用いられるミキサーとしては、ヘンシェルミキサー及びＶ型ミキサー等が挙げられる。上記乾式法では、有機珪素化合物は、直接、又は、アルコール水溶液、有機溶媒溶液若しくは水溶液として添加される。   The method for surface-treating spherical silica with the organosilicon compound is not particularly limited. As this method, for example, a dry method in which spherical silica is added to a mixer and an organosilicon compound is added while stirring, a slurry method in which an organosilicon compound is added to a slurry of spherical silica, and after the spherical silica is dried Examples thereof include a direct treatment method such as a spray method for spraying an organosilicon compound. Examples of the mixer used in the dry method include a Henschel mixer and a V-type mixer. In the dry method, the organosilicon compound is added directly or as an alcohol aqueous solution, an organic solvent solution or an aqueous solution.

上記有機珪素化合物により表面処理されている球状シリカを得るために、光半導体装置用ダイボンド材を調製する際に、球状シリカと上記第１，第２のシリコーン樹脂等のマトリクス樹脂との混合時に、有機珪素化合物を直接添加するインテグレルブレンド法等を用いてもよい。   In order to obtain the spherical silica surface-treated with the organosilicon compound, when preparing the die bond material for an optical semiconductor device, when mixing the spherical silica and the matrix resin such as the first and second silicone resin, An Integrel blend method in which an organosilicon compound is directly added may be used.

上記光半導体装置用ダイボンド材１００重量％中、上記球状シリカの含有量は、５重量％以上、３０重量％以下であることが好ましい。上記ダイボンド材１００重量％中、上記球状シリカの含有量は、より好ましくは２５重量％以下である。上記球状シリカの含有量が上記下限以上であると、ダイボンド材の硬化物の耐熱性及び耐光性を損なうことなく、硬化前のダイボンド材の粘度を適当な範囲に調整できる。上記球状シリカの含有量が上記上限以下であると、ダイボンド材の粘度をより一層適正な範囲に制御でき、かつダイボンド材の透明性をより一層高めることができる。   In 100% by weight of the die bond material for an optical semiconductor device, the content of the spherical silica is preferably 5% by weight or more and 30% by weight or less. In 100% by weight of the die bond material, the content of the spherical silica is more preferably 25% by weight or less. When the content of the spherical silica is not less than the above lower limit, the viscosity of the die bond material before curing can be adjusted to an appropriate range without impairing the heat resistance and light resistance of the cured product of the die bond material. When the content of the spherical silica is not more than the above upper limit, the viscosity of the die bond material can be controlled to a more appropriate range, and the transparency of the die bond material can be further enhanced.

本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材が、上記有機珪素化合物により表面処理された球状シリカを含有することにより、アリール基を有する第２のシリコーン樹脂又はアリール基を有する第１のシリコーン樹脂を含有していても、ダイボンド材の高温での粘度を十分な高さに維持できる。これにより、ダイボンド材が高温に加熱された時の粘度を適切な範囲に調整でき、ダイボンド材中の球状シリカの分散状態を良好にすることができる。このため、ダイボンド材の透明性をより一層高めることができる。   The die-bonding material for optical semiconductor devices according to the present invention contains the second silicone resin having an aryl group or the first silicone resin having an aryl group by containing spherical silica surface-treated with the organosilicon compound. Even so, the viscosity of the die bond material at a high temperature can be maintained at a sufficiently high level. Thereby, the viscosity when the die bond material is heated to a high temperature can be adjusted to an appropriate range, and the dispersed state of the spherical silica in the die bond material can be improved. For this reason, the transparency of the die bond material can be further enhanced.

（カップリング剤）
本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、接着性を付与するために、カップリング剤をさらに含んでいてもよい。 (Coupling agent)
The die bond material for optical semiconductor devices according to the present invention may further contain a coupling agent in order to impart adhesiveness.

