JP2012033915A - 面発光レーザ、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に順次積層形成された下部半導体DBR、活性層及び上部半導体DBRと、前記活性層及び前記上部半導体DBRに形成されたメサと、前記メサの上面から側面に形成される電極と、を有し、前記メサの上面は多角形状に形成されており、前記電極は前記メサの側面のうち2面以上に各々形成されており、前記メサ側面に形成された2以上の前記電極同士は接続されており、前記電極の形成される前記側面においては、前記電極の形成されない領域を有していることを特徴とする面発光レーザを提供することにより上記課題を解決する。
【選択図】 図12
Description
まず、メサの形成されている側に形成される電極において、断線等が生じる原因について説明する。通常、面発光レーザではメサが形成されており、メサの形成されている側には、メサの上面から側面を介し底面につながる電極が形成されており、この電極は真空蒸着法等により形成される。このように形成される電極において断線等が生じる原因としては、第1に、基板上においてメサの形状が均一でないこと、第2に、電極を成膜する際にメサの側面における膜厚が不均一に形成されること、により生じるものと考えられる。
ここで、(1)に示す式に基づき、例えば、メサ11及び12の側面のテーパ角ψが80°であると仮定し、メサ12において、基板10面の法線方向に対する蒸着粒子の入射角度φが3°であるとすると、メサ11の側面11a及び上面11eの膜厚、メサ12の側面12a、12b、12c、12d及び上面12eの膜厚は、表1に示される値となる。尚、メサ11の他の側面(例えば、側面11b)は、メサ11aと同じ値となる。
表1に示されるように、メサ12において、側面12aでは、メサ11の側面11aよりも膜厚が厚く成膜され、側面12c及び12dでは、メサ11の側面11aと同程度の膜厚で成膜され、側面12bは膜厚が薄く形成されていることがわかる。このように、側面12bにおいては成膜される配線は薄くなるため、断線等が生じやすくなるものと考えられる。即ち、面発光レーザにおいてメサに形成される配線の断線等による不良が発生するのは、側面12bに配線を形成することにより起因して生じるものと推察される。
次に、本実施の形態における面発光レーザの製造方法について説明する。尚、上述したメサ11及び12は、後述するメサ110に相当するものである。
次に、本実施の形態における面発光レーザに形成されるp側電極について説明する。p側電極は、上述したように、リフトオフにより形成することができるため、所望の形状のp側電極を得るためには、所望の形状に対応したレジストパターンを形成すればよい。
次に、本実施の形態における面発光レーザにおいて、メサの側面間(側面と側面の間)の稜線となる部分を面取りした構造の面発光レーザについて説明する。メサの側面間の稜線となる部分を面取りすることにより、配線を面取りのされた平坦な部分に形成することができるため、配線の断線等をより一層防ぐことができる。尚、本実施の形態においては、C面取りの場合について説明する。
次に、p側電極となる配線に関する実験を行なった結果について説明する。図28は、従来からの構造の面発光レーザであり、p側電極313は、メサ310の上面310eの周辺部に形成された配線330と、この配線330に接続されるメサ310の一つの側面310aに形成された配線331と、この配線331に接続されるメサ310の外側の底部に形成された配線332により構成されている。尚、図28(a)は上面図であり、図28(b)は斜視図である。このように形成されたp側電極313におけるメサ310の側面の配線の抵抗を調べるため、図29に示すように、メサ310に金属配線391が形成された比較例1となる試料を作製した。尚、図29(a)は上面図であり、図29(b)は斜視図である。
上述した電気抵抗を測定した結果を表3及び図34〜図37に示す。尚、図34は、図30に示す実施例1の試料のものであり、図35は、図31に示す実施例2の試料のものであり、図36は、図32に示す実施例3の試料のものであり、図37は、図29に示す比較例1の試料のものである。尚、抵抗値は、3インチ基板の中心の抵抗値で規格化されている(各々の位置で測定された抵抗値を4の位置で測定された抵抗値で割った値となっている)。
表3及び図34〜図37より、実施例1、2及び3は、比較例1よりも抵抗値のバラツキが小さい。また、比較例1においては、3インチ基板の周辺部分において電気抵抗は高くなっており、この部分ではメサ310の側面に形成されている金属配線391は薄くなっているものと考えられるため、断線等が発生しやすいものと考えられる。しかしながら、実施例1、2及び3においては、3インチ基板の周辺部分においても抵抗はあまり高くはなく、金属配線191、192及び193において、メサ110の2つの側面に形成された配線のうち、一方は薄く形成されている場合であっても、他方は比較的厚く形成されるため、一方の配線において断線等が生じた場合であっても、他方の配線では断線等が生じ難いものと考えられ、面発光レーザの信頼性を向上させることができる。
次に、本実施の形態における面発光レーザアレイについて説明する。本実施の形態における面発光レーザアレイは、上述した面発光レーザが2次元的に複数形成されているものである。
