KR20110030209A

KR20110030209A - Transflective type liquid crystal display device

Info

Publication number: KR20110030209A
Application number: KR1020090088238A
Authority: KR
Inventors: 김도헌; 정태용; 박종현; 조양호
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2009-09-17
Filing date: 2009-09-17
Publication date: 2011-03-23
Also published as: KR101609830B1

Abstract

PURPOSE: A transflective liquid crystal display device is provided to minimize the movement of the end portions of a color spacer contacting an array substrate during a touch operation and enable restoration of the end portions after removing external force in order to prevent light leakage resulting from the movement. CONSTITUTION: Plural gate wires(111) are extended in a first direction on an array substrate. The array substrate contains plural data wires(131) which define plural pixel region(P) and are extended in a second direction. A gate electrode is formed on the cross section of the gate and data wires. A semiconductor layer is made of an ohmic contact layer of amorphous silicon and is distanced from an active layer of a pure amorphous silicon. A thin film transistor includes source and drain electrodes which are distanced from each other.

Description

반사투과형 액정표시장치{Transflective type liquid crystal display device}Transflective type liquid crystal display device

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 터치시 컬럼 스페이서 주변의 빛샘 현상을 최소화 할 수 있는 반사투과형 액정표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a reflective transparent liquid crystal display device which can minimize light leakage around a column spacer when touched.

일반적으로 액정표시장치는 전압인가에 따라 배열을 달리하는 액정분자의 특성을 이용한 표시장치로서, 음극선관에 비하여 낮은 전력으로 구동이 가능하며, 소형화, 박형화에 더욱 유리한 장점을 지니므로 컴퓨터의 모니터와 텔레비전 등의 평판표시장치로서 각광을 받고 있으며, 나아가 경량 박형의 특성에 의해 휴대성이 용이하므로 노트북 또는 개인 휴대 단말기 등의 표시소자로서 이용되고 있다.In general, a liquid crystal display device is a display device using characteristics of liquid crystal molecules that differ in arrangement depending on voltage application. The liquid crystal display device can be driven at a lower power than a cathode ray tube, and is advantageous in miniaturization and thinning. BACKGROUND ART There is a spotlight as a flat panel display device such as a television, and since it is easy to carry due to its lightweight and thin characteristics, it is used as a display element of a notebook or a personal portable terminal.

이러한 액정표시장치는 전극이 각각 형성되어 있는 두 기판을 상기 두 전극이 서로 마주 대하도록 배치하고, 상기 두 기판 사이에 액정을 개재하여 상기 두 전극에 인가되는 전압차에 의해 생성되는 전기장에 의해 액정분자의 움직임을 조절 함으로써 이에 따라 달라지는 빛의 투과율을 조절하여 화상을 표현하는 장치이다. In the liquid crystal display, two substrates on which electrodes are formed are disposed so that the two electrodes face each other, and a liquid crystal is generated by an electric field generated by a voltage difference applied to the two electrodes through a liquid crystal between the two substrates. By controlling the movement of molecules, it is a device that expresses an image by controlling the transmittance of light that varies accordingly.

한편 액정표시장치는 일반적으로 스스로 빛을 발하지 못하는 수동형 소자이므로 별도의 광원이 필요하다. 따라서, 상기 두 기판과 액정층으로 구성된 액정 패널(panel) 이외에 이의 배면에 빛을 공급하는 백라이트(backlight)를 배치하고 상기 백라이트로부터 나오는 빛을 상기 액정 패널에 입사시켜, 액정의 배열에 따라 빛의 양을 조절함으로써 화상을 표시한다. On the other hand, the liquid crystal display is a passive device that generally does not emit light by itself, so a separate light source is required. Therefore, in addition to the liquid crystal panel (panel) consisting of the two substrates and the liquid crystal layer (backlight) for providing a light (light) to the rear side (light) and the light emitted from the backlight is incident on the liquid crystal panel, according to the arrangement of the liquid crystal The image is displayed by adjusting the amount.

이러한 액정표시장치를 투과형(transmission type) 액정표시장치라고 하는데, 투과형 액정표시장치는 백라이트와 같은 인위적인 광원을 사용하므로 어두운 외부 환경에서도 밝은 화상을 구현할 수 있으나, 백라이트로의 전력 공급이 이루어져야 하므로 휴대용 장치의 표시소자로 이용되는 경우 상대적으로 큰 전력소비(power consumption)가 단점이 되고 있다. Such a liquid crystal display device is called a transmission type liquid crystal display device. Since the liquid crystal display device uses an artificial light source such as a backlight, a bright image can be realized even in a dark external environment, but a portable device is required because power must be supplied to the backlight. When used as a display device of the relatively large power consumption (power consumption) has become a disadvantage.

따라서, 이와 같은 단점을 보완하기 위해 백라이트의 사용없이 외부광원을 이용하는 반사형(reflection type) 액정표시장치가 제안되었다. Accordingly, a reflection type liquid crystal display device using an external light source without using a backlight has been proposed to compensate for such a disadvantage.

이 반사형 액정표시장치는 외부의 자연광이나 인조광을 이용하여 동작하므로, 백라이트가 소모하는 전력량을 대폭 감소시키기 때문에 전력소비가 상기 투과형 대비 상대적으로 적어 장시간 휴대상태에서 사용이 가능하여 PDA(Personal Digital Assistant)등의 휴대용 장치의 표시소자로 주로 이용되고 있다. Since the reflective liquid crystal display device operates by using external natural light or artificial light, it significantly reduces the amount of power consumed by the backlight, so the power consumption is relatively small compared to the transmissive type, and thus it can be used in a portable state for a long time. It is mainly used as a display element of a portable device such as an assistant.

하지만, 이러한 반사형 액정표시장치는 광원을 따로 구비하지 않으므로 소비전력이 낮은 장점이 있으나, 외부광이 약하거나 없는 곳에서는 사용할 수 없는 단점이 있다. However, such a reflective liquid crystal display device has an advantage of low power consumption because it does not have a separate light source, but can not be used in a place where the external light is weak or absent.

따라서, 최근에는 반사형 액정표시장치와 투과형 액정표시장치의 장점만을 수용한 반사투과형(Transflective type) 액정표시장치가 제안되었다. Therefore, recently, a reflective type liquid crystal display device having only the advantages of the reflective liquid crystal display device and the transmissive liquid crystal display device has been proposed.

도 1은 종래의 반사투과형 액정표시장치의 하나의 화소영역 내의 반사영역 일부를 도시한 평면도이며, 도 2는 종래의 반사투과형 액정표시장치의 컬럼 스페이서가 형성된 부분에 대한 간략한 단면도로서 어레이 기판에 있어서는 그 표면에 요철구조를 갖는 보호층과 그 상부에 위치하는 반사판만을 간략히 도시하였다. FIG. 1 is a plan view showing a portion of a reflection area in one pixel area of a conventional transflective liquid crystal display, and FIG. 2 is a brief cross-sectional view of a portion in which a column spacer is formed in a conventional transflective liquid crystal display. Only a protective layer having a concave-convex structure on the surface thereof and a reflecting plate located thereon are briefly shown.

종래의 반사투과형 액정표시장치(5)를 살펴보면, 우선 어레이 기판에 있어서는 제 1 방향으로 연장하며 다수의 게이트 배선(11)이 형성되어 있고, 상기 다수의 게이트 배선(11)과 교차하여 다수의 화소영역(P)을 정의하며 다수의 데이터 배선(31)이 형성되어 있다. 이때 각 화소영역(P)은 외부로부터 들어온 빛을 반사시키는 역할을 하는 반사판(52)이 형성된 반사부(RA)와, 반사판(52)이 형성되지 않은 투과부(TA)로 나뉘어지고 있으며, 도면에 있어서는 상기 투과부(TA)가 상기 화소영역(P) 내부의 상측에 상기 반사부(RA)가 하측에 위치하고 있다. Referring to the conventional reflection-transmissive liquid crystal display device 5, first, in the array substrate, a plurality of gate lines 11 are formed extending in the first direction and intersect the plurality of gate lines 11. The area P is defined and a plurality of data lines 31 are formed. In this case, each pixel area P is divided into a reflector RA having a reflector 52 that serves to reflect light from the outside, and a transmissive part TA where the reflector 52 is not formed. In the transmissive part TA, the reflective part RA is positioned above the inside of the pixel area P.

또한, 각 화소영역(P) 내의 반사부(RA)에는 상기 게이트 배선(11)과 연결된 게이트 전극(15)과 게이트 절연막(미도시)과 반도체층(20)과 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(32, 34)으로 구성된 박막트랜지스터(Tr)가 형성되어 있다.In addition, the reflection part RA in each pixel area P may include a source electrode and a drain electrode spaced apart from the gate electrode 15, the gate insulating layer (not shown), and the semiconductor layer 20 connected to the gate line 11. Thin film transistors Tr composed of 32 and 34 are formed.

또한, 상기 각 화소영역(P)에는 상기 박막트랜지스터(Tr)의 상기 드레인 전극(34)과 드레인 콘택홀(40)을 통해 연결되며 투명 도전성 물질로 이루어진 화소전극(42)이 형성되어 있다. In addition, each pixel region P includes a pixel electrode 42 connected to the drain electrode 34 and the drain contact hole 40 of the thin film transistor Tr and made of a transparent conductive material.

