JP2012042975A - Method for manufacturing reflector and liquid crystal display device with the same - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a structure of a reflector capable of efficiently reflecting incident light on an observer side to obtain bright reflection characteristics, a liquid crystal display with the reflector, and a method for manufacturing the reflector at low cost.SOLUTION: A diffuse reflector diffuses and reflects incident light in any directions. Projections and depressions are formed to be a shape where the top parts of respective projection parts incline in the same direction (a tilt angle is relatively small at the incident side of incident light or length of an oblique surface is relatively long), which can increase a component of an observer's visibility direction in an actual use among components of diffuse reflection to obtain bright reflection characteristics. And also, the diffuse reflector is produced using a photomask 32 in which the area of a pattern with a size of resolution limit or more, the area of a pattern with a size of less than the resolution limit and the area without a pattern are combined, which can provide fewer steps, a good yield, and low cost production.

Description

本発明は、反射板及び該反射板を備える液晶表示装置並びにその製造方法に関し、特に、液晶表示装置の基板上に形成する反射板の構造及び該反射板を備える反射型又は反透過型の液晶表示装置並びにその製造方法に関する。   The present invention relates to a reflecting plate, a liquid crystal display device including the reflecting plate, and a method for manufacturing the same, and in particular, a structure of a reflecting plate formed on a substrate of the liquid crystal display device and a reflective or anti-transmissive liquid crystal including the reflecting plate. The present invention relates to a display device and a manufacturing method thereof.

液晶表示装置は、小型、薄型、低消費電力という特徴から、ＯＡ機器、携帯機器等の広い分野で実用化が進められている。この液晶表示装置はＣＲＴ（Cathode Ray Tube）やＥＬ（electro-luminescence）表示装置と異なり、自ら発光する機能を有していないため、透過型の液晶表示装置にはバックライト光源が設けられており、液晶パネルでバックライト光の透過／遮断を切り替えることによって表示が制御される。この透過型液晶表示装置では、バックライト光により周囲環境によらず明るい画面を得ることができるが、バックライト光源の消費電力が大きいため、特にバッテリーで駆動する場合には動作時間が短くなるという問題がある。   Liquid crystal display devices are being put to practical use in a wide range of fields such as OA devices and portable devices because of their small size, thinness, and low power consumption. Unlike a CRT (Cathode Ray Tube) or EL (electro-luminescence) display device, this liquid crystal display device does not have a function of emitting light by itself, so a transmissive liquid crystal display device is provided with a backlight light source. The display is controlled by switching between transmission and blocking of the backlight light on the liquid crystal panel. In this transmissive liquid crystal display device, a bright screen can be obtained by backlight light regardless of the surrounding environment, but the power consumption of the backlight light source is large, so that the operation time is shortened particularly when driven by a battery. There's a problem.

上記バックライト光源の消費電力の問題を解決するために、周囲光を利用して表示する反射型液晶表示装置が提案されている（例えば、下記特許文献１〜３参照）。この反射型液晶表示装置は、バックライト光源の代わりに反射板を設け、液晶パネルで反射板によって反射された周囲光の透過／遮断を切り替えることによって表示が制御されるため、消費電力の低減、小型化、軽量化を図ることができるが、一方、周囲が暗い場合には視認性が低下してしまうという問題がある。   In order to solve the problem of power consumption of the backlight light source, a reflection type liquid crystal display device that displays using ambient light has been proposed (for example, see Patent Documents 1 to 3 below). This reflective liquid crystal display device is provided with a reflective plate instead of a backlight light source, and the display is controlled by switching between transmission / blocking of ambient light reflected by the reflective plate on the liquid crystal panel, thereby reducing power consumption, Although it can be reduced in size and weight, there is a problem that visibility is lowered when the surroundings are dark.

そこで、バックライト光源による消費電力の増加、及び周囲の環境による視認性の低下を防止するために、各々の画素に透過領域と反射領域とを設けた液晶表示装置（以下、透過型液晶表示装置と反射型液晶表示装置の機能を兼ね備えたものを半透過反射型液晶表示装置と呼ぶ。）が提案されている（例えば、下記特許文献１、３参照）。この半透過反射型液晶表示装置では、通常、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）などのスイッチング素子が形成されるアクティブマトリクス基板の一部（反射領域）に反射板を形成し、この反射板によって周囲光を乱反射させている。   Therefore, in order to prevent an increase in power consumption due to the backlight light source and a decrease in visibility due to the surrounding environment, a liquid crystal display device in which each pixel is provided with a transmissive region and a reflective region (hereinafter referred to as a transmissive liquid crystal display device). And those having the functions of a reflective liquid crystal display device are referred to as transflective liquid crystal display devices) (see, for example, Patent Documents 1 and 3 below). In this transflective liquid crystal display device, a reflective plate is usually formed on a part (reflective region) of an active matrix substrate on which switching elements such as TFTs (Thin Film Transistors) are formed, and ambient light is emitted by this reflective plate. Diffuse reflection.

特許３３９４９２６号（第５−８頁、第１図）Japanese Patent No. 3394926 (page 5-8, Fig. 1) 特開２００２−２０２７２１４号公報（第３−７頁、第１図）JP 2002-2027214 A (page 3-7, FIG. 1) 特開２００４−３７９４６号公報（第５−１４頁、第１図）JP 2004-37946 A (page 5-14, FIG. 1)

上記反射型液晶表示装置や半透過反射型液晶表示装置では、共に外光が強い条件下で明るい表示を得るために凹凸を有する樹脂層を設け、その樹脂層の上に反射膜を設けて反射板を形成している。この凹凸形状は、フォトリソグラフィー法により凸または凹になる部分を露光／現像し、さらに熱処理により形成しているが、従来の技法では、安価かつ十分に明るい反射特性を有する反射板を作製することが困難であった。   In both the reflective liquid crystal display device and the transflective liquid crystal display device, a resin layer having irregularities is provided to obtain a bright display under strong external light conditions, and a reflective film is provided on the resin layer for reflection. A plate is formed. This concavo-convex shape is formed by exposing / developing portions that become convex or concave by photolithography, and further by heat treatment, but with conventional techniques, a reflecting plate having low and sufficiently bright reflection characteristics is produced. It was difficult.

具体的に説明すると、上記反射板を供えた液晶表示装置は、図１３に示すように、光源から光が入射した場合、基板に対して正反射方向には、液晶表示装置を構成する様々な層（例えば、偏光板１９ｂや位相差板２０ｂ、透明絶縁基板１３、対向電極１５、液晶層１７など）の影響により映り込みが発生し表示がみづらいことや、鏡面反射板では正反射以外の方向では暗くなるために視認性が低下することから、入射光を散乱させる拡散反射板を使用することが多い。   More specifically, as shown in FIG. 13, the liquid crystal display device provided with the reflection plate has a variety of components that constitute the liquid crystal display device in the regular reflection direction with respect to the substrate when light is incident from the light source. Reflection occurs due to the influence of the layers (for example, the polarizing plate 19b, the phase difference plate 20b, the transparent insulating substrate 13, the counter electrode 15, the liquid crystal layer 17, etc.), and the mirror reflector has a direction other than regular reflection. Then, since it becomes dark and visibility decreases, a diffuse reflector that scatters incident light is often used.

この拡散反射板を製造する方法として、例えば特許第３３９４９２６号には、「感光性樹脂に円または多角形の領域の総面積がフォトマスクの総面積の２０％以上４０％以下であるフォトマスクを用いて露光」する方法が開示されている。この方法では、図１５に示すように、感光性樹脂は円または多角形のパターンを有するフォトマスクを用いて露光され、露光される領域と遮光される領域の２つの領域になり、例えばポジの感光性樹脂を用いた場合、現像後の状態は露光される領域は凹部に、遮光される領域は凸部になり、過熱処理を行うことで必要な傾斜を得ることになる。そのため、例えば円形のパターンを用いた場合には、その断面は対称的な形状しか得られず、図７（ａ）に示すように、反射板に入射した外光は正反射方向を中心にして等方的に散乱されることになる。しかしながら、実際の使用状況下において、例えば携帯電話のような用途では、図１４（ａ）に示すように、液晶パネルは水平方向から傾いた角度で使用されるため、入射光に対して正反射方向よりもパネル鉛直方向側でしか使用されず、また、ＰＤＡのようにスタイラスで操作するようなものでは、図１４（ｂ）に示すように、水平に近い状態で使うことが多くなるため、携帯電話よりは正反射成分に近い角度で使用されるが、正反射方向に対してパネル鉛直方向とは逆の方向の成分はほとんど利用されない。従って等方的に散乱する反射板では損失が生じ、明るい反射特性を有する反射板を作製することができない。   As a method for manufacturing this diffuse reflector, for example, Japanese Patent No. 3394926 states that “a photomask having a total area of a circular or polygonal region on a photosensitive resin that is 20% or more and 40% or less of the total area of the photomask. A method of “exposure using” is disclosed. In this method, as shown in FIG. 15, the photosensitive resin is exposed using a photomask having a circular or polygonal pattern, and becomes two regions, an exposed region and a light-shielded region. When the photosensitive resin is used, the exposed region is a concave portion and the light-shielded region is a convex portion, and a necessary inclination is obtained by performing overheat treatment. For this reason, for example, when a circular pattern is used, only a symmetric shape is obtained in the cross section. As shown in FIG. 7A, external light incident on the reflector is centered on the specular reflection direction. It will be scattered isotropically. However, in an actual usage situation, for example, in an application such as a mobile phone, the liquid crystal panel is used at an angle inclined from the horizontal direction as shown in FIG. Since it is used only on the panel vertical direction side than the direction, and is operated with a stylus like a PDA, as shown in FIG. Although it is used at an angle closer to the regular reflection component than a cellular phone, the component in the direction opposite to the panel vertical direction with respect to the regular reflection direction is hardly used. Therefore, loss occurs in the reflector that isotropically scatters, and a reflector having bright reflection characteristics cannot be produced.