上記カップリング剤としては特に限定されず、例えば、シランカップリング剤等が挙げられる。該シランカップリング剤としては、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、及びＮ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。カップリング剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。   It does not specifically limit as said coupling agent, For example, a silane coupling agent etc. are mentioned. Examples of the silane coupling agent include vinyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and γ-methacryloxypropyltrimethoxy. Examples include silane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, and N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane. As for a coupling agent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

（他の成分）
本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、必要に応じて、紫外線吸収剤、酸化防止剤、溶剤、着色剤、充填剤、消泡剤、表面処理剤、難燃剤、粘度調節剤、分散剤、分散助剤、表面改質剤、可塑剤、防黴剤、レベリング剤、安定剤、カップリング剤、タレ防止剤又は蛍光体等を含有してもよい。 (Other ingredients)
The die bond material for an optical semiconductor device according to the present invention includes an ultraviolet absorber, an antioxidant, a solvent, a colorant, a filler, an antifoaming agent, a surface treatment agent, a flame retardant, a viscosity modifier, and a dispersant as necessary. , A dispersion aid, a surface modifier, a plasticizer, an antifungal agent, a leveling agent, a stabilizer, a coupling agent, an anti-sagging agent, or a phosphor.

（光半導体装置用ダイボンド材の詳細及び用途）
本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、ペースト状であってもよく、フィルム状であってもよい。本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、ペースト状であることが好ましい。 (Details and applications of die bond materials for optical semiconductor devices)
The die bond material for optical semiconductor devices according to the present invention may be in the form of a paste or a film. The die bond material for an optical semiconductor device according to the present invention is preferably in a paste form.

上記第１のシリコーン樹脂と、上記第２のシリコーン樹脂と、上記ヒドロシリル化反応用触媒とは、これらを１種又は２種以上含む液を別々に調製しておき、使用直前に複数の液を混合して、本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材を調製してもよい。例えば、上記第２のシリコーン樹脂及び上記ヒドロシリル化反応用触媒を含むＡ液と、第１のシリコーン樹脂を含むＢ液とを別々に調製しておき、使用直前にＡ液とＢ液を混合して、ダイボンド材を調製してもよい。この場合に、上記球状シリカは、Ａ液に含まれていてもよく、Ｂ液に含まれていてもよい。このように上記第２のシリコーン樹脂及び上記ヒドロシリル化反応用触媒と上記第１のシリコーン樹脂とを別々に、第１の液と第２の液との２液にすることによって保存安定性を向上させることができる。   The first silicone resin, the second silicone resin, and the hydrosilylation reaction catalyst are prepared separately in a liquid containing one or more of them, and a plurality of liquids are prepared immediately before use. The die-bonding material for optical semiconductor devices according to the present invention may be prepared by mixing. For example, the liquid A containing the second silicone resin and the hydrosilylation reaction catalyst and the liquid B containing the first silicone resin are prepared separately, and the liquid A and the liquid B are mixed immediately before use. A die bond material may be prepared. In this case, the spherical silica may be contained in the A liquid or in the B liquid. Thus, the storage stability is improved by separately forming the second silicone resin and the hydrosilylation reaction catalyst and the first silicone resin into two liquids of the first liquid and the second liquid. Can be made.

本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材の製造方法としては特に限定されず、例えば、ホモディスパー、ホモミキサー、万能ミキサー、プラネタリウムミキサー、ニーダー、
三本ロール又はビーズミル等の混合機を用いて、常温又は加温下で、上記第１のシリコーン樹脂、上記第２のシリコーン樹脂、上記ヒドロシリル化反応用触媒、上記球状シリカ及び必要に応じて配合される他の成分を混合する方法等が挙げられる。 The method for producing a die bond material for an optical semiconductor device according to the present invention is not particularly limited. For example, a homodisper, a homomixer, a universal mixer, a planetarium mixer, a kneader,
Using a mixer such as a three-roll or bead mill, blended as necessary at the normal temperature or under heating with the first silicone resin, the second silicone resin, the hydrosilylation catalyst, the spherical silica, and the like. And a method of mixing other components.

本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材を、基板等の接続対象部材上に配置し、又は光半導体素子の下面に配置し、ダイボンド材を介して接続対象部材と光半導体素子とを接続することにより、光半導体装置を得ることができる。   The die bond material for an optical semiconductor device according to the present invention is disposed on a connection target member such as a substrate or disposed on the lower surface of the optical semiconductor element, and the connection target member and the optical semiconductor element are connected via the die bond material. Thus, an optical semiconductor device can be obtained.