상기 화소전극(42)을 덮으며 상기 반사부(RA)에 대응해서는 그 표면이 요철 구조를 가지며 투과부(TA)에 대응해서는 평탄한 표면을 갖는 보호층(48)이 형성되어 있다. 이때 상기 보호층(48)은 상기 화소전극(42)을 노출시키는 화소 콘택홀(50)이 구비되고 있으며, 상기 화소 콘택홀(50)을 통해 상기 화소전극(42)과 접촉하며 상기 반사부(RA)에 대응하여 그 하부에 위치한 상기 보호층(48)의 표면 형태를 그대로 반영하여 그 표면이 요철구조를 갖는 반사판(52)이 형성되고 있다.A protective layer 48 is formed to cover the pixel electrode 42 and have a concave-convex structure corresponding to the reflecting portion RA, and a flat surface corresponding to the transmissive portion TA. In this case, the passivation layer 48 is provided with a pixel contact hole 50 exposing the pixel electrode 42. The protective layer 48 is in contact with the pixel electrode 42 through the pixel contact hole 50 and the reflector ( In response to RA), the reflecting plate 52 having a concave-convex structure on the surface thereof is formed by reflecting the surface shape of the protective layer 48 positioned below.

이러한 구성을 갖는 어레이 기판에 대응하여 이와 마주하며 위치하는 컬러필터 기판(65)의 구성을 살펴보면, 각 화소영역(P)의 경계 즉, 상기 게이트 및 데이터 배선(11, 30)에 대응해서는 블랙매트릭스(미도시)가 형성되고 있으며, 상기 화소영역(P)에 대응하여 순차 반복되는 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴(적, 미도시, 미도시)을 포함하는 컬러필터층(69)이 형성되고 있으며, 상기 반사부(RA)에 대응하여 액정층(90)의 두께 조절을 위해 오버코트층(73)이 형성되고 있으며, 상기 오버코트층(73)과 컬러필터층(69)을 덮으며 전면에 공통전극(76)이 형성되어 있다. 또한, 상기 반사부(RA)에 상기 공통전극 하부로 어레이 기판(미도시)과 컬러필터 기판(65) 간의 일정한 이격간격을 유지시키기 위한 컬럼 스페이서(80)가 형성되고 있다. 이때, 상기 컬럼 스페이서(80)의 끝단은 상기 어레이 기판(미도시)의 최상층에 구비된 구성요소 도면에 있어서는 반사판(52)과 접촉하고 있는 것이 특징이다. Looking at the configuration of the color filter substrate 65 facing and corresponding to the array substrate having such a configuration, the black matrix corresponding to the boundary of each pixel region P, that is, the gate and data wirings 11 and 30, will be described. (Not shown), and a color filter layer 69 including red, green, and blue color filter patterns (red, not shown, and not shown) which are sequentially repeated corresponding to the pixel region P is formed. The overcoat layer 73 is formed to control the thickness of the liquid crystal layer 90 in response to the reflector RA. The overcoat layer 73 and the color filter layer 69 are covered with a common electrode on the front surface. 76) is formed. In addition, a column spacer 80 is formed in the reflector RA to maintain a constant distance between the array substrate (not shown) and the color filter substrate 65 under the common electrode. At this time, the end of the column spacer 80 is in contact with the reflecting plate 52 in the component diagram provided on the top layer of the array substrate (not shown).

또한, 이러한 구성을 갖는 어레이 기판(미도시)과 컬러필터 기판(65) 사이에는 액정층(90)이 개재되어 있다. In addition, a liquid crystal layer 90 is interposed between the array substrate (not shown) and the color filter substrate 65 having such a configuration.

하지만, 전술한 구성을 갖는 종래의 반사투과형 액정표시장치(5)는 최근에 터치 스크린 기능이 구비되어 터치 패널로 사용되고 있는 실정이다. 이렇게 터치 시 이에 반응하여 구동하게 되는 터치패널로 반사투과형 액정표시장치가 이용되는 경우, 화상을 표시하는 표시영역은 사용자에 의해 터치 구동을 실시하기 위해 많은 접촉이 이루어지게 되며, 사용자의 손가락 등에 의해 표면에 터치가 발생 시 외부로부터 소정의 압력이 가해지게 되는데, 이 경우 상기 컬럼 스페이서가(80) 요철 구조를 갖는 반사판(52)의 표면에서 유동하게 됨으로써 빛샘이 발생하고 있다.However, the conventional reflective transmissive liquid crystal display device 5 having the above-described configuration has recently been used as a touch panel because it has a touch screen function. When the reflective transmissive liquid crystal display device is used as the touch panel which is driven in response to the touch, the display area for displaying an image is touched by the user to perform touch driving. When a touch is generated on the surface, a predetermined pressure is applied from the outside. In this case, light leakage is generated by the column spacer 80 flowing on the surface of the reflector 52 having the uneven structure.

특히, 상기 컬럼 스페이서(80)의 끝단이 상기 반사판(52)의 요철의 요(凹)부에 위치하게 되는 경우, 상기 요(凹)부에 의해 지지됨으로써 어느 정도 외부 압력에 의한 유동이 방지될 수 있다. 하지만, 상기 컬럼 스페이서(80)가 철(凸)부에 위치하게 되는 경우, 외부 압력에 의해 밀림이 발생하고, 이 경우 상기 컬럼 스페이서(80)가 제자리로 돌아오는 시간이 길어짐에 따라 액정층(90)의 두께가 변화되고 이로인해 액정층(90) 내의 액정분자의 미세한 흐름이 발생하여 배열 상태가 변함으로써 빛샘이 발생되고 있는 실정이다. In particular, when the end of the column spacer 80 is located in the recessed portion of the uneven portion of the reflecting plate 52, the support by the recessed portion may prevent flow due to external pressure to some extent. Can be. However, when the column spacer 80 is located in the iron portion, the rolling occurs due to an external pressure, and in this case, as the time for returning the column spacer 80 to its place increases, the liquid crystal layer ( The thickness of the substrate 90 is changed, which causes a fine flow of liquid crystal molecules in the liquid crystal layer 90, and thus, light leakage is generated by changing the arrangement state.

상기 컬럼 스페이서(80)가 반사판(52) 표면의 요철에 대응하여 요(凹)부에 위치하도록 설계되고 있지만, 상기 요철은 불규칙한 배열 상태를 가지며, 상기 어레이 기판(미도시)과 컬러필터 기판(65)의 합착 오차 등으로 인해 컬럼 스페이서(80)의 끝단이 반사판(52) 표면의 철(凸)부에 대응하여 배치됨으로써 전술한 바와 같은 터치 시 빛샘이 발생하는 문제를 야기시키고 있다. Although the column spacer 80 is designed to be positioned in the uneven portion corresponding to the unevenness of the surface of the reflecting plate 52, the unevenness has an irregular arrangement, and the array substrate (not shown) and the color filter substrate ( The end of the column spacer 80 is disposed corresponding to the convex portion of the surface of the reflecting plate 52 due to the bonding error of 65), thereby causing a problem in that light leakage occurs during the touch as described above.

본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 터치 시 어레이 기판과 접촉하는 컬럼 스페이서의 끝단의 유동을 최소화하고, 외력이 제거된 후에는 바로 복원될 수 있는 구성을 이루도록 하여 컬럼 스페이서의 유동에 기인한 빛샘 현상을 억제할 수 있는 반사투과형 액정표시장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다. The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, to minimize the flow of the end of the column spacer in contact with the array substrate when touching, and to achieve a configuration that can be restored immediately after the external force is removed An object of the present invention is to provide a reflection type liquid crystal display device capable of suppressing light leakage caused by the flow of.

본 발명의 실시예에 따른 반사투과형 액정표시장치는, 제 1 기판 상에 서로 교차하여 그 내부에 반사부와 투과부를 갖는 다수의 화소영역을 정의하며 형성된 게이트 배선 및 데이터 배선과; 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되며 형성된 박막트랜지스터와; 상기 데이터 배선 및 상기 박막트랜지스터를 덮으며 형성된 제 1 보호층과; 상기 제 1 보호층 위로 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결되며 상기 다수의 화소영역에 형성된 화소전극과; 상기 화소전극 위로 상기 화소영역을 노출시키는 화소콘택홀을 구비하며 형성된 제 2 보호층과; 상기 제 2 보호층 상부로 상기 반사부에 대응하여 상기 화소콘택홀을 통해 상기 화소전극과 접촉하며 형성되며, 그 표면이 평탄한 구조를 갖는 제 1 영역과 그 표면이 요철구조를 갖는 제 2 영역으로 구성된 반사판과; 상기 제 1 기판과 마주하는 제 2 기판의 내측면에 형성된 컬러필터층과; 상기 컬러필터 패턴 하부로 상기 반사부에 대응하여 형성된 오버코트층과; 상기 오버코트층을 덮으며 상기 제 1 기판 전면에 형성된 공통전극과; 상기 공통전극 하부로 상기 반사부에 대응하여 기둥 형태로 형성되며 상기 어 레이 기판에 구비된 상기 반사판의 상기 제 1 영역과 그 끝단이 접촉하는 컬럼 스페이서와; 상기 반사판 공통전극 사이에 개재된 액정층을 포함한다. According to an exemplary embodiment of the present invention, a transflective liquid crystal display device includes: a gate wiring and a data wiring formed on a first substrate to define a plurality of pixel regions having a reflection portion and a transmission portion therebetween; A thin film transistor connected to the gate line and the data line; A first passivation layer covering the data line and the thin film transistor; A pixel electrode connected to the drain electrode of the thin film transistor on the first passivation layer and formed in the plurality of pixel areas; A second protective layer having a pixel contact hole exposing the pixel area over the pixel electrode; A first region having a flat structure and a second region having a concave-convex structure, the upper surface of the second protective layer being formed in contact with the pixel electrode through the pixel contact hole corresponding to the reflecting portion; A reflector configured; A color filter layer formed on an inner surface of a second substrate facing the first substrate; An overcoat layer formed below the color filter pattern to correspond to the reflector; A common electrode formed over the first substrate and covering the overcoat layer; A column spacer formed below the common electrode in a column shape corresponding to the reflector and having an end thereof in contact with the first region of the reflector provided on the array substrate; It includes a liquid crystal layer interposed between the reflective plate common electrode.