一方、任意の方向の反射特性を向上させるには、例えば特開２００２−２０２７２１４号公報の請求項２に記載されているように、「表面が、凹凸形状を有し、該凹凸形状の凸部同士を結んだ線、凹部同士を結んだ線、又は凸部と凹部との中間部分同士を結んだ線が、前記観察者及び前記光源とを結ぶ方向に対しほぼ直交する成分を多く有する」ように反射板を構成することが出来る。しかしながら、この方法においても、特許第３３９４９２６号と同様なフォトマスクを用いているために、図７（ａ）に示すように前記観察者及び前記光源とを結ぶ方向に対しほぼ直交する成分の断面形状は等方的になり、特許第３３９４９２６号と同様に損失が生じ、明るい反射特性を有する反射板を作製することができない。   On the other hand, in order to improve the reflection characteristics in an arbitrary direction, for example, as described in claim 2 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-2027214, “the surface has a concavo-convex shape, and the concavo-convex convex portion” The lines connecting each other, the lines connecting the recesses, or the lines connecting the intermediate portions of the projections and the recesses have many components almost orthogonal to the direction connecting the observer and the light source. A reflector can be constructed. However, even in this method, since a photomask similar to that of Japanese Patent No. 3394926 is used, as shown in FIG. 7A, a cross section of a component substantially orthogonal to the direction connecting the observer and the light source. The shape becomes isotropic, loss occurs as in Japanese Patent No. 3394926, and a reflector having bright reflection characteristics cannot be produced.

さらに、それを解決するために特開２００４−０３７９４６号公報に提示されているように、「基板上に配置された第１の傾斜樹脂層と、前記第１の傾斜樹脂層の上に配置された第２の樹脂層」で反射板を構成することもできる。この製造方法では、第１の傾斜樹脂層を形成する際に、例えば第１の実施形態に記載されたシフタ方式によるハーフトーンマスクを用いる方式を用いる方法や、第２の実施形態に記載されたサイズの異なる２種類の異なるサイズの長方形を有するマスクを用い光の干渉を利用して膜減りを制御する方法、第３の実施形態に記載されたフォトマスクを平行移動させて露光する方法でそれぞれ傾斜樹脂層を作製している。しかしながら、第１の実施形態で採用されているハーフトーンマスクはシフタ方式のため設計や作製が複雑なこと、第２の実施形態では光の干渉を用いるためマスクパターンの出来が大きな影響を与えることで均一な凹凸パターンを得ることが困難なこと、第３の実施形態ではフォトマスクを移動させて２回露光を行う必要があり、１回目の露光位置と２回目の露光位置の重ね合わせが難しく、凹凸形状にばらつきが生じやすい。さらに第１の傾斜樹脂層と第２の樹脂層と２回フォトリソグラフィー工程を繰り返す必要があり、マスクとの重ね合せによる形状のバラつきの発生やプロセスが増加するため歩留まりの低下の要因となり、これらにより、明るい反射特性を有する反射板を安価に作製することができない。   Further, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-037946 in order to solve the problem, “the first gradient resin layer disposed on the substrate and the first gradient resin layer disposed on the first gradient resin layer” are provided. In addition, the reflection plate can be configured by the “second resin layer”. In this manufacturing method, when the first inclined resin layer is formed, for example, a method using a halftone mask by a shifter method described in the first embodiment or a method described in the second embodiment is used. A method of controlling film reduction using interference of light using two types of masks having different sizes of rectangles, and a method of performing exposure by translating a photomask described in the third embodiment. An inclined resin layer is produced. However, the halftone mask adopted in the first embodiment is complicated in design and production because it is a shifter system, and the second embodiment uses light interference, so that the mask pattern is greatly affected. In the third embodiment, it is difficult to obtain a uniform concavo-convex pattern. In the third embodiment, it is necessary to perform exposure twice by moving the photomask, and it is difficult to superimpose the first exposure position and the second exposure position. The uneven shape tends to vary. Furthermore, it is necessary to repeat the photolithography process twice with the first gradient resin layer and the second resin layer, which causes a variation in shape due to the overlap with the mask and causes an increase in the process, resulting in a decrease in yield. Thus, a reflector having bright reflection characteristics cannot be produced at a low cost.

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、その主たる目的は、入射光を効率的に観察者側に反射して明るい反射特性を得ることができる反射板の構造及び該反射板を備える液晶表示装置並びに該反射板を安価に作製することができる製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and a main object of the present invention is a structure of a reflecting plate capable of efficiently reflecting incident light toward an observer and obtaining a bright reflection characteristic, and the reflection. An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device including a plate and a manufacturing method capable of manufacturing the reflection plate at low cost.

上記目的を達成するために、本発明の方法は、外部からの入射光を反射する反射板の製造方法であって、基板上に感光性樹脂を塗布する工程と、解像限界以上のサイズのパターンを備える遮光領域と、解像限界未満のサイズのパターンを備える第１の透過領域と、パターンのない第２の透過領域と、を含むフォトマスクを用いて、前記感光性樹脂を露光する工程と、露光後の前記感光性樹脂を現像して、膜厚が異なる３種類の領域を同時に形成する工程と、現像後の前記感光性樹脂を加熱処理する工程と、加熱処理後の前記感光性樹脂上に反射膜を形成する工程と、を含むものである。   In order to achieve the above object, the method of the present invention is a method of manufacturing a reflector that reflects incident light from the outside, and includes a step of applying a photosensitive resin on a substrate, and a size larger than the resolution limit. A step of exposing the photosensitive resin using a photomask including a light-shielding region having a pattern, a first transmission region having a pattern having a size less than a resolution limit, and a second transmission region having no pattern; And developing the photosensitive resin after exposure to simultaneously form three types of regions having different film thicknesses; heating the photosensitive resin after development; and the photosensitive after the heat treatment Forming a reflective film on the resin.

このように、本発明では、凹凸を構成する各々の凸部が、その頂部が同じ方向に偏った（すなわち、入射光が入射する側で傾斜角が相対的に小さい又は斜面の長さが相対的に長い）形状となるように反射板を形成しているため、必要な方向の反射成分を増やすことができ、これにより、明るい反射特性を有する反射板及び該反射板を備える表示品位の高い液晶表示装置を得ることができる。   As described above, in the present invention, each convex portion constituting the unevenness has its top portion biased in the same direction (that is, the inclination angle is relatively small or the slope length is relatively small on the incident light incident side). The reflection plate is formed so as to have a long shape), so that the reflection component in the necessary direction can be increased, whereby the reflection plate having bright reflection characteristics and the display quality including the reflection plate is high. A liquid crystal display device can be obtained.

この効果を、図７を用いて説明すると、従来のフォトリソグラフィー法で作製された拡散反射板の場合、図７（ａ）に示すように、外部から入射した光は凹凸の断面では正反射方向を中心に等方的に反射されるために、正反射方向に対して観察者とは反対側の方向にも光が散乱されてしまうが、本発明の拡散反射板の場合、入射光の入射側の傾斜部の傾斜角が小さく又は斜面の長さが長く形成されているため、図７（ｂ）に示すように、基板の法線方向（観察者方向）に効率的に光を集光することができる。また、凹凸を多角形や円形などの基本図形を配置して形成することにより、様々な方向からの入射光を有効に利用することができる。   This effect will be described with reference to FIG. 7. In the case of a diffuse reflector manufactured by a conventional photolithography method, as shown in FIG. The light is scattered in the direction opposite to the observer with respect to the specular reflection direction. However, in the case of the diffuse reflector according to the present invention, the incident light is incident. As shown in FIG. 7B, light is efficiently collected in the normal direction (observer direction) of the substrate because the inclination angle of the side inclination portion is small or the inclination length is long. can do. Moreover, incident light from various directions can be effectively used by forming irregularities by arranging basic figures such as polygons and circles.

また、本発明では、フォトリソグラフィー工程に用いるフォトマスクを、解像限界以上のサイズのパターンを備える遮光領域と解像限界未満のサイズのパターンを備える第１の透過領域とパターンのない第２の透過領域とを組み合わせて構成することにより、露光量の異なる３つの領域を同時に形成することができる。これにより、フォトマスクを従来のプロセスで作製できると同時に、反射板を作製するプロセスも簡略化されるため製造タクトが短縮され、さらに歩留まりも向上し、これらの効果により、明るい反射特性を有する反射板及び該反射板を備える液晶表示装置を安価に作製することができる。   In the present invention, the photomask used in the photolithography process includes a light-shielding region having a pattern having a size larger than the resolution limit, a first transmission region having a pattern having a size less than the resolution limit, and a second having no pattern. By configuring in combination with the transmissive region, three regions having different exposure amounts can be formed simultaneously. As a result, a photomask can be manufactured by a conventional process, and at the same time, the process of manufacturing a reflector is simplified, so that the manufacturing tact time is shortened and the yield is improved. A liquid crystal display device including the plate and the reflecting plate can be manufactured at low cost.