本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材の硬化温度は特に限定されない。光半導体装置用ダイボンド材の硬化温度は、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１００℃以上、好ましくは１８０℃以下、より好ましくは１５０℃以下である。硬化温度が上記好ましい下限以上であると、ダイボンド材の硬化が充分に進行する。硬化温度が上記好ましい上限以下であると、ダイボンド材及びダイボンド材により接合される部材の熱劣化が起こり難い。   The curing temperature of the die bond material for optical semiconductor devices according to the present invention is not particularly limited. The curing temperature of the die bond material for an optical semiconductor device is preferably 80 ° C. or higher, more preferably 100 ° C. or higher, preferably 180 ° C. or lower, more preferably 150 ° C. or lower. When the curing temperature is equal to or higher than the preferable lower limit, the die bond material is sufficiently cured. When the curing temperature is equal to or lower than the preferable upper limit, thermal deterioration of the die bonding material and the member bonded by the die bonding material hardly occurs.

硬化には特に限定されないが、ステップキュア方式を用いることが好ましい。ステップキュア方式は、一旦低温で仮硬化させておき、その後に高温で硬化させる方法である。ステップキュア方式の使用により、ダイボンド材の硬化収縮を抑えることができる。   Although it does not specifically limit to hardening, It is preferable to use a step cure system. The step cure method is a method in which the resin is temporarily cured at a low temperature and then cured at a high temperature. By using the step cure method, curing shrinkage of the die bond material can be suppressed.

（光半導体装置）
本発明に係る光半導体装置は、光半導体装置用ダイボンド材と、接続対象部材と、上記光半導体装置用ダイボンド材を用いて上記接続対象部材に接続された光半導体素子とを備える。 (Optical semiconductor device)
An optical semiconductor device according to the present invention includes a die bond material for an optical semiconductor device, a connection target member, and an optical semiconductor element connected to the connection target member using the die bond material for an optical semiconductor device.

本発明に係る光半導体装置としては、具体的には、例えば、発光ダイオード装置、半導体レーザー装置及びフォトカプラ等が挙げられる。このような光半導体装置は、例えば、液晶ディスプレイ等のバックライト、照明、各種センサー、プリンター及びコピー機等の光源、車両用計測器光源、信号灯、表示灯、表示装置、面状発光体の光源、ディスプレイ、装飾、各種ライト並びにスイッチング素子等に好適に用いることができる。   Specific examples of the optical semiconductor device according to the present invention include a light emitting diode device, a semiconductor laser device, and a photocoupler. Such optical semiconductor devices include, for example, backlights such as liquid crystal displays, illumination, various sensors, light sources such as printers and copiers, vehicle measuring instrument light sources, signal lights, indicator lights, display devices, and light sources for planar light emitters. , Displays, decorations, various lights, switching elements and the like.

上記光半導体素子である発光素子としては、半導体を用いた発光素子であれば特に限定されず、例えば、上記発光素子が発光ダイオードである場合、例えば、基板上にＬＥＤ形式用半導体材料を積層した構造が挙げられる。この場合、半導体材料としては、例えば、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＡｌＮ、及びＳｉＣ等が挙げられる。   The light-emitting element that is the optical semiconductor element is not particularly limited as long as it is a light-emitting element using a semiconductor. Structure is mentioned. In this case, examples of the semiconductor material include GaAs, GaP, GaAlAs, GaAsP, AlGaInP, GaN, InN, AlN, InGaAlN, and SiC.

上記基板の材料としては、例えば、サファイア、スピネル、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ、及びＧａＮ単結晶等が挙げられる。また、必要に応じ基板と半導体材料との間にバッファー層が形成されていてもよい。上記バッファー層の材料としては、例えば、ＧａＮ及びＡｌＮ等が挙げられる。   Examples of the material for the substrate include sapphire, spinel, SiC, Si, ZnO, and GaN single crystal. Further, a buffer layer may be formed between the substrate and the semiconductor material as necessary. Examples of the material of the buffer layer include GaN and AlN.

図１は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置を示す正面断面図である。   FIG. 1 is a front sectional view showing an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

本実施形態の光半導体装置１は、接続対象部材であるハウジング２と、光半導体素子３とを有する。ハウジング２内にＬＥＤ素子である光半導体素子３が実装されている。この光半導体素子３の周囲を、ハウジング２の光反射性を有する内面２ａが取り囲んでいる。本実施形態では、光半導体により形成された発光素子として、光半導体素子３が用いられている。   The optical semiconductor device 1 of the present embodiment includes a housing 2 that is a connection target member and an optical semiconductor element 3. An optical semiconductor element 3 that is an LED element is mounted in the housing 2. The optical semiconductor element 3 is surrounded by an inner surface 2 a having light reflectivity of the housing 2. In the present embodiment, the optical semiconductor element 3 is used as a light emitting element formed of an optical semiconductor.