이때, 제 2 보호층은 유기절연물질로 이루어지며, 상기 반사부의 제 2 영역에 대응해서는 그 표면에 올록볼록한 요철구조를 가지며, 상기 반사부의 제 1 영역 및 상기 투과부에 대응해서는 그 표면이 평탄한 구조를 갖는 것이 특징이다. In this case, the second protective layer is made of an organic insulating material, and has a convex-convex structure on the surface thereof corresponding to the second region of the reflecting portion, and has a flat surface corresponding to the first region and the transmitting portion of the reflecting portion. It is characterized by having.

또한, 상기 화소전극과 상기 제 2 보호층 사이에는 무기절연물질로 이루어진 제 3 보호층이 형성될 수 있으며, 상기 제 2 보호층과 상기 반사판 사이에는 상기 제 2 보호층의 표면상태를 그대로 반영하며 무기절연물질로 이루어진 제 4 보호층이 형성될 수 있다. In addition, a third passivation layer made of an inorganic insulating material may be formed between the pixel electrode and the second passivation layer, and the surface state of the second passivation layer is reflected between the second passivation layer and the reflector. A fourth protective layer made of an inorganic insulating material may be formed.

또한, 상기 컬럼 스페이서의 끝단의 직경 또는 폭은 8㎛ 내지 12㎛이며, 상기 제 1 영역은 상기 제 1 및 제 2 기판과의 합착 마진을 고려하여 상기 컬럼 스페이서 끝단의 직경 또는 폭보다 6㎛ 내지 10㎛ 더 큰 14㎛ 내지 22㎛ 인 것이 특징이다. In addition, the diameter or width of the end of the column spacer is 8㎛ to 12㎛, the first region is 6㎛ to the diameter or width of the end of the column spacer in consideration of the bonding margin with the first and second substrate It is characterized by being 10 µm larger than 14 µm to 22 µm.

또한, 상기 컬러필터층은 상기 각 화소영역 별로 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴이 순차 반복하는 형태를 이루는 것이 특징이며, 상기 각 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴은 상기 반사부에 대응하여 상기 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴이 제거된 투과홀이 구비된 것이 특징이다. The color filter layer may be configured such that the red, green, and blue color filter patterns are sequentially repeated for each pixel area, and the red, green, and blue color filter patterns correspond to the red, green, and blue color filter patterns. It is characterized by having a transmission hole in which the green and blue color filter patterns have been removed.

또한, 상기 오버코트층은 그 두께가 상기 투과부에 대응하는 액정층의 두께의 1/2인 것이 바람직하다. In addition, the thickness of the overcoat layer is preferably 1/2 of the thickness of the liquid crystal layer corresponding to the transmission portion.

또한, 상기 화소전극은 상기 화소영역을 정의하는 게이트 배선 중 그 상측에 위치한 전단의 게이트 배선과 중첩 형성됨으로써 상기 중첩된 화소전극과 게이트 배선이 스토리지 커패시터를 형성하는 것이 특징이다. In addition, the pixel electrode is overlapped with the gate wiring of the front end of the gate wiring defining the pixel region, so that the overlapped pixel electrode and the gate wiring form a storage capacitor.

또한, 상기 제 1 및 제 2 기판 사이에 그 테두리를 따라 씰패턴이 형성되며, 상기 제 2 기판의 내측면에 상기 게이트 및 데이터 배선에 대응하여 블랙매트릭스가 형성된 것이 특징이다. In addition, a seal pattern is formed between the first and second substrates along an edge thereof, and a black matrix is formed on an inner side surface of the second substrate in correspondence with the gate and data wirings.

본 발명은 반사부 내에 컬럼스페이서이 끝단이 위치하는 부분에 대응해서는 요철이 구성되지 않고 그 표면이 평탄한 상태를 갖는 반사판을 구비함으로써 터치 시 어레이 기판과 접촉하는 컬럼 스페이서의 끝단의 유동을 최소화하는 동시에, 외력이 제거된 후에는 바로 복원되도록 함으로써 컬럼 스페이서의 유동에 기인한 빛샘 현상을 억제시키는 효과가 있다. According to the present invention, a reflection plate having a state where the surface of the column spacer is located in the reflecting portion is not formed and the surface thereof is flat, thereby minimizing the flow of the end of the column spacer in contact with the array substrate during touch. After the external force is removed, there is an effect of suppressing the light leakage caused by the flow of the column spacer by immediately restoring.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치에 대하여 상세히 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail with respect to the reflective liquid crystal display device according to the present invention.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반사투과형 액정표시장치의 평면도로서 액정표시장치를 이루는 어레이 기판과 컬러필터 기판의 중요 구성요소를 동시에 도시한 도면이며, 도 4는 도 3을 절단선 Ⅳ-Ⅳ를 따라 절단한 부분에 대한 단면도이다. 설명의 편의를 위해 다수의 화소영역을 포함하여 화상을 표시하는 영역을 비표시영 역, 각 화소영역 내에 반사판이 구비된 영역을 반사부, 반사판이 형성되지 않은 영역을 투과부라 정의한다. FIG. 3 is a plan view of a transflective liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention, which simultaneously shows important components of an array substrate and a color filter substrate constituting the liquid crystal display device, and FIG. It is sectional drawing about the part cut along IV. For convenience of description, an area including an image display area including a plurality of pixel areas is defined as a non-display area, an area including a reflection plate in each pixel area as a reflection part, and an area without a reflection plate as a transmission part.

도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 반사투과형 액정표시장치(105)에 있어서, 어레이 기판(107)에는 제 1 방향으로 다수의 게이트 배선(111)이 연장 형성되어 있으며, 이러한 다수의 게이트 배선(111)과 교차하여 다수의 화소영역(P)을 정의하며 제 2 방향으로 연장하며 다수의 데이터 배선(131)이 형성되어 있다.As shown, in the reflective transmissive liquid crystal display device 105 according to the exemplary embodiment of the present invention, a plurality of gate wires 111 are formed in the array substrate 107 in a first direction. A plurality of pixel regions P are defined to cross the wiring 111 and extend in a second direction, and a plurality of data wirings 131 are formed.

또한, 상기 다수의 게이트(111) 및 데이터 배선(131)의 교차지점에는 게이트 전극(115)과, 게이트 절연막(118)과, 순수 비정질 실리콘의 액티브층(130a)과 서로 이격하는 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층(130b)으로 이루어진 반도체층(120)과, 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(132, 134)을 포함하는 박막트랜지스터(Tr)가 형성되어 있다. 또한, 상기 박막트랜지스터(Tr)를 덮으며 상기 어레이 기판(107) 전면에 무기절연물질로 이루어진 제 1 보호층(138)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제 1 보호층(138)에는 상기 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(134)을 노출시키는 드레인 콘택홀(140)이 구비되고 있다.In addition, the gate electrode 115, the gate insulating layer 118, and the active layer 130a of pure amorphous silicon are separated from each other at the intersections of the plurality of gates 111 and the data lines 131. The thin film transistor Tr including the semiconductor layer 120 including the ohmic contact layer 130b and the source and drain electrodes 132 and 134 spaced apart from each other are formed. In addition, a first protective layer 138 made of an inorganic insulating material is formed on the entire surface of the array substrate 107 to cover the thin film transistor Tr. In this case, the first protective layer 138 is provided with a drain contact hole 140 exposing the drain electrode 134 of the thin film transistor Tr.

또한, 각 화소영역(P)에는 상기 제 1 보호층(138) 위로 상기 박막트랜지스터(Tr)와 드레인 콘택홀(140)을 통해 연결되며 상기 투명도전성 물질로 이루어진 화소전극(142)이 형성되어 있다. 이때, 상기 화소전극(142)은 전단의 게이트 배선(111)과 중첩 형성되고 있으며, 서로 중첩된 상기 게이트 배선(111)과 화소전극(142)은 스토리지 커패시터(StgC)를 이루고 있다.In addition, a pixel electrode 142 formed of the transparent conductive material is formed in each pixel area P through the thin film transistor Tr and the drain contact hole 140 on the first passivation layer 138. . In this case, the pixel electrode 142 is overlapped with the gate wiring 111 at the front end, and the gate wiring 111 and the pixel electrode 142 overlapping each other form a storage capacitor StgC.