本発明の反射板及び該反射板を備える液晶表示装置並びにその製造方法によれば、下記記載の効果を奏する。   According to the reflecting plate, the liquid crystal display device including the reflecting plate, and the manufacturing method thereof according to the present invention, the following effects can be obtained.

本発明の第１の効果は、十分に明るい反射特性を有する反射板及び該反射板を備える表示品位の高い液晶表示装置を得ることができるということである。その理由は、液晶表示装置の一方の基板に形成される反射板を、その頂部が同じ方向に偏った形状（すなわち、各々の凸部の頂部と該凸部周囲の凹部との間の傾斜部が、入射光が入射する側で傾斜角が相対的に小さい又は斜面の長さが相対的に長い形状）で形成することにより、基板の法線方向（すなわち、実際の使用形態における観察者の視認方向）の反射成分を増やし、不要な方向の反射成分を減らすことができるからである。   The first effect of the present invention is that a reflector having sufficiently bright reflection characteristics and a liquid crystal display device having a high display quality including the reflector can be obtained. The reason is that the reflector formed on one substrate of the liquid crystal display device has a shape in which the top is biased in the same direction (that is, the inclined portion between the top of each convex portion and the concave portion around the convex portion. However, by forming with a relatively small inclination angle or a relatively long slope length on the incident light incident side, the normal direction of the substrate (that is, the observer in the actual usage pattern) This is because the reflection component in the viewing direction can be increased and the reflection component in an unnecessary direction can be reduced.

また、本発明の第２の効果は、上記構造の反射板及び該反射板を備える液晶表示装置を安価に作製することができるということである。その理由は、反射板の凹凸を形成するためのフォトマスクを、解像限界以上のサイズのパターンを備える遮光領域と解像限界未満のサイズのパターンを備える第１の透過領域とパターンのない第２の透過領域とを組み合わせて構成することにより、露光量の異なる（すなわち現像後の膜厚が異なる）３つの領域を同時に形成することができ、これにより、フォトマスクを従来のプロセスで作製可能にすると共に、反射板を作製するプロセスを簡略化して製造タクトを短縮し、さらに歩留まりも向上させることができるからである。   The second effect of the present invention is that the reflector having the above structure and a liquid crystal display device including the reflector can be manufactured at low cost. The reason is that the photomask for forming the unevenness of the reflecting plate includes a light shielding region having a pattern having a size larger than the resolution limit, a first transmission region having a pattern having a size less than the resolution limit, and a pattern having no pattern. By combining the two transmissive areas, three areas with different exposure amounts (that is, different film thicknesses after development) can be formed at the same time, so that a photomask can be produced by a conventional process. This is because the manufacturing process can be shortened by simplifying the process of manufacturing the reflector, and the yield can be improved.

本発明の第１の実施例に係る反射板の製造方法を模式的に示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows typically the manufacturing method of the reflecting plate which concerns on the 1st Example of this invention. 本発明の第１の実施例に係る反射板の製造に用いるフォトマスクのパターンのバリエーションを示す平面図である。It is a top view which shows the variation of the pattern of the photomask used for manufacture of the reflecting plate which concerns on 1st Example of this invention. 従来のフォトマスク及び第１の実施例のフォトマスクのパターンを比較した平面図である。It is the top view which compared the pattern of the conventional photomask and the photomask of the 1st Example. 従来のフォトマスクを用いて作製した反射板及び第１の実施例のフォトマスクを用いて作製した反射板の外観写真である。It is an external appearance photograph of the reflector produced using the conventional photomask and the reflector produced using the photomask of the 1st Example. 反射率の測定方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the measuring method of a reflectance. 従来の反射板及び本実施例の反射板の反射特性を示す測定データである。It is measurement data which shows the reflective characteristic of the conventional reflective plate and the reflective plate of a present Example. 従来の反射板及び本実施例の反射板による反射特性を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the reflective characteristic by the conventional reflective plate and the reflective plate of a present Example. 本発明の第２の実施例に係る半透過反射型液晶表示装置の構造を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the transflective liquid crystal display device which concerns on the 2nd Example of this invention. 本発明の第２の実施例に係る半透過反射型液晶表示装置の構造（ツイスト角が略７２°）を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure (a twist angle is about 72 degrees) of the transflective liquid crystal display device which concerns on the 2nd Example of this invention. 本発明の第２の実施例に係る半透過反射型液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the manufacturing method of the transflective liquid crystal display device which concerns on the 2nd Example of this invention. 本発明の第２の実施例に係る半透過反射型液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the manufacturing method of the transflective liquid crystal display device which concerns on the 2nd Example of this invention. 本発明の第２の実施例に係る半透過反射型液晶表示装置の他の構造（ツイスト角が略０°）を示す断面図であるIt is sectional drawing which shows the other structure (a twist angle is substantially 0 degree) of the transflective liquid crystal display device which concerns on the 2nd Example of this invention. 正反射を説明するための図である。It is a figure for demonstrating regular reflection. 実際の使用状況を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an actual use condition. 従来の反射板の製造方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the manufacturing method of the conventional reflecting plate.

本発明の反射板は、その好ましい一実施の形態において、入射光を任意の方向へ拡散反射させる拡散反射板であって、その頂部が同じ方向に偏った形状（すなわち、各々の凸部の頂部と該凸部周囲の凹部との間の傾斜部を、入射光が入射する側で傾斜角が相対的に小さくなる形状、又は、入射光が入射する側で斜面の長さが相対的に長くなる形状）で凹凸を形成することにより、拡散反射の成分のうち、実際の使用形態における観察者の視認方向の成分を増やして明るい反射特性を得るようにし、また、この拡散反射板を解像限界以上のサイズのパターンを備える遮光領域と解像限界未満のストライプ状またはドット状のパターンを備える第１の透過領域とパターンのない第２の透過領域とを組み合わせて構成したフォトマスクを用いて作製する。   In a preferred embodiment, the reflector of the present invention is a diffuse reflector that diffusely reflects incident light in an arbitrary direction, and has a shape in which the top is biased in the same direction (that is, the top of each projection). And a concave portion around the convex portion, the inclined angle is relatively small on the incident light incident side, or the inclined surface length is relatively long on the incident light incident side. In order to obtain bright reflection characteristics by increasing the component in the viewing direction of the observer in the actual usage form among the diffuse reflection components, and resolving this diffuse reflection plate Using a photomask configured by combining a light-shielding region having a pattern of a size larger than the limit, a first transmission region having a stripe-like or dot-like pattern less than the resolution limit, and a second transmission region having no pattern. Production That.

上記フォトマスクにより、従来使用していた解像限界以上のパターンを一部に用いるフォトリソグラフィー法ではなしえなかった凹凸の異方性形状を一度の露光で形成可能にし、必要な方向の反射成分を増加させ、不要な方向の反射成分を減少させると共に、多角形や円形等の基本図形を配置して凹凸を形成することにより様々な方向から入射する光を観察者側へ効率的に反射することが可能となり、十分に明るい反射特性を有する反射板及び該反射板を備える表示品位の高い液晶表示装置を、簡単な製造工程で歩留まり良く安価に作製することができる。   The above photomask makes it possible to form uneven shapes of irregularities that could not be achieved with a photolithographic method that partially uses a pattern that exceeds the resolution limit used in the past with a single exposure, and to reflect components in the required direction. In addition to reducing the reflection component in unnecessary directions, it is possible to efficiently reflect light incident from various directions to the viewer by arranging basic figures such as polygons and circles to form irregularities Thus, a reflector having sufficiently bright reflection characteristics and a liquid crystal display device having a high display quality provided with the reflector can be manufactured with a simple manufacturing process and with a low yield.

上記実施の形態について更に詳細に説明すべく、本発明の第１の実施例に係る反射板及びその製造方法について、図１乃至図７を参照して説明する。図１は、本実施例の反射板の製造方法を示す工程断面図であり、図２は、反射板を製造するために用いるフォトマスクのパターンのバリエーションを示す平面図である。また、図３は、従来のフォトマスクと本実施例のフォトマスクのパターンを比較した図であり、図４は、従来及び本実施例のフォトマスクで作製した反射板の外観写真である。また、図５は、反射特性の測定方法を説明するための図であり、図６は、従来の方法で作製した反射板の反射特性と本実施例の方法で作製した反射板の反射特性の測定データ、図７は、各々の反射特性を模式的に示す図である。   In order to describe the above embodiment in more detail, a reflector and a manufacturing method thereof according to a first example of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a process cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a reflector according to the present embodiment, and FIG. 2 is a plan view illustrating variations of a photomask pattern used for manufacturing the reflector. FIG. 3 is a diagram comparing the pattern of the conventional photomask and the photomask of this example, and FIG. 4 is an external view photograph of the reflector manufactured using the conventional photomask and the photomask of this example. FIG. 5 is a diagram for explaining a method for measuring the reflection characteristics, and FIG. 6 is a graph showing the reflection characteristics of the reflection plate manufactured by the conventional method and the reflection characteristics of the reflection plate manufactured by the method of this embodiment. Measurement data, FIG. 7, is a diagram schematically showing each reflection characteristic.

以下、本実施例の反射板の製造方法について図１を参照して具体的に説明する。   Hereinafter, the manufacturing method of the reflecting plate of a present Example is demonstrated concretely with reference to FIG.