ハウジング２の内面２ａは、内面２ａの径が開口端に向かうにつれて大きくなるように
形成されている。従って、光半導体素子３から発せられた光のうち、内面２ａに到達した光Ｂ１が内面２ａにより反射され、光半導体素子３の前方側に進行する。 The inner surface 2a of the housing 2 is formed so that the diameter of the inner surface 2a increases toward the opening end. Accordingly, among the light emitted from the optical semiconductor element 3, the light B <b> 1 that has reached the inner surface 2 a is reflected by the inner surface 2 a and travels forward of the optical semiconductor element 3.

光半導体素子３は、ハウジング２に設けられたリード電極４に、ダイボンド材５を用いて接続されている。ダイボンド材５は、光半導体装置用ダイボンド材である。光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリード電極４とが、ボンディングワイヤー６により電気的に接続されている。光半導体素子３及びボンディングワイヤー６を封止するように、内面２ａで囲まれた領域内には、封止剤７が充填されている。   The optical semiconductor element 3 is connected to a lead electrode 4 provided in the housing 2 using a die bond material 5. The die bond material 5 is a die bond material for optical semiconductor devices. A bonding pad (not shown) provided on the optical semiconductor element 3 and the lead electrode 4 are electrically connected by a bonding wire 6. A sealing agent 7 is filled in a region surrounded by the inner surface 2 a so as to seal the optical semiconductor element 3 and the bonding wire 6.

ダイボンド材５は、光半導体素子３の底部からはみ出してその周囲を囲むように配置されてもよく、光半導体素子３の底部からはみ出さないように配置されてもよい。ダイボンド材５の厚みは、２〜５０μｍの範囲内であることが好ましい。   The die bond material 5 may be disposed so as to protrude from the bottom of the optical semiconductor element 3 and surround the periphery thereof, or may be disposed so as not to protrude from the bottom of the optical semiconductor element 3. The thickness of the die bond material 5 is preferably in the range of 2 to 50 μm.

光半導体装置１では、光半導体素子３を駆動すると、破線Ａで示すように光が発せられる。この場合、光半導体素子３からリード電極４の上面とは反対側すなわち上方に照射される光だけでなく、ダイボンド材５に到達した光が矢印Ｂ２で示すように反射される光もある。   In the optical semiconductor device 1, when the optical semiconductor element 3 is driven, light is emitted as indicated by a broken line A. In this case, not only the light irradiated from the optical semiconductor element 3 to the side opposite to the upper surface of the lead electrode 4, that is, the upper side, but also the light that reaches the die bond material 5 is reflected as indicated by the arrow B 2.

なお、図１に示す構造は、本発明に係る光半導体装置の一例にすぎず、光半導体素子３の実装構造等には適宜変形され得る。   The structure shown in FIG. 1 is merely an example of an optical semiconductor device according to the present invention, and can be appropriately modified to the mounting structure of the optical semiconductor element 3.

以下に、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. The present invention is not limited to the following examples.

（第１，第２のシリコーン樹脂）
第１，第２のシリコーン樹脂を以下のようにして合成した。 (First and second silicone resin)
The first and second silicone resins were synthesized as follows.

（合成例１）第１のシリコーン樹脂の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルメトキシシラン１２０ｇ、メチルトリメトキシシラン５４ｇ、及び１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン４０ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸１．２ｇと水８３ｇとの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ａ）を得た。 (Synthesis Example 1) Synthesis of First Silicone Resin In a 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device and a stirrer, 120 g of dimethylmethoxysilane, 54 g of methyltrimethoxysilane, and 1,1,3,3-tetra 40 g of methyldisiloxane was added and stirred at 50 ° C. Into this, a solution of 1.2 g of hydrochloric acid and 83 g of water was slowly added dropwise. After the addition, the solution was stirred at 50 ° C. for 6 hours and reacted to obtain a reaction solution. Next, the polymer was obtained by removing the volatile component under reduced pressure. To the obtained polymer, 150 g of hexane and 150 g of ethyl acetate were added, washed 10 times with 300 g of ion-exchanged water, reduced in pressure to remove volatile components, and polymer (A) was obtained.