한편, 상기 화소전극(142) 위로 표시영역 전면에 유기절연물질로 이루어지 며, 상기 화소전극(142)을 노출시키는 화소 콘택홀(150)을 구비하며, 반사부(RA)에 있어서는 그 표면이 엠보 처리됨으로써 랜덤한 형태로 올록볼록한 요철이 형성되고 있으며, 투과부(TA) 전면에 있어서는 평탄한 표면을 갖는 제 2 보호층(148)이 형성되고 있다. 이러한 구성을 갖는 제 2 보호층(148)에 있어서 가장 특징적인 것으로 상기 요철구조를 갖는 표면의 일부 즉, 컬러필터 기판(165)에 형성된 컬럼 스페이서(180)의 끝단과 대응하는 부분에 대해서는 상기 요철이 제거되어 상기 투과부(TA)에서와 같이 평탄한 표면을 갖도록 형성되고 있는 것이 특징이다. 이후, 설명의 편의를 위해 상기 제 2 보호층(148)에 있어 반사부(RA) 내에서 평탄한 표면을 갖는 부분을 제 1 영역(A1)이라 칭한다.On the other hand, the pixel electrode 142 is formed of an organic insulating material over the entire display area, and includes a pixel contact hole 150 exposing the pixel electrode 142. In the reflective part RA, a surface thereof is formed. By embossing, convex and convex irregularities are formed in a random form, and a second protective layer 148 having a flat surface is formed on the entire surface of the transmission part TA. In the second protective layer 148 having such a configuration, the most characteristic is that part of the surface having the concave-convex structure, that is, the portion corresponding to the end of the column spacer 180 formed on the color filter substrate 165 is the concave-convex. It is characterized in that it is removed and formed to have a flat surface as in the transmission portion TA. Hereinafter, for convenience of description, a portion of the second protective layer 148 having a flat surface in the reflecting portion RA is called a first region A1.

또한, 각 화소영역(P)의 반사부(RA) 중 제 1 영역(A1) 이외의 영역에 대해서는 그 하부에 형성된 상기 제 2 보호층(148)의 표면 상태를 그대로 반영하여 그 표면이 올록볼록한 요철구조를 갖는 가지며, 상기 제 1 영역(A1)에 대응해서는 평탄한 표면을 가지며 불투명하며 반사효율이 뛰어난 금속물질 예를들면 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(AlNd)으로써 반사판(152)이 형성되어 있다. 이때, 상기 반사판(152)은 상기 화소 콘택홀(150)을 통해 상기 화소전극(142)과 접촉하며 형성되고 있다.In addition, in the regions other than the first region A1 of the reflecting portion RA of each pixel region P, the surface state of the second protective layer 148 formed below is reflected as it is and the surface is convex. The reflector plate 152 is formed of a metal material having an uneven structure and having a flat surface corresponding to the first region A1 and having an opaque and excellent reflection efficiency, for example, aluminum (Al) or aluminum alloy (AlNd). . In this case, the reflective plate 152 is formed in contact with the pixel electrode 142 through the pixel contact hole 150.

따라서, 상기 반사부(RA) 내에서 상기 제 1 영역(A1)은 컬러필터 기판(165)에 형성된 컬럼 스페이서(180)의 끝단 면적보다 큰 면적을 가지며, 상기 어레이 기판(107)과 컬러필터 기판(165)의 합착 마진을 고려하여 합착 오차가 발생한다 하더라도 항상 상기 컬럼 스페이서(180)의 끝단이 상기 제 1 영역(A1)에 위치하도록 충 분히 큰 면적을 갖는 것이 특징이다. 컬러필터 기판(165)과 어레이 기판(107)의 합착 오차는 통상 3㎛ 내지 5㎛이며, 기둥 형태를 갖는 컬럼 스페이서(180)의 끝단의 폭 또는 직경은 8㎛ 내지 12㎛ 정도가 되므로 상기 제 1 영역(A1)의 폭 내지 직경은 14㎛ 내지 22㎛인 것이 바람직하다. 이때 상기 제 1 영역(A1)은 상기 컬럼 스페이서(180)가 사각기둥 형태인 경우는 사각형 형태가 되며, 상기 컬럼 스페이서(180)가 원기둥 형태인 경우 원 형태를 이루는 것이 특징이다. Therefore, the first area A1 has an area larger than the end area of the column spacer 180 formed on the color filter substrate 165 in the reflecting part RA, and the array substrate 107 and the color filter substrate Even when a bonding error occurs in consideration of the bonding margin of 165, the column spacer 180 has a large enough area so that the end of the column spacer 180 is always positioned in the first region A1. The bonding error of the color filter substrate 165 and the array substrate 107 is usually 3 μm to 5 μm, and the width or diameter of the end of the column spacer 180 having a columnar shape is about 8 μm to 12 μm. It is preferable that the width-diameter of one area | region A1 is 14 micrometers-22 micrometers. In this case, the first region A1 may have a quadrangular shape when the column spacer 180 is in a quadrangular shape, and may have a circular shape when the column spacer 180 is in a cylindrical shape.

한편, 이러한 구조를 갖는 어레이 기판(107)과 마주하여 위치하는 컬러필터 기판(165)의 경우, 상기 어레이 기판(107)의 게이트 배선(111) 및 데이터 배선(131)에 대응하여 블랙매트릭스(167)가 형성되어 있으며, 상기 블랙매트릭스(167) 사이로 노출되며 상기 어레이 기판(107)의 각 화소영역(P)에 대응되는 개구에 대해서는 순차 반복하며 적, 녹 ,청색 컬러필터 패턴(적, 미도시, 청)으로 구성된 컬러필터층(169)이 형성되고 있다. 이때, 상기 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴(적, 미도시, 청)에는 상기 각 반사부(RA)에 대응하여 투과홀(172)이 형성되고 있다. 상기 투과홀(172)은 상기 각 컬러필터 패턴(적, 미도시, 청)이 제거됨으로써 컬러필터 기판(165)의 베이스 기판을 노출시키는 부분을 지칭하며, 상기 투과홀(172)은 평면적으로 원, 타원 또는 다각형 등 다양한 형태로 구현될 수 있다. Meanwhile, in the case of the color filter substrate 165 positioned to face the array substrate 107 having such a structure, the black matrix 167 corresponds to the gate wiring 111 and the data wiring 131 of the array substrate 107. ) Is formed, and is exposed between the black matrix 167 and repeated for the openings corresponding to the pixel areas P of the array substrate 107 in sequence and red, green, and blue color filter patterns (red, not shown). , A color filter layer 169 composed of blue) is formed. In this case, the red, green, and blue color filter patterns (red, not shown, and blue) are formed with a transmission hole 172 corresponding to each of the reflection parts RA. The transmission hole 172 refers to a portion exposing the base substrate of the color filter substrate 165 by removing the color filter patterns (red, not shown, blue), and the transmission hole 172 is a circular plane. It may be implemented in various forms such as ellipses or polygons.

그리고, 상기 투과홀(172)을 포함하는 컬러필터층(169)을 덮으며 상기 반사부(RA)에 대응하여 오버코트층(174)이 형성되어 있다. 이렇게 반사부(RA)에 대응해서만 형성되고 있는 오버코트층(174)은 액정층(190)의 두께 조절을 하기 위함이다. 즉, 상기 오버코트층(174)은 투과부(TA) 및 반사부(RA)에 대해 액정층(190)의 두 께(d1, d2)가 달리 하도록 하여 더욱 정확히는 반사부(RA)의 액정층(190)의 두께가 투과부(TA)의 액정층(190)의 두께대비 1/2정도의 두께를 갖도록 하여 반사부(RA)와 투과부(TA)에서의 광투과율의 균형을 맞추기 위함이다. 따라서, 상기 오버코츠층(174)은 상기 액정층(190) 두께의 1/2 정도의 두께를 갖도록 형성되고 있는 것이 특징이다. The overcoat layer 174 is formed to cover the color filter layer 169 including the transmission hole 172 and correspond to the reflector RA. Thus, the overcoat layer 174 formed only in response to the reflection part RA is for controlling the thickness of the liquid crystal layer 190. That is, the overcoat layer 174 may have different thicknesses d1 and d2 of the liquid crystal layer 190 with respect to the transmissive portion TA and the reflective portion RA, and more precisely, the liquid crystal layer 190 of the reflective portion RA. ) Is about half the thickness of the liquid crystal layer 190 of the transmissive part TA to balance the light transmittance of the reflecting part RA and the transmissive part TA. Therefore, the overcoat layer 174 is formed to have a thickness of about 1/2 of the thickness of the liquid crystal layer 190.

다음, 상기 오버코트층(174)과 이의 외측으로 노출된 컬러필터층(169)을 덮으며 투명 도전성 물질로 이루어진 공통전극(176)이 표시영역 전면에 형성되고 있으며, 상기 공통전극(176)과 접촉하며 동시에 그 끝단이 어레이 기판(107) 상의 최상층 구성요소인 반사판(152) 표면과 접촉하며 컬럼 스페이서(180)가 형성되어 있다. Next, a common electrode 176 formed of a transparent conductive material covering the overcoat layer 174 and the color filter layer 169 exposed to the outside thereof is formed on the entire display area, and contacts the common electrode 176. At the same time, the ends thereof are in contact with the surface of the reflector plate 152, which is the uppermost component on the array substrate 107, and the column spacer 180 is formed.

이때, 상기 컬럼 스페이서(180)는 반사부(RA)에 있어서 요철이 형성되지 않아 그 표면이 평탄한 형태를 이루는 제 1 영역(A1)에 대응하여 형성되고 있는 것이 특징이다. In this case, the column spacer 180 is formed to correspond to the first region A1 having no flat surface in the reflective part RA and having a flat surface.

