JP5103014B2 - マスクを通るラテラル成長による窒化ガリウム基板の製造 - Google Patents
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- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical class [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 138
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 111
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 72
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 24
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 18
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 8
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 8
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 6
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 3
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 claims description 3
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910010093 LiAlO Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 33
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims 2
- -1 LiGaO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 abstract description 26
- 208000012868 Overgrowth Diseases 0.000 abstract description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 21
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 3
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 2
- 235000005811 Viola adunca Nutrition 0.000 description 2
- 240000009038 Viola odorata Species 0.000 description 2
- 235000013487 Viola odorata Nutrition 0.000 description 2
- 235000002254 Viola papilionacea Nutrition 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000002301 combined effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 description 1
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000001657 homoepitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
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Description
−基板上でのGaN層の堆積、
−パターンを形成する複数の第1の開口部を有する第1マスクの堆積、
−エピタキシャル条件下で該マスク上での窒化ガリウム層の1回目の再成長、
−窒化ガリウムフィーチャの堆積と該フィーチャの異方性かつラテラルな成長とを誘起するように、バーティカル(縦方向)成長に対するラテラル(横方向)成長のエンハンサー(増強剤)となるドープ剤を含有させた窒化ガリウムの2回目の再成長、
−第1の開口部の真上に第1の開口部と同じパターンを形成する複数の第2の開口部を有する第2マスクの堆積、ただし、第1の開口部パターンのピッチは第2の開口部のピッチと全く同一であるか、または2倍である、
−エピタキシャル条件下で第2マスク上での窒化ガリウム層の3回目の再成長、
−窒化ガリウムフィーチャの堆積と該フィーチャの異方性かつラテラルな成長とを誘起するように、バーティカル成長に対するラテラル成長のエンハンサーとなるドープ剤を含有させた窒化ガリウムの4回目の再成長。
複数パターンの一つにおけるパターン要素のピッチが複数パターンの別のパターンにおけるパターン要素のピッチと互いに異なることができるが、この場合には、これらの複数パターンは互いに平行のままとする。
基板の全面積に対する基板または窒化ガリウムの露出割合(または全開口部面積)は5〜80%、有利には5〜50%である。
本発明の方法に係る方法の2回目と4回目の再成長に用いるドープ剤は、マグネシウム、アンチモンおよびビスマスから選ばれる。
本発明はまた、本発明の範囲内に包含される方法により得ることができるエピタキシャル窒化ガリウム層にも関する。有利には、このエピタキシャル窒化ガリウム層は、厚みが1〜1000μmであり、場合によりその基板から分離されている。
かかる基板の製造方法は、図3および図4に模式的に示すように、いくつかの工程を含む:
[1]エピタキシャル成長を、好ましくは金属有機気相エピタキシー(MOVPE)を用いて行う。但し、ハロゲン化物気相エピタキシー(HVPE)及び閉空間気相輸送(CSVT、昇華法とも呼ぶ)も使用できる。
[4]次のパラグラフ[4]〜[10]は、GaN層3の好ましい製造方法に関する。この窒化ガリウム(GaN)の層3の製造方法は、ナノマスクとして機能する窒化ケイ素層2の基板1への堆積と、窒化ガリウムフィーチャの堆積と各種フィーチャの合体に至る継続した異方性成長とを誘起するように、マスクされた基板上でのエピタキシャル堆積条件下でのGaNの成長とを含むことを特徴とする。「島」または「フィーチャ」なる用語が使用されることがある。
[6]第1段では、約600℃の温度でGaNのバッファ層を堆積させる。このバッファ層からGaNの島が発生し、次いで、該島からのエピタキシャル層の成長のためにより高い温度(約1000〜1100℃)にする。