得られたポリマー（Ａ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１５００であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ａ）は、下記の平均組成式（Ａ１）を有していた。 The number average molecular weight (Mn) of the obtained polymer (A) was 1500. As a result of identifying the chemical structure from 29 Si-NMR, the polymer (A) had the following average composition formula (A1).

（ＨＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．２０（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．５０（ＭｅＳｉＯ３／２）０．３０ …式（Ａ１） (HMe 2 SiO 1/2 ) 0.20 (Me 2 SiO 2/2 ) 0.50 (MeSiO 3/2 ) 0.30 ... Formula (A1)

上記式（Ａ１）中、Ｍｅはメチル基を示す。   In the above formula (A1), Me represents a methyl group.

得られたポリマー（Ａ）の５８９ｎｍでの屈折率は、１．４４８であった。   The obtained polymer (A) had a refractive index of 1.448 at 589 nm.

なお、合成例１及び合成例２〜３で得られた各ポリマーの分子量は、１０ｍｇにテトラヒドロフラン１ｍＬを加え、溶解するまで攪拌し、ＧＰＣ測定により測定した。ＧＰＣ測定では、Ｗａｔｅｒｓ社製の測定装置（カラム：昭和電工社製 Ｓｈｏｄｅｘ ＧＰＣ
ＬＦ−８０４（長さ３００ｍｍ）×２本、測定温度：４０℃、流速：１ｍＬ／ｍｉｎ、
溶媒：テトラヒドロフラン、標準物質：ポリスチレン）を用いた。 In addition, the molecular weight of each polymer obtained in Synthesis Example 1 and Synthesis Examples 2 to 3 was measured by GPC measurement by adding 1 mL of tetrahydrofuran to 10 mg, stirring until dissolved. In GPC measurement, a measuring device manufactured by Waters (column: Shodex GPC manufactured by Showa Denko KK)
LF-804 (length: 300 mm) × 2, measurement temperature: 40 ° C., flow rate: 1 mL / min,
Solvent: tetrahydrofuran, standard substance: polystyrene) was used.

（合成例２）第１のシリコーン樹脂の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、メチルトリメトキシシラン１３０ｇ、フェニルトリメトキシシラン６０ｇ、ビニルメチルジメトキシシラン４０ｇ、及び１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン８０ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸１．２ｇと水１０２ｇとの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｂ）を得た。 (Synthesis Example 2) Synthesis of first silicone resin In a 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device and a stirrer, 130 g of methyltrimethoxysilane, 60 g of phenyltrimethoxysilane, 40 g of vinylmethyldimethoxysilane, and 1, 80 g of 1,3,3-tetramethyldisiloxane was added and stirred at 50 ° C. Into this, a solution of 1.2 g of hydrochloric acid and 102 g of water was slowly added dropwise. After the addition, the solution was stirred at 50 ° C. for 6 hours and reacted to obtain a reaction solution. Next, the polymer was obtained by removing the volatile component under reduced pressure. To the obtained polymer, 150 g of hexane and 150 g of ethyl acetate were added, washed 10 times with 300 g of ion-exchanged water, reduced in pressure to remove volatile components, and polymer (B) was obtained.

得られたポリマー（Ｂ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１５００であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｂ）は、下記の平均組成式（Ｂ１）を有していた。 The number average molecular weight (Mn) of the obtained polymer (B) was 1500. As a result of identifying the chemical structure from 29 Si-NMR, the polymer (B) had the following average composition formula (B1).

（ＨＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．４０（ＶｉＭｅＳｉＯ２／２）０．１０（ＭｅＳｉＯ３／２）０．４０ （ＰｈＳｉＯ３／２）０．１０ …式（Ｂ１） (HMe 2 SiO 1/2 ) 0.40 (ViMeSiO 2/2 ) 0.10 (MeSiO 3/2 ) 0.40 (PhSiO 3/2 ) 0.10 Formula (B1)

上記式（Ｂ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。   In the above formula (B1), Me represents a methyl group, Ph represents a phenyl group, and Vi represents a vinyl group.

得られたポリマー（Ｂ）の５８９ｎｍでの屈折率は、１．４５１であった。   The obtained polymer (B) had a refractive index of 1.451 at 589 nm.