종래의 반사투과형 액정표시장치(도 2의 5)의 경우, 컬럼 스페이서(도 2의 80)가 반사부(도 2의 RA)에 대응하여 형성되고 있지만, 반사부(도 2의 RA) 전면에 대해 반사판(도 2의 52)은 그 표면에 올록볼록한 요철이 랜덤하게 형성된 구성을 가짐으로써 컬럼 스페이서(도 2의 80)가 상기 요철 중 볼록한 철부 상에 위치하게 되는 경우도 발생된다. 이러한 경우, 사용자에 표시영역에 터치가 발생하게 되면, 철(凸)부와 철(凸)부 사이의 요(凹)부 측으로 밀림이 발생하고, 상기 컬럼 스페이선(180)는 상기 철부의 측면과 접촉한 상태를 이루게 되며, 컬럼 스페이서(도 2의 80)의 휨에 의해 발생한 탄성력과 철부와의 마찰력의 작용에 의해 상기 컬럼 스페이서(도 2의 80)가 본래 위치해야 하는 상기 철(凸)부 상부로 복원되는 시간이 매우 길어지거나 또는 아예 복원되지 않게 됨으로써 상기 컬럼 스페이서(도 2의 80) 주변 또는 전술한 문제가 발생한 화소영역(P)에 액정층(190)의 두께 차이가 발생하게 되어 빛샘이 발생하고 있다.In the conventional reflection-transmissive liquid crystal display device (5 in FIG. 2), the column spacer (80 in FIG. 2) is formed corresponding to the reflecting portion (RA in FIG. 2), but the front surface of the reflecting portion (RA in FIG. On the other hand, the reflecting plate (52 in FIG. 2) has a configuration in which convex and concave and convexities are randomly formed on the surface thereof, whereby the column spacer (80 in Fig. 2) is located on the convex convex portion among the convex and convexities. In this case, when a touch is generated in the display area, the user is pushed toward the yaw portion between the iron portion and the iron portion, and the column spacer 180 is a side surface of the iron portion. And the iron to which the column spacer (80 of FIG. 2) should be originally positioned due to the action of the elastic force generated by the bending of the column spacer (80 of FIG. 2) and the frictional force between the iron parts. Since the time for restoring to the upper part becomes very long or not restored at all, the thickness difference of the liquid crystal layer 190 is generated around the column spacer (80 in FIG. 2) or in the pixel area P having the aforementioned problem. Light leakage is occurring.

하지만, 본원 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치(105)는 반사부(RA)에 있어 상기 컬럼 스페이서(180)와 접촉하게 되는 제 1 영역(A1)에 대응해서는 평탄한 표면을 가지며 그 외의 영역에 대응해서 올록볼록한 요철 구조를 갖는 반사판(152)이 구비됨으로써 터시 시 가해지는 외부 압력에 의해 상기 컬럼 스페이서(180)가 철부 상부에서 밀려 나는 등의 문제를 방지할 수 있다. 따라서, 외부 압력이 제거되었을 경우 컬럼 스페이서(180)의 복원력에 의해 빠르게 복원될 수 있으므로 복원 속도가 느려짐으로써 액정층(190)의 두께차이에 의해 발생하는 빛샘을 억제할 수 있는 것이 특징이다. However, the reflective transmissive liquid crystal display device 105 according to the present invention has a flat surface corresponding to the first area A1 in contact with the column spacer 180 in the reflection part RA and corresponds to other areas. As a result, the reflection plate 152 having a convex and concave-convex structure is provided, thereby preventing a problem such that the column spacer 180 is pushed from the upper portion of the convex portion by an external pressure applied when it is pressed. Therefore, when the external pressure is removed, the light may be quickly restored by the restoring force of the column spacer 180. Therefore, the restoring speed is slowed down, thereby suppressing light leakage caused by the thickness difference of the liquid crystal layer 190.

한편, 이렇게 구성된 상기 어레이 기판(107)과 컬러필터 기판(165) 사이에는 액정층(190)이 형성되며, 상기 두 기판(107, 165)의 테두리를 따라 액정이 새는 것을 방지하며 두 기판(107, 165)이 패널상태를 유지시키기 위해 씰패턴(미도시)이 형성됨으로써 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치(105)가 완성되고 있다.Meanwhile, a liquid crystal layer 190 is formed between the array substrate 107 and the color filter substrate 165 configured as described above, and the liquid crystal layer 190 is prevented from leaking along the edges of the two substrates 107 and 165. A reflective pattern liquid crystal display device 105 according to the present invention is completed by forming a seal pattern (not shown) to maintain the panel state.

또한, 도면에는 나타나지 않았지만, 상기 유기절연물질로 이루어진 제 2 보호층(148)과 상기 화소전극(142) 사이 및 상기 제 2 보호층(148)과 상기 반사판(152) 사이에는 각각 무기절연물질로 이루어진 제 3 및 제 4 보호층(미도시)이 더욱 형성될 수도 있다. 이렇게 무기절연물질로 제 3 및 제 4 보호층(미도시)을 형성하는 것은 상기 화소전극(142)과 상기 제 2 보호층(148), 상기 반사판(152)과 제 2 보호층(148) 간의 접합력 향상을 위함이다. 금속물질(또는 투명도전성 물질)과 유기절연물질과의 접합력보다는 유기절연물질과 무기절연물질, 무기절연물질과 금속물질(또는 투명도전성 물질)간의 접합력이 우수하므로, 무기절연물질로 이루어진 상기 제 3 보호층(미도시)을 상기 화소전극(142)과 상기 제 2 보호층(148) 사이에 개재시키고, 동시에 상기 반사판(152)과 제 2 보호층(148) 사이에 상기 제 4 보호층(미도시)을 개재시킴으로써 상기 화소전극(142)과 상기 제 2 보호층(148)과의 접합력과, 상기 제 2 보호층(148)과 상기 반사판(152)간의 접합력을 향상시킬 수 있다. Although not shown in the drawings, an inorganic insulating material may be formed between the second protective layer 148 and the pixel electrode 142 made of the organic insulating material, and between the second protective layer 148 and the reflecting plate 152, respectively. The third and fourth passivation layers (not shown) may be further formed. The third and fourth passivation layers (not shown) formed of the inorganic insulating material may be formed between the pixel electrode 142, the second passivation layer 148, the reflective plate 152, and the second passivation layer 148. This is to improve the bonding strength. Since the bonding force between the organic insulating material and the inorganic insulating material, the inorganic insulating material and the metal material (or the transparent conductive material) is superior to the bonding force between the metal material (or the transparent conductive material) and the organic insulating material, the third material made of the inorganic insulating material A protective layer (not shown) is interposed between the pixel electrode 142 and the second protective layer 148, and at the same time, the fourth protective layer (not shown) is disposed between the reflective plate 152 and the second protective layer 148. Bonding between the pixel electrode 142 and the second protective layer 148 and the bonding force between the second protective layer 148 and the reflective plate 152 may be improved.

이후에는 전술한 구성을 갖는 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치의 제조 방법에 대해 설명한다. Hereinafter, a method of manufacturing a reflective transmissive liquid crystal display device according to the present invention having the above-described configuration will be described.

본 발명의 특징적인 구성은 어레이 기판에 있으므로 어레이 기판의 제조 방법 위주로 설명한다. Since the characteristic configuration of the present invention resides in the array substrate, the description will be mainly focused on the method of manufacturing the array substrate.

도 5a 내지 도 5f는 도 3을 절단선 Ⅳ-Ⅳ를 따라 절단한 부분에 대한 제조 단계별 공정 단면도로서, 반사판을 구비한 어레이 기판만을 도시한 것이다. 5A to 5F are cross-sectional views of manufacturing steps of a portion taken along the cutting line IV-IV of FIG. 3, showing only an array substrate having a reflector.

도 5a에 도시한 바와 같이, 투명한 기판(107) 상에 금속물질을 증착하여 제 1 금속층(미도시)을 형성하고, 포토레지스트의 도포, 노광 마스크를 이용한 노광, 현상, 식각 및 등 일련의 단위 공정을 포함하는 마스크 공정을 실시하여 패터닝함으로써 일방향으로 연장하는 게이트 배선(111)을 형성하고, 동시에 각 화소영역(P) 내의 반사부(RA)에 상기 게이트 배선(111)에서 분기한 게이트 전극(115)을 형성한다.As shown in FIG. 5A, a metal material is deposited on a transparent substrate 107 to form a first metal layer (not shown), and a series of units such as application of photoresist, exposure using an exposure mask, development, etching, and the like. Forming a gate line 111 extending in one direction by patterning and performing a mask process including a step; and at the same time, a gate electrode branched from the gate line 111 to the reflecting portion RA in each pixel region P; 115).

다음, 도 5b에 도시한 바와 같이, 상기 게이트 배선(111)과 게이트 전극(115) 위로 상기 기판(107) 위로 전면에 무기절연물질인 산화실리콘(SiO₂) 또는 질화실리콘(SiNx)을 증착하여 게이트 절연막(118)을 형성하고, 연속하여 상기 게이트 절연막(118) 위로 순수 비정질 실리콘과 불순물 비정질 실리콘 및 금속물질을 연속 증착하여 순수 비정질 실리콘층(미도시)과, 불순물 비정질 실리콘층(미도시)과 제 2 금속층(미도시)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 5B, silicon oxide (SiO ₂ ) or silicon nitride (SiNx), which is an inorganic insulating material, is deposited on the entire surface of the gate wiring 111 and the gate electrode 115 on the substrate 107. A gate insulating film 118 is formed, and successive deposition of pure amorphous silicon, impurity amorphous silicon, and a metal material on the gate insulating film 118 is performed to form a pure amorphous silicon layer (not shown) and an impurity amorphous silicon layer (not shown). And a second metal layer (not shown).