[8]その後、GaNのラテラル成長が、SiNで被覆された表面上でこれらの島から[10−10]方向に横方向に起こり、この成長は、完全合体に至るまで進行する。図1(b)は合体直前の表面を示す。この方法は、通常の方法よりずっと良好なGaN結晶品質を生ずる。該フィーチャが得られた後、成長をMOVPEまたはHVPEのいずれかを用いて続けてもよい。
[16]次いで、層7上で、第2のマスク8を堆積させ、このマスクには、第1マスク4の開口部の真上に複数の開口部9が配置されている(図4)。実際、それらは、第1層7の合体境界部から生じたTDが上層の成長層内で伝播するのを防止するように配列される。貫通転位(開口部の上)が上層内で伝播するのを阻止するために第2のマスクを第1のマスクに対してシフトさせなければならない、Davisら米国特許第6051849号、1999、DavisらWO 99/44424、1999、イケダ米国特許第6111277号、2000、スギウラら米国特許第6015979号、2000、米国特許出願公開2001/0003019といった他の方法とは異なり、本発明では、TD低減メカニズムという利点を得るために、2つのマスクを、正確に見当を合わせて配置しなければならない。2S−ELO法(米国特許第6325850号)は開口部上でのTDの発生を防止する。
[18]これは、最上層の選択成長層(本態様では第2の選択的成長層10)のTDの密度を約107cm-2への低下を生ずる。
[1]例示として、基板1、特に(0001)サファイアを使用する。サファイアの表面上に窒化ケイ素の非常に薄い膜2を形成する。この薄膜は、膜の厚みをほぼ数原子平面の厚みに制限するような短時間だけNH3とSiH4とを反応させることにより得られたものである。
[2]気体媒体は同量の窒素と水素の混合ガスである。アンモニアをシランと共に、水素中50ppmに希釈した形態で導入する。これらの条件下で典型的なNH3とSiH4の反応時間は30秒程度である。
[1]実施例1には2回の2S−ELOが基本的に同じ処理時間であるダブル2S−ELOによるGaN基板が記載されている。この方法の別の変更例では、初回の2S−ELOをより長くして(図5)、再配分され始めている初回の2S−ELOからの残留TDは90°曲がりを受けるか、あるいはマスクにより停止されるようにする。
[1]2S−ELO法では、90°曲がった後のTDは、基板表面に平行に合体境界部に向かって伝播する。実際には、2つの横方向にオーバーグロースするウイングがぶつかりあって合体境界部を形成する。最終的にはこの合体境界部にボイドVが形成される(おそらくは活性種の供給減少のために)。興味深いことに、3種類のTDの挙動が観察される。TDは自由表面で停止するに違いないので、観察されるTDは、ボイド内で終わっているか(1型TD)、下向きに曲がってボイドの頂部で終わっているか(2型TD)、そして最後に層の上部に向かって再び上向きに曲がって合流し凹部を形成する(3型TD)。この3型のTDは解消することができず、そして層の上部で成長させたデバイス内まで伝播するので、層の最終品質に害を及ぼす。その上、ボイドの形状はELO層の残留応力をコントロールすることが示された[M. Benyoucefら、Appl. Phys. Lett. 79, 4127-9 (2001)]。
[3]オーバーグロースするストライプの形状を成長条件、圧力、温度、V/III比により調整することは確立している。しかし、ボイドの形状だけを成長条件の制御により調整することは困難である。自由度は非常に狭い。
[1]本発明の別の態様では、2回目の2S−ELOを1回目の2S−ELOで使用したピッチの2倍のピッチで行う(図8)。1回目の2S−ELOは、フォーカスドイオンビーム(FIB)のようなパターニング法を用いて、普通より小さいピッチで行うことができる。典型的には1μm程度のピッチが達成可能である。この方法から2つの利点が得られる。1回目のELOが数μm程度の非常な薄層を必要とするので、第1回ELOのウェハの反り(bowing)は弱いままであり、それにより第2マスクの整列がより正確になる。その上、この方法では唯一の残留TDは合体境界部から来るものであるので、本発明のこの変更例は、LDテクノロジーに対して10μmより大きな、より幅広の完全無欠陥のストライプを得るのを可能にする。
[1]2S−ELO法がHVPE(例えば、V. Wagnerら, JAP, 92, 1307, 2002参照)によっても達成しうることが証明されている。しかし、HVPEによるラテラル成長の増強はキャリヤーガスの組成の変化により達成される。MOVPEに比べて、HVPEはより高い成長速度を可能にする。したがって、ストライプのピッチはMOVPEの場合よりずっと大きくすることができ、例えば、5μmの開口部が50μm幅のマスクされたストライプで離間したものとすることができる。実施例3では、出発層は2μm厚のMOVPE層であり、その後に実施例1に記載の方法が続く。
[4]その後、隣接した2つのストライプからの成長前線が出会うまで{11−22}ファセットのラテラル伸長だけにより成長が続く。
[1]HVPEはMOVPEよりずっと高い成長速度を可能にするので、適切な組み合わせにより、離間幅をずっと広くしたストライプの合体をより短い時間で生ずるようにすることができる。
[3]次に、HVPEにより成長をさらに続けて、この成長を、第1段が完全合体し、さらに基板1の分離を可能にし、自立GaNが得られるようなかなりの厚みに達するまで(約200〜300μm)行う。
以上の実施例では、マスクパターンは一定の結晶学的方向に沿った一定ピッチのストライプ開口部であると規定された。本発明はそのようなパターンに制限されるものではない。規則的な開口部の二次元的な配列も使用できる(図11(b),(c),(d))が、ただし、2つのパターニング4および8は互いに正確に上下に重なり、GaN層の成長は2S−ELOにしたがって進行させる。また、図11(a)および(b)に示すように、ストライプ開口部または規則的開口部のいずれかの非対称的配列もマスク2および4として使用できる。
Claims (18)
- 下記工程を含む窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル層の製造方法:
−基板上でのGaN層の堆積、
−前記基板上に堆積されたGaN層上への、パターンを形成する複数の第1の開口部を有する第1マスクの堆積、
−エピタキシャル条件下で該マスク上での窒化ガリウム層の1回目の再成長、
−前記1回目の再成長の窒化ガリウム層の上での、窒化ガリウムの島の堆積と、該窒化ガリウムの島の異方性かつラテラルな成長とを誘起するように、バーティカル成長に対するラテラル成長のエンハンサーとなるドープ剤を含有させた窒化ガリウムの2回目の再成長、それにより該島は合体して1層になる、
