JP2011524642A - マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系及びマイクロリソグラフィ露光方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
α=360°−2γ (2)
10 照明系
20 投影対物系
30 構造保持マスク(レチクル)
50,50’ 像回転器
Claims (23)
- マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系であって、
像回転器(50,50’)上に入射する光が少なくとも部分的に偏光されるように光学系に配置された像回転器(50,50’)、
を含み、
前記像回転器(50,50’)は、該像回転器(50,50’)上に入射する光に対して、強度分布と偏光分布の両方を所定の回転角だけ回転させる、
ことを特徴とする光学系。 - 前記像回転器(50,50’)上に入射する前記光は、少なくとも近似的にタンジェンシャルな偏光分布又は少なくとも近似的にラジアルな偏光分布を有することを特徴とする請求項1に記載の光学系。
- 照明系における照明設定が、二重極照明設定又は四重極照明設定であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の光学系。
- 回折光学要素(12)を含み、
前記像回転器(50,50’)は、前記光の伝播方向において前記回折光学要素(12)の直後に配置される、
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の光学系。 - 前記像回転器(50,50’)上に入射する前記光は、該像回転器(50,50’)の位置での入射光束の最大開口角が5°よりも大きくない角度スペクトルを有することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の光学系。
- 前記像回転器(50,50’)は、光学系の瞳平面に配置されることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の光学系。
- 前記像回転器(50,50’)は、光学系の視野平面に配置されることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の光学系。
- 前記像回転器(50,50’)は、少なくとも2つのビーム偏向光学要素(303,304,403〜405,406〜408,503〜508)を含むことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の光学系。
- 前記ビーム偏向光学要素(303,304,403〜405,406〜408,503〜508)は、前記回転角を変更するために互いに対して調節可能であることを特徴とする請求項8に記載の光学系。
- 前記ビーム偏向光学要素(303,304)の少なくとも一方が、プリズムであることを特徴とする請求項8又は請求項9に記載の光学系。
- 前記プリズムは、立方結晶材料を含むことを特徴とする請求項10に記載の光学系。
- 前記立方結晶材料の結晶配向が、前記プリズムに入射する時に屈折される光ビームが該立方結晶材料の<100>方向又は<111>方向のいずれかに伝播するようなものであることを特徴とする請求項11に記載の光学系。
- 前記像回転器(50,50’)を交換するための交換デバイスを更に含むことを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の光学系。
- マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系であって、
像回転器(50)、
を含み、
前記像回転器(50)は、該像回転器(50)上に入射する光に対して、強度分布と偏光分布の両方を所定の回転角だけ回転させる、
ことを特徴とする照明系。 - 照明系(10)と、
投影対物系(20)と、
を有し、
前記照明系(10)及び/又は前記投影対物系(20)は、請求項1から請求項13のいずれか1項に記載の光学系を含み、又は
前記照明系は、請求項14に従って構成される、
ことを特徴とするマイクロリソグラフィ投影露光装置。 - 前記投影対物系(20)は、0.85よりも大きい、特に、1.1よりも大きい開口数を有することを特徴とする請求項15に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 液浸モードで作動するように構成されることを特徴とする請求項15又は請求項16に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 250nmよりも短い、特に、200nmよりも短い、より具体的には、160nmよりも短い、より具体的には、15nmよりも短い作動波長を用いて作動するように構成されることを特徴とする請求項15から請求項17のいずれか1項に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- マイクロリソグラフィ露光方法であって、
感光材料の層が少なくとも部分的に適用された基板(40)を準備する段階と、
照明系(10)と投影対物系(20)とを有するマイクロリソグラフィ投影露光装置を準備する段階と、
前記投影露光装置を用いて、少なくとも2つの異なるマスク構造を前記層の領域上に投影する段階と、
を含み、
これらのマスク構造の1つに入射する光に対して、強度分布と偏光分布の両方が、これらのマスク構造の他方の1つに入射する光に対して像回転器によって回転される、
ことを特徴とするマイクロリソグラフィ露光方法。 - 前記少なくとも2つの異なるマスク構造を前記層の領域上に投影する前記段階は、異なる時点で行われる投影段階で実施され、
前記強度分布と前記偏光分布の同時回転が、前記投影露光装置を通過する光に対して、前記投影段階間の間に前記像回転器(50,50’)によって実施される、
ことを特徴とする請求項19に記載のマイクロリソグラフィ露光方法。 - 前記少なくとも2つの異なるマスク構造を前記層の領域上に投影する前記段階は、これらのマスク構造が同時に投影されるように実施されることを特徴とする請求項19に記載のマイクロリソグラフィ露光方法。
- 同時に投影されるこれらのマスク構造は、前記層の同じ領域上に投影されることを特徴とする請求項21に記載のマイクロリソグラフィ露光方法。
- 微細構造構成要素のマイクロリソグラフィ製造の方法であって、
感光材料の層が少なくとも部分的に適用された基板(40)を準備する段階と、
構造を有し、その像が生成されることになるマスク(30)を準備する段階と、
請求項15から請求項18のいずれか1項に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置を準備する段階と、
前記投影露光装置を用いて前記マスク(30)の少なくとも一部を前記層の領域上に投影する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150040343A (ko) * | 2012-09-28 | 2015-04-14 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그래피 투영 노광 장치용 광학 시스템 및 마이크로리소그래피 노광 방법 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8934096B2 (en) * | 2009-02-27 | 2015-01-13 | University Of Nebraska Board Of Regents | Terahertz-infrared ellipsometer system, and method of use |
EP2681606B1 (en) * | 2011-03-01 | 2017-09-27 | GE Healthcare Bio-Sciences Corp. | Variable orientation illumination-pattern rotator |
WO2013013947A2 (en) | 2011-07-26 | 2013-01-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus, and microlithographic exposure method |
DE102011079837A1 (de) | 2011-07-26 | 2013-01-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren |
WO2013143594A1 (en) * | 2012-03-29 | 2013-10-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Apparatus and method for compensating a defect of a channel of a microlithographic projection exposure system |
DE102013203294A1 (de) * | 2013-02-27 | 2014-08-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Baugruppe zur Polarisationsdrehung |
DE102019208961A1 (de) | 2019-06-19 | 2020-12-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsoptik und Projektionsbelichtungsanlage mit einer solchen Projektionsoptik |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61296302A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-27 | Asahi Breweries Ltd | 画像回転機構 |
JPH03295222A (ja) * | 1990-04-12 | 1991-12-26 | Canon Inc | 露光装置 |
JPH088177A (ja) * | 1994-04-22 | 1996-01-12 | Canon Inc | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP2005333001A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置、および露光方法 |