まず、図１（ａ）に示すように、所定の基板（例えば、後述する第２の実施例で液晶表示装置のアクティブマトリクス基板を作製するためのガラス、プラスチックなどの透明絶縁基板８）上に、ポジ型の感光性樹脂１１ａ（例えば、製品名：ＰＣ４０３：ＪＳＲ製）を０．５〜５μｍ程度の膜厚（本実施例では約２．２μｍ厚）で塗布する。   First, as shown in FIG. 1A, on a predetermined substrate (for example, a transparent insulating substrate 8 such as glass or plastic for producing an active matrix substrate of a liquid crystal display device in a second embodiment to be described later). The positive type photosensitive resin 11a (for example, product name: PC403: manufactured by JSR) is applied with a film thickness of about 0.5 to 5 μm (in this embodiment, about 2.2 μm).

次に、図１（ｂ）に示すように、解像限界以上のサイズのパターンで構成される遮光膜３０ａを有する遮光領域３１ａと、遮光領域３１ａに隣接し、解像限界未満のサイズのパターンで構成される遮光膜３０ｂを有する第１の透過領域３１ｂと、パターンが形成されていない第２の透過領域３１ｃの３つの領域を備えるフォトマスク３２を感光性樹脂１１ａ上に配置して露光を行う。   Next, as shown in FIG. 1B, a light-shielding region 31a having a light-shielding film 30a composed of a pattern having a size equal to or larger than the resolution limit, and a pattern having a size smaller than the resolution limit adjacent to the light-shielding region 31a. A photomask 32 having three regions, a first transmissive region 31b having a light shielding film 30b and a second transmissive region 31c in which no pattern is formed, is disposed on the photosensitive resin 11a for exposure. Do.

上記遮光領域３１ａ、第１の透過領域３１ｂ、第２の透過領域３１ｃの幅や配置、形状は適宜設定することができるが、ここでは、図２（ｅ）及び図３（ｂ）に示すように、辺の太さが約２．５μｍ、平均辺長が約１８μｍの六角形を平面方向に不規則に配置し、六角形の所定方向の辺の内側に約１μｍのライン状のパターンを加えたマスクを用い、高圧水銀灯のｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）を光源として露光を行った。この場合、解像限界は約２μｍであり、六角形の辺に相当する遮光領域３１ａは約２．５μｍであることから解像限界以上となって十分に解像され、約１μｍのライン状のパターンを設置した第１の透過領域３１ｂは解像限界未満となって十分に解像されない。また、第１の透過領域３１ｂでは、ライン状のパターンにより光が一部遮光されるため、パターンのない第２の透過領域３１ｃに比べると露光される光の積分値が少なく、また、遮光領域３１ａに比べると露光される光の積分値は多くなる。ここでは、第２の透過領域３１ｃを露光する露光量の積分値は、現像後においても感光性樹脂が約５０％残る程度の露光量に設定した。   The width, arrangement, and shape of the light shielding region 31a, the first transmission region 31b, and the second transmission region 31c can be set as appropriate, but here, as shown in FIGS. 2 (e) and 3 (b). In addition, irregularly arranged hexagons with a side thickness of about 2.5 μm and an average side length of about 18 μm in the plane direction, a line-shaped pattern of about 1 μm is added to the inside of the hexagonal side in a predetermined direction. Then, exposure was performed using g-line (436 nm) and h-line (405 nm) of a high-pressure mercury lamp as a light source. In this case, the resolution limit is about 2 μm, and the light-shielding region 31 a corresponding to the hexagonal side is about 2.5 μm. Therefore, the resolution is sufficiently higher than the resolution limit, and the line shape is about 1 μm. The first transmission region 31b provided with the pattern is less than the resolution limit and is not sufficiently resolved. Further, in the first transmission region 31b, the light is partially blocked by the line pattern, so that the integral value of the exposed light is smaller than that of the second transmission region 31c having no pattern, and the light shielding region. Compared with 31a, the integral value of the exposed light is increased. Here, the integral value of the exposure amount that exposes the second transmission region 31c is set to an exposure amount that leaves about 50% of the photosensitive resin even after development.

なお、ここでは凹凸のパターンを六角形が不規則に配置される形状としたが、パターンの形状は特に限定されず、例えば、図２（ａ）〜（ｃ）に示すように３角形や５角形、６角形などの多角形を規則的に配置したり、図２（ｄ）に示すように多角形の内部を遮光パターンにしたり、図２（ｆ）に示すように円形や楕円形のパターンとしたり、図２（ｇ）に示すように波形にしたり、図２（ｈ）に示すように屈曲線にするなどの変形も可能である。また、ここでは、第１の透過領域３１ｂに約１μｍのライン状のパターンを形成したが、上記光源の場合は２μｍ以下のパターンであればよく、また、短波長の光源（例えば、高圧水銀灯のｉ線やエキシマーレーザーなど）を用い、縮小露光系を用いた場合にはさらに細いパターンにすることもできる。   Here, although the uneven pattern is a shape in which hexagons are irregularly arranged, the shape of the pattern is not particularly limited. For example, as shown in FIGS. Polygons such as squares and hexagons are regularly arranged, the inside of the polygon is made a light shielding pattern as shown in FIG. 2 (d), or a circular or elliptical pattern as shown in FIG. 2 (f). It is also possible to make modifications such as making a waveform as shown in FIG. 2 (g), or forming a bent line as shown in FIG. 2 (h). Here, a line-shaped pattern of about 1 μm is formed in the first transmission region 31b. However, in the case of the above light source, a pattern of 2 μm or less may be used, and a short wavelength light source (for example, a high-pressure mercury lamp) In the case of using a reduced exposure system using i-line or excimer laser, etc., a finer pattern can be obtained.

次に、図１（ｃ）に示すように、現像液として、例えば、ＴＭＡＨ（Tetramethyl ammonium hydroxide）を用いて現像を行い、露光部分を除去する。本実施例の場合は、現像後の感光性樹脂１１ａの膜厚は、遮光領域３１ａが元の膜厚の約２．２μｍ、第１の透過領域３１ｂが約１．５μｍ、第２の透過領域３１ｃが約１．１μｍとなった。   Next, as shown in FIG. 1C, development is performed using, for example, TMAH (Tetramethyl ammonium hydroxide) as a developer to remove the exposed portion. In the case of this embodiment, the film thickness of the photosensitive resin 11a after development is as follows: the light shielding region 31a is about 2.2 μm of the original film thickness, the first transmission region 31b is about 1.5 μm, and the second transmission region. 31c was about 1.1 μm.

次に、凹凸を形成した感光性樹脂１１ａを約２２０℃で約２時間焼成し、図１（ｄ）に示すように、凹凸形状をなめらかにして凹凸膜１１を形成する。そして、図１（ｄ）に示すように、凹凸膜１１の上にＡｌ−Ｎｄ合金などの金属をスパッタリング法などで堆積して反射膜６を形成する。   Next, the photosensitive resin 11a having the unevenness is baked at about 220 ° C. for about 2 hours to form the uneven film 11 with a smooth uneven shape as shown in FIG. Then, as shown in FIG. 1D, a reflective film 6 is formed by depositing a metal such as an Al—Nd alloy on the uneven film 11 by a sputtering method or the like.

なお、上記製造方法では、感光性樹脂としてポジの感光性樹脂を用いたが、ネガの感光性樹脂を用いても構わない。この場合、遮光領域３１ａを第２の透過領域３１ｃ、第２の透過領域３１ｃを遮光領域３１ａと読み替えればよい。また、第１の透過領域３１ｂの遮光パターンが、前記多角形の辺の内の一部の辺に沿って形成されている構成としたが、ドット状のパターンとしたり、ライン状とドット状のパターンを組み合わせてもよいし、ライン状またはドット状の密度を段階的に変化させて透過率を段階的に変えるようにしてもよい。また、第１の透過領域３１ｂの透過率は傾斜角に応じて適宜設定することができるが、第２の透過領域３１ｃの透過率を１００％とした場合に、約２０％以上８０％以下とすることが望ましい。   In the above manufacturing method, a positive photosensitive resin is used as the photosensitive resin, but a negative photosensitive resin may be used. In this case, the light shielding area 31a may be read as the second transmission area 31c, and the second transmission area 31c may be read as the light shielding area 31a. In addition, the light-shielding pattern of the first transmission region 31b is formed along a part of the polygonal side. However, the light-shielding pattern of the first transmission region 31b may be a dot-like pattern or a line-like or dot-like shape. The patterns may be combined, or the transmittance may be changed stepwise by changing the line or dot density stepwise. Further, the transmittance of the first transmission region 31b can be appropriately set according to the inclination angle, but when the transmittance of the second transmission region 31c is 100%, it is about 20% or more and 80% or less. It is desirable to do.

次に、上記方法で作製した反射板の効果について説明する。図３（ａ）は従来のフォトマスクのパターン、図３（ｂ）は、本実施例のフォトマスクのパターンを示す図であり、図４（ａ）は、図３（ａ）のフォトマスクを用いて作製した従来の反射板の外観写真、図４（ｂ）は、図３（ｂ）のフォトマスクを用いて作製した本実施例の反射板の外観写真である。   Next, the effect of the reflector produced by the above method will be described. 3A shows a conventional photomask pattern, FIG. 3B shows a photomask pattern of this embodiment, and FIG. 4A shows the photomask of FIG. 3A. FIG. 4B is a photograph of the appearance of the reflector of this example fabricated using the photomask of FIG. 3B.