이후, 상기 제 2 금속층(미도시) 위로 제 1 두께를 갖는 제 1 포토레지스트 패턴(미도시)과, 상기 제 1 두께보다 작은 제 2 두께를 갖는 제 2 포토레지스트 패턴(미도시)을 형성하고, 이를 이용하여 그 하부에 위치한 상기 제 2 금속층(미도시)과 불순물 및 순수 비정질 실리콘층(미도시)을 순차적으로 패터닝함으로써 게이트 배선(111)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(미도시)을 형성하고, 동시에 상기 반사부(RA)에는 상기 게이트 전극(115)에 대응하여 상기 게이트 절연막(118) 위로 순수 비정질 실리콘의 액티브층(130a)과 불순물 비정질 실리콘패턴(미도시)과 소스 드레인 패턴(미도시)을 형성한다.Thereafter, a first photoresist pattern (not shown) having a first thickness and a second photoresist pattern (not shown) having a second thickness smaller than the first thickness are formed on the second metal layer (not shown). By using this pattern, the second metal layer (not shown) and the impurity and pure amorphous silicon layer (not shown) are sequentially patterned to intersect with the gate line 111 to define the pixel area P. (Not shown), and at the same time, the reflecting part RA includes an active layer 130a of pure amorphous silicon and an impurity amorphous silicon pattern (not shown) on the gate insulating layer 118 corresponding to the gate electrode 115. And a source drain pattern (not shown).

이후, 애싱(ashing)을 진행하여 상기 제 2 두께를 갖는 제 2 포토레지스트 패턴(미도시)을 제거하고, 상기 제 2 포토레지스트 패턴(미도시)이 제거됨으로써 노출된 상기 소스 드레인 패턴(미도시)과 그 하부의 불순물 비정질 실리콘 패턴(미 도시)을 패터닝함으로써 상기 액티브층(130a) 상부로 서로 이격하는 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층(130b)과, 상기 오믹콘택층(130b)과 각각 접촉하며 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(132, 134)을 형성한다. 이때 상기 소스 전극(132)은 상기 데이터 배선(미도시)과 연결되도록 형성한다. Thereafter, ashing is performed to remove the second photoresist pattern (not shown) having the second thickness, and the source drain pattern (not shown) is exposed by removing the second photoresist pattern (not shown). ) And an impurity amorphous silicon pattern (not shown) below it to contact the ohmic contact layer 130b of impurity amorphous silicon and the ohmic contact layer 130b which are spaced apart from each other above the active layer 130a. Source and drain electrodes 132 and 134 spaced apart from each other are formed. In this case, the source electrode 132 is formed to be connected to the data line (not shown).

한편, 상기 반사부(RA)에 순차적층 된 상기 게이트 전극(115)과, 게이트 절연막(118)과, 액티브층(130a)과 오믹콘택층(130b)으로 이루어진 반도체층(130)과 소스 및 드레인 전극(132, 134)은 박막트랜지스터(Tr)를 이룬다. Meanwhile, the semiconductor layer 130 including the gate electrode 115, the gate insulating layer 118, the active layer 130a, and the ohmic contact layer 130b sequentially stacked on the reflector RA, a source and a drain. The electrodes 132 and 134 form a thin film transistor Tr.

이후, 스트립(strip)을 진행하여 상기 제 1 포토레지스트 패턴(미도시)을 제거한다. Thereafter, a strip is performed to remove the first photoresist pattern (not shown).

다음, 도 5c에 도시한 바와 같이, 상기 박막트랜지스터(Tr) 위로 상기 기판(107) 전면에 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO₂) 또는 질화실리콘(SiNx)을 증착하여 제 1 보호층(138)을 형성하고, 이를 패터닝함으로써 상기 드레인 전극(134)을 노출시키는 드레인 콘택홀(140)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 5C, an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO ₂ ) or silicon nitride (SiNx) is deposited on the entire surface of the substrate 107 over the thin film transistor Tr to form a first protective layer ( A drain contact hole 140 exposing the drain electrode 134 is formed by forming the pattern 138 and patterning it.

다음, 도 5d에 도시한 바와같이, 상기 드레인 콘택홀(140)을 갖는 제 1 보호층(138) 위로 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 상기 기판(107) 전면에 증착하여 투명 도전성 물질층(미도시)을 형성하고, 이를 패터닝함으로써 상기 드레인 콘택홀(140)을 통해 상기 드레인 전극(134)과 접촉하며 각 화소영역(P) 별로 독립된 형태의 화소전극(142)을 각 화소영역(P) 내에 형성한다. 이 경우 상기 화소전극(142)은 그 일끝단이 전단의 게이트 배선(111)과 중첩하도록 형성함으로써 서로 중첩하는 상기 전단 게이트 배선(111)과 화소전극(142)과 이들 두 구성요소 사이에 개재된 상기 게이트 절연막(118)과 제 1 보호층(138)을 유전체층으로 하여 스토리지 커패시터(StgC)를 이루도록 한다. Next, as shown in FIG. 5D, a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) is formed over the first protective layer 138 having the drain contact hole 140. Is deposited on the entire surface of the substrate 107 to form a transparent conductive material layer (not shown), and patterned to contact the drain electrode 134 through the drain contact hole 140 and for each pixel region P. Independent pixel electrodes 142 are formed in the pixel regions P. FIG. In this case, the pixel electrode 142 is formed so that one end thereof overlaps the front gate wiring 111 so that the front gate gate 111 and the pixel electrode 142 overlapping each other are interposed between the two components. The gate insulating layer 118 and the first protective layer 138 are used as dielectric layers to form a storage capacitor StgC.

다음, 도 5e에 도시한 바와같이, 상기 화소전극(142) 위로 유기절연물질 예를들면 벤조사이클로부텐(BCB) 또는 포토아크릴(photo acryl)을 도포함으로써 제 2 보호층(148)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 5E, the second protective layer 148 is formed by applying an organic insulating material, such as benzocyclobutene (BCB) or photo acryl, onto the pixel electrode 142.

이후, 상기 제 2 보호층(148)에 대해 평탄한 부분을 갖는 영역 즉, 반사부(RA) 중 제 1 영역(A1)과 투과부(TA) 전 영역에 대해서는 반투과영역(미도시)이 대응되도록, 그리고 반사부(RA) 중 철부가 형성되어야 할 부분에 대응해서는 투과영역(미도시)이 그리고, 상기 화소전극(148)을 노출시키는 화소 콘택홀(150)이 형성될 부분에 대응해서는 차단영역(미도시)이 대응되도록 이들 투과영역(미도시)과 차단영역(미도시) 및 반투과영역(미도시)을 갖는 노광마스크(미도시)를 위치시키고 이를 이용하여 하프톤 노광 또는 회절노광을 실시한다.Thereafter, a semi-transmissive region (not shown) corresponds to a region having a flat portion with respect to the second protective layer 148, that is, the entire region of the first region A1 and the transmissive portion TA of the reflective portion RA. In addition, a transmissive region (not shown) corresponds to a portion in which the convex portion is to be formed in the reflective portion RA, and a blocking region corresponds to a portion in which the pixel contact hole 150 exposing the pixel electrode 148 is formed. An exposure mask (not shown) having these transmission areas (not shown), a blocking area (not shown), and a semi-transmissive area (not shown) is disposed so as to correspond to each other, and halftone exposure or diffraction exposure is used by using the same. Conduct.

이후, 하프톤 노광 또는 회절노광을 실시한 상기 제 2 보호층(148)에 대해 현상을 실시하면, 노광 공정시 빛을 받지 않은 부분에 대해서는 상기 제 2 보호층(148)이 완전히 제거됨으로써 상기 화소전극(142)을 노출시키는 화소 콘택홀(150)이 형성되고, 반투과영역(미도시)에 대응하여 투과영역(미도시) 대비 빛에 상대적으로 적게 노출된 부분은 소정두께가 제거됨으로써 그 높이가 줄어들게 되며, 투과영역(미도시)에 대응하여 빛에 완전히 노출된 부분은 그 높이가 줄어들지 않고 최초 형성된 두께를 유지한 재로 남아있게 됨으로써 그 표면에 철부를 형성하 게 된다. Subsequently, when the second protective layer 148 subjected to halftone exposure or diffraction exposure is developed, the second protective layer 148 is completely removed for the portion not subjected to light during the exposure process, thereby the pixel electrode. A pixel contact hole 150 exposing 142 is formed, and a portion of the pixel contact hole 150 that is relatively less exposed to light than the transmissive region (not shown) corresponding to the transflective region (not shown) has a predetermined thickness to be removed. The portion that is completely exposed to light corresponding to the transmissive region (not shown) remains as a material having a thickness that is initially formed without decreasing its height, thereby forming convex portions on the surface thereof.

이후, 상기 현상된 제 2 보호층(148)을 구비한 기판(107)에 대해 열처리를 실시하면 상기 철부의 측면이 완만한 상태를 이루게 됨으로써 상기 반사부(RA)에 있어서 상기 제 2 보호층(148)은 제 1 영역(A1)을 제외하고는 그 표면이 올록볼록한 요철 형태를 갖게 된다. 또한, 상기 반사부(RA) 중 제 1 영역(A1)과 투과부(TA)에 있어서는 상기 제 2 보호층(148)은 그 표면이 평탄한 상태를 이루게 된다.Subsequently, when the substrate 107 including the developed second protective layer 148 is heat-treated, the side surface of the convex portion is in a smooth state, so that the second protective layer ( 148 has a concave-convex shape whose surface is convex except for the first area A1. In addition, in the first area A1 and the transmissive part TA of the reflective part RA, the surface of the second protective layer 148 is flat.