−前記2回目の再結晶で生成した窒化ガリウム層上への、第1の開口部の真上に第1の開口部と同じパターンを形成する複数の第2の開口部を有する第2マスクの堆積、ただし、第2の開口部パターンのピッチは第1の開口部のピッチの2倍である、
−エピタキシャル条件下で第2マスク上での窒化ガリウム層の3回目の再成長、
−前記3回目の再成長の窒化ガリウム層の上での、窒化ガリウムの島の堆積と該窒化ガリウムの島の異方性かつラテラルな成長とを誘起するように、バーティカル成長に対するラテラル成長のエンハンサーとなるドープ剤を含有させた窒化ガリウムの4回目の再成長、それにより該島は合体して1層になる。 - 2回目および4回目の再成長時に温度を高めてラテラル成長を増進させる、請求項1に記載の窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル層の製造方法。
- 2回目および4回目の再成長時にガリウム供給源に対するアンモニアの分圧の比を高めてラテラル成長を増進させる、請求項1に記載の窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル層の製造方法。
- 2回目および4回目の再成長時に圧力を低下させてラテラル成長を増進させる、請求項1に記載の窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル層の製造方法。
- 複数の開口部からなるパターンのそれぞれが、基板の表面にほぼ平行な平面内において1方向に配列された複数のパターン要素の形態をとる、請求項1〜4のいずれか1項に記載の窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル層の製造方法。
- 複数パターンのそれぞれのパターン要素がストライプの形態にある、請求項1〜5のいずれか1項に記載の窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル層の製造方法。
- ストライプの幅が10μm未満である、請求項6に記載の窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル層の製造方法。
- 開口部が規則的な多角形である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル層の製造方法。
- 基板の全面積に対する前記複数の第1または第2の開口部の全面積であると規定される窒化ガリウムの露出割合が5〜80%である、請求項1〜8のいずれか1項に記載の窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル層の製造方法。
- 請求項1に記載された窒化ガリウムの2回目の再成長が、得られた窒化ガリウムのエピタキシャル層中にボイドを生成する、請求項1〜9のいずれか1項に記載の窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル層の製造方法。
- 前記得られた窒化ガリウムのエピタキシャル層より上部の層が自発的に分離する工程をさらに含む、請求項10に記載の窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル層の製造方法。
- 基板がサファイア、ZnO、6H−SiC、4H−SiC、3C−SiC、Si、GaAs、LiGaO2、LiAlO2、ZrB2、HfB2、GaAs、AlN、GaNおよびMgAl2O4よりなる群から選ばれることを特徴とする、請求項1〜11のいずれか1項に記載の窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル層の製造方法。
- 請求項1に記載された2回目と4回目の再成長時に使用されるドープ剤がマグネシウム、アンチモンおよびビスマスから選ばれる、請求項1〜12のいずれか1項に記載の窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル層の製造方法。
- 前記窒化ガリウムを、N2/H2混合ガスからなるキャリヤーガスを使用して気相エピタキシャル堆積する、請求項1〜13のいずれか1項に記載の窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル層の製造方法。
- 請求項1に記載された2回目と4回目の再成長を、金属有機気相エピタキシー(MOVPE)、またはハロゲン化物気相エピタキシー(HVPE)、閉空間蒸気輸送(CSVT)あるいは前記成長法の2つの組み合わせにより行う、請求項1〜14のいずれか1項に記載の窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル層の製造方法。
- 最上GaN層をn型またはp型にドープする、請求項1〜15のいずれか1項に記載の窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル層の製造方法。
- 請求項1に記載された基板上のGaN層の堆積が下記を含む、請求項1〜16のいずれか1項に記載の窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル層の製造方法:
−基板上にナノマスクとして機能する窒化珪素層を堆積し、
−GaNのバッファ層を堆積し、
−アイランドを発現させるように最終成長温度まで温度を次第に高くし、
−エピタキシャル条件下でGaN層を堆積する。 - 請求項1に記載された工程順を2回以上繰り返す、請求項1〜17のいずれか1項に記載の窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル層の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US47282903P | 2003-05-21 | 2003-05-21 | |
US60/472,829 | 2003-05-21 | ||
PCT/IB2004/001914 WO2004105108A2 (en) | 2003-05-21 | 2004-05-18 | Manufacturing gallium nitride substrates by lateral overgrowth through masks and devices fabricated thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007502546A JP2007502546A (ja) | 2007-02-08 |
JP5103014B2 true JP5103014B2 (ja) | 2012-12-19 |