図４に示すように、従来のフォトマスク（図３（ａ）のフォトマスク）を用いて作製した反射板（図４（ａ））は、各々の凸部の頂部から周囲の凹部に向かう傾斜部分（図の黒い部分）の傾斜角が略等しく、斜面の長さが略一定であるのに対して、本実施例のフォトマスク（図３（ｂ）のフォトマスク）を用いて作製した反射板（図４（ｂ））は、解像限界未満のパターンの領域に対応する傾斜部分の傾斜角が小さくなり、その斜面の長さ（凸部の頂部から凹部に至る距離）が長くなっていることが分かる。   As shown in FIG. 4, the reflector (FIG. 4 (a)) manufactured using a conventional photomask (the photomask of FIG. 3 (a)) is inclined from the top of each convex part toward the peripheral concave part. While the inclination angle of the portion (black portion in the figure) is substantially equal and the slope length is substantially constant, the reflection produced using the photomask of this example (photomask in FIG. 3B). In the plate (FIG. 4B), the inclination angle of the inclined portion corresponding to the pattern area less than the resolution limit is reduced, and the length of the inclined surface (distance from the top of the convex portion to the concave portion) is increased. I understand that.

また、図５は、反射率の測定方法を説明するための図であり、−３０°方向から入射した光の反射を０°および１０°で受光した場合の反射率を示している。また、図６は、反射率の測定結果を示す図であり、反射率は−３０°方向から入射した光をＢａＳＯ_４などで作製された標準白色版（製品名ＷＳ−３：Ｔｏｐｃｏｎ製）で拡散反射させた場合に０°で受光した時の反射率を１００％としてその相対反射率を示している。 FIG. 5 is a diagram for explaining the reflectance measurement method, and shows the reflectance when the reflection of light incident from the −30 ° direction is received at 0 ° and 10 °. Also, FIG. 6 is a graph showing measurement results of the reflectivity, the reflectivity is -30 light incident from ° direction BaSO ₄ fabricated standard white plate in such (product name WS-3: manufactured by Topcon) in In the case of diffuse reflection, the relative reflectance is shown assuming that the reflectance when received at 0 ° is 100%.

図６より、解像限界未満のパターンを加えた本実施例のフォトマスクを用いて作製した反射板の方が、従来の反射板に比べて反射率が向上していることが分かる。これは、従来の対称形の凹凸パターンでは、図７（ａ）に示すように、入射光が等方的に反射されるため不必要な方向の成分が多くなるのに対して、本実施例の凹凸パターンでは、傾斜角が小さい又は斜面の長さが長い傾斜部分を光の入射側に配置することによって、図７（ｂ）に示すように、観察者側に反射される成分が増加し不必要な方向の成分が減少することに起因している。なお、図１４（ａ）のような状況下で目視で官能評価した場合にも明らかに明るくなっており、光源の位置が移動しても視認性の低下は見られないことを確認している。   From FIG. 6, it can be seen that the reflectance of the reflector manufactured using the photomask of the present embodiment to which a pattern less than the resolution limit is added is improved compared to the conventional reflector. This is because, in the conventional symmetrical uneven pattern, as shown in FIG. 7A, incident light is reflected isotropically, so that there are many components in unnecessary directions. In the concavo-convex pattern, by arranging an inclined portion with a small inclination angle or a long inclined surface on the light incident side, as shown in FIG. 7B, the component reflected to the observer side increases. This is due to a decrease in the components in unnecessary directions. In addition, even when the sensory evaluation is made visually under the situation as shown in FIG. 14A, it is clearly bright, and it has been confirmed that no decrease in visibility is seen even if the position of the light source is moved. .

このように、本実施例では、解像限界以上のサイズのパターンを有する遮光領域３１ａと、解像限界未満のサイズのパターンを有する第１の透過領域３１ｂとが隣接し、その外側にパターンのない第２の透過領域３１ｃを備えるフォトマスク３２を用いて、傾斜角が小さい又は斜面の長さが長い傾斜部分を有する凹凸を形成することができ、この傾斜角が小さい又は斜面の長さが長い傾斜部分を光の入射側に配置することによって基板の法線方向（すなわち、実際の使用形態における観察者の視認方向）の反射成分を増加させることができ、不必要な方向の成分を減らして明るい反射特性を有する反射板を安価に作製することができる。   As described above, in this embodiment, the light-shielding region 31a having a pattern having a size larger than the resolution limit and the first transmission region 31b having a pattern having a size smaller than the resolution limit are adjacent to each other, and the pattern is formed outside thereof. Using the photomask 32 having the second transmission region 31c that is not present, it is possible to form a concavo-convex portion having an inclined portion having a small inclination angle or a long slope length, and the inclination angle is small or the slope length is small. By arranging a long inclined part on the light incident side, the reflection component in the normal direction of the substrate (that is, the viewing direction of the observer in the actual usage pattern) can be increased, and the unnecessary direction component is reduced. In addition, a reflector having bright and reflective characteristics can be manufactured at low cost.

次に、本発明の第２の実施例に係る液晶表示装置及びその製造方法について、図８乃至図１２を参照して説明する。図８は、本実施例の半透過反射型液晶表示装置の一画素の構造を示す平面図であり、図９は、そのＡ−Ａ線における断面図、図１０及び図１１は、その製造方法を示す工程断面図である。また、図１２は、半透過反射型液晶表示装置の他の構造を示す断面図である。なお、図９はツイスト角が略７２°で、反射ギャップと透過ギャップとが等しい場合、図１２は、ツイスト角が略０°の場合を示している。   Next, a liquid crystal display device and a method for manufacturing the same according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 8 is a plan view showing the structure of one pixel of the transflective liquid crystal display device of this embodiment, FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line AA, and FIGS. 10 and 11 are manufacturing methods thereof. It is process sectional drawing which shows these. FIG. 12 is a cross-sectional view showing another structure of the transflective liquid crystal display device. 9 shows a case where the twist angle is about 72 ° and the reflection gap and the transmission gap are equal, and FIG. 12 shows a case where the twist angle is about 0 °.

図８及び図９に示すように、本実施例の半透過反射型液晶表示装置は、スイッチング素子として動作する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３が形成されたアクティブマトリクス基板１２と、対向基板１６と、両基板１２、１６間に介挿された液晶層１７と、アクティブマトリクス基板１２の裏面に配置されたバックライト光源１８と、アクティブマトリクス基板１２及び対向基板１６の各々の外側に設けられた位相差板（λ／４板）２０ａ、２０ｂ及び偏光板１９ａ、１９ｂとを備えている。   As shown in FIGS. 8 and 9, the transflective liquid crystal display device of this embodiment includes an active matrix substrate 12 on which a thin film transistor (TFT) 3 that operates as a switching element is formed, a counter substrate 16, and both substrates. 12 and 16, a liquid crystal layer 17 interposed between the active matrix substrate 12, a backlight source 18 disposed on the back surface of the active matrix substrate 12, and a retardation plate (outside of each of the active matrix substrate 12 and the counter substrate 16). (λ / 4 plate) 20a, 20b and polarizing plates 19a, 19b.

また、アクティブマトリクス基板１２は、透明絶縁基板８と、透明絶縁基板８上に形成されたゲート線（走査電極）１及びデータ線（信号電極）２と、ゲート線１に接続されたゲート電極１ａと、コモンストレージ線４及び補助容量電極４ａと、ゲート絶縁膜９と、半導体層３ａと、半導体層３ａの両端から引き出されてそれぞれデータ線２及び画素電極（透明電極膜５）に接続されたドレイン電極２ａ及びソース電極２ｂと、容量用蓄積電極２ｃと、パッシベーション膜１０などを備え、ゲート電極１ａ、ゲート絶縁膜９、半導体層３ａ、ドレイン電極２ａ及びソース電極２ｂにより、ＴＦＴ３が構成されている。ここで、画素電極は、信号電極２と走査電極１との交点と１対１に対応して設けられている。そして、画素領域ＰＸには、バックライト光源１８からの入射光を透過させる透過領域ＰＸａと、入射された外部周囲光を反射させる反射領域ＰＸｂとが設けられて、各領域は有機膜等の凹凸膜１１により覆われている。反射領域ＰＸｂにはアルミ（Ａｌ）又はアルミ（Ａｌ）合金を含む反射膜６（この例では反射領域ＰＸｂに形成する金属膜は電極として用いる必要がないため反射膜６と呼ぶ。）が形成され、反射膜６を覆う態様で各画素領域ＰＸ全面に、第２のパッシベーション膜２４を介して、ＩＴＯ等からなる透明電極膜５が形成され、コンタクトホール７を通じてソース電極２ｂに接続されている透明電極膜５は画素電極として働き、この透明電極膜５上にはポリイミド等から成る配向膜２９が形成されている。一方、対向基板１６は、透明絶縁基板１３と、カラーフィルタ１４と、ブラックマトリクス（図示せず）と、対向電極１５と、配向膜２９などを備えている。   The active matrix substrate 12 includes a transparent insulating substrate 8, a gate line (scanning electrode) 1 and a data line (signal electrode) 2 formed on the transparent insulating substrate 8, and a gate electrode 1 a connected to the gate line 1. The common storage line 4 and the auxiliary capacitance electrode 4a, the gate insulating film 9, the semiconductor layer 3a, and the semiconductor layer 3a are drawn from both ends and connected to the data line 2 and the pixel electrode (transparent electrode film 5), respectively. A drain electrode 2a, a source electrode 2b, a capacitor storage electrode 2c, a passivation film 10 and the like are provided, and the gate electrode 1a, the gate insulating film 9, the semiconductor layer 3a, the drain electrode 2a and the source electrode 2b constitute a TFT 3. Yes. Here, the pixel electrodes are provided in one-to-one correspondence with the intersections between the signal electrodes 2 and the scanning electrodes 1. The pixel area PX is provided with a transmission area PXa that transmits incident light from the backlight light source 18 and a reflection area PXb that reflects incident external ambient light. Covered by the film 11. In the reflective region PXb, a reflective film 6 containing aluminum (Al) or an aluminum (Al) alloy (in this example, the metal film formed in the reflective region PXb does not need to be used as an electrode and is referred to as the reflective film 6) is formed. A transparent electrode film 5 made of ITO or the like is formed on the entire surface of each pixel region PX through the second passivation film 24 so as to cover the reflective film 6, and is connected to the source electrode 2 b through the contact hole 7. The electrode film 5 functions as a pixel electrode, and an alignment film 29 made of polyimide or the like is formed on the transparent electrode film 5. On the other hand, the counter substrate 16 includes a transparent insulating substrate 13, a color filter 14, a black matrix (not shown), a counter electrode 15, an alignment film 29, and the like.