JP2006210471A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置、および露光方法 |
WO2006097135A1 (en) * | 2005-03-15 | 2006-09-21 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure method and projection exposure system therefor |
JP2007220767A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2007258575A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Canon Inc | 照明装置、当該照明装置を有する露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2008016516A (ja) * | 2006-07-03 | 2008-01-24 | Canon Inc | 露光装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2536023B2 (ja) * | 1988-02-29 | 1996-09-18 | 株式会社ニコン | 露光装置、及び露光方法 |
US4929040A (en) * | 1988-09-01 | 1990-05-29 | Santa Barbara Research Center | Five mirror, two perpendicular plane image derotator |
US5412436A (en) | 1993-04-22 | 1995-05-02 | Thomson Consumer Electronics, Inc. | Motion adaptive video processing system |
US5614988A (en) * | 1993-12-06 | 1997-03-25 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method with a plurality of projection optical units |
DE19654208C2 (de) * | 1996-12-24 | 2001-05-10 | Leica Microsystems | Mikroskop |
JP2001264696A (ja) * | 2000-03-16 | 2001-09-26 | Canon Inc | 照明光学系及びそれを備えた露光装置 |
TW200412617A (en) * | 2002-12-03 | 2004-07-16 | Nikon Corp | Optical illumination device, method for adjusting optical illumination device, exposure device and exposure method |
CN1910522B (zh) | 2004-01-16 | 2010-05-26 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 偏振调制光学元件 |
US7312850B2 (en) * | 2004-04-02 | 2007-12-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, illumination system, and optical element for rotating an intensity distribution |
US7324280B2 (en) * | 2004-05-25 | 2008-01-29 | Asml Holding N.V. | Apparatus for providing a pattern of polarization |
US7312852B2 (en) * | 2004-12-28 | 2007-12-25 | Asml Netherlands B.V. | Polarized radiation in lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102005037764B4 (de) * | 2005-08-10 | 2008-07-03 | Carl Zeiss Jena Gmbh | Anordnung zur homogenen Beleuchtung eines Feldes |
US20070058151A1 (en) * | 2005-09-13 | 2007-03-15 | Asml Netherlands B.V. | Optical element for use in lithography apparatus and method of conditioning radiation beam |
DE102007027985A1 (de) * | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches System, insbesondere Beleuchtungseinrichtung oder Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
WO2008119794A1 (en) * | 2007-04-03 | 2008-10-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical system, in particular illumination device or projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus |
-
2008
- 2008-06-20 WO PCT/EP2008/057900 patent/WO2009152867A1/en active Application Filing
- 2008-06-20 JP JP2011513885A patent/JP5319766B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-12-17 US US12/971,798 patent/US8593618B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61296302A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-27 | Asahi Breweries Ltd | 画像回転機構 |
JPH03295222A (ja) * | 1990-04-12 | 1991-12-26 | Canon Inc | 露光装置 |
JPH088177A (ja) * | 1994-04-22 | 1996-01-12 | Canon Inc | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP2005333001A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置、および露光方法 |
JP2006210471A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置、および露光方法 |
WO2006097135A1 (en) * | 2005-03-15 | 2006-09-21 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure method and projection exposure system therefor |
JP2008533728A (ja) * | 2005-03-15 | 2008-08-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 投影露光方法及びそのための投影露光システム |
JP2007220767A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2007258575A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Canon Inc | 照明装置、当該照明装置を有する露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2008016516A (ja) * | 2006-07-03 | 2008-01-24 | Canon Inc | 露光装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150040343A (ko) * | 2012-09-28 | 2015-04-14 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그래피 투영 노광 장치용 광학 시스템 및 마이크로리소그래피 노광 방법 |
JP2015534653A (ja) * | 2012-09-28 | 2015-12-03 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィー投影露光装置用光学システム及びマイクロリソグラフィー露光方法 |
US9488918B2 (en) | 2012-09-28 | 2016-11-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optical system for a microlithographic projection exposure apparatus and microlithographic exposure method |
KR101699639B1 (ko) | 2012-09-28 | 2017-01-24 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그래피 투영 노광 장치용 광학 시스템 및 마이크로리소그래피 노광 방법 |
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