다음, 도 5f에 도시한 바와 같이, 상기 반사부(RA)에 올록볼록한 요철 형태의 표면을 갖는 상기 제 2 보호층(148) 위로 불투명하며 반사효율을 높은 금속물질 예를들면 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(AlNd)을 증착함으로써 제 3 금속층(미도시)을 형성한다. 이때, 상기 제 3 금속층(미도시)은 증착 특성 상 그 하부에 위치한 상기 제 2 보호층의 표면 상태를 그대로 반영하여 형성되게 된다. 따라서, 반사부(RA) 중 제 1 영역(A1)을 제외한 영역에 대해서는 그 표면이 올록볼록 한 요철 형태를 갖게되며, 상기 제 1 영역(A1) 및 투과부(TA)에 대해서는 그 표면이 평탄한 상태를 이루게 된다. 이때, 상기 제 3 금속층(미도시)은 상기 화소콘택홀(150)을 통해 상기 화소전극과 접촉한 상태가 된다.Next, as shown in FIG. 5F, a metal material, such as aluminum (Al), which is opaque and has a high reflection efficiency, is formed on the second protective layer 148 having a convex-concave-convex surface on the reflecting portion RA. A third metal layer (not shown) is formed by depositing aluminum alloy (AlNd). In this case, the third metal layer (not shown) is formed by reflecting the surface state of the second protective layer positioned below the deposition characteristic. Therefore, the surface of the reflecting portion RA except for the first region A1 has a convex concave-convex shape, and the surface is flat for the first region A1 and the transmissive portion TA. Will be achieved. In this case, the third metal layer (not shown) is in contact with the pixel electrode through the pixel contact hole 150.

이후, 상기 제 3 금속층(미도시)을 패터닝하여 상기 투과부(TA)에 형성된 부분과 각 화소영역(P)의 경계에 대응해서 제거함으로써 상기 반사부(RA)에 대해서만 상기 화소콘택홀(150)을 통해 상기 화소전극(142)과 접촉하는 반사판(152)을 형성한다. 이때 상기 반사판(152)은 상기 제 1 영역(A1)에 대응해서는 평탄한 표면을 가지며, 그 외의 반사부(RA)에 대응해서는 올록볼록한 요철 상태의 표면을 이루는 것이 특징이다. Subsequently, the third metal layer (not shown) is patterned and removed corresponding to the boundary between the portion formed in the transmission part TA and the pixel area P, so that the pixel contact hole 150 is only provided for the reflection part RA. The reflective plate 152 is formed to be in contact with the pixel electrode 142. In this case, the reflective plate 152 has a flat surface corresponding to the first region A1, and has a convex uneven surface corresponding to the other reflecting portion RA.

한편, 변형예로서 상기 화소전극(142)을 형성 후, 상기 제 2 보호층(148)을 형성을 위한 유기절연물질의 도포전에 무기절연물질을 증착하여 제 3 보호층(미도시)을 형성하고, 상기 제 3 보호층(미도시) 위로 상기 제 2 보호층(148)을 형성 할 수도 있다. Meanwhile, as a modification, after forming the pixel electrode 142, an inorganic insulating material is deposited before the application of the organic insulating material for forming the second protective layer 148 to form a third protective layer (not shown). The second protective layer 148 may be formed on the third protective layer (not shown).

또한, 상기 반사판(152)을 형성 전에 무기절연물질을 증착하고 이를 패터닝하여 상기 화소 콘택홀(150)을 구비한 제 4 보호층(미도시)을 형성하고 이후 상기 제 4 보호층(미도시) 위로 상기 반사판(152)을 형성할 수도 있다.In addition, an inorganic insulating material is deposited and patterned before the reflective plate 152 is formed to form a fourth protective layer (not shown) having the pixel contact hole 150, and then the fourth protective layer (not shown). The reflective plate 152 may be formed above.

한편, 도 4를 참조하여 전술한 바와 같이 제조된 어레이 기판(107)에 대응하여 구성되는 컬러필터 기판(165)의 제조 방법에 대해 간단히 설명하면, 투명한 절연기판(165)의 상기 어레이 기판(107)과 마주하는 내측면에 블랙레진을 도포하거나 또는 크롬(Cr) 또는 산화크롬(CrOx)을 증착하여 블랙 물질층(미도시)을 형성하고, 이를 패터닝함으로써 상기 게이트 배선(111)과 데이터 배선(미도시)에 대응하여 블랙매트릭스(167)를 형성한다.Meanwhile, the method of manufacturing the color filter substrate 165 configured to correspond to the array substrate 107 manufactured as described above with reference to FIG. 4 will be briefly described. The array substrate 107 of the transparent insulating substrate 165 will be described. ) Or a black material layer (not shown) by depositing chromium (Cr) or chromium oxide (CrOx) on the inner surface facing the surface) and patterning the black resin layer to form a black material layer (not shown). The black matrix 167 is formed in correspondence with the figure.

다음, 상기 블랙매트릭스(167)를 덮으며 상기 블랙매트릭스(167) 사이로 노출된 상기 기판(165)의 하부에 적색 컬러레지스트를 도포하여 적색 레지스트층(미도시)을 형성하고 이를 패터닝함으로써 일부 화소영역(P)에 대응하여 적색 컬러필터 패턴(적)을 형성한다. 이후, 상기 적색 컬러필터 패턴(적)을 형성한 동일한 방법을 진행하여 일부 화소영역(P)에 대응하여 녹색 및 청색 컬러필터 패턴(미도시, 청)을 형성함으로써 각 화소영역(P)에 대응하여 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴(적, 미도시, 청)이 순차 반복하는 형태로 컬러필층(169)을 형성한다. 이때 상기 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴(적, 미도시, 청)을 형성 시 상기 적, 녹 ,청색 컬러필터 패턴(적, 미도시, 청)이 형성되는 화소영역(P)의 반사부(RA)의 중앙부에 대응하여 상기 젓, 녹 ,청색 컬러필터 패턴(적, 미도시, 청)이 제거되도록 함으로써 투과홀(172)을 형성할 수도 있다. Next, a red resist layer (not shown) is formed by applying a red color resist to the lower portion of the substrate 165 that covers the black matrix 167 and is exposed between the black matrix 167 to form some patterned regions. Corresponding to (P), a red color filter pattern (red) is formed. Subsequently, the same method of forming the red color filter pattern (red) is performed to form green and blue color filter patterns (not shown, blue) corresponding to some pixel areas (P) to correspond to each pixel area (P). The color fill layer 169 is formed in a form in which red, green, and blue color filter patterns (red, not shown, blue) are sequentially repeated. In this case, when the red, green, and blue color filter patterns (red, not shown, and blue) are formed, the reflective part of the pixel region P in which the red, green, and blue color filter patterns (red, not shown, and blue) are formed ( The transmission hole 172 may be formed by removing the salt, green, and blue color filter patterns (red, not shown, and blue) corresponding to the central portion of RA).

다음, 상기 컬러필터층(169) 하부로 투명한 유기절연물질 예를들면 벤조사이클로부텐(BCB) 또는 포토아크릴(photo acryl)을 도포하고 이를 패터닝함으로써 상기 어레이 기판(107)의 반사부(RA)에 대응하여 액정층(190)의 두께 조절의 역할을 하는 오버코트층(174)을 형성한다. 이때 투과부(TA)에 있어서는 상기 오버코트층(174)이 제거됨으로써 상기 컬러필터층(169)이 노출되게 된다.Next, a transparent organic insulating material, for example, benzocyclobutene (BCB) or photoacryl, is applied to the lower portion of the color filter layer 169 and patterned to correspond to the reflective part RA of the array substrate 107. Thus, the overcoat layer 174 which serves to control the thickness of the liquid crystal layer 190 is formed. In this case, the color filter layer 169 is exposed by removing the overcoat layer 174 in the transmissive part TA.

다음, 상기 오버코트층(174)과 이의 외측으로 노출된 컬러필터층(169) 하부로 투명도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 증착함으로써 상기 기판(165) 전면에 공통전극(176)을 형성한다.Next, the substrate may be deposited by depositing a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) under the overcoat layer 174 and the color filter layer 169 exposed to the outside thereof. The common electrode 176 is formed on the entire surface.

이후, 상기 공통전극(176) 위로 유기물질을 도포하고 이를 패터닝함으로써 상기 어레이 기판(107)의 제 1 영역(A1)에 대응하여 원기둥 또는 사각 기둥형태의 컬럼 스페이서(180)를 형성함으로써 컬러필터 기판(165)을 완성한다.Thereafter, an organic material is coated on the common electrode 176 and patterned to form a column spacer 180 having a cylindrical or square pillar shape corresponding to the first region A1 of the array substrate 107. Complete (165).

다음, 전술한 바와 같이 제조된 어레이 기판(107)과 컬러필터 기판(165)을 상기 화소전극(142)과 공통전극(176)이 마주하도록 위치시킨 후, 상기 어레이 기판(107) 또는 컬러필터 기판(165) 중 어느 하나의 기판의 표시영역 외측의 테두리를 따라 씰패턴(미도시)을 형성하고, 상기 씰패턴(미도시)으로 둘러싸인 표시영역 에 대응하여 액정층(190)을 개재시킨 후, 상기 컬럼 스페이서(180)의 끝단이 상기 어레이 기판(107)의 반사부(RA) 내의 평탄한 표면을 갖는 제 1 영역(A1)에 위치하도록 정렬시킨 상태에서 상기 컬러필터 기판(165)과 어레이 기판(107)을 합착함으로써 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치(105)를 완성할 수 있다. Next, the array substrate 107 and the color filter substrate 165 manufactured as described above are positioned to face the pixel electrode 142 and the common electrode 176, and then the array substrate 107 or the color filter substrate. After forming a seal pattern (not shown) along the outer edge of the display area of any one of the substrates (165), and interposed the liquid crystal layer 190 corresponding to the display area surrounded by the seal pattern (not shown), The color filter substrate 165 and the array substrate (with the end of the column spacer 180 aligned in the first region A1 having the flat surface in the reflecting portion RA of the array substrate 107). By attaching 107, the reflective liquid crystal display device 105 according to the present invention can be completed.