（合成例３）第２のシリコーン樹脂の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン４１ｇ、ジメチルジメトキシシラン７２ｇ、メチルトリメトキシシラン８１ｇ、及びビニルメチルジメトキシシラン５２ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水１１４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｃ）を得た。 (Synthesis Example 3) Synthesis of Second Silicone Resin In a 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device and a stirrer, 41 g of trimethylmethoxysilane, 72 g of dimethyldimethoxysilane, 81 g of methyltrimethoxysilane, and vinylmethyldimethoxysilane 52 g was added and stirred at 50 ° C. A solution obtained by dissolving 0.8 g of potassium hydroxide in 114 g of water was slowly dropped therein, and after the dropwise addition, the mixture was stirred at 50 ° C. for 6 hours and reacted to obtain a reaction solution. Next, 0.9 g of acetic acid was added to the reaction solution, the pressure was reduced to remove volatile components, and potassium acetate was removed by filtration to obtain a polymer (C).

得られたポリマー（Ｃ）の数平均分子量（Ｍｎ）は２０００であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｃ）は、下記の平均組成式（Ｃ１）を有していた。 The number average molecular weight (Mn) of the obtained polymer (C) was 2000. As a result of identifying the chemical structure from 29 Si-NMR, the polymer (C) had the following average composition formula (C1).

（Ｍｅ３ＳｉＯ１／２）０．２０（ＶｉＭｅＳｉＯ２／２）０．２０（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．３０（ＭｅＳｉＯ３／２）０．３０ …式（Ｃ１）
上記式（Ｃ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｖｉはビニル基を示す。 (Me 3 SiO 1/2 ) 0.20 (ViMeSiO 2/2 ) 0.20 (Me 2 SiO 2/2 ) 0.30 (MeSiO 3/2 ) 0.30 ... Formula (C1)
In the above formula (C1), Me represents a methyl group, and Vi represents a vinyl group.

得られたポリマー（Ｃ）の５８９ｎｍでの屈折率は、１．４２５であった。   The obtained polymer (C) had a refractive index of 1.425 at 589 nm.

（他の成分）
実施例及び比較例では、下記のヒドロシリル化反応用触媒を用いた。 (Other ingredients)
In the examples and comparative examples, the following hydrosilylation reaction catalysts were used.

白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体
実施例及び比較例では、下記の球状シリカを用いた。 1,3-Divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex of platinum In the examples and comparative examples, the following spherical silica was used.

球状シリカＡ（宇部日東化成社製「ハイプレシカＳＰ」、ＣＶ値２％、体積平均粒子径０．６μｍ）
球状シリカＢ（宇部日東化成社製「ハイプレシカＳＳ」、ＣＶ値３％、体積平均粒子径２μｍ）
球状シリカＣ（宇部日東化成社製「ハイプレシカＴＳ」、ＣＶ値４．８％、体積平均粒子径４．７μｍ）
球状シリカＤ（宇部日東化成社製「ハイプレシカＢＳ」、ＣＶ値４％、体積平均粒子径１２μｍ） Spherical silica A (“High Presica SP” manufactured by Ube Nitto Kasei Co., Ltd., CV value 2%, volume average particle diameter 0.6 μm)
Spherical silica B (“High Presica SS” manufactured by Ube Nitto Kasei Co., Ltd., CV value 3%, volume average particle diameter 2 μm)
Spherical silica C (“High Presica TS” manufactured by Ube Nitto Kasei Co., Ltd., CV value 4.8%, volume average particle diameter 4.7 μm)
Spherical silica D (“High Presica BS” manufactured by Ube Nitto Kasei Co., Ltd., CV value 4%, volume average particle diameter 12 μm)

（実施例１）
ポリマーＡ５重量部、ポリマーＣ５重量部、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体０．０２重量部、及び球状シリカＡ（宇部日東化成社製「ハイプレシカＳＰ」、ＣＶ値２％、体積平均粒子径０．６μｍ）２．２重量部を混合し、脱泡を行い、光半導体素子用ダイボンド材を得た。 Example 1
Polymer A 5 parts by weight, polymer C 5 parts by weight, platinum 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex 0.02 part by weight, and spherical silica A ("High Presica SP" manufactured by Ube Nitto Kasei Co., Ltd.) ”, CV value 2%, volume average particle diameter 0.6 μm) 2.2 parts by weight were mixed and defoamed to obtain a die bond material for an optical semiconductor element.