Family
ID=33476980
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006530713A Expired - Fee Related JP5103014B2 (ja) | 2003-05-21 | 2004-05-18 | マスクを通るラテラル成長による窒化ガリウム基板の製造 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1625612B1 (ja) |
JP (1) | JP5103014B2 (ja) |
KR (1) | KR101170889B1 (ja) |
CN (1) | CN1791966A (ja) |
WO (1) | WO2004105108A2 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100664986B1 (ko) * | 2004-10-29 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 나노로드를 이용한 질화물계 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
TWI519686B (zh) * | 2005-12-15 | 2016-02-01 | 聖戈班晶體探測器公司 | 低差排密度氮化鎵(GaN)之生長方法 |
WO2008067854A1 (en) * | 2006-12-08 | 2008-06-12 | Lumilog | Method for manufacturing a single crystal of nitride by epitaxial growth on a substrate preventing growth on the edges of the substrate |
JP5165264B2 (ja) * | 2007-03-22 | 2013-03-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | 窒化物半導体基板 |
JP2008285364A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | GaN基板、それを用いたエピタキシャル基板及び半導体発光素子 |
WO2009015350A1 (en) | 2007-07-26 | 2009-01-29 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Epitaxial methods and templates grown by the methods |
JP5489117B2 (ja) * | 2009-09-01 | 2014-05-14 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体素子、窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体層の製造方法および窒化物半導体発光素子 |
FR2968678B1 (fr) * | 2010-12-08 | 2015-11-20 | Soitec Silicon On Insulator | Procédés pour former des matériaux a base de nitrure du groupe iii et structures formées par ces procédés |
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JP2014009156A (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Samsung Corning Precision Materials Co Ltd | 窒化ガリウム基板の製造方法および該方法により製造された窒化ガリウム基板 |
DE102014101966A1 (de) | 2014-02-17 | 2015-08-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Halbleiterchips und elektronischer Halbleiterchip |
CN104465928A (zh) * | 2014-12-10 | 2015-03-25 | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 | 具有镂空结构的led外延结构及其制作方法 |
DE102015109761B4 (de) | 2015-06-18 | 2022-01-27 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines Nitrid-Halbleiterbauelements und Nitrid-Halbleiterbauelement |
WO2017168012A1 (en) * | 2016-04-01 | 2017-10-05 | Hexagem Ab | Forming a planar surface of a iii-nitride material |
CN109863576A (zh) | 2016-10-19 | 2019-06-07 | 六边钻公司 | 形成iii-氮化物材料的平坦表面 |
CN111213222A (zh) * | 2017-10-05 | 2020-05-29 | 六边钻公司 | 具有平面iii-n半导体层的半导体装置和制造方法 |
JP7056390B2 (ja) * | 2018-06-07 | 2022-04-19 | 株式会社豊田中央研究所 | 窒化物半導体装置の製造方法 |
DE102022000520A1 (de) * | 2022-02-10 | 2023-08-10 | Azur Space Solar Power Gmbh | Halbleiterscheibe zur Ausbildung von Halbleiterbauelementen |
KR102515944B1 (ko) * | 2022-11-11 | 2023-03-31 | 한국세라믹기술원 | Hvpe 성장법을 이용한 선택적 영역 성장에 의해 고전도성을 갖는 알파 산화갈륨 박막 구조물 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6294440B1 (en) * | 1998-04-10 | 2001-09-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor substrate, light-emitting device, and method for producing the same |