なお、上述したようにＴＦＴ３を反射膜６で覆うことにより、外部周囲光がＴＦＴ３に入射した場合にこの入射光を反射膜６で遮蔽することができる。これにより、その入射光に起因して生ずる光電効果によりＴＦＴ３のオフ電流が増加して、誤動作を引き起こすという不具合を防止することができる。しかしながら、反射膜６とＴＦＴ３との距離が短いと、ＴＦＴ３に印加される電圧（特に、ゲート電圧）の影響で、電気的に浮いている反射膜６の電位が変化して、液晶の制御電界を乱してしまう恐れがある。そこで、この例では、凹凸膜１１をＴＦＴ３上にも形成して、凹凸膜１１を介在させてＴＦＴ３と反射膜６との距離を稼ぐことにより、上記ＴＦＴ３に印加される電圧による反射膜６に対する影響を緩和している。   As described above, by covering the TFT 3 with the reflective film 6, when external ambient light is incident on the TFT 3, this incident light can be shielded by the reflective film 6. As a result, it is possible to prevent a malfunction in which the off-current of the TFT 3 increases due to the photoelectric effect caused by the incident light and causes malfunction. However, if the distance between the reflective film 6 and the TFT 3 is short, the potential of the electrically reflective film 6 changes due to the voltage (particularly the gate voltage) applied to the TFT 3, and the control electric field of the liquid crystal is changed. There is a risk of disturbing. Therefore, in this example, the uneven film 11 is also formed on the TFT 3, and the distance between the TFT 3 and the reflective film 6 is increased by interposing the uneven film 11, whereby the reflective film 6 with respect to the voltage applied to the TFT 3 is applied. Mitigating the impact.

次に、図１０及び図１１を参照して、上記構成の半透過反射型液晶表示装置の製造方法を工程順に説明する。なお、ここでは、上記画素構造の製造方法に加えて、導電シールによる引き出し配線のショートを防止するためのＧ（Gate）−Ｄ（Drain）変換部の具体的な構造の製造方法についても説明する。このＧ−Ｄ変換部は、ドレイン電極２ａを電気的に外部に引き出す必要がある場合に、構造上の制約によりショートが起き易く直接引き出すのが困難であることから、透明電極膜５を介してゲート線１により引き出すために設けられている。   Next, a method for manufacturing the transflective liquid crystal display device having the above-described configuration will be described in the order of steps with reference to FIGS. Here, in addition to the method for manufacturing the pixel structure, a method for manufacturing a specific structure of the G (Gate) -D (Drain) conversion unit for preventing a short circuit of the lead wiring due to the conductive seal will be described. . This GD conversion unit is likely to be short-circuited and difficult to pull out directly due to structural limitations when the drain electrode 2a needs to be electrically pulled out to the outside. It is provided for drawing out by the gate line 1.

まず、図１０（ａ）に示すように、ガラス、プラスチック等の透明絶縁基板８上にＣｒ等の金属を全面に堆積した後、公知のフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いて不要の金属を除去してゲート線１、ゲート電極１ａ、コモンストレージ線４及び補助容量電極４ａを形成する。なお、図９に図示されていない構成部は、図８に図示している。次に、ＳｉＯ_２、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ等のゲート絶縁膜９を全面に形成する。次に、ａ（amorphous）−Ｓｉ等を全面に堆積した後、島状にパターニングして半導体層３ａを形成する。次に、Ｃｒ等の金属を全面に堆積した後、パターニングして、データ線２、ドレイン電極２ａ、ソース電極２ｂ及び容量用蓄積電極２ｃを形成する。以上により、ＴＦＴ３を形成する。その後、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等によりＳｉＮｘ膜等から成るパッシベーション膜１０を全面に堆積して、ＴＦＴ３を保護する。また、透明絶縁基板８上の画素領域ＰＸの外側に、上記Ｇ−Ｄ変換部及び端子部を設定する。 First, as shown in FIG. 10A, after depositing a metal such as Cr on the entire surface of a transparent insulating substrate 8 such as glass or plastic, unnecessary metal is removed using a known photolithography technique and etching technique. Thus, the gate line 1, the gate electrode 1a, the common storage line 4 and the auxiliary capacitance electrode 4a are formed. Note that components not shown in FIG. 9 are shown in FIG. Next, a gate insulating film 9 such as SiO ₂ , SiNx, or SiOx is formed on the entire surface. Next, after a (amorphous) -Si or the like is deposited on the entire surface, the semiconductor layer 3a is formed by patterning into an island shape. Next, after depositing a metal such as Cr on the entire surface, patterning is performed to form the data line 2, the drain electrode 2a, the source electrode 2b, and the capacitor storage electrode 2c. Thus, the TFT 3 is formed. Thereafter, a passivation film 10 made of a SiNx film or the like is deposited on the entire surface by a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method or the like to protect the TFT 3. Further, the GD conversion unit and the terminal unit are set outside the pixel region PX on the transparent insulating substrate 8.

次に、図１０（ｂ）に示すように、スピン塗布法によりパッシベーション膜１０上に感光性のアクリル樹脂、例えばＪＳＲ製ＰＣ４０３、４１５Ｇ、４０５Ｇ等を塗布して、画素領域ＰＸに凹凸膜１１を形成する。この凹凸膜１１は、凸部に対応する部分には解像限界以上のサイズのパターンで作製した遮光領域３１ａと、解像限界未満のサイズのパターンで形成された第１の透過領域３１ｂと、第１の透過領域３１ｂよりも透過率が高くなるように設計された上記凹部に対応する第２の透過領域３１ｃと、コンタクトホール７、Ｇ−Ｄ変換部及び端子部に対応する部分にはパターンを設置しない第３の透過領域を作製したフォトマスクを用いて第１の実施例と同様の方法で形成すればよい。このようなフォトマスクを用いることにより、１回の露光で凹凸を形成し、Ｇ−Ｄ変換部及び端子部となる領域も同時に形成することができる。   Next, as shown in FIG. 10B, a photosensitive acrylic resin such as PC403, 415G, or 405G made by JSR is applied onto the passivation film 10 by a spin coating method, and the uneven film 11 is formed on the pixel region PX. Form. The concavo-convex film 11 includes a light-shielding region 31a formed with a pattern having a size greater than or equal to the resolution limit in a portion corresponding to the convex portion, a first transmission region 31b formed with a pattern having a size less than the resolution limit, The second transmissive region 31c corresponding to the concave portion designed to have a higher transmittance than the first transmissive region 31b, and the pattern corresponding to the contact hole 7, the GD conversion portion, and the portion corresponding to the terminal portion It may be formed by a method similar to that of the first embodiment, using a photomask in which a third transmission region in which no film is provided is formed. By using such a photomask, unevenness can be formed by one exposure, and regions to be a GD conversion portion and a terminal portion can be formed at the same time.

なお、コンタクトホール７を形成する領域、Ｇ−Ｄ変換部及び端子部となる領域は別のフォトマスクを用いて比較的多い光量により露光することで完全に感光性樹脂を除去する構成とすることもできる。   The region where the contact hole 7 is formed, the region serving as the GD conversion portion, and the terminal portion are configured to completely remove the photosensitive resin by exposing with a relatively large amount of light using another photomask. You can also.

その後、アルカリ現像液を用い、凹部、凸部、コンタクトホール７等のそれぞれのアルカリ溶液による溶解速度の差を利用して凹凸を形成する。なお、図では反射領域ＰＸｂ、透過領域ＰＸａを含む画素領域ＰＸの全体にわたって凹凸膜１１を形成しているが、透過領域ＰＸａに形成する凹凸膜１１の表面には凹凸を設けずに平坦にしてもよい。また、透過領域ＰＸａにも凹凸膜１１を形成する場合は、凹凸膜１１による透過光の減衰を抑制するために、全面に露光処理を施してアクリル膜の脱色を行う。その後、例えば、２２０℃で１時間程度キュアすることにより傾斜部分の傾斜角が小さい又は斜面の長さが長い部分を有する凹凸膜１１を形成する。   Thereafter, using an alkaline developer, irregularities are formed by utilizing the difference in dissolution rate between the respective alkaline solutions such as the concave portions, the convex portions, and the contact holes 7. In the figure, the uneven film 11 is formed over the entire pixel area PX including the reflective area PXb and the transmissive area PXa, but the surface of the uneven film 11 formed in the transmissive area PXa is flattened without providing any unevenness. Also good. Further, when the uneven film 11 is formed also in the transmission region PXa, the acrylic film is decolored by performing an exposure process on the entire surface in order to suppress attenuation of transmitted light by the uneven film 11. Thereafter, for example, by curing at 220 ° C. for about 1 hour, the concavo-convex film 11 having a portion where the inclination angle of the inclined portion is small or the length of the inclined surface is long is formed.