（実施例２〜４及び比較例１〜２）
使用した材料の種類及び配合量を、下記の表１に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして、光半導体装置用ダイボンド材を得た。 (Examples 2-4 and Comparative Examples 1-2)
A die bond material for an optical semiconductor device was obtained in the same manner as in Example 1 except that the type and blending amount of the materials used were changed as shown in Table 1 below.

（評価）
（１）透過率
実施例及び比較例で得られた各光半導体装置用ダイボンド材を１５０℃で３時間加熱し、硬化させ、１００ｍｍ×１００ｍｍ×厚さ１ｍｍの硬化物を得た。 (Evaluation)
(1) Transmittance Each die bond material for an optical semiconductor device obtained in Examples and Comparative Examples was heated at 150 ° C. for 3 hours and cured to obtain a cured product of 100 mm × 100 mm × thickness 1 mm.

日立製作所社製Ｕ−４０００を用いて、得られた硬化物の４００ｎｍでの光線透過率を測定した。   The light transmittance at 400 nm of the obtained cured product was measured using U-4000 manufactured by Hitachi, Ltd.

（２）塗布されたダイボンド材の厚みの均一性
ダイボンダー（キャノンマシナリー社製「ＢＥＳＴＥＭ−Ｄ０１Ｒ」）を用いて、銀メッキされた銅基板上に得られた光半導体装置用ダイボンド材を、厚みが５μｍでダイボンド材上に積層される光半導体素子（縦２００μｍ×横４００μｍ）の大きさとなるように塗布し、基板上にダイボンド材が塗布された塗布物を得た。 (2) Thickness uniformity of the applied die-bonding material Using a die bonder ("BESTEM-D01R" manufactured by Canon Machinery Co., Ltd.), the thickness of the die-bonding material for an optical semiconductor device obtained on a silver-plated copper substrate is It was applied so as to have a size of an optical semiconductor element (length: 200 μm × width: 400 μm) laminated on the die bond material at 5 μm to obtain a coated material in which the die bond material was applied on the substrate.

得られた塗布物を観察し、塗布されたダイボンド材の厚みの均一性を下記の判定基準で判定した。   The obtained coated material was observed, and the uniformity of the thickness of the coated die-bonding material was determined according to the following criteria.

［ダイボンド材の厚み均一性の判定基準］
○○：厚みの最大値と最小値の差が０．１μｍ以下
○：厚みの最大値と最小値の差が０．１μｍを超え、１μｍ以下
△：厚みの最大値と最小値の差が１μｍを超え、２μｍ以下
×：厚みの最大値と最小値の差が２μｍを超える
結果を下記の表１に示す。 [Criteria for thickness uniformity of die bond materials]
◯: Difference between maximum and minimum thickness is 0.1 μm or less ○: Difference between maximum and minimum thickness exceeds 0.1 μm and 1 μm or less △: Difference between maximum and minimum thickness is 1 μm The difference between the maximum value and the minimum value of the thickness exceeds 2 μm. The results are shown in Table 1 below.

Figure 2012074512
Figure 2012074512

１…光半導体装置
２…ハウジング
２ａ…内面
３…光半導体素子
４…リード電極
５…ダイボンド材
６…ボンディングワイヤー
７…封止剤 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Optical semiconductor device 2 ... Housing 2a ... Inner surface 3 ... Optical semiconductor element 4 ... Lead electrode 5 ... Die-bonding material 6 ... Bonding wire 7 ... Sealing agent

Claims (4)