JP4304750B2 (ja) * | 1998-12-08 | 2009-07-29 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子 |
JP3274674B2 (ja) * | 2000-05-16 | 2002-04-15 | 士郎 酒井 | 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 |
AU2001274810A1 (en) * | 2000-04-17 | 2001-10-30 | Virginia Commonwealth University | Defect reduction in gan and related materials |
US6627974B2 (en) * | 2000-06-19 | 2003-09-30 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor substrate and method for manufacturing the same, and nitride semiconductor device using nitride semiconductor substrate |
JP4385504B2 (ja) * | 2000-07-13 | 2009-12-16 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体基板及びその製造方法 |
JP4192430B2 (ja) * | 2001-02-28 | 2008-12-10 | 日立電線株式会社 | 窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法 |
JP2002299249A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体基板、半導体素子および半導体層の形成方法 |
JP3852000B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2006-11-29 | 豊田合成株式会社 | 発光素子 |
US20040169192A1 (en) * | 2001-06-04 | 2004-09-02 | Hisaki Kato | Method for producing group III nitride compounds semiconductor |
JP2003077847A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-14 | Sumitomo Chem Co Ltd | 3−5族化合物半導体の製造方法 |
US20030047746A1 (en) * | 2001-09-10 | 2003-03-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | GaN substrate formed over GaN layer having discretely formed minute holes produced by use of discretely arranged growth suppression mask elements |
JP4720051B2 (ja) * | 2001-09-10 | 2011-07-13 | ソニー株式会社 | 窒化物系iii−v族化合物半導体基板およびその製造方法ならびに半導体発光素子の製造方法ならびに半導体装置の製造方法 |
-
2004
- 2004-05-18 JP JP2006530713A patent/JP5103014B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-05-18 KR KR1020057022253A patent/KR101170889B1/ko active IP Right Grant
- 2004-05-18 WO PCT/IB2004/001914 patent/WO2004105108A2/en active Search and Examination
- 2004-05-18 EP EP04733606.0A patent/EP1625612B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-05-18 CN CNA2004800139080A patent/CN1791966A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060017804A (ko) | 2006-02-27 |
WO2004105108A3 (en) | 2005-01-13 |
KR101170889B1 (ko) | 2012-08-06 |
WO2004105108A2 (en) | 2004-12-02 |
CN1791966A (zh) | 2006-06-21 |
EP1625612B1 (en) | 2015-10-21 |
JP2007502546A (ja) | 2007-02-08 |
EP1625612A2 (en) | 2006-02-15 |
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Date | Code | Title | Description |
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A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101013 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
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|
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110901 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120709 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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R250 | Receipt of annual fees |
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