次に、第2の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第1の実施の形態における面発光レーザアレイを用いた画像形成装置としてのレーザプリンタ1000である。尚、本実施の形態における画像形成装置では、第1の実施の形態における面発光レーザを用いてもよい。
次に、第3の実施の形態について説明する。第3の実施の形態は、複数の感光体ドラムを備えるカラープリンタ2000である。
101 基板
103 下部半導体DBR
104 下部スペーサ層
105 活性層
106 上部スペーサ層
107 上部半導体DBR
108 電流狭窄層
108a 選択酸化領域
108b 電流狭窄領域
109 コンタクト層
110 メサ(メサ構造)
110a 側面
110b 側面
110c 側面
110d 側面
110e 上面
111 保護膜
113 p側電極
113a p側電極
114 n側電極
120a 側面において配線の形成されない領域
130 配線
131a 配線
131b 配線
132a 配線
200 面発光レーザアレイ
1000 レーザプリンタ(画像形成装置)
1010 光走査装置
2000 カラープリンタ(画像形成装置)
Claims (12)
- 基板上に順次積層形成された下部半導体DBR、活性層及び上部半導体DBRと、
前記活性層及び前記上部半導体DBRに形成されたメサと、
前記メサの上面から側面に形成される電極と、
を有し、
前記メサの上面は多角形状に形成されており、前記電極は前記メサの側面のうち2面以上に各々形成されており、
前記メサ側面に形成された2以上の前記電極同士は接続されており、
前記電極の形成される前記側面においては、前記電極の形成されない領域を有していることを特徴とする面発光レーザ。 - 基板上に順次積層形成された下部半導体DBR、活性層及び上部半導体DBRと、
前記活性層及び前記上部半導体DBRに形成されたメサと、
前記メサの上面から側面に形成される電極と、
を有し、
前記メサの上面は多角形状に形成されており、前記メサの側面間には面取り部が形成されており、
前記電極は、前記面取り部のうち、2以上の面取り部の上に各々形成されており、
前記面取り部の上に形成された2以上の前記電極同士は接続されており、
前記電極の形成される前記側面においては、前記電極の形成されない領域を有していることを特徴とする面発光レーザ。 - 前記メサの上面は、4つの前記側面に隣接する辺と、4つの前記面取り部と隣接する辺により、略八角形に形成されており、
対向する前記側面に隣接する辺において、対向する前記側面に隣接する辺同士の間の距離のうち短い距離をaとした場合、前記4つの前記面取り部と隣接する辺の長さbは、
b<a/(1+21/2)
であることを特徴とする請求項2に記載の面発光レーザ。 - 前記メサの上面は略正方形であることを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ。
- 前記電極は、真空蒸着またはスパッタリングにより形成されていることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の面発光レーザ。
- 前記電極は、リフトオフにより形成されているものであることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の面発光レーザ。
- 基板上に順次積層形成された下部半導体DBR、活性層及び上部半導体DBRと、
前記活性層及び前記上部半導体DBRに形成されたメサと、
前記メサの上面から側面に形成される電極と、
を有し、
前記メサの上面は多角形状に形成されており、前記電極は前記メサの側面同士により形成される稜線のうち、2以上の稜線に沿って各々形成されており、
前記稜線に沿って形成された2以上の前記電極同士は接続されており、
前記電極の形成される前記側面においては、前記電極の形成されない領域を有していることを特徴とする面発光レーザ。 - 請求項1から7のいずれかに記載の面発光レーザを複数有していることを特徴とする面発光レーザアレイ。
- 光によって被走査面を走査する光走査装置であって、
請求項1から7のいずれかに記載の面発光レーザを有する光源と、
前記光源からの光を偏向する光偏向部と、
前記光偏向部により偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と、
を有することを特徴とする光走査装置。 - 光によって被走査面を走査する光走査装置であって、
請求項8に記載の面発光レーザアレイを有する光源と、
前記光源からの光を偏向する光偏向部と、
前記光偏向部により偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と、
を有することを特徴とする光走査装置。 - 像担持体と、
前記像担持体に対して画像情報に応じて変調された光を走査する請求項9または10に記載の光走査装置と、
を有することを特徴とする画像形成装置。 - 前記像担持体は複数であって、前記画像情報は、多色のカラー情報であることを特徴とする請求項11に記載の画像形成装置。
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