珪素原子に結合した水素原子を有する第１のシリコーン樹脂と、
珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアルケニル基を有する第２のシリコーン樹脂と、
ヒドロシリル化反応用触媒と、
球状シリカとを含み、
前記第１のシリコーン樹脂の屈折率が１．４２以上、１．４６以下であり、
前記第２のシリコーン樹脂の屈折率が１．４２以上、１．４６以下であり、
前記球状シリカの体積平均粒径が０．５μｍ以上、１０μｍ以下であり、かつ前記球状シリカのＣＶ値が１０％以下である、光半導体装置用ダイボンド材。 A first silicone resin having hydrogen atoms bonded to silicon atoms;
A second silicone resin not having a hydrogen atom bonded to a silicon atom and having an alkenyl group;
A catalyst for hydrosilylation reaction;
Spherical silica and
The refractive index of the first silicone resin is 1.42 or more and 1.46 or less,
The refractive index of the second silicone resin is 1.42 or more and 1.46 or less,
A die bond material for an optical semiconductor device, wherein the spherical silica has a volume average particle size of 0.5 μm or more and 10 μm or less, and the spherical silica has a CV value of 10% or less. 前記第１のシリコーン樹脂が、下記式（１Ａ）又は下記式（１Ｂ）で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子を有する第１のシリコーン樹脂であり、
前記第２のシリコーン樹脂が、下記式（５１Ａ）又は下記式（５１Ｂ）で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアルケニル基を有する第２のシリコーン樹脂である、請求項１に記載の光半導体装置用ダイボンド材。
Figure 2012074512
 前記式（１Ａ）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．０５〜０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．４０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．３０〜０．８０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個が水素原子を表し、水素原子以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。
Figure 2012074512
 前記式（１Ｂ）中、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．０５〜０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０〜０．４０、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．３０〜０．８０及びｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．０１〜０．４０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個が水素原子を表し、水素原子以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ７〜Ｒ１０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ１１は、炭素数１〜８の２価の炭化水素基を表す。
Figure 2012074512
 前記式（５１Ａ）中、ｐ、ｑ及びｒは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０５〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０〜０．４０及びｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．３０〜０．８０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、アルケニル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。
Figure 2012074512
 前記式（５１Ｂ）中、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０５〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０〜０．４０、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．３０〜０．８０及びｓ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０１〜０．４０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、アルケニル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ５７〜６０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ６１は、炭素数１〜８の２価の炭化水素基を表す。 The first silicone resin is a first silicone resin represented by the following formula (1A) or the following formula (1B) and having a hydrogen atom bonded to a silicon atom,
The second silicone resin is a second silicone resin represented by the following formula (51A) or the following formula (51B), having no hydrogen atom bonded to a silicon atom, and having an alkenyl group. Item 2. A die bond material for an optical semiconductor device according to Item 1.
Figure 2012074512
 In the formula (1A), a, b and c are a / (a + b + c) = 0.05 to 0.50, b / (a + b + c) = 0 to 0.40 and c / (a + b + c) = 0.30. 0.81 is satisfied, at least one of R1 to R6 represents a hydrogen atom, and R1 to R6 other than a hydrogen atom represent a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms.
Figure 2012074512
 In the formula (1B), a, b, c and d are a / (a + b + c + d) = 0.05 to 0.50, b / (a + b + c + d) = 0 to 0.40, c / (a + b + c + d) = 0. 30 to 0.80 and d / (a + b + c + d) = 0.01 to 0.40, at least one of R1 to R6 represents a hydrogen atom, and R1 to R6 other than a hydrogen atom have 1 to 8 carbon atoms. R7 to R10 each represents a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, and R11 represents a divalent hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms.
Figure 2012074512
 In the formula (51A), p, q and r are p / (p + q + r) = 0.05 to 0.50, q / (p + q + r) = 0 to 0.40 and r / (p + q + r) = 0.30. 0.85 is satisfied, and at least one of R51 to R56 represents an alkenyl group, and R51 to R56 other than the alkenyl group represent a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms.
Figure 2012074512
 In the formula (51B), p, q, r and s are p / (p + q + r + s) = 0.05 to 0.50, q / (p + q + r + s) = 0 to 0.40, r / (p + q + r + s) = 0. 30 to 0.80 and s / (p + q + r + s) = 0.01 to 0.40, R51 to R56 each represents at least one alkenyl group, and R51 to R56 other than the alkenyl group have 1 to 8 carbon atoms. R57-60 represents a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, and R61 represents a divalent hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms. 前記第１のシリコーン樹脂が、珪素原子に結合した水素原子と、アルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂である、請求項１又は２に記載の光半導体装置用ダイボンド材。   3. The die bond material for an optical semiconductor device according to claim 1, wherein the first silicone resin is a first silicone resin having a hydrogen atom bonded to a silicon atom and an alkenyl group. 請求項１〜３のいずれか１項に記載の光半導体装置用ダイボンド材と、
接続対象部材と、
前記光半導体装置用ダイボンド材を用いて前記接続対象部材に接続された光半導体素子とを備える、光半導体装置。 The die-bonding material for optical semiconductor devices according to any one of claims 1 to 3,
A connection target member;
An optical semiconductor device comprising: an optical semiconductor element connected to the connection target member using the die bond material for an optical semiconductor device.
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