なお、前述したように、ＴＦＴ３とその上に形成する反射膜６との間隔が狭いと、ＴＦＴ３に印加されるゲート電圧等によって反射膜６の電位が変動し、液晶の制御電界が乱れて表示品位を劣化させる恐れがある。そこで、この例では、ＴＦＴ３上にも凹凸膜１１を形成する。   As described above, if the distance between the TFT 3 and the reflective film 6 formed on the TFT 3 is narrow, the potential of the reflective film 6 fluctuates due to the gate voltage applied to the TFT 3 and the liquid crystal control electric field is disturbed. There is a risk of degrading the quality. Therefore, in this example, the uneven film 11 is also formed on the TFT 3.

次に、図１０（ｃ）に示すように、スパッタ法又は蒸着法等を用いて全面にアルミ（Ａｌ）やアルミ（Ａｌ）合金などの金属を堆積した後、画素領域ＰＸの内反射領域ＰＸｂのみをレジストパターンで覆い、露出した金属を部分的にドライエッチング又はウェットエッチングして反射膜６を形成する。その際、ＴＦＴ３に対して外部周囲光が入射しないように、ＴＦＴ３上にも反射膜６を形成する。この場合、ゲート線１やデータ線２の影響を抑え、さらにこの後に透明電極膜５で完全に覆うことできるように、反射膜６をゲート線１やデータ線２の内側の領域に形成する。なお、この反射膜６として通常アルミ（Ａｌ）又はアルミ（Ａｌ）合金が用いられるが、これらの材料に限らずに、反射率が高く、液晶プロセスに適合する任意の金属を用いることができる。   Next, as shown in FIG. 10C, a metal such as aluminum (Al) or an aluminum (Al) alloy is deposited on the entire surface by sputtering or vapor deposition, and then the inner reflection region PXb of the pixel region PX. The reflective film 6 is formed by partially covering the exposed metal part with dry resist or wet etching. At this time, the reflective film 6 is also formed on the TFT 3 so that external ambient light does not enter the TFT 3. In this case, the reflective film 6 is formed in a region inside the gate line 1 and the data line 2 so as to suppress the influence of the gate line 1 and the data line 2 and to be completely covered with the transparent electrode film 5 thereafter. In addition, although aluminum (Al) or an aluminum (Al) alloy is normally used for this reflective film 6, it is not restricted to these materials, Arbitrary metals with a high reflectance and suitable for a liquid crystal process can be used.

次に、図１１（ａ）に示すように、プラズマＣＶＤ法等によりＳｉＯｘ等から成る絶縁膜を全面に堆積した後、この絶縁膜上にレジストパターンを形成して、第２のパッシベーション膜２４を形成する。次に、第２のパッシベーション膜２４、パッシベーション膜１０及びゲート絶縁膜９の露出した部分を選択的にエッチングして、コンタクトホール７を介してソース電極２ｂを露出させると共に、Ｇ−Ｄ変換部及び端子部にもコンタクトホールを形成する。   Next, as shown in FIG. 11A, after an insulating film made of SiOx or the like is deposited on the entire surface by plasma CVD or the like, a resist pattern is formed on the insulating film, and the second passivation film 24 is formed. Form. Next, the exposed portions of the second passivation film 24, the passivation film 10, and the gate insulating film 9 are selectively etched to expose the source electrode 2b through the contact hole 7, and the GD conversion unit and Contact holes are also formed in the terminal portions.

次に、図１１（ｂ）に示すように、スパッタ法により全面にＩＴＯ等の透明性導電膜を堆積した後、レジストパターンを用いて各々の画素全面を覆う透明電極膜５、Ｇ−Ｄ変換電極２２及び端子電極２３を同時に形成する。その際、下層の反射膜６の電食反応を防止するために、反射膜６全面を覆うように、例えば、ゲート線１やデータ線２上まで透明電極膜５を形成する。このような反射膜６と透明電極膜５との積層構造及びレイアウト構造により、反射膜６が現像液に接触することを防止することができる。   Next, as shown in FIG. 11B, after depositing a transparent conductive film such as ITO on the entire surface by sputtering, the transparent electrode film 5 that covers the entire surface of each pixel using a resist pattern, GD conversion The electrode 22 and the terminal electrode 23 are formed simultaneously. At this time, in order to prevent the electrolytic corrosion reaction of the lower reflective film 6, for example, the transparent electrode film 5 is formed on the gate line 1 and the data line 2 so as to cover the entire reflective film 6. Such a laminated structure and layout structure of the reflective film 6 and the transparent electrode film 5 can prevent the reflective film 6 from coming into contact with the developer.

この例では、反射膜６と透明電極膜５との間に第２のパッシベーション膜２４が形成されており、反射膜６は電気的に浮いた状態となっているため、ＴＦＴ３に印加されるゲート電圧等により反射膜６の電位が変動することが懸念されるが、上述したように、ＴＦＴ３上にも凹凸膜１１を形成し、この凹凸膜１１によってＴＦＴ３と反射膜６との距離を確保して、ＴＦＴ３の反射膜６に対する影響を十分に緩和することができる。   In this example, since the second passivation film 24 is formed between the reflective film 6 and the transparent electrode film 5 and the reflective film 6 is in an electrically floating state, the gate applied to the TFT 3 Although there is a concern that the potential of the reflective film 6 fluctuates due to voltage or the like, as described above, the uneven film 11 is also formed on the TFT 3, and the uneven film 11 secures the distance between the TFT 3 and the reflective film 6. Thus, the influence of the TFT 3 on the reflective film 6 can be sufficiently mitigated.

その後、透明電極膜５上にポリイミドから成る配向膜２９を形成してアクティブマトリクス基板１２を完成させる。次に、透明絶縁基板１３上に順次にカラーフィルタ１４、ブラックマトリクス（図示せず）、対向電極１５、配向膜２９等を形成して完成させた対向基板１６を用意する。そして、両基板１２、１６間に液晶層１７を介挿し、各々の基板１２、１６の両側に位相差板２０ａ、２０ｂと偏光板１９ａ、１９ｂとを配設し、アクティブマトリクス基板１２側の偏光板１９ａの裏面にバックライト光源１８を設置することにより、図９に示したような半透過反射型液晶表示装置を製造する。   Thereafter, an alignment film 29 made of polyimide is formed on the transparent electrode film 5 to complete the active matrix substrate 12. Next, a counter substrate 16 is prepared by forming a color filter 14, a black matrix (not shown), a counter electrode 15, an alignment film 29, and the like sequentially on the transparent insulating substrate 13. Then, the liquid crystal layer 17 is inserted between both the substrates 12 and 16, phase difference plates 20a and 20b and polarizing plates 19a and 19b are disposed on both sides of each of the substrates 12 and 16, and polarization on the active matrix substrate 12 side. By installing the backlight source 18 on the back surface of the plate 19a, a transflective liquid crystal display device as shown in FIG. 9 is manufactured.

このように、本実施例の半透過反射型液晶表示装置及びその製造方法によれば、第１の実施例で示したように、入射光の入射側の傾斜部分の傾斜角が小さい又は斜面の長さが長い凹凸膜１１上に形成した反射膜６により、観察者側に光を効率的に集光することができるため、視認性の高い反射特性が得られる。また、上記凹凸膜１１の形成に際して、解像限界以上のサイズのパターンで作製した遮光領域３１ａと、解像限界未満のサイズのパターンで形成された第１の透過領域３１ｂと、パターンのない第２の透過領域３１ｃとを備えるフォトマスクを用いることにより、一度の露光で露光量の異なる（すなわち、現像後の膜厚が異なる）３つの領域を形成することができ、少ない工程で歩留まりよく凹凸膜１１を作製することができる。   Thus, according to the transflective liquid crystal display device of this embodiment and the manufacturing method thereof, as shown in the first embodiment, the inclination angle of the inclined portion on the incident light incident side is small or Since the reflective film 6 formed on the concavo-convex film 11 having a long length can efficiently collect light on the viewer side, a highly visible reflective characteristic can be obtained. Further, when forming the concavo-convex film 11, a light shielding region 31a produced with a pattern having a size larger than the resolution limit, a first transmission region 31b formed with a pattern having a size smaller than the resolution limit, and a first pattern without a pattern. By using a photomask having two transmissive regions 31c, three regions having different exposure amounts (that is, different film thicknesses after development) can be formed by one exposure, and unevenness is obtained with a small number of steps and high yield. The film 11 can be produced.

なお、本実施例では、スイッチング素子として、アモルファスシリコンを使用したＴＦＴを用いたが、ポリシリコンを用いたＴＦＴ素子やほかの素子（例えば薄膜ダイオード（ＴＦＤ））を用いてもよく、またパッシブ方式の反射板としても良好な特性を与える。   In this embodiment, a TFT using amorphous silicon is used as the switching element. However, a TFT element using polysilicon or another element (for example, a thin film diode (TFD)) may be used. As a reflector, good characteristics are given.

