JP2012054358A - 電子装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1基体と第2基体とを、金属粒子と有機溶剤とを含む金属ペーストを介し接着させる工程と、前記金属ペーストの有機溶剤を除去することにより、前記金属粒子の凝集体を形成する工程と、前記凝集体を構成する金属粒子の表面を還元性ガスを用い還元させる工程と、前記凝集体を構成する金属粒子の表面を還元させる工程の後、前記第1基体と前記第2基体とを押圧することにより、前記第1基体と前記第2基体とを前記凝集体を用い接合する工程と、を含む電子装置の製造方法。
【選択図】図7
Description
付記1:第1基体と第2基体とを、金属粒子と有機溶剤とを含む金属ペーストを介し接着させる工程と、前記金属ペーストの有機溶剤を除去することにより、前記金属粒子の凝集体を形成する工程と、前記凝集体を構成する金属粒子の表面を還元性ガスを用い還元させる工程と、前記凝集体を構成する金属粒子の表面を還元させる工程の後、前記第1基体と前記第2基体とを押圧することにより、前記第1基体と前記第2基体とを前記凝集体を用い接合する工程と、を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
付記2:前記凝集体を構成する金属粒子の表面を還元させる工程は、前記凝集体を構成する金属粒子の表面を前記還元性ガスに曝す工程と、前記還元性ガスを吸引する工程、とを交互に行なうことを特徴とする付記1記載の電子装置の製造方法。
付記3:前記凝集体を用い接合する工程は、減圧下で行なうことを特徴とする付記1または2記載の電子装置の製造方法。
付記4:前記凝集体を用い接合する工程は、前記凝集体に、前記金属粒子の材料の降伏応力以下の圧力を加えることを特徴とする付記1から3のいずれか一項記載の電子装置の製造方法。
付記5:前記金属粒子の径は0.1μm以上かつ1μm以下であることを特徴とする付記1から4のいずれか一項記載の電子装置の製造方法。
付記6:前記還元性ガスはギ酸を含むことを特徴とする付記1から5のいずれか一項記載の電子装置の製造方法。
付記7:前記金属粒子は、銀、銅および錫の少なくとも一つを含むことを特徴とする付記1から6のいずれか一項記載の電子装置の製造方法。
10a 第1基体
20 半導体素子
20a 第2基体
30 金属ペースト
32 金属粒子
34 有機溶剤
36 凝集体
44 還元性ガス
Claims (4)
- 第1基体と第2基体とを、金属粒子と有機溶剤とを含む金属ペーストを介し接着させる工程と、
前記金属ペーストの有機溶剤を除去することにより、前記金属粒子の凝集体を形成する工程と、
前記凝集体を構成する金属粒子の表面を還元性ガスを用い還元させる工程と、
前記凝集体を構成する金属粒子の表面を還元させる工程の後、前記第1基体と前記第2基体とを押圧することにより、前記第1基体と前記第2基体とを前記凝集体を用い接合する工程と、
を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。 - 前記凝集体を構成する金属粒子の表面を還元させる工程は、前記凝集体を構成する金属粒子の表面を前記還元性ガスに曝す工程と、前記還元性ガスを吸引する工程、とを交互に行なうことを特徴とする請求項1記載の電子装置の製造方法。
- 前記凝集体を用い接合する工程は、減圧下で行なうことを特徴とする請求項1または2記載の電子装置の製造方法。
- 前記凝集体を用い接合する工程は、前記凝集体に、前記金属粒子の材料の降伏応力以下の圧力を加えることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載の電子装置の製造方法。
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