JP2012041201A - 窒化物半導体薄膜およびその成長方法 - Google Patents
窒化物半導体薄膜およびその成長方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】ミスカットを有するGaN基板101のステップフロー成長(第1の成長工程)により制限領域102内に形成されたテラス202に、第1の成長工程よりも低い基板温度である第2の設定値T2でTMG又はTEGを供給する。これにより、テラス202の上にGaNの2次元核301が発生するが(図3(a)参照)、発生する2次元核301の個数が1個以上100個以下発生するだけの時間だけこの第2の成長工程を行う。次に、基板温度をT2よりも高い第3の設定値T3にする(第3の成長工程)。これにより、複数の2次元核301が横方向成長して1分子層の厚さの連続的なGaN薄膜302となる(図3(b)参照)。第2と第3の工程を交互に繰り返すことにより、2分子層以上の厚さのGaN薄膜303を成長可能である(図3(c)参照)。
【選択図】図3
Description
実施形態1に係る窒化物半導体薄膜の成長方法は、ミスカットを有する窒化物半導体基板の主方位面上に、表面積が30平方マイクロメートル以上1,000,000平方マイクロメートル以下である制限領域を形成する工程と、第1から第3の成長工程とを含む。第1の成長工程は、アンモニアガス雰囲気中において、基板温度を第1の設定値にしてIII族原料を供給し、制限領域内で窒化物半導体基板の分子層ステップをステップフロー成長させ、制限領域内にテラスを形成する工程である。第2の成長工程は、基板温度を第1の設定値よりも小さい第2の設定値にして、1平方メートル当たり毎秒109個以上の核生成頻度で、制限領域内のテラス上に複数の2次元核を形成する工程である。第3の成長工程は、基板温度を第2の設定よりも大きい第3の設定値にして、テラス上の複数の2次元核を横方向成長により互いにつなげ、1分子層の厚さの連続的な窒化物半導体薄膜にする工程である。
102 制限領域
103 マスク材
104 メサ
201 GaNの分子層ステップ
202 ステップの一番上流側の(0001)面のテラス
301 GaNの2次元核
302 1分子層の厚さの連続的なGaN薄膜
303 2分子層以上の厚さのGaN薄膜
Claims (5)
- ミスカットを有する窒化物半導体基板の主方位面上に、表面積が30平方マイクロメートル以上1,000,000平方マイクロメートル以下である制限領域を形成する工程と、
アンモニアガス雰囲気中において、基板温度を第1の設定値にしてIII族原料を供給し、前記制限領域内で前記窒化物半導体基板の分子層ステップをステップフロー成長させ、前記制限領域内にテラスを形成する第1の成長工程と、
前記基板温度を前記第1の設定値よりも小さい第2の設定値にして、1平方メートル当たり毎秒109個以上の核生成頻度で、前記制限領域内の前記テラス上に複数の2次元核を形成する第2の成長工程と、
前記基板温度を前記第2の設定よりも大きい第3の設定値にして、前記テラス上の前記複数の2次元核を横方向成長により互いにつなげ、1分子層の厚さの連続的な窒化物半導体薄膜にする第3の成長工程と
を含むことを特徴とする窒化物半導体薄膜の成長方法。 - 前記第2の成長工程および前記第3の成長工程を交互に繰り返して、2分子層以上の厚さの窒化物半導体薄膜を形成することを特徴とする請求項1に記載の成長方法。
- 前記窒化物半導体基板および前記窒化物半導体薄膜がGaNであり、
前記第1の成長工程における前記第1の設定値が950℃以上1200℃以下であり、
前記第2の成長工程における前記第2の設定値が700℃以上900℃以下であり、
前記第3の成長工程における前記第3の設定値が950℃以上1200℃以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の成長方法。 - 前記第1の成長工程で形成される前記テラスの表面積は、前記制限領域の表面積の80%以上であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の成長方法。
- 請求項1から4のいずれかに記載の成長方法により作製されたことを特徴とする窒化物半導体薄膜。
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Non-Patent Citations (1)
Title |
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赤坂哲也ほか: "数十μmのGaNステップフリー面の形成および成長機構の検討", 第70回応用物理学会学術講演会講演予稿集, JPN6013032732, 8 September 2009 (2009-09-08), pages 365, ISSN: 0002573619 * |
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