JP2012060419A5 - - Google Patents
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第1の形態の弾性表面波デバイスは、オイラー角(−1.5°≦φ≦1.5°,117°≦θ≦142°,ψ)の水晶基板と、
前記水晶基板上に設けられ、複数の電極指を備え、ストップバンド上端モードの弾性表面波を励振するIDTと、
平面視で、前記電極指の間に位置する前記水晶基板の部分にある電極指間溝と、を有し、
前記弾性表面波の波長λと前記電極指間溝の深さGとが、0.01λ≦Gの関係を満足し、
前記IDTのライン占有率ηと前記電極指間溝の深さGとが、
及び、
の関係を満足し、
前記オイラー角ψが、|ψ|≠90°×n、(n=0,1,2,3)を満足し、
前記電極指の膜厚Hが、0.05μm≦H≦0.20μmの範囲内にあることを特徴とする弾性表面波デバイス。
第2の形態の弾性表面波デバイスは、オイラー角(−1.5°≦φ≦1.5°,117°≦θ≦142°,42.79°≦|ψ|≦49.57°)の水晶基板と、
前記水晶基板上に設けられ、複数の電極指を備え、ストップバンド上端モードの弾性表面波を励振するIDTと、
平面視で、前記電極指の間に位置する前記水晶基板の部分にある電極指間溝と、を有し、
前記弾性表面波の波長λと前記電極指間溝の深さGとが、0.01λ≦Gの関係を満足し、
前記IDTのライン占有率ηと前記電極指間溝の深さGとが、
及び、
の関係を満足し、
前記電極指の膜厚Hが、0.055μm≦H≦0.335μmの範囲内にあることを特徴とする弾性表面波デバイス。
第3の形態の弾性表面波デバイスは、前記電極指の膜厚Hが、0.080μm≦H≦0.335μmの範囲内にあることを特徴とする第2の形態に記載の弾性表面波デバイス。
第4の形態の弾性表面波デバイスは、前記IDTのライン占有率ηが、
を満足することを特徴とする第2の形態または第3の形態に記載の弾性表面波デバイス。
第5の形態の弾性表面波デバイスは、前記電極指間溝の深さGと前記電極指の膜厚Hとの和が、0.0407λ≦G+Hを満足することを特徴とする第2の形態乃至第4の形態のいずれか1形態に記載の弾性表面波デバイス。
第6の形態の弾性表面波デバイスは、前記弾性表面波の伝搬方向に沿って前記IDTを挟むように配置され、それぞれ複数の導体ストリップを備えている一対の反射器と、
平面視で、前記導体ストリップの間に位置する前記水晶基板の部分にある導体ストリップ間溝と、を更に有し、
前記電極指及び前記導体ストリップに直交する第1の方向と前記水晶基板の電気軸とのなす角度が前記オイラー角ψであり、
前記IDT及び反射器の少なくとも一部が、前記第1の方向と角度δをもって交差する第2の方向に配置され、
前記角度δが、前記水晶基板のパワーフロー角±1°の範囲内であることを特徴とする第2の形態乃至第5の形態のいずれか1形態に記載の弾性表面波デバイス。
第7の形態の弾性表面波デバイスは、前記IDTを駆動するための発振回路を更に有することを特徴とする第1の形態乃至第6の形態のいずれか1形態に記載の弾性表面波デバイス。
第8の形態は、第1の形態乃至第7の形態のいずれか1形態に記載の弾性表面波デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
第9の形態は、第1の形態乃至第7の形態のいずれか1形態に記載の弾性表面波デバイスを備えることを特徴とするセンサー装置。
本発明のSAWデバイスは、オイラー角(−1.5°≦φ≦1.5°,117°≦θ≦142°,ψ)の水晶基板と、
該水晶基板の主面に設けられた複数の電極指からなり、ストップバンド上端モードの弾性表面波を励振するIDTと、
該IDTの隣り合う電極指間の水晶基板の表面に凹設した電極指間溝とを有し、
SAWの波長λと電極指間溝の深さGとが、0.01λ≦Gの関係を満足し、
IDTのライン占有率ηと電極指間溝の深さGとが、
…(1)
及び、
…(2)
の関係を満足し、
オイラー角ψが、|ψ|≠90°×n、(n=0,1,2,3)を満足し、
IDTの電極指の膜厚Hが、0.05μm≦H≦0.20μmの範囲内にあることを特徴とする。
前記水晶基板上に設けられ、複数の電極指を備え、ストップバンド上端モードの弾性表面波を励振するIDTと、
平面視で、前記電極指の間に位置する前記水晶基板の部分にある電極指間溝と、を有し、
前記弾性表面波の波長λと前記電極指間溝の深さGとが、0.01λ≦Gの関係を満足し、
前記IDTのライン占有率ηと前記電極指間溝の深さGとが、
及び、
の関係を満足し、
前記オイラー角ψが、|ψ|≠90°×n、(n=0,1,2,3)を満足し、
前記電極指の膜厚Hが、0.05μm≦H≦0.20μmの範囲内にあることを特徴とする弾性表面波デバイス。
第2の形態の弾性表面波デバイスは、オイラー角(−1.5°≦φ≦1.5°,117°≦θ≦142°,42.79°≦|ψ|≦49.57°)の水晶基板と、
前記水晶基板上に設けられ、複数の電極指を備え、ストップバンド上端モードの弾性表面波を励振するIDTと、
平面視で、前記電極指の間に位置する前記水晶基板の部分にある電極指間溝と、を有し、
前記弾性表面波の波長λと前記電極指間溝の深さGとが、0.01λ≦Gの関係を満足し、