본 발명은 전술한 실시예에 한정되지 아니하며, 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 이상 다양한 변화와 변형이 가능하다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

도 1은 종래의 반사투과형 액정표시장치의 하나의 화소영역 내의 반사영역 일부를 도시한 평면도.1 is a plan view showing a portion of a reflection area in one pixel area of a conventional reflective transmission liquid crystal display device;

도 2는 종래의 반사투과형 액정표시장치의 컬럼 스페이서가 형성된 부분에 대한 간략한 단면도.2 is a simplified cross-sectional view of a portion in which a column spacer of a conventional reflective transmissive liquid crystal display device is formed.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반사투과형 액정표시장치의 평면도로서 액정표시장치를 이루는 어레이 기판과 컬러필터 기판의 중요 구성요소를 동시에 도시한 도면.FIG. 3 is a plan view of a transflective liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention and simultaneously shows important components of an array substrate and a color filter substrate constituting the liquid crystal display device; FIG.

도 4는 도 3을 절단선 Ⅳ-Ⅳ를 따라 절단한 부분에 대한 단면도.4 is a cross-sectional view of a portion cut along the cutting line IV-IV of FIG.

도 5a 내지 도 5f는 도 3을 절단선 Ⅳ-Ⅳ를 따라 절단한 부분에 대한 제조 단계별 공정 단면도Figures 5a to 5f is a cross-sectional view of the manufacturing step for the portion cut along the cutting line IV-IV

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

105 : 반사투과형 액정표시장치 107 : 어레이 기판105: reflection transmission liquid crystal display device 107: array substrate

111 : 게이트 배선 115 : 게이트 전극111: gate wiring 115: gate electrode

118 : 게이트 절연막 130 : 반도체층118 gate insulating film 130 semiconductor layer

130a : 액티브층 130b : 오믹콘택층 130a: active layer 130b: ohmic contact layer

131 : 데이터 배선 132 : 소스 전극131: data wiring 132: source electrode

134 : 드레인 전극 140 : 드레인 콘택홀134: drain electrode 140: drain contact hole

142 : 화소전극 148 : 제 2 보호층142: pixel electrode 148: second protective layer

150 : 화소 콘택홀 152: 반사판150: pixel contact hole 152: reflector

165 : 컬러필터 기판 167 : 블랙매트릭스165: color filter substrate 167: black matrix

169 : 컬러필터층 172 : 투과홀169: color filter layer 172: through hole

174 : 오버코트층 176 : 공통전극174: overcoat layer 176: common electrode

180 : 컬럼 스페이서 190 : 액정층 180 column spacer 190 liquid crystal layer

A1 : 제 1 영역 P : 화소영역A1: first region P: pixel region

RA : 반사부 StgC : 스토리지 커패시터RA: Reflector StgC: Storage Capacitor

TA : 투과부 Tr : 박막트랜지스터 TA: Transmissive part Tr: Thin film transistor

Claims

제 1 기판 상에 서로 교차하여 그 내부에 반사부와 투과부를 갖는 다수의 화소영역을 정의하며 형성된 게이트 배선 및 데이터 배선과;A gate wiring and a data wiring formed on the first substrate and defining a plurality of pixel regions having a reflection portion and a transmission portion therein and crossing each other;

상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되며 형성된 박막트랜지스터와;A thin film transistor connected to the gate line and the data line;

상기 데이터 배선 및 상기 박막트랜지스터를 덮으며 형성된 제 1 보호층과;A first passivation layer covering the data line and the thin film transistor;

상기 제 1 보호층 위로 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결되며 상기 다수의 화소영역에 형성된 화소전극과;A pixel electrode connected to the drain electrode of the thin film transistor on the first passivation layer and formed in the plurality of pixel areas;

상기 화소전극 위로 상기 화소영역을 노출시키는 화소콘택홀을 구비하며 형성된 제 2 보호층과;A second protective layer having a pixel contact hole exposing the pixel area over the pixel electrode;

상기 제 2 보호층 상부로 상기 반사부에 대응하여 상기 화소콘택홀을 통해 상기 화소전극과 접촉하며 형성되며, 그 표면이 평탄한 구조를 갖는 제 1 영역과 그 표면이 요철구조를 갖는 제 2 영역으로 구성된 반사판과;A first region having a flat structure and a second region having a concave-convex structure, the upper surface of the second protective layer being formed in contact with the pixel electrode through the pixel contact hole corresponding to the reflecting portion; A reflector configured;

상기 제 1 기판과 마주하는 제 2 기판의 내측면에 형성된 컬러필터층과;A color filter layer formed on an inner surface of a second substrate facing the first substrate;

상기 컬러필터 패턴 하부로 상기 반사부에 대응하여 형성된 오버코트층과;An overcoat layer formed below the color filter pattern to correspond to the reflector;

상기 오버코트층을 덮으며 상기 제 2 기판 전면에 형성된 공통전극과;A common electrode covering the overcoat layer and formed on the entire surface of the second substrate;

상기 공통전극 하부로 상기 반사부에 대응하여 기둥 형태로 형성되며 상기 어레이 기판에 구비된 상기 반사판의 상기 제 1 영역과 그 끝단이 접촉하는 컬럼 스페이서와;A column spacer formed below the common electrode in a column shape corresponding to the reflecting portion, the column spacer in contact with an end of the first region of the reflecting plate provided on the array substrate;

상기 반사판과 공통전극 사이에 개재된 액정층Liquid crystal layer interposed between the reflector and the common electrode

을 포함하는 반사투과형 액정표시장치.Reflective type liquid crystal display device comprising a.

제 1 항에 있어서,The method of claim 1,

제 2 보호층은 유기절연물질로 이루어지며, 상기 반사부의 제 2 영역에 대응해서는 그 표면에 올록볼록한 요철구조를 가지며, 상기 반사부의 제 1 영역 및 상기 투과부에 대응해서는 그 표면이 평탄한 구조를 갖는 것이 특징인 반사투과형 액정표시장치.The second protective layer is made of an organic insulating material, and has a convex-convex structure on the surface thereof corresponding to the second region of the reflecting portion, and has a structure having a flat surface corresponding to the first region of the reflecting portion and the transmissive portion. Reflective type liquid crystal display device characterized in that.

제 2 항에 있어서,The method of claim 2,

상기 화소전극과 상기 제 2 보호층 사이에는 무기절연물질로 이루어진 제 3 보호층이 형성된 반사투과형 액정표시장치.And a third passivation layer formed of an inorganic insulating material between the pixel electrode and the second passivation layer.

제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein

상기 제 2 보호층과 상기 반사판 사이에는 상기 제 2 보호층의 표면상태를 그대로 반영하며 무기절연물질로 이루어진 제 4 보호층이 형성된 반사투과형 액정표시장치.And a fourth passivation layer formed of an inorganic insulating material between the second passivation layer and the reflecting plate and reflecting the surface state of the second passivation layer.

제 1 항에 있어서,The method of claim 1,

상기 컬럼스페이서의 끝단의 직경 또는 폭은 8㎛ 내지 12㎛이며, The diameter or width of the end of the column spacer is 8㎛ to 12㎛,

상기 제 1 영역은 상기 제 1 및 제 2 기판과의 합착 마진을 고려하여 상기 컬럼 스페이서 끝단의 직경 또는 폭보다 6㎛ 내지 10㎛ 더 큰 14㎛ 내지 22㎛ 인 것이 특징인 반사투과형 액정표시장치.And wherein the first region is 14 µm to 22 µm, which is 6 µm to 10 µm larger than the diameter or width of the end of the column spacer in consideration of the bonding margin between the first and second substrates.

제 1 항에 있어서,The method of claim 1,

상기 컬러필터층은 상기 각 화소영역 별로 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴이 순차 반복하는 형태를 이루는 것이 특징인 반사투과형 액정표시장치. The color filter layer is a reflection-transmitting liquid crystal display device characterized in that the red, green, blue color filter pattern is sequentially repeated for each pixel region.

제 6 항에 있어서,The method of claim 6,

상기 각 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴은 상기 반사부에 대응하여 상기 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴이 제거된 투과홀이 구비된 반사투과형 액정표시장치. And each of the red, green, and blue color filter patterns is provided with a transmission hole in which the red, green, and blue color filter patterns are removed.

제 1 항에 있어서, The method of claim 1,

상기 오버코트층은 그 두께가 상기 투과부에 대응하는 액정층의 두께의 1/2 인 것이 특징인 반사투과형 액정표시장치. And wherein the overcoat layer is half the thickness of the liquid crystal layer corresponding to the transmissive portion.

제 1 항에 있어서,The method of claim 1,

상기 화소전극은 상기 화소영역을 정의하는 게이트 배선 중 그 상측에 위치한 전단의 게이트 배선과 중첩 형성됨으로써 상기 중첩된 화소전극과 게이트 배선이 스토리지 커패시터를 형성하는 것이 특징인 반사투과형 액정표시장치.And the pixel electrode is overlapped with a gate wiring of a front end of the gate wirings defining the pixel region so that the overlapped pixel electrode and the gate wiring form a storage capacitor.

제 1 항에 있어서,The method of claim 1,

상기 제 1 및 제 2 기판 사이에 그 테두리를 따라 씰패턴이 더욱 형성되며, A seal pattern is further formed along the edge between the first and second substrates,

상기 제 2 기판의 내측면에 상기 게이트 및 데이터 배선에 대응하여 블랙매트릭스가 형성된 반사투과형 액정표시장치.And a black matrix formed on an inner surface of the second substrate to correspond to the gate and data lines.