また、図９の半透過反射型液晶表示装置は、液晶のツイスト角が略７２°の液晶を用いた例であるため、反射ギャップｄｒと透過ギャップｄｆとを等しく、つまり、反射領域ＰＸｂと透過領域ＰＸａの両方に略等しい膜厚の凹凸膜１１を形成しているが、液晶のツイスト角を略０°〜略６０°に設定した場合には、反射ギャップｄｒと透過ギャップｄｆとを変えることにより最適な出射光強度を得ることができる。   Further, since the transflective liquid crystal display device of FIG. 9 is an example using a liquid crystal having a twist angle of about 72 °, the reflection gap dr and the transmission gap df are equal, that is, the reflection region PXb and the transmission region are transmitted. The concavo-convex film 11 having substantially the same thickness is formed in both of the regions PXa. However, when the twist angle of the liquid crystal is set to approximately 0 ° to approximately 60 °, the reflection gap dr and the transmission gap df are changed. As a result, it is possible to obtain an optimum outgoing light intensity.

図１２は、本実施例の半透過反射型液晶表示装置の第１の変形例を示す断面図である。この半透過反射型液晶表示装置は、図１２に示すように、液晶のツイスト角を略０°に設定して、凹凸膜１１を反射領域ＰＸｂにのみに形成して、その膜厚を略１．４μｍ（２．９μｍ−１．５μｍ）に設定することにより、反射ギャップを略１．５μｍに最適化したものである。この構造を実現するには、例えば、図１０（ｂ）の工程で凹凸膜１１を形成する際に、感光性のアクリル樹脂の塗布条件を調整して略１．４μｍの膜厚となるように設定し、ソース電極２ｂ上にコンタクトホール７を形成すると同様に、透過領域ＰＸａの凹凸膜１１を同時に除去すれば良い。その後、上述の工程と略同様の工程を行うことにより、最終的に図１２に示すようにツイスト角が略０°に対応した、反射ギャップｄｒが略１．５μｍ、透過ギャップｄｆが略２．９μｍの半透過反射型液晶表示装置を製造することができる。   FIG. 12 is a cross-sectional view showing a first modification of the transflective liquid crystal display device of this embodiment. In this transflective liquid crystal display device, as shown in FIG. 12, the twist angle of the liquid crystal is set to approximately 0 °, and the uneven film 11 is formed only in the reflective region PXb. By setting the thickness to 0.4 μm (2.9 μm-1.5 μm), the reflection gap is optimized to about 1.5 μm. In order to realize this structure, for example, when forming the concavo-convex film 11 in the step of FIG. 10B, the coating condition of the photosensitive acrylic resin is adjusted so that the film thickness becomes approximately 1.4 μm. As in the case of setting and forming the contact hole 7 on the source electrode 2b, the concavo-convex film 11 in the transmission region PXa may be removed at the same time. Thereafter, by carrying out substantially the same steps as described above, the reflection gap dr is about 1.5 μm and the transmission gap df is about 2. corresponding to a twist angle of about 0 ° as shown in FIG. A 9 μm transflective liquid crystal display device can be manufactured.

また、本実施例では、半透過反射型液晶表示装置を製造する方法を示したが、透過領域ＰＸａをなくすことで反射型液晶表示装置として製造することも可能である。また、上記実施例では、第１の実施例で示した反射板を液晶表示装置に適用する場合について記載したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、所定の方向の反射率を高める機能を備える任意の用途の反射板に適用することができる。   In this embodiment, a method for manufacturing a transflective liquid crystal display device has been described. However, it is also possible to manufacture a transflective liquid crystal display device by eliminating the transmissive region PXa. In the above embodiment, the case where the reflector shown in the first embodiment is applied to the liquid crystal display device is described. However, the present invention is not limited to the above embodiment, and the reflectance in a predetermined direction is described. It can be applied to a reflector for any application having a function of enhancing the brightness.

反射型液晶表示装置や半透過反射型液晶表示装置などの反射板を有する液晶表示装置に適用することができる。   The present invention can be applied to a liquid crystal display device having a reflector such as a reflective liquid crystal display device or a transflective liquid crystal display device.

１ ゲート線（走査電極）
１ａ ゲート電極
２ データ線（信号電極）
２ａ ドレイン電極
２ｂ ソース電極
２ｃ 容量用蓄積電極
３ ＴＦＴ
３ａ 半導体層
４ コモンストレージ線
４ａ 補助容量電極
５ 透明電極膜
６ 反射膜
７ コンタクトホール
８ 透明絶縁基板
９ ゲート絶縁膜
１０ パッシベーション膜
１１ 凹凸膜
１２ アクティブマトリクス基板
１３ 透明絶縁基板
１４ カラーフィルタ
１５ 対向電極
１６ 対向基板
１７ 液晶層
１８ バックライト光源
１９ａ、１９ｂ 偏光板
２０ａ、２０ｂ 位相差板
２２ Ｇ−Ｄ変換電極
２３ 端子電極
２４ 第２のパッシベーション膜
２９ 配向膜
３０ａ 解像限界以上の遮光膜
３０ｂ 解像限界未満の遮光膜
３１ａ 遮光領域
３１ｂ 第１の透過領域
３１ｃ 第２の透過領域
３２ フォトマスク 1 Gate line (scanning electrode)
1a Gate electrode 2 Data line (signal electrode)
2a Drain electrode 2b Source electrode 2c Capacitor storage electrode 3 TFT
3a Semiconductor layer 4 Common storage line 4a Auxiliary capacitance electrode 5 Transparent electrode film 6 Reflective film 7 Contact hole 8 Transparent insulating substrate 9 Gate insulating film 10 Passivation film 11 Uneven film 12 Active matrix substrate 13 Transparent insulating substrate 14 Color filter 15 Counter electrode 16 Counter substrate 17 Liquid crystal layer 18 Backlight source 19a, 19b Polarizing plate 20a, 20b Retardation plate 22 GD conversion electrode 23 Terminal electrode 24 Second passivation film 29 Alignment film 30a Light shielding film 30b Resolution limit or higher Resolution limit Less than light shielding film 31a Light shielding region 31b First transmission region 31c Second transmission region 32 Photomask

Claims (5)

外部からの入射光を反射する反射板の製造方法であって、
基板上に感光性樹脂を塗布する工程と、
解像限界以上のサイズのパターンを備える遮光領域と、解像限界未満のサイズのパターンを備える第１の透過領域と、パターンのない第２の透過領域と、を含むフォトマスクを用いて、前記感光性樹脂を露光する工程と、
露光後の前記感光性樹脂を現像して、膜厚が異なる３種類の領域を同時に形成する工程と、
現像後の前記感光性樹脂を加熱処理する工程と、
加熱処理後の前記感光性樹脂上に反射膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする反射板の製造方法。 A method of manufacturing a reflector that reflects incident light from outside,
Applying a photosensitive resin on the substrate;
Using a photomask that includes a light-shielding region having a pattern having a size greater than or equal to the resolution limit, a first transmission region having a pattern having a size less than the resolution limit, and a second transmission region having no pattern, Exposing the photosensitive resin; and
Developing the photosensitive resin after exposure to simultaneously form three types of regions having different film thicknesses;
Heat-treating the photosensitive resin after development;
And a step of forming a reflective film on the photosensitive resin after the heat treatment. 前記３種類の領域によって形成される各々の凸部の頂部と該凸部周囲の凹部との間の傾斜部は、特定の側の前記基板面に対する傾斜角が、他の側に比べて相対的に小さく、
前記凹凸は、波形又は屈曲線を凸部又は凹部とするパターンが配置されて構成されること特徴とする請求項１に記載の反射板の製造方法。 The inclined portion between the top of each convex portion formed by the three types of regions and the concave portion around the convex portion has an inclination angle relative to the substrate surface on a specific side relative to the other side. Small,
The said unevenness | corrugation is a manufacturing method of the reflecting plate of Claim 1 comprised by arrange | positioning the pattern which makes a waveform or a bending line a convex part or a recessed part. 前記３種類の領域によって形成される各々の凸部の頂部と該凸部周囲の凹部との間の傾斜部は、特定の側の斜面の長さが、他の側に比べて相対的に長く、
前記凹凸は、波形又は屈曲線を凸部又は凹部とするパターンが配置されて構成されること特徴とする請求項１に記載の反射板の製造方法。 The inclined portion between the top of each convex portion formed by the three types of regions and the concave portion around the convex portion has a slope on a specific side relatively longer than the other side. ,
The said unevenness | corrugation is a manufacturing method of the reflecting plate of Claim 1 comprised by arrange | positioning the pattern which makes a waveform or a bending line a convex part or a recessed part. 一対の基板間に液晶が挟持され、一方の基板の各々の画素の少なくとも一部に、請求項１乃至３のいずれか一に記載の前記反射板を形成すること特徴とする反射型又は半透過反射型の液晶表示装置の製造方法。   A liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates, and the reflective plate according to any one of claims 1 to 3 is formed on at least a part of each pixel of one substrate. A method of manufacturing a reflective liquid crystal display device. 前記特定の側とは、前記液晶表示装置の使用時において前記入射光が入射する側であること特徴とする請求項４記載の液晶表示装置の製造方法。   5. The method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 4, wherein the specific side is a side on which the incident light is incident when the liquid crystal display device is used.

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