前記IDTのライン占有率ηと前記電極指間溝の深さGとが、
及び、
の関係を満足し、
前記電極指の膜厚Hが、0.055μm≦H≦0.335μmの範囲内にあることを特徴とする弾性表面波デバイス。
第3の形態の弾性表面波デバイスは、前記電極指の膜厚Hが、0.080μm≦H≦0.335μmの範囲内にあることを特徴とする第2の形態に記載の弾性表面波デバイス。
第4の形態の弾性表面波デバイスは、前記IDTのライン占有率ηが、
を満足することを特徴とする第2の形態または第3の形態に記載の弾性表面波デバイス。
第5の形態の弾性表面波デバイスは、前記電極指間溝の深さGと前記電極指の膜厚Hとの和が、0.0407λ≦G+Hを満足することを特徴とする第2の形態乃至第4の形態のいずれか1形態に記載の弾性表面波デバイス。
第6の形態の弾性表面波デバイスは、前記弾性表面波の伝搬方向に沿って前記IDTを挟むように配置され、それぞれ複数の導体ストリップを備えている一対の反射器と、
平面視で、前記導体ストリップの間に位置する前記水晶基板の部分にある導体ストリップ間溝と、を更に有し、
前記電極指及び前記導体ストリップに直交する第1の方向と前記水晶基板の電気軸とのなす角度が前記オイラー角ψであり、
前記IDT及び反射器の少なくとも一部が、前記第1の方向と角度δをもって交差する第2の方向に配置され、
前記角度δが、前記水晶基板のパワーフロー角±1°の範囲内であることを特徴とする第2の形態乃至第5の形態のいずれか1形態に記載の弾性表面波デバイス。
第7の形態の弾性表面波デバイスは、前記IDTを駆動するための発振回路を更に有することを特徴とする第1の形態乃至第6の形態のいずれか1形態に記載の弾性表面波デバイス。
第8の形態は、第1の形態乃至第7の形態のいずれか1形態に記載の弾性表面波デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
第9の形態は、第1の形態乃至第7の形態のいずれか1形態に記載の弾性表面波デバイスを備えることを特徴とするセンサー装置。
本発明のSAWデバイスは、オイラー角(−1.5°≦φ≦1.5°,117°≦θ≦142°,ψ)の水晶基板と、
該水晶基板の主面に設けられた複数の電極指からなり、ストップバンド上端モードの弾性表面波を励振するIDTと、
該IDTの隣り合う電極指間の水晶基板の表面に凹設した電極指間溝とを有し、
SAWの波長λと電極指間溝の深さGとが、0.01λ≦Gの関係を満足し、
IDTのライン占有率ηと電極指間溝の深さGとが、
及び、
の関係を満足し、
オイラー角ψが、|ψ|≠90°×n、(n=0,1,2,3)を満足し、
IDTの電極指の膜厚Hが、0.05μm≦H≦0.20μmの範囲内にあることを特徴とする。
Claims (9)
- オイラー角(−1.5°≦φ≦1.5°,117°≦θ≦142°,ψ)の水晶基板と、
前記水晶基板上に設けられ、複数の電極指を備え、ストップバンド上端モードの弾性表面波を励振するIDTと、
平面視で、前記電極指の間に位置する前記水晶基板の部分にある電極指間溝と、を有し、
前記弾性表面波の波長λと前記電極指間溝の深さGとが、0.01λ≦Gの関係を満足し、
前記IDTのライン占有率ηと前記電極指間溝の深さGとが、
及び、
の関係を満足し、
前記オイラー角ψが、|ψ|≠90°×n、(n=0,1,2,3)を満足し、
前記電極指の膜厚Hが、0.05μm≦H≦0.20μmの範囲内にあることを特徴とする弾性表面波デバイス。 - 前記電極指の膜厚Hが、0.080μm≦H≦0.335μmの範囲内にあることを特徴とする請求項2に記載の弾性表面波デバイス。
- 前記電極指間溝の深さGと前記電極指の膜厚Hとの和が、0.0407λ≦G+Hを満足することを特徴とする請求項2乃至4のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイス。
- 前記弾性表面波の伝搬方向に沿って前記IDTを挟むように配置され、それぞれ複数の導体ストリップを備えている一対の反射器と、
平面視で、前記導体ストリップの間に位置する前記水晶基板の部分にある導体ストリップ間溝と、を更に有し、
前記電極指及び前記導体ストリップに直交する第1の方向と前記水晶基板の電気軸とのなす角度が前記オイラー角ψであり、
前記IDT及び反射器の少なくとも一部が、前記第1の方向と角度δをもって交差する第2の方向に配置され、
前記角度δが、前記水晶基板のパワーフロー角±1°の範囲内であることを特徴とする請求項2乃至5のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイス。 - 前記IDTを駆動するための発振回路を更に有することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイス。
- 請求項1乃至7のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
- 請求項1乃至7のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイスを備えることを特徴とするセンサー装置。
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